專利名稱：：側面發(fā)光型發(fā)光二極管及其制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種制造二級管的方法，尤其是涉及一種制造側面發(fā)光型發(fā)光二極管的方法。
背景技術：
：參照圖1和圖2，移動通信設備的液晶顯示器(LCD)背光設備的組成通常如圖1所述。即，在背光設備10中，在板上設置平的光導板14，并且在該光導板14的側面設置側發(fā)光二極管，即LED20。-一般地，多個LED20以陣列形式排列。從LED20入射到光導板14上的光L通過設置在光導板14的底表面處的微反射圖案或者反射片16而向上反射，并且該光從光導板14發(fā)出以為位于光導板14上方的LCD面板18提供背光。圖2所示為如圖1所示的傳統(tǒng)LED20的正視圖。參照圖2，LED20包括內部容納有LED芯片22(參見圖r)的杯狀凹槽28，以及封裝體，具有位于凹槽28的底部和頂部處的薄壁24以及位于凹槽28的左側和右側的相對厚的壁26。為了將在LED芯片22處產生的光導向外部，該杯狀凹槽28朝向該圖的前面打開以形成LED視窗，其中用透明樹脂將該視窗填充以將LED芯片與外部密封。此時，可以在樹脂中包括熒光成分等以將單一顏色光轉化為白光。同樣，在封裝體23的兩側上安裝有一對端子29，以將LED芯片22電連接到外部電源。通過該結構，端子29不與凹槽28重疊在一起，從而減小了LED20的整個厚度。尤其是，當前要求減小LCD背光設備的厚度，并且LED厚度的減小有利于背光設備厚度的減小。目前，要求LCD背光設備中側面發(fā)光型發(fā)光二極管(LED)的厚度為約0.6mm或更低，并且未來有望達到0.5mm或更低。然而，具有如圖1和圖2所示結構的LED20很難確保0.5mm或更低的封裝厚度，即，適配高度。這是因為凹槽28的開口，即LED視窗要求一定量的寬度以將在LED芯片22處產生的光導向外部，位于LED視窗底部和頂部的壁24也要求一定量的厚度以確保所需要的強度，并且僅通過注射模塑(injection-molding)型制造方法很難使該厚度低于某一數(shù)值。應用到LCD背光設備中的傳統(tǒng)LED存在的另一問題在于凹槽28的開口，即，LED視窗與光導板14的底部被向上分隔開該下壁24的厚度th。從而，在LED芯片22處產生并朝向凹槽28的外部向下發(fā)射的光L在到達光導板14底部處的反射片16之前沿著預定的長度行進。這在反射片16上產生第一暗店33，在該暗點處光L很暗，從而使LCD背光設備的整體效率降低。同時，隨著其上安裝有LCD背光設備的移動通信設備的小型化，也存在減小用于LCD背光設備的光導板厚度的趨勢。g卩，光導板的厚度將被減少到0.5mm或更低。在這種情況下，在使用傳統(tǒng)LED的LCD背光設備中會出現(xiàn)將參照圖3描述的另一問題。如圖3所示，當光導板14a的厚度為0.5mm或更低時，LED20a的厚度大于光導板14a的厚度。然后，在LED20a內的LED芯片22a處產生的大量光不能到達光導板14a，會發(fā)生光損耗。因此，為了避免這一問題，LCD背光設備10a具有安裝在光導板14a的側上端處的反射器35，以將光導向光導板14a的內側并且避免光損耗。然而，這使得LCD背光設備10a的構成及其制造工藝變得更加復雜，這反過來增加了工作時間和成本。另外，如圖4所示，在導光板14側面處的板12上以陣列形式設置有多個側面發(fā)光型發(fā)光二極管，即LED20，在該多個LED20之間存在第二暗點36，在該暗點中LED芯片22產生的光很暗，這也降低了LCD背光設備的整體效率。此外，由于LED20的凹槽28的深度(即，從其上安裝有LED芯片22的端子29的表面到壁24的上表面的距離)通常為0.6mm或更大，由LED芯片22發(fā)出的光在壁24的內表面之間反射的次數(shù)較高，從而增加了光損耗。
