專利名稱：集成發(fā)光二極管封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成發(fā)光二極管封裝方法，其能有效調(diào)整集成發(fā)光二極管其熒光粉層厚度，提升出光效率以及降低色溫偏移量。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diodes ；LED)是目前的新型光源，可借由改變所采用的半導(dǎo)體材料的化學(xué)組成成份，以發(fā)出各種不同顏色的光源。由于發(fā)光二極管具有高效率、壽命長(zhǎng)、不易破損等優(yōu)于傳統(tǒng)光源的特性，因此傳統(tǒng)光源漸漸被發(fā)光二極管取代于生活上各種光源的應(yīng)用，且發(fā)光二極管在較低光源下有較佳效率(省電)特性，因此更廣泛被應(yīng)用于光度要求較低的道路、隧道、室內(nèi)照明或者野外活動(dòng)的燈具。目前集成發(fā)光二極管的封裝，主要是將兩顆或多顆發(fā)光二極管晶粒芯片固定在支架上面，固定好芯片的支架送入烤箱，依據(jù)所選用的銀膠或絕緣膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行固化，烤好的支架送入打線設(shè)備進(jìn)行芯片與支架的間的金線連接，打完線后的支架灌注熒光粉與硅膠，依據(jù)所選用的硅膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行固化，烤好的支架送入分光測(cè)試備進(jìn)行產(chǎn)品分類，產(chǎn)品分類后進(jìn)行包裝。傳統(tǒng)集成發(fā)光二極管其封裝方法，將支架上已經(jīng)灌好的熒光粉與硅膠的支架直接送入烤箱進(jìn)行硅膠固化動(dòng)作，但是因?yàn)槊科Ъ芷潼c(diǎn)膠時(shí)間的先后不同，造成不同程度的熒光粉沉淀濃度不同，所以會(huì)產(chǎn)生產(chǎn)品符合率以及產(chǎn)品良率不堪理想狀況。到目前為止制程工藝方法很難控制集成發(fā)光二極管封裝后的光色度集中率，都是依據(jù)所灌注熒光粉與硅膠自然溢流厚度決定其產(chǎn)品的光色度分布情況，且自然流溢后的熒光粉層厚度分布不均， 以致出光效率變差，色溫偏移量過大。有鑒于此，本發(fā)明人以累積該項(xiàng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域多年的實(shí)務(wù)與經(jīng)驗(yàn)，進(jìn)行制程上的研究與開發(fā)，而終于發(fā)明了一種「集成發(fā)光二極管封裝方法」，解決以往熒光粉沉淀濃度不同所帶來的產(chǎn)品缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的主要技術(shù)問題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，而提供一種集成發(fā)光二極管封裝方法，其熒光粉層均勻厚度，可以提高集成發(fā)光二極管出光效率、產(chǎn)品色溫穩(wěn)定性以及色溫集中率，不會(huì)造成自然流溢后的熒光粉層厚度分布不均。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種集成發(fā)光二極管封裝方法包括有下列步驟；(1)固晶，將數(shù)個(gè)發(fā)光二極管晶粒芯片固定在支架上；(2)第一次烘烤，固定各發(fā)光二極管晶粒芯片的支架送至烤箱烘烤；(3)打線，烘烤后的支架移至打線設(shè)備，將各發(fā) 光二極管晶粒芯片與支架的間以金線打線連接；(4)灌熒光粉與硅膠，打線完成的支架灌注熒光粉與硅膠；
(5)第二次烘烤，熒光粉沉淀后的支架依據(jù)選用的硅膠制程固化參數(shù)條件化進(jìn)行第二次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定；(6)分光測(cè)試，第二次烘烤后的支架送入分光測(cè)試設(shè)備，依據(jù)所測(cè)得光學(xué)數(shù)據(jù)進(jìn)行分類；(7)切削表面，分光測(cè)試后的支架送至旋轉(zhuǎn)切削加工裝置的承載盤上，并依據(jù)分光測(cè)試所得光學(xué)數(shù)據(jù)決定熒光粉層切削厚度，進(jìn)行集成發(fā)光二極管表面平整化切削動(dòng)作，使得各發(fā)光二極管晶粒芯片上方形成均勻厚度熒光粉層；(8)包裝，完成上述切削表面的成品進(jìn)行分類包裝。本發(fā)明「集成發(fā)光二極管封裝方法」進(jìn)一步包括有下列技術(shù)特征；1.該發(fā)光二極管晶粒芯片以銀膠或絕緣膠固定在支架上。2.在第一次烘烤時(shí)，其依據(jù)選用的銀膠或絕緣膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行第一次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定。3.在第二次烘烤時(shí)，其依據(jù)選用的銀膠或絕緣膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行第二次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定。4.