側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】一種側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其包括：提供一個(gè)模具；在該模具的內(nèi)表面上形成一反射層；提供一個(gè)板狀的折射膠帶，該折射膠帶的端部延伸至位于該模具的凸出部的邊緣；通過(guò)該凸出部的開口抽真空以吸取該折射膠帶以形成一折射層；提供一個(gè)基板，該基板上設(shè)置有至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片，將形成有折射層的該模具設(shè)置在該基板上，；向該收容空間內(nèi)注入封裝膠，且固化該封裝膠，以形成封裝層；去除該模具；切割該基板、封裝層、折射層以及反射層，以形成至少兩個(gè)側(cè)光式發(fā)光二極管。
【專利說(shuō)明】側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種具有折射層的側(cè)光式發(fā)光二極管的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來(lái)越多地應(yīng)用到各領(lǐng)域當(dāng)中，如路燈、交通燈、信號(hào)燈、射燈及裝飾燈等。
[0003]現(xiàn)有的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法,一般地,在發(fā)光二極管芯片的出光面設(shè)置有反射層，以將發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光反射至側(cè)邊出射。然而，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線經(jīng)過(guò)反射層時(shí)，部分光線容易穿過(guò)反射層，而無(wú)法被反射至側(cè)邊出射，從而降低了發(fā)光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種發(fā)光效率高的側(cè)光式發(fā)光二極管的形成方法。
[0005]—種側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其包括:
提供一個(gè)模具，該模具包括一凸出部，該凸出部?jī)?nèi)形成一個(gè)收容空間，該凸出部上開設(shè)有將收容空間與外部連通的一個(gè)開口；；
在該模具的內(nèi)表面上形成一反射層；
提供一個(gè)板狀的折射膠帶，該折射膠帶的端部延伸至位于該模具的凸出部的邊緣；通過(guò)該凸出部的開口抽真空以吸取該折射膠帶，直至該折射膠帶吸附于該反射層上，以形成一折射層；
提供一個(gè)基板，該基板上設(shè)置有至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片，將形成有折射層的該模具設(shè)置在該基板上，該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片收容于該收容空間內(nèi)；
向該收容空間內(nèi)注入封裝膠，且固化該封裝膠，以形成封裝層；
去除該模具；
切割該基板、封裝層、折射層以及反射層，以形成至少兩個(gè)側(cè)光式發(fā)光二極管。
[0006]該側(cè)光式發(fā)光二極管的制造方法，通過(guò)抽真空吸取形成有折射層。該發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光部分被折射層直接折射至側(cè)邊出射，部分透過(guò)該折射層的光線再經(jīng)過(guò)該反射層反射，然后再通過(guò)折射層折射至側(cè)邊出射，從而可提高該側(cè)光發(fā)光二極管的出光效率。并且，該折射層通過(guò)真過(guò)抽真空吸取的方式形成，其可形成薄且均勻的折射層。
[0007]下面參照附圖，結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1到圖10為本發(fā)明實(shí)施方式提供的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法的剖面流程圖。
【權(quán)利要求】
1.一種側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其包括: 提供一個(gè)模具，該模具包括一凸出部，該凸出部?jī)?nèi)形成一個(gè)收容空間，該凸出部上開設(shè)有將收容空間與外部連通的一個(gè)開口； 在該模具的內(nèi)表面上形成一反射層； 提供一個(gè)板狀的折射膠帶，該折射膠帶的端部延伸至位于該模具的凸出部的邊緣；通過(guò)該凸出部的開口抽真空以吸取該折射膠帶，直至該折射膠帶吸附于該反射層上，以形成一折射層； 提供一個(gè)基板，該基板上設(shè)置有至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片，將形成有折射層的該模具設(shè)置在該基板上，該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片收容于該收容空間內(nèi)； 向該收容空間內(nèi)注入封裝膠，且固化該封裝膠，以形成封裝層； 去除該模具； 切割該基板、封裝層、折射層以及反射層，以形成至少兩個(gè)側(cè)光式發(fā)光二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，該凸出部呈半球狀。
3.如權(quán)利要求1所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，該凸出部的開口位于該凸出部的正中心。
4.如權(quán)利要求1所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，該折射膠帶的厚度為50到100納米。
5.如權(quán)利要求1所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，該折射膠帶中包括有二氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒、或者二氧化硅顆粒。
6.如權(quán)利要求1所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，該反射層通過(guò)濺鍍形成在該模具的內(nèi)表面上。
7.如權(quán)利要求1所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，該反射層的厚度為0.1到0.3納米。
8.如權(quán)利要求1所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，該模具還包括一個(gè)環(huán)狀的平板部，該凸出部與該平板部相連接且位于該平板部中，向該收容空間內(nèi)注入封裝膠前，該位于模具的平板部上的折射層與該基板之間形成一間隙，通過(guò)該間隙向該收容空間內(nèi)注入封裝膠。
9.如權(quán)利要求1-8項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于，步驟“在該模具的內(nèi)表面上形成一反射層”之前進(jìn)一步包括步驟:形成一保護(hù)層于該模具的內(nèi)表面上，該反射層形成在該保護(hù)層上，去除該模具的同時(shí)，去除該保護(hù)層。
10.如權(quán)利要求9所述的側(cè)光式發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，該保護(hù)層為一塑料層。
【文檔編號(hào)】H01L33/58GK103531698SQ201210233404
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月6日
【發(fā)明者】羅杏芬 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司