發(fā)明內容技術問題本發(fā)明的目的在于提供一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管及其制造方法，其中，根據(jù)背光設備中光導板的厚度逐漸減小到0.5mm或更低的趨勢，為了使總厚度為0.5mm或更低，壁的厚度需要為0.04到0.05mm。本發(fā)明的另一目的在于提供一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管及其制造方法，其中通過在形成引線架時形成直列式電極而不需要折疊和彎曲等額外工藝并且通過在將側面發(fā)光型發(fā)光二極管安裝到PCB上時在該引線架(在引線架的端部處)上提供切割凹槽而使引線架和PCB上的導電圖案之間的電接觸以及供電更有效，從而簡化r制造工藝。本發(fā)明的再一目的在于提供一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管及其制造方法，其中使形成反射器的壁的高度最小化，從而增加了發(fā)出總光量，并且在安裝到LCD的背光設備上時使出現(xiàn)暗點的幾率減到最小。技術方案本發(fā)明一方面的特征在于提供一種制造側面發(fā)光型發(fā)光二極管的方法，包括(a)提供包括陰極端和陽極端的引線架；(b)形成圍繞引線架的反射器，使得陰極端和陽極端的部分從其兩側突出，并且該反射器包括向上開口的凹槽和圍繞該凹槽的壁；(c)在凹槽的內側以芯片粘接的方式將LED芯片連接到引線架上；(d)通過導線將LED芯片焊接到陽極端或陰極端上；(e)將液體可固化樹脂分配到該凹槽中以形成透鏡部；以及(f)通過鋸床將彼此相對的壁鋸開，從而上表面處的厚度為0.04到0.05mm。這里，引線架通過使用壓鑄機沖壓鍍銀(Ag)銅(Cu)板形成，并且該引線架可以包括在陰極端和陽極端外部的兩側部分處的切割凹槽。同時，可以通過塑料注射模塑形成反射器，使得凹槽的寬度為0.3到0.35mm。同樣，該壁的內表面可以形成為具有相對于底部表面的預定的傾角。所述步驟(b)形成、(c)連接和(d)焊接中的任何一個都進一步包括在壁的內表面上涂覆反射物質或連接金屬材料的反射板。該液體可固化樹脂可以包括混合有熒光物質的液體環(huán)氧，該熒光物質可與LED芯片的顏色相對應。本發(fā)明另一方面的特征在于提供一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管，包括一對引線架；圍繞該引線架的反射器，其包括向上開口的凹槽和圍繞該凹槽的壁；安裝在該凹槽中并且通過導線焊接到引線架的LED芯片；以及填充在該凹槽中的透鏡部，其中在上表面處彼此相對的壁的厚度為0.04到0.05mm。該對引線架可以是條形形狀，彼此相對的引線架可以是直列式排列并分隔開預定的間隙(gap)，并且該對引線架具有從反射器突出的部分。這里，從反射器突出的部分可以具有錐形形狀，從而朝向端部的寬度變窄。該壁的高度可以是0.25到0.35mm。本發(fā)明的另一方面的特征在于提供一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管，包括一對引線架；圍繞該引線架的反射器，其包括向上開口的凹槽和和圍繞該凹槽的壁；安裝在凹槽中并通過導線焊接電連接到引線架的LED芯片；填充在凹槽中的透鏡部，其中壁的高度為0.25到0.35mm。反射器可以包括塑料材料，該側面發(fā)光型發(fā)光二極管可以通過塑料注射模塑形成并且壁的內表面可以形成為相對于槽的底部表面具有預定的傾角。該透鏡部可通過固化液體環(huán)氧形成，該液體環(huán)氧包括與LED芯片所發(fā)光的光的顏色相對應的熒光物質。同時，該引線架可以為條形形狀，并且彼此相對的引線架Bj以以直列結構排列并間隔開預定的間隙，并且該引線架具有從反射器突出的部分。這里，從反射器突出的部分可以具有錐形形狀，從而朝向端部的寬度變窄。有益效果本發(fā)明一方面的特征在于提供一個側面發(fā)光型發(fā)光二極管及其制造方法，其總厚度為0.5mm或更低，通過刀片將圍繞在引線架周圍并形成反射器的模具鋸開，從而壁的厚度為0.04到0.05mm。