專利名稱：有源矩陣基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣基板和顯示裝置。更詳細(xì)而言，就是涉及將用于驅(qū)動液晶層 的薄膜晶體管和保持電容元件按各像素配置的有源矩陣基板和有源矩陣型液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣基板在液晶顯示裝置、EL(場致發(fā)光)顯示裝置等有源矩陣型顯示裝置 中已得到了廣泛的應(yīng)用。在使用這樣的有源矩陣基板的現(xiàn)有的有源矩陣型液晶顯示裝置 中，將薄膜晶體管(以下，也稱為「TFT」)等設(shè)置在基板上交叉地配置的多條掃描信號線與 多條數(shù)據(jù)信號線的各交點(diǎn)，利用該TFT等的開關(guān)功能，圖像信號向各像素部傳輸。另外，也 公開了對各像素部設(shè)置保持電容元件的內(nèi)容(例如，參見特開平6-95157號公報(bào))。這樣的 保持電容元件防止TFT在截止期間中的液晶層的自放電或TFT的截止電流引起的圖像信號 的劣化。另外，保持電容元件不僅用于保持TFT截止時(shí)間中的圖像信號，而且也在液晶驅(qū)動 的各種調(diào)制信號的施加路徑中使用，具有保持電容元件的液晶顯示裝置可以實(shí)現(xiàn)低功耗和 高畫質(zhì)。下面，根據(jù)


現(xiàn)有的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的一例。圖4是表示現(xiàn)有的有源矩陣型液晶顯示裝置使用的具有保持電容元件的有源矩 陣基板的1個像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。在圖4中，在有源矩陣基板上，多個像素電極51設(shè)置成矩陣狀，通過這些像素電極 51的周圍相互交叉地設(shè)置了用于供給掃描信號的掃描信號線52和用于供給數(shù)據(jù)信號的數(shù) 據(jù)信號線53。另外，在這些掃描信號線52與數(shù)據(jù)信號線53的交叉部分，設(shè)置了與像素電極 51連接的作為開關(guān)元件的TFT54。掃描信號線52與該TFT54的柵極連接，由輸入柵極的掃 描信號驅(qū)動控制TFT54。另外，數(shù)據(jù)信號線53與TFT54的源極連接，數(shù)據(jù)信號輸入TFT54的 源極。此外，接續(xù)電極55、保持電容元件的一方的電極(保持電容上電極)55a通過接續(xù)電 極55、像素電極51通過接觸孔56與漏極連接。保持電容(共同)配線57起該保持電容元 件的另一方的電極(保持電容下電極)的功能。圖5是表示將圖4所示的有源矩陣基板沿線段A-A'切斷的剖面的剖面模式圖。在圖5中，在玻璃、塑料等透明絕緣性基板(絕緣基板)61上設(shè)置了與掃描信號線 52連接的柵極62。掃描信號線52、柵極62由鈦、鉻、鋁、鉬等的金屬膜或這些金屬的合金、 集層膜形成。構(gòu)成保持電容元件的另一方的電極(保持電容下電極)的保持電容(共同)
3配線57由與掃描信號線52或柵極62相同的材料形成。覆蓋在其上面設(shè)置了柵極絕緣膜 63。柵極絕緣膜63由氮化硅或氧化硅等的絕緣膜形成。在其上面，與柵極62重疊地設(shè)置 由非晶硅或多晶硅等構(gòu)成的高電阻半導(dǎo)體層64以及成為源極66a和漏極66b的由摻雜了 磷等雜質(zhì)的n+非晶硅等構(gòu)成的低電阻半導(dǎo)體層。另外，與源極66a連接地形成數(shù)據(jù)信號線 53。此外，與漏極66b連接地設(shè)置接續(xù)電極55，接續(xù)電極55延伸構(gòu)成作為保持電容元件的 一方的電極的保持電容上電極55a，通過接觸孔56與像素電極51連接。數(shù)據(jù)信號線53、接 續(xù)電極55、保持電容上電極55a由相同材料形成，可以使用鈦、鉻、鋁、鉬等的金屬膜或這些 金屬的合金、集層膜。像素電極51由例如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、氧化鋅、氧化 錫等具有透明性的導(dǎo)電膜形成。接觸孔56貫通覆蓋TFT54、掃描信號線52、數(shù)據(jù)信號線53 和接續(xù)電極55的上部而形成的層間絕緣膜68而形成。作為層間絕緣膜68的材料，有例如 丙烯酸樹脂或氮化硅、氧化硅等。圖4、圖5所示結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板已公開(例如，參見特 開平9-152625號公報(bào))。在這種結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板中，為了簡化制造工藝、降低制造成本，將保持電容 (共同)配線(保持電容下電極)與掃描信號線用同一工序形成，將保持電容上電極與數(shù)據(jù) 信號線或接續(xù)電極用同一工序形成。另外，如圖5所示，在層間絕緣膜上形成像素電極時(shí)， 可以使像素電極與各信號線重疊，所以，可以實(shí)現(xiàn)高開口率，同時(shí)，可以將各信號線對像素 電極施加的電場屏蔽。這時(shí)，像素電極與漏極的連接，是在保持電容(共同)配線或掃描信 號線的圖形上的層間絕緣膜上形成接觸孔，將像素電極與保持電容上電極連接，通過接續(xù) 電極而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。接觸孔的位置不特別限定在保持電容上電極上，也可以是在接續(xù)電極上， 但是，如圖4所示，如果在保持電容(共同)配線的圖形上的保持電容上電極上形成，則可 以不減小新開口率。在圖4圖5那樣的有源矩陣基板的保持電容元件中，在保持電容配線(保持電容 下電極)與保持電容上電極間的絕緣層上存在導(dǎo)電性異物或銷釘孔時(shí)，保持電容配線(保 持電容下電極)和保持電容上電極短路，短路的像素在顯示圖像中將成為點(diǎn)缺陷，在這些 點(diǎn)有改善的余地。另外，在用同一工序形成的數(shù)據(jù)信號線和保持電容上電極由于膜殘余缺 陷等發(fā)生短路時(shí)，也成為同樣的點(diǎn)缺陷，在不能修復(fù)的點(diǎn)也存在改善的余地。作為對這樣的點(diǎn)缺陷的對策，已公開了將保持電容配線在像素內(nèi)分割的方法和對 保持電容配線設(shè)置冗長線的方法(例如，參見特開平1-303415號公報(bào)、特開平9-222615號 公報(bào))。