專利名稱：覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是與集成電路晶片的構(gòu)裝有關(guān)，特別是指一種采用覆片(flip chip)技術(shù)，適用于各式晶片使用的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝。
按，現(xiàn)行的電子消費性產(chǎn)品、通訊用品以及電腦等商品，其體積大都朝向“輕、薄、短、小”的方向設(shè)計，連帶使得用于前述商品中的晶片構(gòu)裝亦朝此方向發(fā)展，期待能達成晶片尺寸般構(gòu)裝(chip size Package，CSP)的結(jié)果，以符合商品設(shè)計的需求。此外，現(xiàn)今的晶片構(gòu)裝更朝向價格低廉、制程簡化并提升可靠的方向發(fā)展。
以習(xí)知的可程序消除唯讀存儲器(erasable Programmable read-onlymemory，DPROM)或影像用的電荷耦合器(charge coupled devices，CCD)等晶片的構(gòu)裝為例，其晶片大體上是于容裝于一陶瓷材質(zhì)的載體凹室中，并覆蓋有透明如石英或玻璃等材質(zhì)的蓋體，由此，外界的光線可透過該蓋體而照射于晶片上，其中該陶瓷載體大都由一平板以及一框體所組成，以便夾置一導(dǎo)線架(lead frame)于其中間，使晶片可由該導(dǎo)線架與外界電性連接，然而，此等構(gòu)裝方式具有價格昂貴、制程繁雜不便與體積龐大的缺點。
美國第6,034,429號以及第6,117,705號專利揭露有另一種型態(tài)的晶片構(gòu)裝，以便改進上述習(xí)用構(gòu)裝的缺點，該等美國專利是于一承載板(substrate)上設(shè)置一晶片，晶片與承載板之間則利用打線技術(shù)、以便由多數(shù)個焊線而相互電性連接，其次，該承載板上于該晶片周緣，圍繞布設(shè)有粘著劑，并由透明或不透明的蓋體(Lid)與該粘著劑銜接而罩覆于該晶片上方以完成構(gòu)裝；雖然此等方式雖可解決習(xí)用技術(shù)價格昂貴與制程繁雜、體積龐大的缺點，然而，因晶片與承載板之間是以焊線電性連接，因此晶片表面上方必須有多余的空間供焊線容置，如此一來，將影響蓋體設(shè)置的位置，使得整體構(gòu)裝的高度無法更有效地縮小，換言之，該等構(gòu)裝方式仍有改進的空間。
緣此，本實用新型的主要目的在于提供一種覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，除了可以有效降低制造成本及加工程序之外，更可有效地降低整體構(gòu)裝的高度，以達成超薄型構(gòu)裝的效果。
為達成上述目的，本實用新型所提供的一種覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，包含有一蓋體，具有一底面，該底面布設(shè)有呈預(yù)定態(tài)樣(pattem)的線路；一晶片，具有一頂面及一底面，該頂面具有多數(shù)的連接墊(pad)，各該連接墊上固設(shè)有一凸塊，且各該凸塊是與該線路固接，使該晶片可固定于該蓋體的底面上；復(fù)數(shù)的焊球，是布植于蓋體底面，與該線路電性固接并位于該晶片的周緣；籍此，該蓋體可以幾近貼住該晶片的方式罩設(shè)于該晶片頂面上方，以達成超薄型構(gòu)裝的效果。
其中該蓋體是可供光線穿透而照射于該晶片上。
其中該蓋體是為一平板狀體。
其中該蓋體是為透明材質(zhì)所制成。
其中該蓋體包含有一基板，具有一頂面及一底面，該底面布設(shè)有前述的線路，且該基板具有一貫穿其頂、底面的穿孔；以及一透明件，是嵌設(shè)固定于該穿孔中。
其中該透明件是為具有預(yù)定曲率的凸透鏡或凹透鏡。
其中該蓋體包含有一基板，具有一頂面及一底面，該底面布設(shè)有前述的線路，且該基板具有一貫穿其頂、底面的穿孔；以及一透明件，面積是大于該穿孔，該透明件是固設(shè)于該基板頂面，并封抵住該穿孔。
其中該蓋體包含有一基板，具有一頂面及一底面，該底面布設(shè)有前述的線路，且該基板具有一貫穿其頂、底面的穿孔；以及一筒體，是固設(shè)于該穿孔中，且該筒體中固設(shè)有至少一透明鏡片。
其中該基板的穿孔是為一螺孔，而該筒體是鎖合于該螺孔中而固定。
其中該蓋體的底面可區(qū)分成一中心部位及一周緣部位，該中心部位與該周緣部位具有一水平落差，使該周緣部位具有較低的水平位置，且各該焊球是位于該周緣部位。
其中該蓋體底面的周緣部位與該晶片的底面是約略位于同一水平面上。
其次，由本實用新型所揭露的技術(shù)內(nèi)容，本實用新型更可將影像用晶片與光學(xué)鏡頭進一步模組化構(gòu)裝，以節(jié)省成本并有效縮小體積。
為使貴審查員更加了解本實用新型的構(gòu)造及特點，茲列舉以下實施例并配合