本發(fā)明一方面的特征還在于提供一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管及其制造方法，其通過在形成引線架時形成直列式電極而不需要折疊和彎曲等額外工藝并且在將側面發(fā)光型發(fā)光二極管安裝到PCB上時通過在引線架(引線架的端部)上提供切割凹槽而使該引線架和PCB上的導電圖案之間的電連接以及供電更有效，簡化了制造工藝。本發(fā)明--方面的特征還在于提供一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其通過使形成反射器的壁的高度最小化而使得發(fā)射的光的總量增加而且，隨著形成反射器的壁的高度最小化，可以增加發(fā)射的光的角度，從而在安裝到LCD的背光設備上時可以最小化暗點的形成。圖1所示為描述應用于LCD背光設備中的傳統(tǒng)LED所存在的問題的剖視圖；圖2所示為傳統(tǒng)LED示例的正視圖；圖3所示為描述應用于LCD背光設備中的傳統(tǒng)LED所存在的另一問題的剖視圖；圖4所小為在LCD背光設備中排列為陣列的傳統(tǒng)側面發(fā)光型發(fā)光二極管的平面圖；圖5所示為根據(jù)本發(fā)明實施方式制造側面發(fā)光型發(fā)光二極管的方法流程示意圖；圖6所示為根據(jù)本發(fā)明實施方式的引線架(leadframe)的平面圖；圖7所示為在圖6的引線架上形成反射器之后該引線架的平面圖；圖8所小為沿圖7中的線A-A'提取的剖視圖；圖9所示為沿圖7中的線B-B'提取的剖視圖；圖10所示為在安裝LED芯片并且執(zhí)行焊線之后的剖視圖；圖11所示為根據(jù)木發(fā)明實施方式制造的側面發(fā)光型發(fā)光二極管的透視圖；圖12所示為根據(jù)本發(fā)明實施方式的側面發(fā)光型發(fā)光二極管的透視圖；圖13所示為沿圖12的線C-C'提取的剖視圖，用于描述引線架的排列；圖14所示為沿圖12的線D-D'提取的剖視圖，其中反射器的壁為通常高度h"圖15所示為沿圖12的線D-D'提取的剖視圖，其中反射器的壁為優(yōu)選高度h2;圖16所示為沿圖12的線E-E'提取的剖視圖；圖17所示為應用于LCD背光設備中圖12所示的側面發(fā)光型發(fā)光二極管的示例的透視圖；以及圖18所示為圖17的平面圖。<主要元件的附圖標記說明>100:側面發(fā)光型發(fā)光二極管110:引線架板113:連接片120:反射器C:切割線130:LED芯片135:金(Au)導線111(111a,111b):引線架115:切割凹槽121(121a,121b，123a,123b):壁133:導電糊137:透鏡部具體實施方式下面將結合附圖對本發(fā)明的側面發(fā)光型發(fā)光二極管的實施方式及其制造方法進行詳細說明，在參照附圖的說明書中，對各個附圖中相同或者相應的元件使用相同的附圖標記，并且省略了冗余的解釋。圖5所示為根據(jù)本發(fā)明實施方式用于制造側面發(fā)光型發(fā)光二極管的方法流程示意圖。在描述該用于制造側面發(fā)光型發(fā)光二極管的方法中，將參照圖6到11分別對每一操作進行描述。圖6所示為根據(jù)本發(fā)明實施方式的引線架的平面圖，圖7所示為在圖6的引線架i:形成發(fā)射器之后該引線架的平面圖，圖8所示為沿圖7屮的線A-A'提取的剖視圖，圖9所示為沿圖7中的線B-B'提取的剖視圖，圖10所不為在安裝LED芯片并且完成焊線之后的剖視圖，并且圖11所示為根據(jù)本發(fā)明實施方式制造的側面發(fā)光型發(fā)光二極管的透視圖；首先，制備引線架110(參見圖6)(SI)。在該實說方式中，使用壓鑄機(presscast)對鍍有銀(Ag)的銅(Cu)板進行沖壓以形成諸如圖6所示的引線架板110。這里，其厚度為0.2mm，從而其可以將由LED芯片產生的熱量釋放到外部。