專利名稱：基于引線框架的快閃存儲(chǔ)器卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種包括集成電路封裝的快閃存儲(chǔ)器卡，所述集成電路封裝 包括具有非直線或曲線輪廓的引線框架。
背景技術(shù)：
由于電子裝置的尺寸持續(xù)減小，所以操作其的相關(guān)聯(lián)半導(dǎo)體封裝經(jīng)設(shè)計(jì)為具有較 小形狀因數(shù)、較低功率要求和較高的功能性。當(dāng)前，半導(dǎo)體制造的亞微米特征對(duì)封裝技術(shù) 提出較高需求，其包括較高的引線數(shù)、減小的引線間距、最小的占據(jù)面積和顯著的總體積減 小。半導(dǎo)體封裝的一個(gè)分支包括引線框架的使用，所述引線框架為薄金屬層，在所述 薄金屬層上安裝和支撐一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體電路小片。弓丨線框架包括用于將來(lái)自所述一 個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體的電信號(hào)傳送到印刷電路板或其它外部電子裝置的電引線。圖1展示 在附接半導(dǎo)體電路小片22之前的引線框架20。典型引線框架20可包括許多引線24，其具 有用于附接到半導(dǎo)體電路小片22的第一末端24a，和用于貼附到印刷電路板或其它電子組 件的第二末端(未圖示)。引線框架20可進(jìn)一步包括用于將半導(dǎo)體電路小片22結(jié)構(gòu)性地 支撐在引線框架20上的電路小片附接墊26。雖然電路小片附接墊26可提供到接地的路 徑，但其常規(guī)上并不載運(yùn)來(lái)自半導(dǎo)體電路小片22的信號(hào)或?qū)⑿盘?hào)載運(yùn)到半導(dǎo)體電路小片 22。在某些引線框架配置中，在所謂的引線上芯片(COL)配置中，已知省略電路小片附接墊 26且替代地將半導(dǎo)體電路小片直接附接到引線框架引線。如圖2所示，可使用電路小片附接化合物將半導(dǎo)體引線24安裝到電路小片附接墊 26。以常規(guī)方式形成半導(dǎo)體電路小片22，其中在半導(dǎo)體電路小片的頂側(cè)上的至少第一和第 二相對(duì)邊緣上具有多個(gè)電路小片結(jié)合墊28。一旦半導(dǎo)體電路小片安裝到引線框架，便執(zhí)行 線結(jié)合過(guò)程，借此使用專用線30將結(jié)合墊28電耦合到各自的電引線24。結(jié)合墊28到特 定電引線24的指派是由工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范界定的。為清晰起見(jiàn)，圖2展示少于全部接線到引線 24的結(jié)合墊28，但在常規(guī)設(shè)計(jì)中，每一結(jié)合墊可接線到其各自電引線。如圖2所示，也已知 少于全部的結(jié)合墊接線到一電引線。通常，引線框架20最初由包括多個(gè)此類(lèi)引線框架的面板形成。半導(dǎo)體電路小片22 安裝并電連接到面板中的每一引線框架，且借此形成的集成電路囊封在模制化合物中。此 后，從所述面板切割個(gè)別囊封集成電路或?qū)⑵鋯我换癁槎鄠€(gè)半導(dǎo)體封裝。一些常規(guī)基于襯底的封裝和卡具有曲線形占據(jù)面積。作為一實(shí)例，分別在圖3和 圖4中以俯視圖和仰視圖展示由加利福尼亞(California)，桑尼維爾(Sunnyvale)的三迪斯科公司(SanDisk Corporation)引進(jìn)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Transflash快閃存儲(chǔ)器卡。如此處所 見(jiàn)，Transflash卡30包括具有由圓角接合的側(cè)邊32到38的大體矩形形狀。所述卡的側(cè) 邊32包括凹口 40和在側(cè)邊32的上部部分中界定的成角度的凹陷區(qū)42，使得卡30的頂部 邊緣34窄于卡的底部邊緣38。其它存儲(chǔ)器卡(例如，安全數(shù)字(“SD”)卡和微型SD卡) 類(lèi)似地包括具有圓邊緣、凹口和/或斜面的曲線形狀。已知用于從囊封集成電路的面板切割具有曲線形邊緣的半導(dǎo)體封裝的若干方 法。已知的切割方法包括(例如)噴水切割、激光切割、水導(dǎo)向型激光切割、干燥媒體切 割和金剛石涂層絲切割。所述切割方法能夠?qū)崿F(xiàn)個(gè)別化集成電路封裝的復(fù)雜的直線和/ 或曲線形狀。