如下，其中圖1是本實用新型第一較佳實施例的剖視圖；圖2是本實用新型第二較佳實施例的剖視圖；圖3是本實用新型第三較佳實施例的剖視圖；圖4是本實用新型第四較佳實施例的剖視圖；圖5是本實用新型第五較佳實施例的剖視圖圖6是本實用新型第六較佳實施例的剖面圖。
請參閱圖1，是本實用新型覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝20所提供的第一較佳實施例，該構(gòu)裝20包含有一蓋體22、一晶片24以及多數(shù)的焊球26，其中該蓋體22，是呈一平板狀，是可為塑膠、玻璃纖維、強化塑膠、陶瓷、玻璃……等透明或不透明的材質(zhì)所制成，該蓋體22具有一底面22a及一頂面22b，且該底面22a上布設(shè)有呈預(yù)定態(tài)樣(pattem)的線路22c。
該晶片24，是為一般的集成電路晶片或CCD、互補式金氧半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor CMOS)、EPROM等需照射外界光線而運作的晶片，該晶片24具有一頂面24a及一底面24b，該頂面24a上具有多數(shù)供外界電性連接的連接墊(pad)24c，且各該連接墊24c上固設(shè)有一金屬凸塊24d，是突露出該晶片24頂面24a一預(yù)定高度，該金屬凸塊24d是由化學(xué)沉積或焊接或其他方式而形成；該晶片24組裝時，是由各該凸塊24d焊接于線路22c上，而使該晶片24可以其頂面24a面對該蓋體22底面22a的方式，而固定于該蓋體22的底面22a上。
而各焊接球26，是為一般球型格狀陣列(Ball Grid Array，BGA)所采用的錫球(solder ball)，是布植于蓋體22底面22a的線路22c上，并位于該晶片24的周緣，由此，各該焊球26、該線路22c與該晶片24可構(gòu)成一完整的電性通路，且各該焊球26可作為與外界電性連接的橋梁。
由上述的構(gòu)裝20，該蓋體22可以幾近貼住該晶片24頂面24a的方式罩設(shè)于該晶片24頂面24a上方，以達成超薄型構(gòu)裝的效果，且整體構(gòu)裝相當(dāng)簡單，更有助于降低成本。
請參閱圖2，是本實用新型覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝30所提供的第二較佳實施例，該構(gòu)裝30包含有一蓋體32、一晶片34以及多數(shù)的焊球36，本實施例與前一實施例的差異在于該蓋體32包含有一基板38以及一透明件39，其中該基板38，同樣具有一頂面38a及一底面38b，該底面38b布設(shè)有前述的線路38c，且該基板38的中心部位具有一貫穿其頂、底面38a、38b的穿孔38d。
而該透明件39，本實施例中是為一平板狀的透明玻璃板，其大小是與該穿孔38d吻合，而嵌設(shè)固定于該穿孔38d中；由此，外部的光線可透過該透明件39而照射于該晶片34上。
請參閱圖3，是本實用新型覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝40所提供的第三較佳實施例，該構(gòu)裝40包含有一蓋體42、一晶片44以及多數(shù)的焊球46，本實施例與前一實施例的差異在于該蓋體42同樣包含有一基板48以及一透明件49，其中該基板48，同樣具有一頂面48a及一底面48b，該底面48b布設(shè)有前述的線路48c，且該基板48的中心部位具有一貫穿其頂、底面48a、48b的穿孔48d。
而該透明件49，其表面積是大于該穿孔48d，該透明件49是固設(shè)于該基板48頂面48a上，并封抵住該穿孔48d；同理，外部的光線可透過該透明件49而照射于該晶片44上。
請參閱圖4，是本實用新型覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝50所提供的第四較佳實施例，該構(gòu)裝50包含有一蓋體52、一晶片54以及多數(shù)的焊球56，本實施例與第一較佳實施例的差異在于該蓋體52的底面可區(qū)分成一中心部位52a及一周緣部位52b，該中心部位52a與該周緣部位52b具有一水平落差d，使該周緣部位52b具有較低的水平位置，各該焊球56是固設(shè)于該周緣部位52b上，而該晶片54是設(shè)于該中心部位52a，且該周緣部位52b與該晶片的底面54a是約略位于同一水平面上，如此一來，可確保各該焊球56具有較低的水平位置，可防止該焊球56焊接于另一電路板(圖中末示)上時，電路板碰觸該晶片54。
請參閱圖5，是本實用新型覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝60所提供的第五較佳實施例，用以說明晶片與鏡頭如何整體化構(gòu)裝以降低成本，該構(gòu)裝60包含有一蓋體62、一晶片64以及多數(shù)的焊球66，其中該蓋體62包含有一基板68，具有一頂面68a及一底面68b，該底面68b布設(shè)有前述的線路68c，且該基板68具有一貫穿其頂、底面68a、68b的螺孔68d。