依據(jù)分光測(cè)試所得光學(xué)數(shù)據(jù)決定熒光粉層切削厚度，設(shè)定承載盤旋轉(zhuǎn)速度、夾刀移動(dòng)機(jī)構(gòu)移動(dòng)范圍及夾刀移動(dòng)機(jī)構(gòu)切削量。5.在切削表面時(shí)，對(duì)于集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凸形型態(tài)，其切削方式是由中心點(diǎn)向外圍切割。6.在切削表面時(shí)，對(duì)于集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凹形型態(tài)，其切削方式是由外圍向內(nèi)中心點(diǎn)方向進(jìn)行切割。本發(fā)明的有益效果是，其熒光粉層均勻厚度，可以提高集成發(fā)光二極管出光效率、 產(chǎn)品色溫穩(wěn)定性以及色溫集中率，不會(huì)造成自然流溢后的熒光粉層厚度分布不均。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。 圖1是本發(fā)明流程圖。
圖2是本發(fā)明集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凸形型態(tài)示意圖。 圖3是本發(fā)明集成發(fā)光二極管置放于旋轉(zhuǎn)切削加工裝置的承載盤上，并以?shī)A刀移
動(dòng)機(jī)構(gòu)對(duì)集成發(fā)光二極管進(jìn)行切削表面示意圖。圖4是本發(fā)明以集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凸形型態(tài)加工流程示意圖,圖5是本發(fā)明集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凹形型態(tài)示意圖。圖6是本發(fā)明以集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凹形型態(tài)加工流程示意圖,圖中標(biāo)號(hào)說明1支架2發(fā)光二極管晶粒芯片3金線4熒光粉5硅膠6旋轉(zhuǎn)切削加工裝置61承載盤62馬達(dá)7夾刀移動(dòng)機(jī)構(gòu)
具體實(shí)施例方式為了達(dá)到上述集成發(fā)光二極管熒光粉層均勻厚度，而可以提高集成發(fā)光二極管出光效率、產(chǎn)品色溫穩(wěn)定性以及色溫集中率，不會(huì)造成自然流溢后的熒光粉層厚度分布不均。 本發(fā)明于下列舉一實(shí)施例，并請(qǐng)配合參閱圖1及圖2所示，圖1顯示本發(fā)明集成發(fā)光二極管封裝方法的流程圖，而圖2是以集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凸形型態(tài)為例；該方法包括有下列步驟所完成；(1)固晶，將數(shù)個(gè)發(fā)光二極管晶粒芯片2固定在支架1上；各發(fā)光二極管晶粒芯片 2以銀膠或絕緣膠固定在支架1上，在本實(shí)施例以銀膠為例；(2)第一次烘烤，固定好各發(fā)光二極管晶粒芯片2的支架1送至烤箱烘烤；在第一次烘烤時(shí)，其依據(jù)選用的銀膠或絕緣膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行第一次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定；(3)打線，烘烤后的支架1移至打線設(shè)備，進(jìn)行各發(fā)光二極管晶粒芯片2與支架1 的間以金線3打線連接；(4)灌熒光粉與硅膠，打線完成的支架1灌注熒光粉4與硅膠5 ；此時(shí)熒光粉4與硅膠5于支架1上呈混料狀態(tài)；(5)第二次烘烤，熒光粉4沉淀后的支架1依據(jù)選用的硅膠制程固化參數(shù)條件化進(jìn)行第二次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定；在第二次烘烤時(shí)，其依據(jù)選用的銀膠或絕緣膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行第二次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定(6)分光測(cè)試，第二次烘烤后的支架1送入分光測(cè)試設(shè)備，依據(jù)所測(cè)得光學(xué)數(shù)據(jù)進(jìn)行分類；(7)切削表面，分光測(cè)試后的支架1送至旋轉(zhuǎn)切削加工裝置6的承載盤61上，并依據(jù)分光測(cè)試所得光學(xué)數(shù)據(jù)決定熒光粉層切削厚度，同時(shí)設(shè)定承載盤61旋轉(zhuǎn)速度(在此以馬達(dá)62驅(qū)動(dòng)承載盤61旋轉(zhuǎn))、夾刀移動(dòng)機(jī)構(gòu)7移動(dòng)范圍及夾刀移動(dòng)機(jī)構(gòu)7切削量，進(jìn)行集成發(fā)光二極管表面平整化切削動(dòng)作，而在此集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凸形型態(tài)為例，因此其切削方式是由中心點(diǎn)向外圍切割，如圖3與圖4所示；使得各發(fā)光二極管晶粒芯片2上方形成均勻厚度熒光粉層；(8)包裝，完成上述切削表面的成品進(jìn)行分類包裝。