在利用特開平1-303415號公報(bào)公開的保持電容配線在像素內(nèi)分割的方法使保持 電容配線冗長化的有源矩陣基板中，保持電容(共同)配線的一部分在像素內(nèi)實(shí)現(xiàn)多線化， 另外，在保持電容配線(保持電容下電極)與保持電容上電極間的絕緣層上存在導(dǎo)電性異 物或銷釘孔而發(fā)生短路時(shí)，就成為可以利用激光等將短路的保持電容配線(保持電容下電 極)破壞分離的結(jié)構(gòu)。但是，在這些方法中，在保持電容配線(保持電容下電極)與保持電容上電極間的 絕緣層上存在導(dǎo)電性異物或銷釘孔而保持電容配線與保持電容上電極發(fā)生短路時(shí)，雖然可 以利用激光等將短路的保持電容配線(保持電容下電極)破壞分離，但是，在對絕緣膜不損 傷而難于破壞分離的方面還有改善的余地。另外，與數(shù)據(jù)信號線用同一工序形成的保持電 容上電極由于膜殘余等與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路時(shí)，不能使保持電容上電極起著保持電容元件的功能而修復(fù)短路的保持電容上電極，所以，在成為點(diǎn)缺陷這方面還有改善的余地。另外，也公開了通過絕緣層用3層以上構(gòu)成保持電容電極的方法(例如，參見特開 平7-270824號公報(bào))。在該方法中，3層以上形成的保持電容電極的中間層的電極(保持 電容下電極)分割為多個，分別通過接觸孔與下層的電極(保持電容下電極)連接。這樣， 就成了可以利用激光等將與上層的電極(保持電容上電極)短路的中間層的電極(保持電 容下電極)從下層的電極(保持電容下電極)上破壞分離的結(jié)構(gòu)，在保持電容元件的電極 間發(fā)生短路時(shí)，通過利用激光等將短路的保持電容電極的一部分破壞分離，可以將保持電 容電極的短路修復(fù)到不影響顯示品質(zhì)的程度。但是，在該方法中，分割為多個的中間層的保持電容下電極分別通過接觸孔與下 層的保持電容下電極連接，是上層的保持電容上電極作為像素電極使用的結(jié)構(gòu)，所以，要求 簡化制造工藝和降低制造成本等。此外，也公開了輔助電容電極(保持電容上電極)具有與接續(xù)配線(接續(xù)電極) 和接觸孔電氣連接的第1區(qū)域、在與輔助電容共同配線(保持電容配線)不重疊的位置形 成的第3區(qū)域、和通過該第3區(qū)域與第1區(qū)域電氣連接的第2區(qū)域的液晶顯示裝置(例如， 參見特開2001-330850號公報(bào))。按照該液晶顯示裝置，在第1區(qū)域或第2區(qū)域發(fā)生短路時(shí) 通過將短路的一方的區(qū)域破壞分離，可以使一方的區(qū)域起保持電容元件的功能。但是，與數(shù)據(jù)信號線用同一工序形成的保持電容上電極由于膜殘余等容易與數(shù)據(jù) 信號線發(fā)生短路，在特開2001-330850號公報(bào)所述的方法中，在第1區(qū)域和第2區(qū)域都發(fā)生 短路時(shí)不能修復(fù)的方面還有改善的余地。另外，在特開2001-330850號公報(bào)所述的方法中， 在作為保持電容元件的一部分的輔助電容電極的第1區(qū)域由于膜殘余等與數(shù)據(jù)信號線發(fā) 生短路時(shí)或由于銷釘孔或?qū)щ娦援愇锏扰c輔助電容共同配線(保持電容配線)在層間發(fā)生 短路時(shí)，必須通過照射激光將第3區(qū)域的切斷處Xl (參見特開2001-330850號公報(bào)的圖1) 和接續(xù)配線的切斷處X3(參見特開2001-330850號公報(bào)的圖1)切斷，而將用于通過修正用 接續(xù)電極將接續(xù)配線和第2區(qū)域連接的連接點(diǎn)Yl和Y2(參見特開2001-330850號公報(bào)的 圖1)電氣連接，所以，必須對共計(jì)4個地方進(jìn)行激光照射。因此，在縮短修復(fù)時(shí)間還修復(fù)工 序方面還有改善的余地。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述問題而提案的，目的旨在提供可以很容易修復(fù)由于導(dǎo)電性異 物或絕緣膜的銷釘孔引起的保持電容電極間的短路或由于數(shù)據(jù)信號線與保持電容上電極 的短路而發(fā)生的保持電容元件的不良的有源矩陣基板和使用該有源矩陣基板的顯示裝置。本發(fā)明者在對可以很容易修復(fù)保持電容元件的不良的有源矩陣基板進(jìn)行各種研 究時(shí)，注意到了保持電容上電極的兩端部與用同一工序形成的數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路，發(fā)生 保持電容元件的不良。并且，想到即使通過將保持電容上電極分割為3個以上而兩端部的 分割電極與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路時(shí)，如果將短路的分割電極電氣分離，使其余的分割電極 有效地發(fā)揮作用就可以維持保持電容元件的功能，從而可以達(dá)到本發(fā)明的目的。S卩，本發(fā)明是具有設(shè)置在基板上的掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線的交點(diǎn)的、柵極與掃 描信號線連接、源極與數(shù)據(jù)信號線連接、漏極與像素電極連接的薄膜晶體管；和至少通過絕 緣膜與保持電容配線相對而設(shè)置的保持電容上電極的有源矩陣基板，是上述保持電容上電