在題為“用于有效地生產(chǎn)可移除外圍卡的方法(Method for Efficiently ProducingRemovable Peripheral Cards) ”的第2004/0259291 號(hào)經(jīng)公開(kāi)美國(guó)專利申請(qǐng)案中 揭示了用于從面板切割囊封集成電路的方法和借此可實(shí)現(xiàn)的形狀的更詳細(xì)描述，所述申請(qǐng) 案轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的所有者且其全文以引用的方式并入本文中。雖然已知的切割方法在實(shí)現(xiàn)個(gè)別化的半導(dǎo)體封裝中的曲線形狀時(shí)是有效的，但這 些方法要求精確的切割且增加了半導(dǎo)體制造過(guò)程的復(fù)雜性和成本。

發(fā)明內(nèi)容
粗略描述的本發(fā)明涉及一種引線框架設(shè)計(jì)和用于形成具有曲線形狀的基于引線框架的半導(dǎo)體封裝的方法?？梢岳缁瘜W(xué)蝕刻的已知制造過(guò)程或以使用連續(xù)沖模的機(jī)械沖 壓過(guò)程在面板上成批地處理多個(gè)弓I線框架。所述引線框架可各自包括對(duì)應(yīng)于已完成和單一 化的半導(dǎo)體封裝中的曲線邊緣的一個(gè)或一個(gè)以上曲線邊緣。在封裝制造過(guò)程期間，將一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體電路小片安裝和電連接到引線框 架以形成集成電路。此后，將所述集成電路囊封在模制化合物中。在囊封之后，可通過(guò)將集 成電路從弓I線框架面板切割為多個(gè)個(gè)別的集成電路封裝而單一化所述集成電路。引線框架 中的槽有利地允許使用僅進(jìn)行直線切割的鋸條來(lái)單一化每一引線框架。鋸切通常比例如常 用以實(shí)現(xiàn)曲線切割形狀的噴水切割、激光切割的其它切割方法花費(fèi)少、耗時(shí)短且要求較少 設(shè)備。即使僅沿直切割線進(jìn)行切割，曲線形槽仍允許單一化的封裝具有曲線形邊緣?？?以多種配置提供所述槽以允許已完成的封裝在需要時(shí)具有任何曲線形狀?？墒褂镁哂兄辽?兩個(gè)點(diǎn)的槽來(lái)實(shí)現(xiàn)任何曲線形狀，所述至少兩個(gè)點(diǎn)與直切割線中的一者或一者以上相交。在另一實(shí)施例中，可從引線框架面板沖壓引線框架而非鋸切。在此類(lèi)實(shí)施例中，單 一槽可大體上圍繞引線框架的整個(gè)周邊和經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝而延伸。在此類(lèi)實(shí)施例中，弓丨 線框架可由圍繞引線框架封裝的周邊隔開(kāi)定位的一系列系桿而連接到面板。在通過(guò)切割或沖壓分離引線框架封裝之后，所述封裝的邊緣可為粗糙的和/或來(lái) 自引線框架的金屬片段可仍附接在其上。因此，在通過(guò)分離所述封裝之后，在單一化引線框 架之后留下的任何粗糙邊緣和/或金屬片段平滑。


圖1為常規(guī)引線框架和半導(dǎo)體電路小片的分解透視圖。圖2為線結(jié)合到常規(guī)引線框架的常規(guī)半導(dǎo)體電路小片的透視圖。
圖3為常規(guī)Transflash存儲(chǔ)器卡的俯視圖。圖4為常規(guī)Transflash存儲(chǔ)器卡的仰視圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的包括多個(gè)引線框架的面板。圖6為來(lái)自圖5所示的面板的根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的單一引線框架的俯視圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的引線框架的俯視圖，所述引線框架包括安裝在其 上的半導(dǎo)體電路小片。圖8為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的引線框架的俯視圖，所述引線框架包括安裝在其 上且囊封在模制化合物中的半導(dǎo)體電路小片。圖9為通過(guò)沿著圖8中的線9-9的平面截取的橫截面圖。圖10為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的引線框架面板的一部分的俯視圖，其展示直邊 緣切割線，其中將切割已完成的集成電路以從集成電路的面板單一化集成電路。