專利名稱：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，具體來(lái)說(shuō)，涉及一種具有更好性能的互連結(jié)構(gòu)(Interconnect)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，具有更高性能和更強(qiáng)功能的集成電路要求更大的元件密度，CMOS (互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)器件和金屬連線等部件的尺寸需要進(jìn)一步縮小， 這使得器件的速度越來(lái)越快，由于金屬連線的尺寸變小同時(shí)也導(dǎo)致了金屬連線的電阻越來(lái)越大，因此出現(xiàn)了金屬連線的信號(hào)傳輸速率跟不上器件的速度的問(wèn)題。在跨入納米時(shí)代以后，隨著器件尺寸的進(jìn)一步縮小，局部互連結(jié)構(gòu)，包括一體成型的通孔和金屬走線，被具有更小電阻率和更高抗電遷移率的金屬銅或其他材料取而代之。 然而這些金屬材料中的金屬離子很容易擴(kuò)散到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)致器件結(jié)構(gòu)的短路或其他性能不良的問(wèn)題。因此，有必要提出一種新型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解決上述互連結(jié)構(gòu)中存在的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上包括器件結(jié)構(gòu)；在所述器件結(jié)構(gòu)上形成層間介質(zhì)層，以及圖形化所述層間介質(zhì)層以形成溝槽，所述溝槽包括一體成型的通孔槽和導(dǎo)電連線槽，所述導(dǎo)電連線槽位于通孔槽之上；在所述溝槽內(nèi)形成填滿所述溝槽的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述器件結(jié)構(gòu)電連接； 其中，所述導(dǎo)電層中包括導(dǎo)電材料和被所述導(dǎo)電材料包圍的納米管/線層。本發(fā)明還提供了根據(jù)上述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上包括器件結(jié)構(gòu)；形成于所述器件結(jié)構(gòu)上的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中有溝槽，所述溝槽包括一體成型的通孔槽和導(dǎo)電連線槽，所述導(dǎo)電連線槽位于通孔槽之上； 填充于所述溝槽中的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述器件結(jié)構(gòu)電連接；其中，所述導(dǎo)電層中包括導(dǎo)電材料和被所述導(dǎo)電材料包圍的納米管/線層。本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造方法形成的金屬連線和通孔一體成型的互連結(jié)構(gòu)，由包括導(dǎo)電材料和導(dǎo)電材料包圍的納米管/線層形成，由于納米管/線具有獨(dú)特的物理結(jié)構(gòu)和物理化學(xué)性質(zhì)，使導(dǎo)電層具有好的導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性及高抗電遷移率，進(jìn)而提高導(dǎo)電層的信號(hào)傳輸速率，使其信號(hào)傳輸速率與不斷提高的器件速度相匹配。此外由于碳納米管/線為單層碳原子或金屬原子形成的結(jié)構(gòu)，有利于阻擋導(dǎo)電材料中的金屬或其他離子向半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的其他位置擴(kuò)散，能夠得到優(yōu)質(zhì)的互連接觸，減少半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的短路現(xiàn)象。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖2-14示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)制造階段對(duì)應(yīng)的截面示意圖；圖15示出了本發(fā)明實(shí)施例中豎直方向的納米管/線的示意圖；圖16示出了本發(fā)明實(shí)施例中水平方向的納米管/線的示意圖；圖17示出了本發(fā)明實(shí)施例中納米管/線網(wǎng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明通常涉及制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。參考圖1，圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。在步驟S01，參考圖2，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200上包括器件結(jié)構(gòu)300，參考圖 3。襯底200包括位于晶體結(jié)構(gòu)中的硅襯底(例如晶片)，還可以包括其他基本半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體，例如Ge、SiGe, GaAs, InP, Si:C或金剛石等。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)公知的設(shè)計(jì)要求 (例如P型襯底或者η型襯底)，襯底200可以包括各種摻雜配置。此外，可選地，襯底200 可以包括外延層，可以被應(yīng)力改變以增強(qiáng)性能，以及可以包括絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)。所述器件結(jié)構(gòu)可以包括晶體管、二極管或其他半導(dǎo)體組件、以及其他電學(xué)器件或互連結(jié)構(gòu)等。