專利名稱：發(fā)光二極管晶片的切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管晶片的切割方法。
背景技術(shù)：
目前，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)因具有功耗低、壽命長、體積小及亮度高等特性已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到很多領(lǐng)域。通常，單一的發(fā)光二極管是由封裝完畢的發(fā)光二極管晶片經(jīng)過切割分離而成?，F(xiàn)有的發(fā)光二極管晶片切割方式有刀片機械切割法和激光切割法。因發(fā)光二極管晶片的基板硬度較高，用刀片機械切割法對刀片的磨損大，切割效率低，成本高。而發(fā)光二極管晶片因表面有透明封裝層，用激光切割法切割，產(chǎn)生的高溫會使透明封裝層受熱變色，影響產(chǎn)品的外觀和光效。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種發(fā)光二極管晶片的切割方法，以解決現(xiàn)有切割方法導(dǎo)致的切割刀片磨損大和透明封裝層變色的技術(shù)問題。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的一種發(fā)光二極管晶片的切割方法，其包括以下步驟提供一個發(fā)光二極管晶片，所述發(fā)光二極管晶片包括基板、多個發(fā)光二極管晶粒及封裝層，所述基板包括一個第一表面及一個與所述第一表面相對的第二表面，所述多個發(fā)光二極管晶粒貼設(shè)于所述基板的第一表面上，所述封裝層覆蓋于所述基板的第一表面上并覆蓋所述多個發(fā)光二極管晶粒；及采用切割刀和激光分別切割所述發(fā)光二極管晶片的封裝層和基板，將所述發(fā)光二極管晶片分割成多個發(fā)光二極管。所述發(fā)光二極管晶片的切割方法通過采用切割刀和激光分別切割所述發(fā)光二極管晶片的封裝層和基板，一方面，減小了切割刀的磨損速度，節(jié)省了成本，提高了切割效率; 另一方面，由于發(fā)光二極管晶片的封裝層不會受熱變色，因此，最后得到的發(fā)光二極管具有很好的外觀以及光效。
以下結(jié)合附圖描述本發(fā)明的實施例，其中

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管晶片的示意圖；圖2是圖1中發(fā)光二極管晶片采用切割刀切割時的示意圖；圖3是圖1中發(fā)光二極管晶片采用激光切割時的示意圖；及圖4是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管晶片的切割方法流程圖。
具體實施例方式以下基于附圖對本發(fā)明的具體實施例進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅作為實施例，并不用于限定本發(fā)明的保護范圍。請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管晶片100包括基板10、多個發(fā)光二極管晶粒20及封裝層30。所述基板10包括一個第一表面11及一個與所述第一表面11相對的第二表面12。所述發(fā)光二極管晶粒20貼設(shè)于所述基板10的第一表面11上，并與所述基板10 電連接。具體地，所述發(fā)光二極管晶粒20可通過共晶、打線或覆晶的方式與所述基板10電連接。所述封裝層30覆蓋于所述基板10的第一表面11上并覆蓋所述多個發(fā)光二極管晶粒20，用于保護發(fā)光二極管晶粒20免受灰塵、水氣等影響。所述封裝層30采用透明材料制成，優(yōu)選地，所述封裝層30可進一步摻雜有熒光粉，所述熒光粉可選自石榴石結(jié)構(gòu)的化合物、氮化物、氮氧化物、硫化物及硅酸鹽中的一種或幾種的混合。請參閱圖2至圖4，所述發(fā)光二極管晶片100的切割方法包括以下步驟提供所述發(fā)光二極管晶片100，所述發(fā)光二極管晶片100包括基板10、多個發(fā)光二極管晶粒20及封裝層30，所述基板10包括一個第一表面11及一個與所述第一表面11相對的第二表面12， 所述多個發(fā)光二極管晶粒20貼設(shè)于所述基板10的第一表面11上，所述封裝層30覆蓋于所述基板10的第一表面11上并覆蓋所述多個發(fā)光二極管晶粒20 ；及采用切割刀200和激光300分別切割所述發(fā)光二極管晶片100的封裝層30和基板10，將所述發(fā)光二極管晶片 100分割成多個發(fā)光二極管。本實施例中，在切割所述發(fā)光二極管晶片100時，先采用切割刀200從基板10的第一表面11 一側(cè)將所述封裝層30切斷，再采用激光300從所述基板10的第二表面12 —側(cè)將所述基板10切斷。