專利名稱：一種改進(jìn)型三極管引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，尤其涉及一種改進(jìn)型三極管引線框架。
背景技術(shù)：
伴隨電子市場(chǎng)的發(fā)展，半導(dǎo)體無(wú)器件的集成度越來(lái)越高，而且其存儲(chǔ)量、信號(hào)處理速度和功率急速增加，然而體積卻越來(lái)越小。這一趨勢(shì)加速了半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)的發(fā)展， 因此半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)的重要性已經(jīng)受到了生產(chǎn)企業(yè)的關(guān)注。半導(dǎo)體器件的高集成度以及存儲(chǔ)器的增加還使得輸入和輸出接線端子的數(shù)量也相應(yīng)增加，繼而也使得引線的數(shù)目相應(yīng)的增加，這就要求引線的布置也必須精細(xì)。引線框架是半導(dǎo)體封裝中的骨架，它主要由三部分組成散熱區(qū)、芯片區(qū)和引腳區(qū)。其中芯片區(qū)在封裝過(guò)程中為芯片提供機(jī)械支撐，而引腳區(qū)則是連接芯片到電路板的電學(xué)通路。引線框架的功能是至關(guān)重要的，芯片在封裝后的三極管會(huì)產(chǎn)生飛邊和膠衣，現(xiàn)在大多采用酸液浸泡沖刷來(lái)去除飛邊和膠衣的生產(chǎn)工藝，而現(xiàn)有的三極管引線框架的結(jié)構(gòu)，在酸液浸泡沖刷過(guò)程中會(huì)有少量的酸液浸入塑封體的內(nèi)部而腐蝕芯片，造成被腐蝕的芯片在短時(shí)間內(nèi)就失效報(bào)廢。為了滿足市場(chǎng)發(fā)展的需求，引線框架在結(jié)構(gòu)以及在功能方面也需要不斷的創(chuàng)新。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供了一種在芯片定位區(qū)的四周設(shè)置有U型槽的三極管引線框架，能夠有效的防止酸液腐蝕芯片。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種改進(jìn)型三極管引線框架，包括若干個(gè)框架單元，所述的相鄰的框架單元之間通過(guò)上筋、中筋和底筋相連接，每個(gè)所述的框架單元包括散熱區(qū)、芯片區(qū)和引腳區(qū)，所述的散熱區(qū)位于芯片區(qū)的正上方，在所述的散熱區(qū)內(nèi)設(shè)置有一圓孤形通孔，在所述的圓孤形通孔下方設(shè)有長(zhǎng)方形槽口，所述的引腳區(qū)位于所述的芯片區(qū)的正下方。其中，在所述的芯片區(qū)內(nèi)設(shè)置有芯片定位區(qū)，所述的芯片定位區(qū)四周設(shè)置有U型槽I，在所述的芯片定位區(qū)與散熱區(qū)之間設(shè)置有U型槽II。其中，所述的引腳區(qū)包括左側(cè)引腳、中間引腳和右側(cè)引腳，所述的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳通過(guò)中筋和底筋相連位于中間引腳的兩側(cè)，在所述的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的上端設(shè)置有引線孔，所述的中間引腳向上延伸連接所述的芯片區(qū)。本發(fā)明的有益效果是在芯片定位區(qū)的四周設(shè)置U型槽I，在芯片區(qū)與散熱區(qū)之間設(shè)置有U型槽II，對(duì)塑封好的三極管進(jìn)行酸液浸泡沖刷時(shí)，如有少量的酸液浸入塑封體內(nèi)， 也會(huì)被阻擋在U型槽I和U型槽II的底部，從而徹底解決芯片浸入酸液失效報(bào)廢的問(wèn)題， 且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)需外加任何部件阻隔，能夠有效的防止酸液腐蝕芯片。


附圖1是本發(fā)明一種改進(jìn)型三極管引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2是附圖1中A-A向的剖視圖；附圖3是附圖1中A-A向的剖視圖；附圖4是附圖1中C向的局部放大圖。附圖中1-散熱區(qū)；2-芯片區(qū)；3-引腳區(qū)；4-上筋；5-中筋；6_下筋；11-圓孤形通孔；12-長(zhǎng)方形槽口 ；21-芯片定位區(qū)；22-U型槽I ;23-U型槽II ；31-左側(cè)引腳；32-中間引腳；33-右側(cè)引腳；34-引線孔。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作以下詳細(xì)描述請(qǐng)參見附圖1、附圖2、附圖3及附圖4所示，本發(fā)明的一種改進(jìn)型三極管引線框架，包括若干個(gè)框架單元，相鄰的框架單元之間通過(guò)上筋4、中筋5和底筋6相連接，每個(gè)框架單元包括散熱區(qū)1、芯片區(qū)2和引腳區(qū)3，散熱區(qū)1位于芯片區(qū)2的正上方，在散熱區(qū)1內(nèi)設(shè)置有一圓孤形通孔11，在圓孤形通孔11下方設(shè)有長(zhǎng)方形槽口 12，引腳區(qū)3位于芯片區(qū)2 的正下方。