圖11為來(lái)自圖10的面板的單一引線框架，其展示直邊緣切割線，其中將切割已完 成的集成電路以從集成電路的面板單一化集成電路。圖12為單一化半導(dǎo)體封裝和待遺棄的引線框架的切除部分。圖13為根據(jù)本發(fā)明的一替代實(shí)施例的引線框架的俯視圖。圖14為圖13的引線框架的俯視圖，其展示用以單一化圖13的集成電路的直邊緣 切割線。圖15為根據(jù)本發(fā)明的另一替代實(shí)施例的引線框架的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參看圖5到圖15描述本發(fā)明的實(shí)施例，其通常涉及引線框架設(shè)計(jì)和形成具有 曲線形邊緣的單一化半導(dǎo)體電路小片封裝的方法。如本文中所使用，曲線形狀包括彎曲邊 緣、曲線形邊緣、不直的邊緣和不連續(xù)邊緣(即，兩個(gè)邊緣以斜角會(huì)合)。應(yīng)了解，可以許多 不同形式實(shí)施本發(fā)明且不應(yīng)將其解釋為限于本文中所陳述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施 例以使得本揭示內(nèi)容將是詳盡和完整的，且將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員完全地傳達(dá)本發(fā)明的 實(shí)施例。實(shí)際上，期望本發(fā)明涵蓋包括在由所附權(quán)利要求書(shū)界定的本發(fā)明的范圍和精神內(nèi) 的這些實(shí)施例的替代方案、修改和均等物。此外，在本發(fā)明的實(shí)施例的以下詳細(xì)描述中，陳 述許多特定細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的徹底理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)清楚了解，可實(shí) 踐本發(fā)明使其不具有所述特定細(xì)節(jié)。一般來(lái)說(shuō)，可從引線框架的面板(例如圖5中所示的面板90)成批地處理根據(jù)本 發(fā)明的引線框架。在圖5所示的實(shí)施例中，面板90包括引線框架100的2X6陣列。應(yīng)了 解，在替代實(shí)施例中，可以具有變化的列和行的多種陣列形成面板90。如下文所闡述，集成 電路形成在面板90中的所述多個(gè)引線框架100上，所述集成電路被囊封在保護(hù)性模制化合 物中，且接著從所述面板切割經(jīng)囊封集成電路或?qū)⑵鋯我换?，以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝?，F(xiàn)參看圖6，其展示來(lái)自面板90的單一引線框架100。引線框架100包括用于支 撐一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體電路小片的電路小片踏板102。引線框架100進(jìn)一步包括用于將 電信號(hào)傳送到一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體電路小片和從一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體電路小片傳送 電信號(hào)的電引線104，和用于在所述一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體電路小片與外部電子裝置之間 傳送電信號(hào)的接觸墊106。如下文更詳細(xì)闡述，引線框架100也可包括多個(gè)曲線形槽110。
引線框架100可由金屬的平坦或大體上平坦的零件形成，所述金屬例如為銅或銅 合金、鍍銅或鍍銅合金、合金42(42Fe/58Ni)或鍍銅鋼。引線框架100可由已知用于引線框 架中的其它金屬或材料形成。在實(shí)施例中，引線框架100也可鍍有銀、金、鎳、鈀或銅?？赏ㄟ^(guò)已知制造工藝(例如化學(xué)蝕刻)形成包括槽110的引線框架100。在化學(xué) 蝕刻中，可將光致抗蝕劑膜涂覆到引線框架。接著可將含有電路小片踏板102、電引線104、 接觸墊106和槽110的輪廓的圖案光掩模放置在所述光致抗蝕劑膜上。接著可暴露所述光 致抗蝕劑膜并進(jìn)行顯影以將光致抗蝕劑從待蝕刻的導(dǎo)電層上的區(qū)域移除。接著使用例如氯 化鐵或類(lèi)似物的蝕刻劑蝕刻掉所述曝露區(qū)域，以界定引線框架100中的圖案。接著可移除 光致抗蝕劑。其它已知的化學(xué)蝕刻工藝是已知的。可替代地以使用連續(xù)模的機(jī)械沖壓工藝形成引線框架100。如已知，機(jī)械沖壓使用 多組模以連續(xù)步驟從金屬條機(jī)械地移除金屬。
