發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管制造方法，該制造方法包括步驟：提供金屬基板，該金屬基板包括第一表面與第二表面，該第一表面開設凹槽形成固晶區(qū)與打線區(qū)，固晶區(qū)與打線區(qū)通過凹槽隔開，固晶區(qū)內(nèi)具有凹陷；在該凹陷內(nèi)設置LED芯片并通過導線電連接打線區(qū)；形成封裝層覆蓋固晶區(qū)及打線區(qū)；去除金屬基板位于封裝層下方避開固晶區(qū)及打線區(qū)的部分，使固晶區(qū)與打線區(qū)分離。由于該發(fā)光二極管無需借助底板作支撐，并且除了作為固晶區(qū)域打線區(qū)外的其他作為連接的金屬基板部分均被完全蝕刻，因此發(fā)光二極管整體厚度變薄，適用于更多薄型化設計的產(chǎn)品中。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管。
【專利說明】發(fā)光二極管及其制造方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED (Light-emitting diode,發(fā)光二極管)產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點，因此被認為是新世代綠色節(jié)能照明的最佳光源。目前普遍應用于市場的LED產(chǎn)品由于需借助底板支撐LED的電極及反射杯，因此總體較厚，導致利用LED作為發(fā)光器件的燈具也無法做成厚度較小的外形。因此，目前的LED產(chǎn)品無法適應薄型化產(chǎn)品的發(fā)展趨勢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種薄型化發(fā)光二極管的制造方法。
[0004]一種發(fā)光二極管制造方法，該制造方法包括步驟:提供金屬基板，該金屬基板包括第一表面與第二表面，該第一表面開設凹槽形成固晶區(qū)與打線區(qū)，固晶區(qū)與打線區(qū)通過凹槽隔開，固晶區(qū)內(nèi)具有凹陷；在該凹陷內(nèi)設置LED芯片并通過導線電連接打線區(qū)；形成封裝層覆蓋固晶區(qū)及打線區(qū)；去除金屬基板位于封裝層下方避開固晶區(qū)及打線區(qū)的部分，使固晶區(qū)與打線區(qū)分離。
[0005]—種發(fā)光二極管，包括反射杯、第一電極與第二電極、封裝層、設置于該反射杯中的LED芯片以及電連接該LED芯片與該第一電極、第二電極的導線,該反射杯與該第一電極、第二電極相離設置，該封裝層連接該反射杯與該第一電極、第二電極的頂部。
[0006]由于該發(fā)光二極管無需借助底板作支撐，并且除了作為固晶區(qū)域打線區(qū)外的其他作為連接的金屬基板部分均被完全蝕刻，因此發(fā)光二極管整體厚度變薄，適用于更多薄型化設計的產(chǎn)品中。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的第一步驟。
[0008]圖2是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的第二步驟。
[0009]圖3是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的第三步驟。
[0010]圖4是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的第四步驟。
[0011]圖5是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的第五步驟。
[0012]圖6是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的第六步驟。
[0013]圖7是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的第七步驟。
[0014]圖8是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法制造完成的發(fā)光二極管示意圖。
[0015]圖9是本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管制造方法的制造金屬基板的步驟。
[0016]主要元件符號說明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管制造方法，該制造方法包括步驟: 提供金屬基板，該金屬基板包括第一表面與第二表面，該第一表面開設凹槽形成固晶區(qū)與打線區(qū)，固晶區(qū)與打線區(qū)通過凹槽隔開，固晶區(qū)內(nèi)具有凹陷； 在該凹陷內(nèi)設置LED芯片并通過導線電連接打線區(qū)； 形成封裝層覆蓋固晶區(qū)及打線區(qū)； 去除金屬基板位于封裝層下方避開固晶區(qū)及打線區(qū)的部分，使固晶區(qū)與打線區(qū)分離。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于:該金屬基板包括第一金屬層與第二金屬層，該第二金屬層設置于該第一金屬層上并形成該隔開的固晶區(qū)與打線區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于:蝕刻該第一金屬層與該第二金屬層，于固晶區(qū)上形成該凹陷，于該固晶區(qū)與該打線區(qū)之間形成凹槽。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于:該封裝層包括填滿該凹陷的突光粉層。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于:形成封裝層覆蓋固晶區(qū)及打線區(qū)的步驟之后還包括設置第三金屬層于該基板第二表面的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于:該第三金屬層與該金屬基板由相同材質(zhì)制成，且該第三金屬層的厚度大于該金屬基板位于固晶區(qū)及打線區(qū)之外的部分的厚度。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于:利用濕式蝕刻法蝕刻該第三金屬層與金屬基板避開固晶區(qū)及打線區(qū)的部分。
8.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于:該熒光粉層摻有熒光粉，該熒光粉層先形成于該凹陷中，該封裝層再形成覆蓋該固晶區(qū)。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于:包括二打線區(qū)，該二打線區(qū)分布于該固晶區(qū)的兩側(cè)。
10.一種發(fā)光二極管，包括反射杯、第一電極與第二電極、封裝層、設置于該反射杯中的LED芯片以及電連接該LED芯片與該第一電極、第二電極的導線，其特征在于:該反射杯與該第一電極、第二電極相離設置，該封裝層連接該反射杯與該第一電極、第二電極的頂部。
【文檔編號】H01L33/00GK103531670SQ201210233023
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月6日
【發(fā)明者】陳濱全, 張超雄, 林新強 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司