設置條形的一對引線架111,從而使得位于彼此相對的內側上的端部分隔開預定的間隙G，并且外側的端部通過連接片113連接到兩側上。該引線架111的一側成為陰極端llla而另一側成為陽極端lllb。同時，在引線架的外端部與連接片相接合的部分的外部上形成切割凹槽115。該切割凹槽115的功能將在后面描述。第二，在引線架板110上形成反射器120(參見圖7到圖9)(S2)形成圍繞該對引線架111的反射器120，使得該端部從左右兩側突出出來，該反射器120具有一在其中容納LED芯片130(參見圖10)的杯型延長凹槽125和圍繞該凹槽125的薄的上部和下部壁121a，121b以及相對厚的左側和右側壁123a，123b。在該對引線架111的上部和下部形成反射器120，并通過通用的注射模塑技術形成該反射器120。在該實施方式中，將上部和下部薄壁121a，121b都制成0.2mm的厚度，在凹槽125的底部，上部和下部薄壁121a，121b的內表面之間的距離為0.3mm(其上放置有LED芯片的底部表面的厚度)。然而，通過塑料注射模塑方法，壁的厚度不能低于0.07mm，尤其對于頂部和底部的薄壁，并且厚度減小的越多，制造成本增加的會越多，而且甚至以高成本制造壁厚為0.07mm的反射器，仍然會存在問題，原因在于該側面發(fā)光型發(fā)光二極管的整體厚度人于0.5mm，從而不能夠滿足光導板14a(參見圖3)厚度為0.5mm或更低的趨勢，并且必須使用反射器35(參見圖3)。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，通過制造側面發(fā)光型發(fā)光二極管方法的最后流程，將引線架和壁鋸開(S6,參見圖5)，口T以獲得解決這些問題的技術方案。后面將提供此方面的詳細描述。同時，考慮到側面發(fā)光型發(fā)光二極管的發(fā)光效率，在壁121a、121b、121a、121b的內表面涂上反射物質或連接有金屬材料的反射板的同時，使壁121a、121b、121a、121b的內表面形成為具有傾角。第三，以芯片粘接(die-attach)的方式連接LED芯片130(參見圖9)(S3)在該實施方式中，使用導電糊133將LED芯片130粘接到凹槽125內側的引線架llla上，并且使用尺寸為0.24X0.48X0.1mm的LED芯片130。第四，通過導線135(參見圖10)將LED芯片130焊接在引線架111b上(S4)。在該實施方式中，使用金(Au)導線135。盡管在該實施方式中，LED芯片130通過導電糊133粘接在一側的引線架llla上，然后通過用于電連接的金(Au)導線135焊接到另一側的引線架lllb上，這種情形也可以被認為是LED芯片通過非導電糊(沒有圖示)粘接在這對引線架llla，111b內側的相對端之間的反射器120的模具上，并且分別用導線焊接在兩側的引線架llla，111b上。第五，在反射器的凹槽125中形成透鏡部(S5)透鏡部137通過在凹槽125中分配混合有與LED芯片130的顏色相對應的熒光物質的液體環(huán)氧形成。同時，在本實施方式中，透鏡部137通過在液體環(huán)氧中混合熒光物質形成，這種情形也可以被認為是透鏡部137通過在LED芯片130上點入(dot)熒光物質，然后再向反射器的凹槽125中注入諸如液體環(huán)氧的可固化樹脂而形成透鏡部137。最后，將引線架板和壁鋸開(S6)。利用帶有刀片的鋸床將彼此相對的壁121a，121b沿切割線C(參見圖7和圖8)鋸開，使得每個上表面的厚度都為0.04mm，從而完成側面發(fā)光型發(fā)光二極管100及其制造方法。如上所述，使用注射模塑方法很難使壁厚達到0.07mm或更低，所以在本實施例屮，利用帶有刀片的鋸床分別將壁121a，121b的厚度b形成為0.04mm，并且將反射器的凹槽的頂部寬度t3形成為0.32mm，從而該側面發(fā)光型發(fā)光二極管的總厚度(參見圖11)為0.4mm。