參考圖2，圖2示出了本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例半導(dǎo)體器件300。所述半導(dǎo)體器件300的形成方法可以包括，首先在半導(dǎo)體襯底200上依次形成柵介質(zhì)層202以及柵電極204。而后，進(jìn)行傾角離子注入，在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)208，或者可以進(jìn)一步形成暈環(huán)(Halo)注入?yún)^(qū)。而后，環(huán)繞所述柵介質(zhì)層202和柵電極204的外側(cè)壁形成側(cè)墻206，并以柵電極204和側(cè)墻206為掩膜，進(jìn)行離子注入，在柵電極204兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏區(qū)210，并退火以激活注入的離子，從而在柵電極204兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏區(qū)210。而后，覆蓋所述器件形成層間介質(zhì)層212，以及在位于源/漏區(qū) 210的層間介質(zhì)層212內(nèi)形成接觸214，上述半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體器件300的結(jié)構(gòu)和形成方法僅是示例，還可以是其他的器件結(jié)構(gòu)，還可以包括其他的半導(dǎo)體部件以及其他介質(zhì)層、 其他的互連結(jié)構(gòu)等，此處僅為示例，對(duì)本發(fā)明并不做任何限定。在步驟S02，在所述器件結(jié)構(gòu)300上形成層間介質(zhì)層310，以及圖形化所述層間介質(zhì)層310以形成溝槽320，所述溝槽320包括一體成型的通孔槽320-1和導(dǎo)電連線槽320-2， 參考圖2?？梢酝ㄟ^(guò)大馬士革工藝(Damascene)，圖形化所述層間介質(zhì)層310，在其內(nèi)形成包括通孔槽320-1和導(dǎo)電連線槽320-2的溝槽320，可以先形成通孔槽320-1而后形成導(dǎo)電連線槽320-2，也可以先形成導(dǎo)電連線槽320-2，而后形成通孔槽320-1。從圖2中也可以看出，通孔槽與器件結(jié)構(gòu)之間相通，從而在填充了導(dǎo)電材料之后，能夠與器件結(jié)構(gòu)之間實(shí)現(xiàn)電連接?？蛇x地，在形成溝槽320后，可以在其側(cè)壁上形成絕緣層(圖中未示出)，所述絕緣層包括氮化物、氧化物或其他合適的材料，以防止之后形成的導(dǎo)電層中的金屬離子擴(kuò)散至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中。優(yōu)選地，在形成溝槽320或絕緣層后，可以在所述溝槽320的底部和側(cè)壁形成阻擋層330，參考圖2?？梢酝ㄟ^(guò)傳統(tǒng)的沉積工藝，例如PVD的方法，在所述溝槽320內(nèi)壁沉積阻擋層330，阻擋層由包括TaN、TiN, Ta、Ti、TiSiN, TaSiN, Tiff, WN或Ru中的任一種或多種的組合形成。所述阻擋層起到防止之后形成的導(dǎo)電層中的金屬離子擴(kuò)散至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的作用。在步驟S03，在所述溝槽320內(nèi)形成填滿所述溝槽320的導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層包括導(dǎo)電材料340和被導(dǎo)電材料340包圍的納米管/線層350。 具體來(lái)說(shuō)，首先，可以通過(guò)例如CVD的方法，在所述阻擋層330上沉積導(dǎo)電材料，可以是金屬材料，例如銅種子層340，金屬材料還可以包括鋁、鎢或其他合適的材料，而后在銅種子層340上形成碳納米管/線層350，以所述溝槽320底部平面的方向?yàn)樗椒较虻膮⒖挤较颍谝粋€(gè)實(shí)施例中，碳納米管/線層350可以是水平方向的納米管/線，參考圖3，在另外的實(shí)施例中，還可以是豎直方向的納米管/線，參考圖7，在又一個(gè)實(shí)施例中，還可以是納米管/線網(wǎng)，參考圖11，其中納米線可以是金屬納米線，例如Au、Ta、Cu等，其中納米管可以為碳納米管或其他導(dǎo)體納米管，例如金屬納米管。圖15、16、17分別示出了本發(fā)明實(shí)施例中豎直方向的納米管/線、水平方向的納米管/線以及納米管/線網(wǎng)的示意圖。納米管/線也可以與所述半導(dǎo)體襯底成任意傾斜角度。形成導(dǎo)電材料的方法可以是PVD、CVD、ALD、PLD、MOCVD, PEALD、濺射、分子束淀積 (MBE)等。形成所述碳納米管/線可以通過(guò)例如用化學(xué)氣相沉積方法、電弧放電方法或激光燒灼法或其他合適的方法來(lái)形成，所述金屬納米管/線可以通過(guò)例如硬/軟模板法、光/電化學(xué)還原法、種子生長(zhǎng)合成法或其他合適的方法來(lái)形成。具體的碳納米管/線的形成方法可以參考現(xiàn)有技術(shù)，這里不再贅述。而后，接著在納米管線網(wǎng)上形成金屬材料340，例如金屬銅、鋁、鎢，在一個(gè)實(shí)施例中，例如電鍍的方法，使銅填充部分溝槽，參考圖4、圖8和圖12。而后，再在金屬材料上形成另一碳納米管/線層350，同上一碳納米管/線層一樣， 碳納米管/線層350可以是豎直方向的納米管/線、水平方向的納米管/線及納米管/線網(wǎng)，并在其上填充金屬材料340，例如銅，可以根據(jù)需要反復(fù)形成碳納米管/線層及填充金屬材料340，直至金屬材料340填滿所述溝槽320，參考圖5、圖9和圖13，上述圖示僅為示例，對(duì)每一次形成的碳納米管/線都可以是豎直方向的納米管/線、水平方向的納米管/線及納米管/線網(wǎng)。而后，對(duì)金屬材料進(jìn)行平坦化，例如CMP的方法，使導(dǎo)電層與所述層間介質(zhì)層大致相平，參考圖6、圖10和圖14。從附圖中可以看出，溝槽的底部較窄，內(nèi)部的金屬材料做為通孔中的金屬塞；溝槽的上部較寬，內(nèi)部的金屬材料作為金屬連線使用，從而實(shí)現(xiàn)與其他半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的互連。而后可以根據(jù)需要進(jìn)行后續(xù)的工藝步驟，例如在其上形成另一互連結(jié)構(gòu)，以及另一層間介質(zhì)層或其他部件。