一鏡頭筒體69，是鎖設(shè)于該螺孔68d中，且該筒體69中固設(shè)有至少一透明鏡片69a，由此，改變該筒體69的鎖設(shè)深度即可調(diào)整焦距；如此一來鏡頭與晶片模組化構(gòu)裝可大幅降低成本與體積。
最后，請參閱圖6，是本實用新型覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝70所提供的第六較佳實施例，用以說明晶片與鏡頭如何整體化構(gòu)裝的另一態(tài)樣，該構(gòu)裝70包含有一蓋體72、一晶片74以及多數(shù)的焊球76，其中該蓋體72包含有一基板78及至少一鏡片79，本實施例與前一而該鏡片79，本實施例中是為一具有預(yù)定曲率的凸透鏡或凹透鏡，其大小是與該穿孔78d吻合，而直接嵌設(shè)固定于該穿孔78d中；由此，外部的光線可透過該鏡片79而照射于該晶片74上。
綜上所述，本實用新型覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，確實具有上述的優(yōu)點，足以解決習(xí)用技術(shù)的缺點，故本實用新型的實用性與進步性當(dāng)毋庸置疑，今為保障申請人的權(quán)益，依法提出專利申請。
權(quán)利要求1.一種覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，包含有一蓋體，具有一底面，該底面布設(shè)有呈預(yù)定態(tài)樣的線路；一晶片，具有一頂面及一底面，該頂面具有多數(shù)的連接墊，各該連接墊上固設(shè)有一凸塊，且各該凸塊是與該線路固接；復(fù)數(shù)的焊球，是布設(shè)于該蓋體底面，與該線路電性固接并位于該晶片的周緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該蓋體是可供光線穿透而照射于該晶片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該蓋體是為一平板狀體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該蓋體是為透明材質(zhì)所制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該蓋體包含有一基板，具有一頂面及一底面，該底面布設(shè)有前述的線路，且該基板具有一貫穿其頂、底面的穿孔；以及一透明件，是嵌設(shè)固定于該穿孔中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該透明件是為具有預(yù)定曲率的凸透鏡或凹透鏡。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該蓋體包含有一基板，具有一頂面及一底面，該底面布設(shè)有前述的線路，且該基板具有一貫穿其頂、底面的穿孔；以及一透明件，面積是大于該穿孔，該透明件是固設(shè)于該基板頂面，并封抵住該穿孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該蓋體包含有一基板，具有一頂面及一底面，該底面布設(shè)有前述的線路，且該基板具有一貫穿其頂、底面的穿孔；以及一筒體，是固設(shè)于該穿孔中，且該筒體中固設(shè)有至少一透明鏡片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該基板的穿孔是為一螺孔，而該筒體是鎖合于該螺孔中而固定。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該蓋體的底面可區(qū)分成一中心部位及一周緣部位，該中心部位與該周緣部位具有一水平落差，使該周緣部位具有較低的水平位置，且各該焊球是位于該周緣部位。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝，其特征在于，其中該蓋體底面的周緣部位與該晶片的底面是約略位于同一水平面上。
專利摘要一種覆片式集成電路晶片的構(gòu)裝,其主要包含有一蓋體、一晶片以及多數(shù)的焊球,其中蓋體具有一底面布設(shè)有呈預(yù)定態(tài)樣的線路;晶片具有一頂面及一底面,頂面具有多數(shù)的連接墊,連接墊上固設(shè)有一凸塊,且各該凸塊是與該線路固接,使該晶片可固定于該蓋體的底面上;而各該焊球,是布植于蓋體底面,與該線路電性固接并位于該晶片的周緣;由此,該蓋體可以幾近貼住該晶片的方式罩設(shè)于晶片的頂面上方,以達成超薄型構(gòu)裝的效果。
文檔編號H01L23/12GK2472344SQ0121890
公開日2002年1月16日 申請日期2001年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月3日
發(fā)明者邱雯雯 申請人:邱雯雯