5極在與保持電容配線相對的區(qū)域由3個以上的分割電極構(gòu)成、上述分割電極分別與像素電 極連接的有源矩陣基板。本說明書中的「以上」、「以下」包含該數(shù)值。本發(fā)明是具有設(shè)置在基板上的掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線的交點(diǎn)的、柵極與掃描信 號線連接、源極與數(shù)據(jù)信號線連接、漏極與接續(xù)電極連接的薄膜晶體管；和至少通過絕緣膜 與保持電容配線相對而設(shè)置的與接續(xù)電極和像素電極連接的保持電容上電極的有源矩陣 基板，是上述保持電容上電極在與保持電容配線相對的區(qū)域由3個以上的分割電極構(gòu)成的 有源矩陣基板。本發(fā)明是具有設(shè)置在基板上的掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線的交點(diǎn)的、柵極與掃描信 號線連接、源極與數(shù)據(jù)信號線連接、漏極與像素電極連接的薄膜晶體管；和至少通過絕緣膜 與掃描信號線相對而設(shè)置的保持電容上電極的有源矩陣基板，是上述保持電容上電極在與 掃描信號線相對的區(qū)域由3個以上的分割電極構(gòu)成、上述分割電極分別與像素電極連接的 有源矩陣基板。本發(fā)明是具有設(shè)置在基板上的掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線的交點(diǎn)的、柵極與掃描信 號線連接、源極與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換連接、漏極與接續(xù)電極連接的薄膜晶體管；和至少通過絕緣膜與 掃描信號線相對而設(shè)置的與接續(xù)電極和像素電極連接的保持電容上電極的有源矩陣基板， 是上述保持電容上電極在與掃描信號線相對的區(qū)域由3個以上的分割電極構(gòu)成的有源矩 陣基板。

圖1是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式(Cs-on-Common方式)的有源矩陣基板的1 個像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。圖2是表示將圖1所示的有源矩陣基板沿線段D-D'切斷的剖面的剖面模式圖。圖3是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式(Cs-on-Gate方式)的有源矩陣基板的1個 像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。圖4是表示現(xiàn)有的有源矩陣基板的1個像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。圖5是表示將圖4所示的有源矩陣基板沿線段A-A'切斷的剖面的剖面模式圖。圖6是表示實(shí)施例3的有源矩陣基板的1個像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。圖7是表示實(shí)施例4的有源矩陣基板的1個像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。符號說明21像素電極(粗線內(nèi))，22掃描信號線，22’相鄰(下段)掃描信號線， 23數(shù)據(jù)信號線，24薄膜晶體管(TFT)，25接續(xù)電極，25a g保持電容上電極(分割電極)， 26a c、28接觸孔，27保持電容(共同)配線(保持電容下電極)，31絕緣基板，32柵極， 33柵極絕緣膜，34高電阻半導(dǎo)體層，36a源極，36b漏極，38層間絕緣膜，51像素電極(粗線 內(nèi))，52掃描信號線，53數(shù)據(jù)信號線，54薄膜晶體管(TFT)，55接續(xù)電極，56接觸孔，57保持 電容(共同)配線(保持電容下電極)，61絕緣基板，62柵極，63柵極絕緣膜，64高電阻半 導(dǎo)體層，66a源極，66b漏極，68層間絕緣膜，98膜剩余，99 (柵極絕緣膜的)銷釘孔、導(dǎo)電性 異物。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的有源矩陣基板具有薄膜晶體管和保持電容上電極。這樣的薄膜晶體管設(shè)置在基板上的掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線的交點(diǎn)，柵極與掃描信號線連接，源極與數(shù)據(jù)信號 線連接，漏極與像素電極或接續(xù)電極連接，可以作為用于用順序供給至與數(shù)據(jù)信號線交叉 的多條掃描信號線的掃描信號將同時(shí)供給多條數(shù)據(jù)信號線的數(shù)據(jù)信號采樣的開關(guān)使用。在薄膜晶體管的漏極與像素電極(直接)連接的形式中漏極和像素電極通過絕緣 膜設(shè)置在不同的層時(shí)，漏極通過接觸孔(使層間導(dǎo)通的導(dǎo)電路徑)與像素電極連接。另外， 在漏極與接續(xù)電極連接的形式中接續(xù)電極和像素電極與保持電容上電極連接。這時(shí)，優(yōu)選 接續(xù)電極與保持電容上電極連接，接續(xù)電極和保持電容上電極中的至少一方通過接觸孔與 像素電極連接。即，如果像素電極與薄膜晶體管和保持電容上電極電氣連接了，則不論直接 與接續(xù)電極連接還是直接與保持電容上電極連接都可以。上述保持電容上電極至少通過絕緣膜與保持電容配線相對而設(shè)置，與其構(gòu)成保持 電容元件。作為這樣的Cs-on-Common方式的保持電容配線的優(yōu)選的形式，有由與掃描信號 線平行地配置的多條保持電容(共同)配線構(gòu)成的形式。保持電容元件是保持電容上電極 通過接續(xù)電極或像素電極與薄膜晶體管連接，所以，可以保持供給數(shù)據(jù)信號線的數(shù)據(jù)信號。 保持電容上電極通常利用濺射法形成金屬膜等的導(dǎo)電膜并通過進(jìn)行光刻、腐蝕而形成。作為本發(fā)明的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)，只要將這樣的結(jié)構(gòu)元素作為必須元件而構(gòu)成 就行，可以包含其他結(jié)構(gòu)元件也可以不包含其他結(jié)構(gòu)元素，不特別限定。本發(fā)明的保持電容上電極在與保持電容配線相對的區(qū)域由3個以上的分割電極 構(gòu)成。即，保持電容上電極在保持電容配線的圖形所占的區(qū)域中分割為3個以上。這里，分 割的保持電容上電極的各個(分割電極)作為保持電容上電極的一部分構(gòu)成保持電容元 件。因此，在薄膜晶體管的漏極與像素電極(直接)連接的形式中上述分割電極分別與像 素電極連接。在漏極與接續(xù)電極連接的形式中接續(xù)電極與分割電極的至少1個連接，所有 的分割電極通過接觸孔直接與像素電極連接，或者通過接續(xù)電極與像素電極連接。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，保持電容配線與保持電容上電極間的絕緣膜上存在導(dǎo)電性 異物或銷釘孔而保持電容上電極與保持電容配線短路或者與用同一工序形成的數(shù)據(jù)信號 線短路時(shí)，通過絕緣處理僅將包含發(fā)生短路的部位的分割電極電氣分離，使其余的分割電 極有效地發(fā)揮作用，可以維持保持電容元件的功能。