技術編號：6951032
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明通常涉及，具體來說，涉及一種具有更好性能的互連結構(Interconnect)的半導體結構及其制造方法。背景技術隨著半導體技術的飛速發(fā)展，具有更高性能和更強功能的集成電路要求更大的元件密度，CMOS (互補型金屬氧化物半導體)器件和金屬連線等部件的尺寸需要進一步縮小， 這使得器件的速度越來越快，由于金屬連線的尺寸變小同時也導致了金屬連線的電阻越來越大，因此出現(xiàn)了金屬連線的信號傳輸速率跟不上器件的速度的問題。在跨入納米時代以后，隨著器件尺寸的進一步縮小...
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