這樣，在沒有增加成本的情況下，從根本匕減少了側面發(fā)光型發(fā)光二極管的整休厚度，使用該側面發(fā)光型發(fā)光二極管的LCD背光設備的厚度也可以減小，以滿足使用0.5mm或更薄的光導板的發(fā)展趨勢。此外，將基于本發(fā)明一個方面的側面發(fā)光型發(fā)光二極管應用到LCD背光設備中時，通過將壁121a，121b的厚度減小到0.4mm，可以最小化第一暗點133(參見圖l)，以增加光發(fā)射效率。同時，當引線架IIO(參見圖7)和反射器120沿切割線C鋸開時，切割凹槽115為這對引線架llla，lllb提供錐形形狀，使得朝向末端的寬度變窄，從而形成沒有被鋸到的端部。因此，該引線架可以解決如下問題在使用鍍銀(Ag)銅(Cu)板時，鍍銀(Ag)在鋸的過程中會從銅(Cu)板上脫離，會引起引線架和PCB上的導電圖案之間的電接觸以及在將側面發(fā)光型發(fā)光二極管安裝到PCB板上時供電的效率降低。圖12所示為根據(jù)本發(fā)明實施方式的側面發(fā)光型發(fā)光二極管的透視圖；圖13所示為沿圖12的剖面線C-C'提取的引線架排列的剖視圖；圖14所示為在反射器的壁為通常高度h,時沿圖12的剖面線D-D'提取的剖視圖；圖15所示為在反射器的壁為優(yōu)選高度h2時沿圖12的剖面線D-D'提取的剖視圖；以及圖16所示為沿圖12的剖面線E-E'提取的剖視圖。參照圖12和圖13，包括圍繞在一對引線架lir周圍的反射器120'，使得端部從兩側突出，其包括其中容納有LED芯片130'(參見圖14到16)的杯型凹槽，位于凹槽125的頂部和底部的薄壁121'a，121'b以及其左側和右側的相對厚壁123'a,123'將其環(huán)繞。在這對引線架lll'的上部和F部處形成反射器120'，其通常通過塑料注射模塑技術形成。如圖13所示，該對條形的引線架lll'具有以預定的間隙分隔開的彼此相對的端部，并且該端部以直列式的方式排列而整體上沒有任何折疊和彎曲。這對引線架IU'的一側形成為陽極端lll'a，而另-側形成為陰極端lll'b。每一端子的極性可以根據(jù)需要改變。同樣，為了使形成反射器120，的塑料模具圍繞引線架nr并且垂直連接，從而使引線架iir被穩(wěn)固支撐，該引線架iir的內側部分要比外端的寬度做的窄一些。本實施方式中用到的這對引線架iir通過使用壓鑄機沖壓鍍銀(Ag)的銅(Cu)板形成，其中引線架lU'具有0.2mm的厚度，從而能夠將LED芯片中產生的熱量散發(fā)到側面發(fā)光型發(fā)光二極管的外部。同樣，這對引線架lll'a、lll'b的每一個外部端子可以具有錐形形狀，從而端部的寬度變窄。這是因為，當通過鋸由鍍銀(Ag)銅(Cu)板形成的引線架而制造該對引線架lll'a、lll'b時，該形狀可以解決鍍銀(Ag)從銅(Cu)板上脫離的問題；當PCB上安裝基于本發(fā)明一個方面的側面發(fā)光型發(fā)光二極管100'時，通過為PCB和引線架端子之間的焊料提供空間，可以增加與PCB上導電圖案的電接觸效率；通過將側面發(fā)光型發(fā)光二極管緊緊粘附在PCB上，可以改善通過引線架的放熱效果。參照圖16，將LED130，(0.24X0.48X0.1mm)安裝到通過芯片反射器120'的凹槽125'內側暴露的一側的引線架lll，a上，其中LED芯片130'通過導電糊133'粘接并且通過金(Au)導線135，與另一側的引線架lll，b焊接以電連接。同樣，除了通過導電糊133，將LED芯片BO，粘接到一側的引線架lll'a上并且然后通過金(Au)導線135，焊接到另一側的引線架lll'b上，這種情況也可以被認為是用非導電糊(沒有圖示)將LED芯片連接到一側的引線架lll，a上并且然后分別對兩側的引線架lll'a，lll，b這些導線焊接。同時，在反射器的凹槽125'中包含有透鏡部137'，用來保護LED芯片130'和金(Au)導線135'。在本實施方式中，通過分配混合有對應于LED芯片130'的顏色的熒光物質的液體環(huán)氧而形成透鏡部137'。