本發(fā)明的實(shí)施例半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，除了用于制造第一金屬層，同樣也可以用于制造后道工藝中其他層的金屬層。以上實(shí)施例并不用于限定本發(fā)明。根據(jù)上述方法，本發(fā)明還提供了通過(guò)上述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，參考圖6、圖10 和圖14，所述結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底200，所述襯底上包括以及其上的器件結(jié)構(gòu)300 ；形成于所述器件結(jié)構(gòu)300上的層間介質(zhì)層310，所述層間介質(zhì)層中有溝槽320，所述溝槽320包括一體成型的通孔槽320-1和導(dǎo)電連線槽320-2，所述導(dǎo)電連線槽320-2位于通孔槽320-1 之上；填充于所述溝槽320的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述器件結(jié)構(gòu)電連接；其中，所述導(dǎo)電層中包括導(dǎo)電材料340和被所述導(dǎo)電材料340包圍的納米管/線層350。其中所述納米管 /線層350至少為一層，所述導(dǎo)電材料340至少為兩層，所述納米管/線層以以下任一種或多種的組合的形式排列在所述導(dǎo)電層中與所述半導(dǎo)體襯底平行，與所述半導(dǎo)體襯底垂直， 與所述半導(dǎo)體襯底成傾斜角度，或者形成納米管/線網(wǎng)結(jié)構(gòu)，所述納米管/線層包括碳納米管線、金屬納米管/線，或其組合。其中形成所述導(dǎo)電層的材料可以為金屬，例如可以包括 銅、鋁、鎢。所述納米管/線層350包括碳納米管/線、金屬納米管/線，或其組合。優(yōu)選地， 所述結(jié)構(gòu)還包括形成于所述溝槽側(cè)壁及底部與導(dǎo)電層之間的阻擋層?？蛇x地，所述結(jié)構(gòu)還包括形成于所述溝槽側(cè)壁與導(dǎo)電層之間的絕緣層。所述絕緣層和阻擋層起到防止導(dǎo)電層中的金屬離子擴(kuò)散至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的作用。所述器件結(jié)構(gòu)可以包括晶體管、二極管或其他半導(dǎo)體組件、以及其他電學(xué)器件或互連結(jié)構(gòu)等。參考圖2，圖2示出了本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明以半導(dǎo)體器件 300為例，該半導(dǎo)體器件300包括半導(dǎo)體襯底200上的柵介質(zhì)層202和柵電極204，以及環(huán)繞所述柵介質(zhì)層202和柵電極204形成的側(cè)墻206，以及形成于所述柵電極204兩側(cè)的襯底200內(nèi)的源/漏延伸區(qū)208和源/漏區(qū)210，可選地，還可以進(jìn)一步包括暈環(huán)(Halo)注入?yún)^(qū)，以及覆蓋源/漏區(qū)的層間介質(zhì)層212，以及位于源/漏區(qū)210上、層間介質(zhì)層212內(nèi)的接觸214。所述半導(dǎo)體器件300的結(jié)構(gòu)僅是示例，還可以是其他的集成電路元件，還可以包括其他的半導(dǎo)體部件以及其他介質(zhì)層、其他的互連結(jié)構(gòu)等，此處僅為示例，對(duì)本發(fā)明并不做任何限定。本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可以用于第一金屬層，也可以用于后續(xù)的金屬層。 圖2中的實(shí)施例并不用于限定本發(fā)明。以上對(duì)具有納米管/線層的一體成型的互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法進(jìn)行了詳細(xì)描述，通過(guò)形成由包括金屬材料和被金屬材料包圍的納米管/線層的導(dǎo)電層，即互連結(jié)構(gòu)，而由于納米管/線具有獨(dú)特的電子物理結(jié)構(gòu)和物理化學(xué)性質(zhì)，使導(dǎo)電層具有更好的導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性及高抗電遷移率，進(jìn)而提高導(dǎo)電層的信號(hào)傳輸速率，使其信號(hào)傳輸速率與不斷提高的器件速度相匹配。此外由于碳納米管/線為單層C原子或金屬原子形成的結(jié)構(gòu)，很有利于阻擋導(dǎo)電材料中的金屬或其他離子向半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的其他位置擴(kuò)散，能夠得到優(yōu)質(zhì)的互連接觸，避免半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的器件短路。雖然關(guān)于示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對(duì)于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)的同時(shí)，工藝步驟的次序可以變化。此外，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不局限于說(shuō)明書(shū)中描述的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟。從本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容，作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解，對(duì)于目前已存在或者以后即將開(kāi)發(fā)出的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟，其中它們執(zhí)行與本發(fā)明描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié)果，依照本發(fā)明可以對(duì)它們進(jìn)行應(yīng)用。