專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前市場上的發(fā)光二極管封裝尺寸主要為0603(即長和寬分別為1.6mm和 0. 8mm)、0805(即長和寬分別為2. Omm和1. 25mm)、1206 (即長和寬分別為3. 2mm和1. 6mm)， 所選用的PCB板為BT(Bismaleimide Triazine)板，BT板的導(dǎo)熱系數(shù)較低。當發(fā)光二極管工作時，發(fā)光芯片要發(fā)出熱量，而外封的普通環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱能力有限，主要靠PCB板兩側(cè)金屬引腳把熱量導(dǎo)出來，從而使熱傳導(dǎo)的路徑變大、熱阻升高、芯片結(jié)溫升高，加速了發(fā)光二極管的老化，造成長時間點亮后，發(fā)光二極管發(fā)光亮度的降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)對芯片的散熱性能不良的問題。本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)是這樣實現(xiàn)的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、位于所述基板的相對兩側(cè)部的二引腳、座于所述基板上并與引腳打線連接的芯片及封裝于所述基板上并覆蓋所述芯片的封罩，還包括貫穿所述基板將芯片發(fā)出的熱量傳導(dǎo)至基板外的散熱結(jié)構(gòu)。所述芯片所產(chǎn)生的熱量通過一散熱結(jié)構(gòu)傳遞至基板外部，代替了原有的熱量從兩側(cè)引腳導(dǎo)出方式，縮短了散熱的路徑，降低了熱阻，延長了發(fā)光二極管的使用壽命。


圖1為本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的在常溫20mA@1000H條件下的趨勢圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100包括基板10、位于所述基板10的相對兩側(cè)部的二引腳20、座于所述基板10上并與引腳20打線連接的芯片30、封裝于所述基板10上并覆蓋所述芯片30的封罩40及貫穿所述基板10將芯片30發(fā)出的熱量傳導(dǎo)至基板10外的散熱結(jié)構(gòu)50。所述引腳20為金屬引腳，與芯片30通過金線70電性連接。每一引腳20包裹所述基板10的相應(yīng)側(cè)部，并由基板10的上表面通過基板10的相應(yīng)側(cè)面延伸至基板10的下表面。所述二引腳20的其中一引腳20上涂覆有極性標示綠漆60，以起到標示極性的作用。所述散熱結(jié)構(gòu)50包括貫穿所述基板10的若干散熱柱51、連接于所述散熱柱51 — 端的吸熱墊52及連接于所述散熱柱51另一端的散熱墊53。所述芯片30固定于所述吸熱墊52上。所述散熱墊53位于所述基板10之外。在本實施例中，所述散熱結(jié)構(gòu)50具有吸熱墊52與散熱墊53，在其他實施例中，不設(shè)置吸熱墊52與散熱墊53，所述散熱柱51的一端直接連接至所述芯片30的底部，另一端穿過所述基板10延伸至所述基板10之外。所述引腳20具有銅/鎳/金鍍層。本發(fā)明實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100中，所述芯片30所產(chǎn)生的熱量通過位于芯片30下方的散熱柱51傳遞至基板10的外部，代替了原有的熱量從兩側(cè)引腳導(dǎo)出方式， 縮短了散熱的路徑，降低了熱阻，延長了發(fā)光二極管的使用壽命。進一步地，所述芯片30所產(chǎn)生的熱量首先傳遞至吸熱墊52上，然后傳遞至散熱柱51上，再后傳遞至散熱墊53上，最后，散熱墊53上的熱量與周圍環(huán)境進行熱量交換，達到將芯片30所產(chǎn)生的熱量傳遞至外部的目的。經(jīng)實驗驗證，以發(fā)光二極管封裝尺寸為0603(即長和寬分別為1. 6mm和0. 8mm)為例，下表為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)的熱阻比對表，從表中可以看出，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的熱阻相對現(xiàn)有的降低了觀％。
現(xiàn)有結(jié)構(gòu)本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)637. 2"C /W461. 3 "C /W以發(fā)光二極管封裝尺寸為0603為例，1000H@20mA(實驗條件Ta = 25°C, IF = 20mA，實驗時間T= 1000Η，其中，Ta是環(huán)境溫度，IF是實驗電流和T是實驗時間)老化亮度衰減降低8. 1%，具體比對數(shù)據(jù)如圖2所示。以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、位于所述基板的相對兩側(cè)部的二引腳、座于所述基板上并與引腳打線連接的芯片及封裝于所述基板上并覆蓋所述芯片的封罩，其特征在于還包括貫穿所述基板將芯片發(fā)出的熱量傳導(dǎo)至基板外的散熱結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述散熱結(jié)構(gòu)包括貫穿所述基板的若干散熱柱，所述散熱柱的一端連接至所述芯片的底部，另一端穿過所述基板延伸至所述基板之外。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述散熱結(jié)構(gòu)還包括連接于所述散熱柱一端的吸熱墊及連接于所述散熱柱另一端的散熱墊，所述芯片固定于所述吸熱墊上，所述散熱墊位于所述基板之外。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述二引腳的其中一引腳上涂覆有極性標示綠漆。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、位于所述基板的相對兩側(cè)部的二引腳、座于所述基板上并與引腳打線連接的芯片及封裝于所述基板上并覆蓋所述芯片的封罩，還包括貫穿所述基板將芯片發(fā)出的熱量傳導(dǎo)至基板外的散熱結(jié)構(gòu)。所述芯片所產(chǎn)生的熱量通過一散熱結(jié)構(gòu)傳遞至基板外部，代替了原有的熱量從兩側(cè)引腳導(dǎo)出方式，縮短了散熱的路徑，降低了熱阻，延長了發(fā)光二極管的使用壽命。
文檔編號H01L33/48GK102368531SQ20111033186
公開日2012年3月7日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月26日
發(fā)明者朱益明 申請人:寧波市瑞康光電有限公司, 深圳市瑞豐光電子股份有限公司