另外，保持電容上電極的兩端部通常在 配置數(shù)據(jù)信號線等后容易發(fā)生短路，但是，在本發(fā)明中，通過將保持電容上電極分割為3個 以上，即使兩端部的2個分割電極都發(fā)生了短路，進(jìn)行絕緣處理后使其余的分割電極有效 地發(fā)揮作用，也可以維持保持電容元件的功能。這樣的有源矩陣基板如果作為液晶顯示裝 置等的顯示裝置的像素電極基板使用，可以有效地抑制保持電容上電極的短路引起的在顯 示圖像中發(fā)生點(diǎn)缺陷，防止顯示裝置的顯示品質(zhì)降低，從而可以提高合格率，可以應(yīng)用于要 求高品質(zhì)的大型液晶電視等的液晶屏。另外，作為上述分割電極的形狀和配置形式，不特別限定，例如，可以是將矩形的 分割電極并列地設(shè)置3個以上的形式或在1個框形的分割電極的框內(nèi)將矩形的分割電極并 列地設(shè)置2個以上的形式等。本發(fā)明的保持電容上電極也可以是至少通過柵極絕緣膜與掃描信號線相對而設(shè) 置而在與掃描信號線相對的區(qū)域由3個以上的分割電極構(gòu)成的形式。作為這樣的保持電容 元件的保持電容下電極，在利用掃描信號線的Cs-on-Gate方式中，和作為保持電容下電極 設(shè)置保持電容配線的Cs-on-Common方式一樣，也可以得到本發(fā)明的效果。
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下面，說明本發(fā)明的有源矩陣基板的優(yōu)選的形式。在本發(fā)明中，設(shè)置接續(xù)電極時(shí)，優(yōu)選上述有源矩陣基板的接續(xù)電極分別與分割電 極連接，分割電極短路時(shí)，與上述分割電極連接的接續(xù)電極分離，上述分割電極與其他分割 電極電氣分離。在本發(fā)明中，根據(jù)分割電極發(fā)生短路時(shí)的需要通過利用激光等將接續(xù)電極 的一部分破壞分離，可以很容易地將任意的短路的分割電極電氣分離。另外，在本發(fā)明中， 不設(shè)置接續(xù)電極時(shí)，優(yōu)選上述有源矩陣基板的分割電極分別通過接觸孔與像素電極連接， 分割電極發(fā)生短路時(shí)，上述分割電極與像素電極分離，上述分割電極與其他分割電極電氣 分離。如果將這樣的有源矩陣基板作為顯示裝置的像素電極基板使用，可以將短路引起的 點(diǎn)缺陷修復(fù)到接近正常像素的狀態(tài)。在本發(fā)明中，接續(xù)電極優(yōu)選具有2個以上的路徑。作為這樣的接續(xù)電極的形式，有 (1)與薄膜晶體管連接的1條接續(xù)電極分支為2條以上與保持電容上電極連接的形式、(2) 與薄膜晶體管連接的2條以上的接續(xù)電極合并為1條與保持電容上電極連接的形式、(3) 與薄膜晶體管連接的2條以上的接續(xù)電極架橋或不架橋與保持電容上電極連接的形式，其 中，(3)的形式優(yōu)選。通過將接續(xù)電極采用這樣的形式，來自薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號經(jīng)過2 條以上的導(dǎo)通路徑向保持電容上電極傳輸，所以，可以降低由于接續(xù)電極的一部分?jǐn)嗑€而 薄膜晶體管與保持電容上電極絕緣的可能性。如果將這樣的有源矩陣基板作為液晶顯示裝 置等的顯示裝置的像素電極基板使用，可以有效地抑制由于接續(xù)電極的斷線引起在顯示圖 像中發(fā)生點(diǎn)缺陷，防止顯示裝置的顯示品質(zhì)降低，從而可以提高合格率。在本發(fā)明中，設(shè)置接續(xù)電極時(shí)，保持電容上電極通過至少設(shè)置在1個分割電極上 的1個以上的接觸孔與像素電極連接。在液晶顯示裝置等中使用有源矩陣基板時(shí)，接觸孔 的形成部和保持電容上電極的形成部都難于作為開口部利用，所以，通過將它們設(shè)置在基 板上的相同場所，可以提高開口率。作為接觸孔，只要可以將分割電極與像素電極連接就 行，不特別限定，例如，如果是通過絕緣膜設(shè)置分割電極和像素電極的情況，可以在貫通絕 緣膜的貫通孔的內(nèi)壁面形成金屬等的導(dǎo)電性材料，在貫通孔的內(nèi)部填充導(dǎo)電性材料等。在本發(fā)明中，設(shè)置接續(xù)電極時(shí)，作為設(shè)置上述接觸孔的分割電極，只要根據(jù)數(shù)據(jù)信 號線與分割電極的距離、分割電極的形狀和配置形式等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定就可以，作為接觸孔的 優(yōu)選的形式，有(1)至少設(shè)置在位于兩端的分割電極的一方上的形式、(2)設(shè)置在位于兩端 的分割電極以外的分割電極上的形式、(3)至少設(shè)置在位于兩端的分割電極的兩方上的形 式等。位于兩端的分割電極接近數(shù)據(jù)信號線的情況比較多，容易與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路，但 是，在不設(shè)置接觸孔的分割電極與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路時(shí)，不必除去接觸孔上的像素電極， 通過利用激光等將接續(xù)電極的一部分破壞分離，可以很容易地將短路的分割電極與其他分 割電極電氣分離，從而可以修復(fù)數(shù)據(jù)信號線與薄膜晶體管的漏極側(cè)的短路。另一方面，在設(shè) 置接觸孔的分割電極與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路時(shí)，除此之外，必須利用除去接觸孔上的像素 電極等方法修復(fù)數(shù)據(jù)信號線與接觸孔上的像素電極的短路，有時(shí)難于修復(fù)。在上述(1)的形式中，在位于兩端的分割電極的單側(cè)(另一方)不設(shè)置接觸孔，所 以，可以降低設(shè)置接觸孔的分割電極與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路的可能性。另外，在上述(2)的 形式中，在位于兩端的分割電極的兩方不設(shè)置分割電極，所以，可以更有效地降低設(shè)置接觸 孔的分割電極與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路的可能性。