專利名稱：一種用于集成晶片的框架結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于集成晶片的導(dǎo)線框架結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
通過(guò)堆疊兩個(gè)或更多的晶片可以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的功能。已知堆疊晶片和它們的連接的多種技術(shù)。增加封裝密度的一個(gè)眾所周知的實(shí)施例是使用粘合介質(zhì)堆疊未封裝的部件以彼此上下堆疊晶片，通過(guò)引線接合將每個(gè)晶片連接到襯底或另一晶片。襯墊必須包括引線接合的設(shè)計(jì)考慮，晶片之間的位置需要一定量的接合線以及一定的設(shè)計(jì)和定位。就襯墊以及襯墊兩旁的粘合劑而言，這種考慮與上面和下面的晶片都有關(guān)。因?yàn)椴豢赡苄Ｕ奈恢?，放錯(cuò)位置將導(dǎo)致引線接合和可靠性要求的問(wèn)題。而且， 襯墊和晶片之間的粘合劑的優(yōu)選分配不是簡(jiǎn)單的工藝。因此，裝配工藝是很費(fèi)時(shí)的，即，需要長(zhǎng)的工藝時(shí)間，且該基本技術(shù)擴(kuò)展到具有兩個(gè)以上晶片疊層增加了復(fù)雜度且增加了其成本。此外，如果晶片變薄，或如果需要再分布層，裝配工藝和處理變得更加困難。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型需要解決的技術(shù)問(wèn)題就在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種用于集成晶片的框架結(jié)構(gòu)，它可以簡(jiǎn)化了堆疊結(jié)構(gòu)，并克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)。為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案本實(shí)用新型提供一種用于集成晶片的框架結(jié)構(gòu)，包括第一晶片，第一晶片包括具有外圍焊盤(pán)的有源面，且面朝上地布置在襯底或內(nèi)插板上。疊層還包括至少另一晶片，在其有源面上具有外圍焊盤(pán)。該另一晶片的背面和至少兩個(gè)晶片邊緣通過(guò)模帽嵌入，提供晶片背面上的突起。該突起形成基本平行于晶片的背面并與其相隔一定距離延伸的第一表面。 通過(guò)突起和第一晶片之間涂敷的粘合劑，該另一晶片面朝上地粘附到第一或另一晶片的有源面，使得突起插入到兩個(gè)晶片之間以提供那里的間隙。突起具有至少一個(gè)小于下方晶片的線性尺寸的線性尺寸。第一晶片也包含模帽。上述方式中，通過(guò)涂敷于突起和襯底或內(nèi)插板之間的粘合齊U，使用襯底或內(nèi)插板上突起的平坦表面安裝第一晶片。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，三個(gè)獨(dú)立的嵌入半導(dǎo)體晶片1 (獨(dú)立部件2)。襯底3的上表面5的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4與位于襯底3的下表面7上的電接觸6電互連(未示出)。優(yōu)選實(shí)施例中，這些接觸6是球柵陣列，通過(guò)它們，例如通過(guò)使接觸6焊接到電路板(未示出)，疊層結(jié)構(gòu)可以集成到電路中。[0010] 疊層的所有獨(dú)立晶片1在其有源面8上具有布置在晶片1外圍區(qū)域的焊盤(pán)9。在后續(xù)封裝裝配過(guò)程，焊盤(pán)9用于電連接每個(gè)獨(dú)立晶片1到導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4。每個(gè)獨(dú)立晶片1還具有嵌入到晶片1的背面以及晶片1的扁長(zhǎng)方體的所有晶片邊緣的模帽10 (在剖面圖中僅可以看見(jiàn)兩個(gè)晶片的邊)。 每個(gè)模帽10包括突起，這里，在畫(huà)出的平面方向，突起的尺寸比嵌入晶片1和下方晶片1的線性尺寸小。突起位于晶片1的背面的中央?yún)^(qū)域。本實(shí)用新型的所述實(shí)施例中， 各個(gè)晶片1具有相同的尺寸，且它們的模帽10、它們的突起以及突起的位置都相同。其它實(shí)施例中，晶片1的大小可以不同。這兩種情況中，每個(gè)突起的尺寸都這樣定義它僅在下面晶片1的焊盤(pán)4之間的區(qū)域延伸。第一晶片也包含模帽。上述方式中，通過(guò)涂敷于突起和襯底或內(nèi)插板之間的粘合齊U，使用襯底或內(nèi)插板上突起的平坦表面安裝第一晶片最后應(yīng)說(shuō)明的是顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型所作的舉例， 而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求1.一種用于集成晶片的框架結(jié)構(gòu)，包括第一晶片，第一晶片包括具有外圍焊盤(pán)的有源面，且面朝上地布置在襯底或內(nèi)插板上，疊層還包括至少另一晶片，在其有源面上具有外圍焊盤(pán)，該另一晶片的背面和至少兩個(gè)晶片邊緣通過(guò)模帽嵌入，提供晶片背面上的突起，該突起形成基本平行于晶片的背面并與其相隔一定距離延伸的第一表面，通過(guò)突起和第一晶片之間涂敷的粘合劑，該另一晶片面朝上地粘附到第一或另一晶片的有源面，使得突起插入到兩個(gè)晶片之間以提供那里的間隙，突起具有至少一個(gè)小于下方晶片的線性尺寸的線性尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于集成晶片的框架結(jié)構(gòu)，其特征在于第一晶片還包含模帽，通過(guò)涂敷于突起和襯底或內(nèi)插板之間的粘合劑，使用襯底或內(nèi)插板上突起的平坦表面安裝第一晶片。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于集成晶片的框架結(jié)構(gòu)，包括第一晶片，第一晶片包括具有外圍焊盤(pán)的有源面，且面朝上地布置在襯底或內(nèi)插板上，疊層還包括至少另一晶片，在其有源面上具有外圍焊盤(pán)，該另一晶片的背面和至少兩個(gè)晶片邊緣通過(guò)模帽嵌入，提供晶片背面上的突起，本實(shí)用新型簡(jiǎn)化了結(jié)構(gòu)，提高了應(yīng)用能力。
文檔編號(hào)H01L23/00GK202259232SQ20112031750
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月29日
發(fā)明者吳旺春, 孫華, 朱貴節(jié), 謝艷, 陳忠, 黃玉紅 申請(qǐng)人:江陰康強(qiáng)電子有限公司