其中，在芯片區(qū)2內(nèi)設(shè)置有芯片定位區(qū)21，芯片定位區(qū)21四周設(shè)置有U型槽I 22， 在芯片定位區(qū)21與散熱區(qū)1之間設(shè)置有U型槽II 23。其中，引腳區(qū)3包括左側(cè)引腳31、中間引腳32和右側(cè)引腳33，左側(cè)引腳31和右側(cè)引腳33通過(guò)中筋5和底筋6相連位于中間引腳32的兩側(cè)，在左側(cè)引腳31和右側(cè)引腳33 的上端設(shè)置有引線孔34，中間引腳32向上延伸連接芯片區(qū)2。本發(fā)明的有益效果是在芯片定位區(qū)21的四周設(shè)置U型槽I 22，在芯片區(qū)2與散熱區(qū)1之間設(shè)置有U型槽II 23，對(duì)塑封好的三極管進(jìn)行酸液浸泡沖刷時(shí)，如有少量的酸液浸入塑封體內(nèi)，也會(huì)被阻擋在U型槽I 22和U型槽II 23的底部，從而徹底解決芯片浸入酸液失效報(bào)廢的問(wèn)題，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)需外加任何部件阻隔，能夠有效的防止酸液腐蝕芯片。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明而并非限制本發(fā)明所描述的技術(shù)方案；因此，盡管本說(shuō)明書參照上述的各個(gè)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明已進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，仍然可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改或等同替換；而一切不脫離本發(fā)明的精神和范圍的技術(shù)方案及其改進(jìn)，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍中。
權(quán)利要求
1.一種改進(jìn)型三極管引線框架，其特征在于包括若干個(gè)框架單元，所述的相鄰的框架單元之間通過(guò)上筋、中筋和底筋相連接，每個(gè)所述的框架單元包括散熱區(qū)、芯片區(qū)和引腳區(qū)，所述的散熱區(qū)位于芯片區(qū)的正上方，在所述的散熱區(qū)內(nèi)設(shè)置有一圓孤形通孔，在所述的圓孤形通孔下方設(shè)有長(zhǎng)方形槽口，所述的引腳區(qū)位于所述的芯片區(qū)的正下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型三極管引線框架，其特征在于在所述的芯片區(qū)內(nèi)設(shè)置有芯片定位區(qū)，所述的芯片定位區(qū)四周設(shè)置有U型槽I，在所述的芯片定位區(qū)與散熱區(qū)之間設(shè)置有U型槽II。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型三極管引線框架，其特征在于所述的引腳區(qū)包括左側(cè)引腳、中間引腳和右側(cè)引腳，所述的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳通過(guò)中筋和底筋相連位于中間引腳的兩側(cè)，在所述的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的上端設(shè)置有引線孔，所述的中間引腳向上延伸連接所述的芯片區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種改進(jìn)型三極管引線框架，包括若干個(gè)框架單元，所述的相鄰的框架單元之間通過(guò)上筋、中筋和底筋相連接，每個(gè)所述的框架單元包括散熱區(qū)、芯片區(qū)和引腳區(qū)，所述的散熱區(qū)位于芯片區(qū)的正上方，在所述的散熱區(qū)內(nèi)設(shè)置有一圓孤形通孔，在所述的圓孤形通孔下方設(shè)有長(zhǎng)方形槽口，所述的引腳區(qū)位于所述的芯片區(qū)的正下方。本發(fā)明的具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)需外加任何部件阻隔，能夠有效的防止酸液腐蝕芯片。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102368490SQ20111033193
公開日2012年3月7日 申請(qǐng)日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者張軒 申請(qǐng)人:張軒