另一方面，上述(3)的形式可以增多接觸 孔的數(shù)，可以提高保持電容上電極與像素電極的連接可靠性，所以，數(shù)據(jù)信號線與分割電極的距離大時(shí)優(yōu)選。另外，作為上述保持電容上電極，位于保持電容上電極的兩端的分割電極與保持 電容配線或掃描信號線相對的區(qū)域的總面積比除此以外的分割電極小。這時(shí)，位于兩端的 分割電極和除此以外的分割電極由2個以上構(gòu)成時(shí)，則利用其面積的總和進(jìn)行比較。在該 形式中，通過減小位于容易與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路的兩端的分割電極，在這些分割電極短 路而進(jìn)行電氣分離時(shí)，也可以減小保持電容元件的電容減少。另外，如果不位于兩端的分割 電極的大小相同，則位于兩端的分割電極與數(shù)據(jù)信號線的間隔增大，從而可以防止位于兩 端的分割電極發(fā)生短路。此外，在本發(fā)明中，設(shè)置接續(xù)電極時(shí)，作為上述保持電容上電極，優(yōu)選設(shè)置接觸孔 的分割電極的面積小。這樣，就可以降低設(shè)置接觸孔的分割電極與保持電容配線或掃描信 號線發(fā)生短路的可能性。其中，優(yōu)選保持電容上電極在與保持電容配線和掃描信號線相對 的區(qū)域由3個以上的分割電極構(gòu)成，通過設(shè)置在位于兩端以外的分割電極上的1個以上的 接觸孔與像素電極連接，設(shè)置上述接觸孔的分割電極與保持電容配線或掃描信號線相對的 區(qū)域的面積小于位于兩端的分割電極。這時(shí)，位于兩端的分割電極中與保持電容配線或掃 描信號線相對的區(qū)域的面積最小的分割電極與設(shè)置接觸孔的分割電極中與保持電容配線 或掃描信號線相對的區(qū)域的面積最大的分割電極進(jìn)行面積比較。在該形式中，設(shè)置接觸孔 的分割電極的面積小，另外，位于兩端的分割電極的兩方不設(shè)置接觸孔，所以，可以降低設(shè) 置接觸孔的分割電極與保持電容配線或掃描信號線以及數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路的可能性。此 外，更優(yōu)選為，保持電容上電極在與保持電容配線或掃描信號線相對的區(qū)域由3個以上的 分割電極構(gòu)成，通過設(shè)置在位于兩端以外的分割電極上的1個以上的接觸孔與像素電極連 接，位于上述兩端以外的分割電極與保持電容配線或掃描信號線相對的區(qū)域的面積比位于 兩端的分割電極小。這時(shí)，位于兩端的分割電極中與保持電容配線或掃描信號線相對的區(qū) 域的面積最小的分割電極與位于兩端以外的分割電極中與保持電容配線或掃描信號線相 對的區(qū)域的面積最大的分割電極進(jìn)行面積比較。本發(fā)明是具有上述有源矩陣基板的顯示裝置。這樣的顯示裝置通過將上述有源矩 陣基板作為像素電極基板使用，可以有效地抑制由于保持電容上電極的短路引起的在顯示 圖像中發(fā)生點(diǎn)缺陷，防止顯示品質(zhì)降低，從而可以提高制造的合格率。其中，上述顯示裝置 優(yōu)選是液晶顯示裝置。本發(fā)明的有源矩陣基板是上述那樣的結(jié)構(gòu)，所以，保持電容上電極在與保持電容 配線或掃描信號線相對的區(qū)域通過由3個以上的分割電極構(gòu)成，即使在保持電容上電極由 于絕緣膜的導(dǎo)電性異物或銷釘孔而與保持電容配線或掃描信號線發(fā)生短路或者與用同一 工序形成的數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路時(shí)，通過利用絕緣處理僅將包含發(fā)生短路的部位的分割電 極電氣分離，使其余的分割電極有效地發(fā)揮作用，可以維持保持電容元件的功能。另外，保 持電容上電極的兩端部通常配置數(shù)據(jù)信號線等，容易發(fā)生短路，但是，即使兩端部的2個分 割電極都發(fā)生短路時(shí)，通過進(jìn)行絕緣處理使其余的分割電極有效地發(fā)揮作用，也可以維持 保持電容元件的功能。如果將這樣的有源矩陣基板作為液晶顯示裝置等的顯示裝置的像素 電極基板使用，可以有效地抑制由于保持電容上電極的短路引起的在顯示圖像中發(fā)生點(diǎn)缺 陷，防止顯示裝置的顯示品質(zhì)降低，從而可以提高合格率，可以應(yīng)用于要求高品質(zhì)面板的大 型液晶電視等的液晶屏。
下面，通過實(shí)施例參照附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但是，本發(fā)明不限定這些實(shí)施 例。實(shí)施例1在實(shí)施例1中，參照圖1和圖2說明以作為保持電容下電極而形成保持電容(貫 通)配線的Cs-on-Common方式實(shí)施的形式。圖1是表示本發(fā)明的優(yōu)選的形式的有源矩陣基板的1個像素的結(jié)構(gòu)的平面模式 圖，圖2是表示將圖1所示的有源矩陣基板沿線段D-D'切斷的剖面的剖面模式圖。在圖1中，在有源矩陣基板上，多個像素電極21設(shè)置成矩陣狀，通過這些像素電極 21的周圍相互交叉地設(shè)置用于供給掃描信號的各掃描信號線22和用于供給數(shù)據(jù)信號的數(shù) 據(jù)信號線23。另外，在這些掃描信號線22與數(shù)據(jù)信號線23的交叉部分，設(shè)置與像素電極21連接的作為開關(guān)元件的TFT24。掃描信號線22與該TFT24的柵極32連接，由輸 入柵極32的掃描信號驅(qū)動控制TFT24。另外，數(shù)據(jù)信號線23與TFT24的源極36a連接，數(shù) 據(jù)信號輸入TFT24的源極36a。此外，接續(xù)電極25、保持電容元件的一方的電極(保持電容 上電極)25a、25b及25c通過接續(xù)電極25、像素電極21通過接觸孔26a與漏極36b連接。 保持電容(共同)配線27起該保持電容元件的另一方的電極(保持電容下電極)的功能。在圖2中，在玻璃、塑料等透明絕緣性基板(絕緣基板)31上，設(shè)置與掃描信號線 22連接的柵極32。掃描信號線22和柵極32由鈦、鉻、鋁、鉬等的金屬膜或這些金屬的合金、 集層膜形成。構(gòu)成保持電容元件的另一方的電極(保持電容下電極)的保持電容(共同) 配線27由與掃描信號線22或柵極32相同的材料形成。覆蓋在這些掃描信號線22、柵極 32和保持電容(共同)配線27上設(shè)置柵極絕緣膜33。