經(jīng)由上述說明后可明白，本發(fā)明利用在切削表面時(shí)，依據(jù)分光測(cè)試所得光學(xué)數(shù)據(jù)決定熒光粉層切削厚度，進(jìn)行集成發(fā)光二極管表面平整化切削動(dòng)作，而得以讓集成發(fā)光二極管熒光粉層有均勻厚度，而可以提高集成發(fā)光二極管出光效率、產(chǎn)品色溫穩(wěn)定性以及色溫集中率，不會(huì)造成自然流溢后的熒光粉層厚度分布不均，據(jù)此達(dá)成本發(fā)明的目的與功效。 而且本發(fā)明運(yùn)用于白光的發(fā)光二極管能提升產(chǎn)品良率，及產(chǎn)品符合率，同時(shí)更能提高白光發(fā)光二極管的光強(qiáng)度與光效能。此外，本發(fā)明另外亦可適用于集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凹形型態(tài)如圖5 與圖6所示，其切削方式是由外圍向內(nèi)中心點(diǎn)方向進(jìn)行切割。
權(quán)利要求
1.一種集成發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，包括下列步驟；固晶，將數(shù)個(gè)發(fā)光二極管晶粒芯片固定在支架上；第一次烘烤，固定各發(fā)光二極管晶粒芯片的支架送至烤箱烘烤；打線，烘烤后的支架移至打線設(shè)備，將各發(fā)光二極管晶粒芯片與支架之間以金線打線連接；灌熒光粉與硅膠，打線完成的支架灌注熒光粉與硅膠；第二次烘烤，熒光粉沉淀后的支架依據(jù)選用的硅膠制程固化參數(shù)條件化進(jìn)行第二次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定；分光測(cè)試，第二次烘烤后的支架送入分光測(cè)試設(shè)備，依據(jù)所測(cè)得光學(xué)數(shù)據(jù)進(jìn)行分類；切削表面，分光測(cè)試后的支架送至旋轉(zhuǎn)切削加工裝置的承載盤上，并依據(jù)分光測(cè)試所得光學(xué)數(shù)據(jù)決定熒光粉層切削厚度，進(jìn)行集成發(fā)光二極管表面平整化切削動(dòng)作，使得各發(fā)光二極管晶粒芯片上方形成均勻厚度熒光粉層；包裝，完成上述切削表面的成品進(jìn)行分類包裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，各所述發(fā)光二極管晶粒芯片以銀膠或絕緣膠固定在支架上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，在第一次烘烤時(shí)，其依據(jù)選用的銀膠或絕緣膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行第一次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，在第二次烘烤時(shí)，其依據(jù)選用的銀膠或絕緣膠制程固化參數(shù)條件進(jìn)行第二次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，在切削表面時(shí)，其依據(jù)分光測(cè)試所得光學(xué)數(shù)據(jù)決定熒光粉層切削厚度，設(shè)定承載盤旋轉(zhuǎn)速度、夾刀移動(dòng)機(jī)構(gòu)移動(dòng)范圍及夾刀移動(dòng)機(jī)構(gòu)切削量。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，在削表面時(shí)，對(duì)于集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凸形型態(tài)，其切削方式是由中心點(diǎn)向外圍切割。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，在切削表面時(shí)，對(duì)于集成發(fā)光二極管其熒光粉層表面為凹形型態(tài)，其切削方式是由外圍向內(nèi)中心點(diǎn)方向進(jìn)行切割。
全文摘要
一種集成發(fā)光二極管封裝方法，包括下列步驟固晶，將數(shù)個(gè)發(fā)光二極管晶粒芯片固定在支架上；第一次烘烤，固定各發(fā)光二極管晶粒芯片的支架送至烤箱烘烤；打線，烘烤后的支架移至打線設(shè)備；灌熒光粉與硅膠，打線完成的支架灌注熒光粉與硅膠；第二次烘烤，熒光粉沉淀后的支架依據(jù)選用的硅膠制程固化參數(shù)條件化進(jìn)行第二次烘烤時(shí)間及溫度設(shè)定；分光測(cè)試，第二次烘烤后的支架送入分光測(cè)試設(shè)備；切削表面，分光測(cè)試后的支架送至旋轉(zhuǎn)切削加工裝置的承載盤上，依據(jù)分光測(cè)試所得光學(xué)數(shù)據(jù)決定熒光粉層切削厚度；完成切削表面的成品進(jìn)行分類包裝。本發(fā)明能有效調(diào)整集成發(fā)光二極管熒光粉層厚度，提高集成發(fā)光二極管出光效率、產(chǎn)品色溫穩(wěn)定性以及色溫集中率。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102386289SQ20111033177
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者陳正煥 申請(qǐng)人:寧波瑞昀光電照明科技有限公司