利用熒光物質，使用發(fā)射單色光的LED芯片130'可以實現(xiàn)單色光。同時，盡管在本實施方式中通過在液體環(huán)氧中混合熒光物質而形成透鏡部137'，這種情況也可以被認為是將熒光物質點到LED芯片130，上并且然后向反射器的凹槽125'中注入諸如液體環(huán)氧的固化樹脂形成。參照圖14到圖18，以下將描述相對于反射器壁的通常高度h,，為什么使用根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的反射器壁的優(yōu)選高度h2可以改善光發(fā)射效率和總的光量。圖14所示為當限定反射器的凹槽125'的壁121'的高度設為0.6mm(h,)時，由LED芯片130，發(fā)出的光的反射特性?？紤]到LED芯片130'的寬度，將凹槽125，屮的寬度t2，設為0.3mm，并且考慮到結構穩(wěn)定性以及注射模塑型制造，將壁121'上部處的厚度V設為O.lmm。此時，壁121'的內表面有一定的傾角以反射光，該傾角為e"此時，由LED芯片130'發(fā)出的光I^反射到壁12r的內表面四次，其中由于光顆粒與壁121'的內表面發(fā)生碰撞，該反射使光顆粒損失一定的能量。圖15所示為當將限定反射器的凹槽125'的壁121'的高度設為0.3mm(h,)時，由LED芯片130，發(fā)出的光的反射特性。當將芯片厚度設為典型值O.lmm時，用于電連接LED芯片130，和引線架lir的金(Au)導線135，(參見圖16)的高度通常為0.15mm-0.2mm，并且由于0.25mm到0.35mm的范圍對于透鏡部的高度是有利的以將其封裝進行保護，而且考慮到結構穩(wěn)定性，將壁121，的高度設為0.3mm(h2)。此時，在V,V和t，相等的條件下，如圖14所示，壁的內表面傾角變成e2，其中02大于et。隨著02的增加，由LED芯片130'發(fā)出的光的反射特性也隨之變化。艮P，由LED芯片130，發(fā)出的光在壁121，的內表面上的反射數(shù)量從4(L,的反射數(shù)量，參見圖14)減少到1，并且同時，當發(fā)生發(fā)射時，由于光顆粒與壁121'內部表面的碰撞產生的能量損耗也得以減小。從而改善了從根據(jù)本發(fā)明一方面的側面發(fā)光型發(fā)光二極管輸出的總光量?？紤]到近來對光導板的厚度為0.5mm或更薄的需求趨勢，并且在t,的減小給制造方法和成本帶來問題而且t2的減小將受LED尺寸限制的情況下，本實施例通過將限定反射器凹槽的壁的高度降低到0.3mm而增加壁的內表面的傾角，從而有效改善r從側面發(fā)光型發(fā)光二極管輸出的總光量。圖16所示為沿圖12的E-E'線提取的剖視圖，對于壁123'a，123'b的高度，比較使用根據(jù)現(xiàn)有技術的通常高度0.6mm(h,)和使用根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的優(yōu)選高度0.3mm(h2)的情況下的不同效果，其中使用點劃線表示前者。如圖16所示，隨著壁123'a，123，b的高度從0.6mm(h,)減小到0.3mm(h2)，在壁123'a，123，b的上表面的厚度t3，保持恒定的條件下，nj"以看到，表示發(fā)射到側面的光的角度6v(可視角度)從ev,增加到0V2。圖17所示為LCD背光設備屮使用的圖12所示的側面發(fā)光行發(fā)光二極管100'的透視圖，并且圖18為圖17的平面圖。參照圖17和圖18，多個側面發(fā)光行發(fā)光二極管100'以陣列的形式排列在與光導板114一側相鄰的板112上。這里，如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，如圖16所示，ev(可視角度)增加，并且由于在多個側面發(fā)光型發(fā)光二極管100'兩兩之間的光導板114上所呈現(xiàn)的暗點136區(qū)域相對于使用傳統(tǒng)的側面發(fā)光型發(fā)光二極管的第二暗點(參見圖4)區(qū)域變得減小，可以解決現(xiàn)有技術中LCD背光設備的總效率減小的的技術問題。