柵極絕緣膜33由氮化硅或氧化硅 等絕緣膜形成。在其上面與柵極32重疊地設(shè)置由非晶硅或多晶硅等構(gòu)成的高電阻半導(dǎo)體 層34，此外，再在其上設(shè)置成為源極36a和漏極36b的、由摻雜了雜質(zhì)的n+非晶硅等構(gòu)成的 低電阻半導(dǎo)體層。與源極36a連接地形成數(shù)據(jù)信號線23。另外，與漏極36b連接地設(shè)置接 續(xù)電極25，接續(xù)電極25延伸，構(gòu)成作為保持電容元件的一方的電極的保持電容上電極25a、 25b和25c，通過接觸孔26a與像素電極21連接。數(shù)據(jù)信號線23、接續(xù)電極25、保持電容 上電極25a、25b及25c由相同材料形成，可以使用鈦、鉻、鋁、鉬等的金屬膜或這些金屬的合 金、集層膜。像素電極21由例如ΙΤ0、ΙΖ0、氧化鋅、氧化錫等具有透明性的導(dǎo)電膜形成。接 觸孔26a貫穿覆蓋在TFT24、掃描信號線22、數(shù)據(jù)信號線23和接續(xù)電極25的上部而形成的 層間絕緣膜38而形成。作為層間絕緣膜38的材料有例如丙烯酸樹脂、氮化硅、氧化硅等。保持電容元件的一方的電極(保持電容上電極)25a、25b及25c與保持電容(共 同)配線27相對的區(qū)域即電極與保持電容(共同)配線27的圖形重疊，在形成保持電容 元件的區(qū)域中分割成3部分。另外，接續(xù)電極25與保持電容上電極25a、25b及25c連接，使在保持電容上電極 25a、25b及25c中的某一個發(fā)生短路時(shí)可以僅將短路的保持電容上電極與TFT24的漏極 36b電氣分離。在由于膜殘余98等發(fā)生短路時(shí)，如果利用激光等將接續(xù)電極25的切斷處K 破壞分離，可以很容易將短路的保持電容上電極與漏極36b分離。另外，接觸孔26a在分割的保持電容上電極中在與與數(shù)據(jù)信號線23接近的保持電 容上電極25a、25c以外的地方即僅在保持電容上電極25b上形成。保持電容上電極25a、 25c與用同一工序形成的數(shù)據(jù)信號線23接近，所以，與保持電容上電極25b相比，由于膜殘
10余99等容易與數(shù)據(jù)信號線23發(fā)生短路。因此，將接觸孔設(shè)置在保持電容上電極25a、25c上 時(shí)，如果該保持電容上電極25a或25c發(fā)生短路，利用激光等在接續(xù)電極25的切斷處K破 壞分離，則不僅將短路的保持電容上電極25a或25c與漏極36b分離，而且將位于短路的保 持電容上電極25a或25c上的接觸孔上的像素電極21破壞分離，所以，需要新的將像素電 極21與短路的保持電容上電極25a或25c分離的工序。因此，通過將接觸孔26a設(shè)置到保 持電容上電極25b上而不是容易發(fā)生短路的保持電容上電極25a或25c上，在發(fā)生短路時(shí) 則可很容易地修復(fù)。但是，由于難于將接觸孔26a上的像素電極21的ITO等的膜的覆蓋范圍有效地連 接或保持電容電極的鋁等的金屬膜與像素電極的ITO等的膜的接觸電阻大等原因，擔(dān)心接 觸的可靠性時(shí)，也可以將接觸孔設(shè)置在保持電容上電極25a和/或25c上。另外，形成接觸孔26a的保持電容上電極25b與保持電容(共同)配線27的重疊 面積小于其他保持電容上電極25a、25c與保持電容(共同)配線27的重疊面積。利用這 樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，由于重疊面積小于與其他數(shù)據(jù)信號線23接近的保持電容上電極25a、25c，所 以，可以減小由于導(dǎo)電性異物或銷釘孔99引起的保持電容上電極25b與保持電容(共同) 配線27通過柵極絕緣膜33發(fā)生短路的可能性。下面，進(jìn)一步說明對實(shí)施例1的圖1和圖2的變形例。在實(shí)施例1中，如圖1所示，作為保持電容上電極25a、25b和25c，其形狀為四邊 形，但是，本發(fā)明不限于此，可以是三角形、半圓形、梯形等形狀。即，保持電容上電極在柵極 絕緣膜33上與保持電容(共同)配線27的圖形重疊地設(shè)置，至少可以將與數(shù)據(jù)信號線23 接近的保持電容上電極分割為其他部分。如圖1所示，保持電容上電極形成分割為3部分 的保持電容上電極25a、25b及25c，但是，分割數(shù)(N)不限定，只要N彡3就行。另外，作為保持電容(共同)配線27，如上所述，由與掃描信號線22或柵極32相 同的材料形成，但是，本發(fā)明不限定如此。即，也可以使用其他材料(例如ITO等的透明導(dǎo) 電膜)在掃描信號線22或柵極32的形成前后形成保持電容(共同)配線27。在實(shí)施例1中，還在圖1所示的配線圖形上形成了接續(xù)電極25，但是，本發(fā)明不限 定此。即，接續(xù)電極25可以是在保持電容上電極25a、25b及25c中的某一個發(fā)生短路時(shí)可 以僅將短路的保持電容上電極與TFT24的漏極36b電氣分離而與漏極36b連接的接續(xù)電極 25的一部分仍然與保持電容上電極25a、25b及25c分別連接。另外，作為構(gòu)成保持電容元件的絕緣膜，如圖2所示，僅僅是柵極絕緣膜33，但是， 本發(fā)明不限定如此。即，也可以在保持電容(共同)配線27上在柵極絕緣膜33的前后形 成柵極絕緣膜33以外的新的絕緣層。實(shí)施例2在實(shí)施例2中，參照圖3說明不配置保持電容(共同)配線而將相鄰的掃描信號 線作為保持電容下電極使用的方法即以Cs-on-Gate方式實(shí)施的形式。圖3是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的有源矩陣基板的1個像素的結(jié)構(gòu)的平面模 式圖。在圖3中，在有源矩陣基板上，多個像素電極21設(shè)置成矩陣狀，通過這些像素電極 21的周圍相互交叉地設(shè)置用于供給掃描信號的掃描信號線22和用于供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù) 信號線23。另外，在這些掃描信號線22與數(shù)據(jù)信號線23的交叉部分，設(shè)置與像素電極21連接的作為開關(guān)元件的TFT24。掃描信號線22與該TFT24的柵極連接，由輸入柵極的掃描 信號驅(qū)動控制TFT24。另外，數(shù)據(jù)信號線23與TFT24的源極連接，數(shù)據(jù)信號輸入TFT24的 源極。