采用所述切割刀200切割的切割深度可等于所述封裝層30的厚度， 或者，采用所述切割刀200切斷所述封裝層30后，可進一步切割基板10厚度的1/20-1/2。 所述采用激光300切割的切割深度可為基板10厚度的1/2-1。所述切割刀200可選自樹脂刀、金屬刀或石英刀等。此外，在其他實施例中，在切割所述發(fā)光二極管晶片100時，也可先采用激光300 從所述基板10的第二表面12 —側(cè)切割所述基板10，再采用切割刀200從基板10的第一表面11 一側(cè)將發(fā)光二極管晶片100切斷。所述采用激光300切割的切割深度可為基板10厚度的1/2-1。采用所述切割刀200切割的切割深度可等于所述封裝層30的厚度，或者，采用所述切割刀200切斷所述封裝層30后，可進一步切割基板10厚度的1/20-1/2。所述發(fā)光二極管晶片100的切割方法通過采用切割刀200和激光300分別切割所述發(fā)光二極管晶片100的封裝層30和基板10，一方面，減小了切割刀200的磨損速度，節(jié)省了成本，提高了切割效率；另一方面，由于發(fā)光二極管晶片100的封裝層30不會受熱變色， 因此，最后得到的發(fā)光二極管具有很好的外觀以及光效。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管晶片的切割方法，其包括以下步驟提供一個發(fā)光二極管晶片，所述發(fā)光二極管晶片包括基板、多個發(fā)光二極管晶粒及封裝層，所述基板包括一個第一表面及一個與所述第一表面相對的第二表面，所述多個發(fā)光二極管晶粒貼設(shè)于所述基板的第一表面上，所述封裝層覆蓋于所述基板的第一表面上并覆蓋所述多個發(fā)光二極管晶粒；及采用切割刀和激光分別切割所述發(fā)光二極管晶片的封裝層和基板，將所述發(fā)光二極管晶片分割成多個發(fā)光二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述發(fā)光二極管晶片時，先采用切割刀從基板的第一表面一側(cè)將所述封裝層切斷，再采用激光從所述基板的第二表面一側(cè)將所述基板切斷。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封裝層的厚度。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切斷所述封裝層后，又進一步切割基板厚度的1/20-1/2。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度為基板厚度的1/2-1。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述發(fā)光二極管晶片時，先采用激光從所述基板的第二表面一側(cè)切割所述基板，再采用切割刀從基板的第一表面一側(cè)將發(fā)光二極管晶片切斷。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封裝層的厚度。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切斷所述封裝層后，又進一步切割基板厚度的1/20-1/2。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度為基板厚度的1/2-1。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片的切割方法，其特征在于，所述切割刀選自樹脂刀、金屬刀或石英刀。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管晶片的切割方法，其包括以下步驟提供一個發(fā)光二極管晶片，所述發(fā)光二極管晶片包括基板、多個發(fā)光二極管晶粒及封裝層，所述基板包括一個第一表面及一個與所述第一表面相對的第二表面，所述多個發(fā)光二極管晶粒貼設(shè)于所述基板的第一表面上，所述封裝層覆蓋于所述基板的第一表面上并覆蓋所述多個發(fā)光二極管晶粒；及采用切割刀和激光分別切割所述發(fā)光二極管晶片的封裝層和基板，將所述發(fā)光二極管晶片分割成多個發(fā)光二極管。所述發(fā)光二極管晶片的切割方法減小了切割刀的磨損速度，節(jié)省了成本，提高了切割效率，且最后得到的發(fā)光二極管具有很好的外觀以及光效。
文檔編號H01L33/00GK102368521SQ20111033189
公開日2012年3月7日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月26日
發(fā)明者楊文華 申請人:寧波市瑞康光電有限公司, 深圳市瑞豐光電子股份有限公司