以下參照圖14和圖15闡述一示例性比較實驗。實驗中所使用的側面發(fā)光型發(fā)光二極管的總厚度為0.425mm，其上放置有LED芯片130，的凹槽的底部表面寬度t2，為0.3mm，將尺寸為0.24X0.48X0.1mm的藍光芯片作為LED芯片130'，通過1密耳的標準金(Au)導線135，，使用清晰型(D-20-4)芯片粘接膠與一側的引線架lll，b連接，通過分配混合有YESMTECH公司的液體環(huán)氧(YE1205A/B環(huán)氧)的熒光物質(30%)而實現(xiàn)透鏡部137'以輸出白色光。同時，每個LED芯片130，的傳送電壓為20mA。目前通常用于LED工業(yè)中作為初始化(數(shù)據(jù)校驗)設備的德國儀器公司生產的CAS140B用來作為測量設備，并且該測量位置被設置為距離LED芯片130，100mm。在以下條件下，在將限定反射器的凹槽125'的壁121'的高度設為0.57mm(a)和0.3mm(b)的情況F比較光的亮度。比較實驗結果，如表l所示，壁121，的高度為0.3mm與高度為0.57mm相比，側面發(fā)光型發(fā)光二極管發(fā)出的光的總量(即，亮度)增長了大約10%。表1<表1:根據(jù)壁高度的亮度對比實驗數(shù)據(jù)><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>雖然已經說明了本發(fā)明的某些具體實施方式，但是熟悉本領域的任何普通技術人員應該可以理解，在不脫離由所附權利要求書及其等效無限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行各種改變和修改。權利要求1、一種制造側面發(fā)光型發(fā)光二極管的方法，所述方法包括(a)提供包括陰極端和陽極端的引線架；(b)形成圍繞引線架的反射器，從而陰極端和陽極端的部分從兩側突出并且包括向上開口的凹槽和圍繞該凹槽的壁；(c)在凹槽內側的引線架上通過芯片粘接的方式連接有LED芯片；(d)通過導線將LED芯片焊接到陰極端或陽極端上；(e)向凹槽中分配液體可固化樹脂以形成透鏡部；(f)使用鋸床鋸開彼此面對的壁，從而上表面處的厚度為0.04到0.05mm。2、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述引線架通過使用壓鑄機沖壓鍍銀(Ag)銅(Cu)板形成。3、根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述引線架包括在陰極端子和陽極端子的外端的兩側部分上的切割凹槽。4、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射器通過塑料注射模塑形成以使槽的寬度為0.3到0.35mm。5、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述壁的內表面形成為具有相對于底部表面的預定傾角。6、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述(b)形成、(c)連接和(d)焊接中的任何其中之一包括在該壁的內表面上涂覆反射物質或連接金屬材料的反射板。7、根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述液體可固化樹脂包括熒光物質和液體環(huán)氧的混合物，該熒光物質對應于LED芯片的顏色進行選擇。8、一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管，包括一對引線架；圍繞該引線架的反射器，該反射器包括向上開口的凹槽和圍繞該凹槽的壁；安裝在該凹槽中并且通過導線焊接而電連接到引線架的LED芯片；填充在凹槽中的透鏡部；其中，所述彼此面對的壁在上表面處具有0.04到0.05mm的厚度。