此外，接續(xù)電極25、保持電容元件的一方的電極(保持電容上電極)25d、25e、25f及 25g通過接續(xù)電極25、像素電極21通過接觸孔26b、26c與漏極連接。作為保持電容元件的 另一方的電極(保持電容下電極)，使用相鄰的掃描信號線22'。保持電容元件的一方的電極(保持電容上電極)25d、25e、25f及25g與和相鄰的 掃描信號線22'相對的區(qū)域即與相鄰的掃描信號線22'的圖形重疊，在形成保持電容元 件的區(qū)域中，分割為4部分。另外，接續(xù)電極25在保持電容上電極25d、25e、25f及25g中的某一個發(fā)生短路時(shí) 可以僅將短路的保持電容上電極與TFT24的漏極電氣分離而仍然分別與保持電容上電極 25d、25e、25f及25g連接。在由于膜殘余等而發(fā)生短路時(shí)，如果利用激光等將接續(xù)電極25 的切斷處K破壞分離，則可很容易地將短路的保持電容上電極與漏極電氣分離。另外，接觸孔26b、26c在分割的保持電容上電極中在與數(shù)據(jù)信號線23接近的保持 電容上電極25d、25g以外的地方即僅在保持電容上電極25e、25f上形成。由于保持電容上電極25d、25g與用同一工序形成的數(shù)據(jù)信號線23接近，所以，與 保持電容上電極25e、25f相比，容易由于膜殘余或?qū)щ娦援愇锏扰c數(shù)據(jù)信號線23發(fā)生短 路。因此，將接觸孔設(shè)置在保持電容上電極25d、25g上時(shí)，如果該保持電容上電極25d或 25g發(fā)生短路，利用激光等在接續(xù)電極25的切斷處K不僅將短路的保持電容上電極25d或 25g與TFT24的漏極破壞分離，而且也將短路的保持電容上電極25d或25g上的接觸孔破壞 分離，從而也需要新的與像素電極21分離的工序。因此，通過將接觸孔26b、26c設(shè)置到保 持電容上電極25e、25f上而不是容易發(fā)生短路的保持電容上電極25d、25g上，在發(fā)生短路 時(shí)可以很容易修復(fù)。但是，由于難于將接觸孔26b、26c上的成為像素電極21的ITO等的膜的覆蓋范圍 有效地形成、或形成保持電容電極的鋁等的金屬膜與像素電極的ITO等的膜的接觸電阻大 等原因，擔(dān)心接觸的可靠性時(shí)，也可以將接觸孔設(shè)置在保持電容上電極25d和/或25g上。另外，形成接觸孔26b、26c的保持電容上電極25e、25f與相鄰的掃描信號線22' 的重疊面積小于其他保持電容上電極25d、25g與相鄰的掃描信號線22'的重疊面積。利用 這樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，由于重疊面積比其他保持電容上電極25d、25g小，所以，可以減小由于導(dǎo)電 性異物或銷釘孔引起的保持電容上電極25e、25f與相鄰的掃描信號線22'通過形成保持 電容元件的絕緣膜發(fā)生短路的可能性。下面，進(jìn)而說明對實(shí)施例2的圖3的變形例。在實(shí)施例2中，如圖3所示，作為保 持電容上電極25d、25e、25f及25g，其形狀為四邊形，但是，本發(fā)明不限定如此，也可以是三 角形、半圓形、梯形等形狀。即，保持電容上電極在保持電容元件的絕緣膜上與相鄰的掃描 信號線22'的圖形重疊地設(shè)置，至少可以將與數(shù)據(jù)信號線23接近的保持電容上電極分割 為其他部分。如圖3所示，保持電容上電極分割為4部分，形成保持電容上電極25d、25e、 25f及25g，但是，分割數(shù)(N)不限定，只要N彡3就行。在實(shí)施例2中，在圖3所示的配線圖形上還形成了接續(xù)電極25，但是，本發(fā)明不限 定如此。即，接續(xù)電極25可以是在保持電容上電極25d、25e、25f及25g中的某一個發(fā)生短 路時(shí)可以僅將短路的保持電容上電極與TFT24的漏極電氣分離而與漏極連接的接續(xù)電極25的一部分仍然分別與保持電容上電極25d、25e、25f及25g連接。實(shí)施例3在實(shí)施例3中，參照圖6說明在Cs-on-Commom方式中漏極通過接續(xù)配線與保持電 容上電極連接的形式。圖6是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的有源矩陣基板的1個像素結(jié)構(gòu)的平面模式 圖。在圖6中，在有源矩陣基板上，多個像素電極21設(shè)置成矩陣狀，通過這些像素電極 21的周圍相互交叉地設(shè)置用于供給掃描信號的掃描信號線22和用于供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù) 信號線23。另外，在這些掃描信號線22與數(shù)據(jù)信號線23的交叉部分，設(shè)置與像素電極21 連接的作為開關(guān)元件的TFT24。掃描信號線22與該TFT24的柵極連接，由輸入柵極的掃描 信號驅(qū)動控制TFT24。另外，數(shù)據(jù)信號線23與TFT24的源極連接，數(shù)據(jù)信號輸入TFT24的源 極。此外，接續(xù)電極25、保持電容元件的一方的電極(保持電容上電極)25b通過接續(xù)電極 25、像素電極21通過接觸孔26b與漏極連接。保持電容元件的一方的電極(保持電容上電極)25a、25b及25c與和保持電容配 線27相對的區(qū)域即電極與保持電容配線27的圖形重疊，在形成保持電容元件的區(qū)域中分 割為3部分。利用這樣的結(jié)構(gòu)，與數(shù)據(jù)信號線接近的兩端的2個保持電容上電極25a及25c 中至少一方發(fā)生短路時(shí)，如果利用激光等將短路的保持電容上電極25a和/或25c與像素 電極21分離(即如果將接觸孔26a和/或26c上及其周邊的像素電極除去)，使其余的分 割電極有效地發(fā)揮作用，可以維持保持電容元件的功能。接續(xù)電極25僅與3個保持電容上電極(分割電極)25a、25b及25c中不與數(shù)據(jù)信 號23相鄰的中央的分割電極25b連接。與數(shù)據(jù)信號線23相鄰的分割電極25a及25c分別 通過接觸孔26a及26c與像素電極21導(dǎo)通。另外，通過像素電極21與薄膜晶體管24的漏 極導(dǎo)通。保持電容上電極25a、25b及25c與保持電容配線27 —起構(gòu)成保持電容元件。在本實(shí)施例中，通過將接續(xù)電極25僅與1個分割電極25b連接而不與所有的分割 電極25a、25b及25c連接，可以減少接續(xù)電極21的條數(shù)和路徑。