因此，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包含在其保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述襯底上包括器件結(jié)構(gòu)；在所述器件結(jié)構(gòu)上形成層間介質(zhì)層，以及圖形化所述層間介質(zhì)層以形成溝槽，所述溝槽包括一體成型的通孔槽和導(dǎo)電連線槽，所述導(dǎo)電連線槽位于通孔槽之上；在所述溝槽內(nèi)形成填滿所述溝槽的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述器件結(jié)構(gòu)電連接；其中，所述導(dǎo)電層中包括導(dǎo)電材料和被所述導(dǎo)電材料包圍的納米管/線層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述溝槽內(nèi)形成填滿所述溝槽的導(dǎo)電層的步驟包括a、在所述溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電材料，并在其上形成納米管/線層；b、在所述納米管/線層上形成導(dǎo)電材料；c、重復(fù)進(jìn)行步驟a、b，直至導(dǎo)電材料填滿所述溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，步驟a之前，所述方法進(jìn)一步包括在所述溝槽的底部和側(cè)壁形成阻擋層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述溝槽內(nèi)形成填滿所述溝槽的導(dǎo)電層的步驟之前，所述方法進(jìn)一步包括在所述溝槽的側(cè)壁形成絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述納米管/線層包括碳納米管/ 線、金屬納米管/線，或其組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，所述納米管/線層通過(guò)以下任一種或多種的組合的形式排列在所述導(dǎo)電層中與所述半導(dǎo)體襯底平行，與所述半導(dǎo)體襯底垂直，與所述半導(dǎo)體襯底成傾斜角度，或者形成納米管/線網(wǎng)結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述導(dǎo)電材料包括銅、鋁、鎢，或其組合。
8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上包括器件結(jié)構(gòu)；形成于所述器件結(jié)構(gòu)上的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中有溝槽，所述溝槽包括一體成型的通孔槽和導(dǎo)電連線槽，所述導(dǎo)電連線槽位于通孔槽之上；填充于所述溝槽中的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述器件結(jié)構(gòu)電連接；其中，所述導(dǎo)電層中包括導(dǎo)電材料和被所述導(dǎo)電材料包圍的納米管/線層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其中所述納米管/線層至少為一層，所述導(dǎo)電材料至少為兩層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，還包括形成于所述溝槽側(cè)壁及底部與導(dǎo)電層之間的阻擋層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，還包括形成于所述溝槽側(cè)壁與導(dǎo)電層之間的絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中所述納米管/線層通過(guò)以下任一種或多種的組合的形式排列在所述導(dǎo)電層中與所述半導(dǎo)體襯底平行，與所述半導(dǎo)體襯底垂直，與所述半導(dǎo)體襯底成傾斜角度，或者形成納米管/線網(wǎng)結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電材料包括銅、鋁、鎢，或其組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中所述納米管/線層包括碳納米管/線、金屬納米管/線，或其組合。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上包括器件結(jié)構(gòu)；形成于所述器件結(jié)構(gòu)上的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中有溝槽，所述溝槽包括一體成型的通孔槽和導(dǎo)電連線槽，所述導(dǎo)電連線槽位于通孔槽之上；填充于所述溝槽的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述器件結(jié)構(gòu)電連接；其中，所述導(dǎo)電層中包括導(dǎo)電材料和被所述導(dǎo)電材料包圍的納米管/線層。所述結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層具有好的導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性及高抗電遷移率，能夠有效阻擋金屬離子向外擴(kuò)散。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102376633SQ20101026453
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月26日
發(fā)明者朱慧瓏, 梁擎擎, 鐘匯才, 駱志炯 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所