現(xiàn)參看圖7，在引線框架形成之后，可將一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體電路小片120安裝 到引線框架100的電路小片踏板102以形成集成電路。在將引線框架100用于Transflash 快閃存儲(chǔ)器卡中的實(shí)施例中，半導(dǎo)體電路小片120可包括快閃存儲(chǔ)器芯片(N0R/NAND)和例 如ASIC等控制器芯片。然而，應(yīng)了解，引線框架100可用于具有曲線形邊緣的多種半導(dǎo)體 封裝中，且在由引線框架100和半導(dǎo)體電路小片120形成的半導(dǎo)體封裝內(nèi)可包括多種不同 半導(dǎo)體芯片和組件?？墒褂媒殡婋娐沸∑浇踊衔?、膜或帶以已知方式將所述一個(gè)或一 個(gè)以上半導(dǎo)體電路小片120安裝到引線框架100。在包括多個(gè)電路小片的實(shí)施例中，可使用 已知的線結(jié)合技術(shù)使電路小片彼此線結(jié)合。一旦半導(dǎo)體電路小片120固定到引線框架100， 便可在已知線結(jié)合過(guò)程中使用線122(圖7和圖9)將所述電路小片線結(jié)合到引線框架引線 104。一旦已在面板90上形成多個(gè)集成電路，便使用模制化合物124囊封所述集成電路 中的每一者，如圖8和圖9所示。模制化合物124可為環(huán)氧樹(shù)脂，例如可從總部均位于日本 的Sumitomo Corp.和Nitto Denko Corp.購(gòu)得的環(huán)氧樹(shù)脂。也涵蓋來(lái)自其它制造商的其 它模制化合物?？筛鶕?jù)各種工藝(包括通過(guò)轉(zhuǎn)移模制或注射模制技術(shù))涂覆模制化合物以 在包括所有集成電路的面板90上形成囊封。在所述工藝中，可將面板90置于具有上模和下?；蚰Ｃ钡哪＞咧?。如圖8中所示， 環(huán)繞曲線形槽110的引線框架的部分126可不含模制化合物?？赏ㄟ^(guò)在上部模帽中形成鏡 像圖案而實(shí)現(xiàn)此模制化合物圖案。即，形成具有在囊封工藝期間在部分126處接觸面板90 的區(qū)域的圖案的上部模帽以防止模制化合物沉積在部分126上。在模制步驟之后，可將一標(biāo)記施加到模制化合物124。所述標(biāo)記可(例如)為印刷 在模制化合物表面上的用于每一集成電路的標(biāo)志或其它信息。所述標(biāo)記可(例如)指示裝 置的制造商和/或型號(hào)。所述標(biāo)記步驟對(duì)于本發(fā)明并非關(guān)鍵且在替代實(shí)施例可將其省略。如在圖9的橫截面圖中所見(jiàn)，引線框架100可形成在兩個(gè)平面內(nèi)。包括接觸墊106 的引線框架100的第一部分可位于囊封封裝的底部處的平面中。接觸墊106可暴露于環(huán)繞 囊封封裝的外部環(huán)境中，以允許所述封裝與外部電子裝置之間的電連接。支撐一個(gè)或一個(gè) 以上半導(dǎo)體裝置120的引線框架的第二部分可與囊封封裝的底部隔開(kāi)以在半導(dǎo)體裝置120 的下方提供模制化合物作為裝置120的支撐物。應(yīng)了解，在替代實(shí)施例中，引線框架可位于 接近囊封封裝的底部的單一平面中。
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在囊封和標(biāo)記之后，接著可通過(guò)將面板90中的集成電路切割為多個(gè)個(gè)別集成電路封裝而單一化面板90中的囊封集成電路的每一者。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)切割用于指用 以將集成電路分離為個(gè)別集成電路封裝的切割、鋸切、沖壓或其它方法。槽110有利地允許 使用僅進(jìn)行直線切割的鋸條來(lái)單一化每一引線框架100。鋸切通常比例如常用以實(shí)現(xiàn)曲線 切割形狀的噴水切割、激光切割的其它切割方法花費(fèi)少、耗時(shí)短且要求較少設(shè)備。然而，應(yīng)了解，在替代實(shí)施例中，可通過(guò)多種切割方法來(lái)單一化引線框架100，所述 切割方法例如為噴水切割、激光切割、水導(dǎo)向型激光切割、干燥媒體切割和金剛石涂層絲切 害I]。