因此，可以減小成為遮光 區(qū)域的接續(xù)電極25的面積，從而可以防止開口率降低。另外，在與數(shù)據(jù)信號線23相鄰的分 割電極25a及25c中，發(fā)生與數(shù)據(jù)信號線23的短路或與保持電容配線27的層間短路時(shí)，如 果如本實(shí)施例那樣分割電極25a、25c通過接觸孔26a、26c僅與像素電極21連接而不與接 續(xù)電極25連接，修復(fù)時(shí)不必將接續(xù)電極25與短路的分割電極25a、25c電氣分離，所以，可 以防止增加新的工序。下面，進(jìn)而說明實(shí)施例3的變形例。在本實(shí)施例中，接續(xù)電極25與3個分割電極25a、25b及25c中的中央的分割電極 25b連接，但是，本發(fā)明不限定如此。即，分割電極25a、25b及25c分別具有接觸孔26a、26b 及26c，通過該接觸孔26a、26b及26c與像素電極21連接時(shí)，如果接續(xù)電極25與分割電極 25a.25b.25c中的至少1個連接，就可以使所有的分割電極25a、25b及25c與薄膜晶體管 24的漏極導(dǎo)通。此外，在本實(shí)施例中，保持電容上電極(分割電極)25a、25b及25c的形狀和分割 數(shù)或接續(xù)電極25的圖形也不特別限定與實(shí)施例1相同。實(shí)施例4.
13
在實(shí)施例4中，參照圖7說明在Cs-on-Commom方式中漏極不通過接續(xù)電極而直接 通過接觸孔與像素電極連接的形式。圖7是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的有源矩陣基板的1個像素的結(jié)構(gòu)的平面模 式圖。在圖7中，在有源矩陣基板上，多個像素電極21設(shè)置成矩陣狀，通過這些像素電極 21的周圍相互交叉地設(shè)置用于供給掃描信號的掃描信號線22和用于供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù) 信號線23。另外，在這些掃描信號線22與數(shù)據(jù)信號線23的交叉部分，設(shè)置與像素電極21 連接的作為開關(guān)元件的TFT24。掃描信號線22與該TFT24的柵極連接，由輸入柵極的掃描 信號驅(qū)動控制TFT24。另外，數(shù)據(jù)信號線23與TFT24的源極連接，數(shù)據(jù)信號輸入TFT24的源 極。此外，像素電極21通過接觸孔28與漏極連接。保持電容元件的一方的電極(保持電 容上電極)25a、25b及25c通過接觸孔26a、26b、26c與像素電極21連接，與保持電容配線 27—起構(gòu)成保持電容元件。即，不設(shè)置接續(xù)電極，TFT24的漏極和保持電容上電極(分割電 極)25a、25b及25c通過在各個分割電極25a、25b及25c上形成的接觸孔26a、26b、26c、像 素電極21和接觸孔28而導(dǎo)通。保持電容元件的一方的電極(保持電容上電極)25a、25b及25c與和保持電容配 線27相對的區(qū)域即電極與保持電容配線27的圖形重疊，在形成保持電容元件的區(qū)域中分 割為3部分。利用這樣的結(jié)構(gòu)，3個保持電容上電極中的1個或2個保持電容上電極發(fā)生短 路時(shí)，如果利用激光等將上述短路的保持電容上電極與像素電極21分離，使其余的分割電 極有效地發(fā)揮作用，可以維持保持電容元件的功能。另外，按照本結(jié)構(gòu)，由于不存在接續(xù)電 極，所以，與通過接續(xù)電極將漏極與保持電容配線連接的情況相比，可以防止接續(xù)電極引起 的開口率降低。在本實(shí)施例中，也不特別限定保持電容上電極(分割電極)25a、25b及25c的形狀 和分割數(shù)與實(shí)施例1相同。
權(quán)利要求
一種有源矩陣基板，具有設(shè)置在基板上的掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線的交點(diǎn)的、柵極電極與掃描信號線連接、源極電極與數(shù)據(jù)信號線連接、漏極電極與接續(xù)電極連接的薄膜晶體管；和隔著絕緣膜與保持電容配線相對而設(shè)置的保持電容上電極，其特征在于該保持電容上電極在與保持電容配線相對的區(qū)域由3個分割電極構(gòu)成，該3個分割電極通過接觸孔與像素電極連接，該分割電極中，僅位于中央位置的分割電極與接續(xù)電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述數(shù)據(jù)信號線隔著絕緣膜與像素電極重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于所述分割電極中位于中央位置的分割電極的與保持電容配線相對的區(qū)域的面積最小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于所述數(shù)據(jù)信號線與所述保持電容電極之間的距離比分割電極彼此之間的間隔寬。
5.一種顯示裝置，其特征在于具有根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板。
全文摘要
本發(fā)明的有源矩陣基板可以很容易修復(fù)由于導(dǎo)電性異物或絕緣膜的銷釘孔引起的保持電容電極間的短路或數(shù)據(jù)信號線與保持電容上電極的短路而發(fā)生的保持電容元件的不良。本發(fā)明的有源矩陣基板，具有設(shè)置在基板上的掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線的交點(diǎn)的、柵極電極與掃描信號線連接、源極電極與數(shù)據(jù)信號線連接、漏極電極與接續(xù)電極連接的薄膜晶體管；和隔著絕緣膜與保持電容配線相對而設(shè)置的保持電容上電極，其特征在于該保持電容上電極在與保持電容配線相對的區(qū)域由3個分割電極構(gòu)成，該3個分割電極通過接觸孔與像素電極連接，該分割電極中，僅位于中央位置的分割電極與接續(xù)電極連接。
文檔編號H01L27/13GK101964324SQ20101026449
公開日2011年2月2日 申請日期2005年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月28日
發(fā)明者久田佑子, 八木敏文, 武內(nèi)正典, 津幡俊英 申請人:夏普株式會社