9、根據(jù)權利要求8所述的側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述一對引線架具有條形形狀，并且其中該彼此相對的引線架以直列結構排列并分隔開預定的間隙，并且該對引線架具有從反射器突出的部分。10、根據(jù)權利要求8所述的側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述一對引線架具有條形形狀，并且其中彼此相對的引線架以直列結構排列并分隔開預定的間隙，并且該對引線架具有從反射器突出的部分，該從反射器突出的部分具有錐形形狀，從而朝向端部的寬度變窄。11、根據(jù)權利要求8所述的側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述壁的高度為0.25到0.35mm。12、一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管，包括一對引線架；圍繞該引線架的反射器，該反射器包括向上開口的凹槽和圍繞該凹槽的壁；安裝在該凹槽中并且通過導線焊接而電連接到引線架的LED芯片；填充在凹槽中的透鏡部；其中，所述壁的高度為0.25到0.35mm。13、根據(jù)權利要求12所述的側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述反射器包含塑料材料，并且該側面發(fā)光型發(fā)光二極管通過注射模塑形成。14、根據(jù)權利要求12所述的側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述壁的內表面形成為具有相對于該凹槽的底部表面具有預定的傾角。15、根據(jù)權利要求12所述的側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述透鏡部通過固化液體環(huán)氧形成，該液體環(huán)氧包括與由LED芯片發(fā)出的光的顏色相對應的熒光物質。16、根據(jù)權利要求12所述的側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述一對引線架具有條形形狀，并且其中彼此相對的引線架以直列結構排列并分隔開預定間隙，并且該對引線架具有從反射器突出的部分。17、根據(jù)權利要求12所述的側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述一對引線架具有條形形狀，并且其中彼此相對的引線架以直列結構排列并分隔開預定的間隙，并且該對引線架具有從反射器突出的部分，該從反射器突出的部分具有錐形形狀，從而朝向端部的寬度變窄。全文摘要本發(fā)明公開了一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管及其制造方法。該方法包括(a)提供包括陰極端和陽極端的引線架；(b)形成圍繞引線架的反射器，從而陰極端和陽極端的部分從其兩側突出，并且該反射器包括向上開口的凹槽和圍繞該凹槽的壁；(c)在該凹槽的內側通過芯片粘接的方式將LED芯片連接到引線架；(d)通過導線將LED芯片焊接到陽極端或陰極端；(e)將液體可固化樹脂分配到該凹槽中以形成透鏡部；以及(f)通過鋸床鋸開彼此相對的壁，從而使上表面處的厚度為0.04到0.05mm。本發(fā)明提供一種側面發(fā)光型發(fā)光二極管，其中反射器的壁的厚度為0.04到0.05mm，總厚度為0.05mm或更低。文檔編號H01L33/50GK101151739SQ200680009858公開日2008年3月26日申請日期2006年10月30日優(yōu)先權日2005年11月9日發(fā)明者印致億,樸益圣,李振遠,金善鴻申請人:Alti電子株式會社