也可將水與激光切割一起使用以幫助補(bǔ)充或集中其效果。題為“用于有效地生產(chǎn)可移 除夕卜圍卡的方法(Method for Efficiently Producing Removable Peripheral Cards)，， 的第2004/0259291號(hào)經(jīng)公開(kāi)美國(guó)申請(qǐng)案中揭示對(duì)從面板切割集成電路和借此可實(shí)現(xiàn)的形 狀的另一描述，所述案轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的所有者且其全文以引用的方式并入本文中。應(yīng)了解， 在替代實(shí)施例中，可通過(guò)不同于上述過(guò)程的其它過(guò)程形成單一化的集成電路。根據(jù)本發(fā)明，可通過(guò)沿圖10和圖11中所示的直基準(zhǔn)線或切割線140而進(jìn)行的切 割來(lái)單一化每一集成電路。圖12為在沿直切割線140切割之后的經(jīng)單一化集成電路封裝 142連同與所述封裝142和引線框架面板90分離的引線框架片段144的俯視圖。如圖12 中所見(jiàn)，即使僅沿直切割線140進(jìn)行切割，曲線形槽110也允許已完成的封裝142具有曲線 形邊緣。可以多種配置提供槽110以允許已完成的封裝在需要時(shí)具有任何曲線形狀。具體 來(lái)說(shuō)，可使用具有至少兩個(gè)點(diǎn)的槽110來(lái)實(shí)現(xiàn)任何曲線形狀，所述至少兩個(gè)點(diǎn)與直切割線 140中的一者或一者以上相交。在圖10到圖12的實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝142可為T(mén)ransflash快閃存儲(chǔ)器卡。如 本發(fā)明的背景技術(shù)中所論述，Transflash存儲(chǔ)器卡包括圓角、凹口(40，現(xiàn)有技術(shù)圖3和圖 4)和凹陷區(qū)(42)。根據(jù)本發(fā)明的方面，已完成的半導(dǎo)體封裝142中的所有曲線形邊緣可由 槽110在引線框架100和封裝142中界定。因此，舉例來(lái)說(shuō)，已完成的封裝142中的凹口 150 (圖12)可由槽110a(圖11 ；槽IlOaUlOb和IlOc是槽110的所有特定實(shí)例)界定。 成角度的凹陷區(qū)152和右上部圓角154由槽IlOb在引線框架100和封裝142上界定。且 剩余圓角156由槽IlOc在引線框架和封裝中界定。由槽110界定的引線框架100的邊緣 形成引線框架100的外邊緣的部分。槽110可具有可通過(guò)蝕刻或壓印方法形成的任何寬度，例如50 μ m或更大。槽110 可在不位于直切割線140上的區(qū)域中圍繞引線框架100的周邊而延伸。然而，在實(shí)施例中， 所述槽中的一者或一者以上可位于沿著切割線140的一部分處。此外，在上述實(shí)施例中，切 割線140具有矩形占據(jù)面積，且封裝142中的所有曲線形邊緣是由槽110形成。然而，在替 代實(shí)施例中，應(yīng)了解，封裝142中的曲線形邊緣中的一些可由槽110形成，且可例如通過(guò)噴 水切割、激光切割、水導(dǎo)向型激光切割、干燥媒體切割或進(jìn)行曲線形切割的其它方法切割穿 過(guò)引線框架100而形成封裝142中的曲線形邊緣中的其它邊緣。已將槽110中的每一者描述為由兩個(gè)大體平行的邊緣(內(nèi)邊緣和外邊緣)界定。 所述內(nèi)邊緣形成已完成的封裝142的外邊緣的一部分。所述外邊緣則并不形成已完成的封 裝142的外邊緣的一部分。應(yīng)了解，在替代實(shí)施例中，槽110的內(nèi)邊緣和外邊緣不需要彼此 平行。舉例來(lái)說(shuō)，圖13和圖14展示其中槽110僅為切除區(qū)146的實(shí)施例。切除區(qū)146的 內(nèi)邊緣與上述實(shí)施例的內(nèi)邊緣相同(即，僅為封裝的在曲線形部分處的外部周邊)。因此，當(dāng)沿著如圖14所示和上述的切割線140切割時(shí)，經(jīng)單一化的半導(dǎo)體封裝142的已完成形狀 如上所述。圖15中展示本發(fā)明的另一實(shí)施例。如圖15中所見(jiàn)，槽110大體上圍繞引線框架 100的整個(gè)周邊和經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝142延伸。在圖15的實(shí)施例中，引線框架100通過(guò)圍 繞封裝的周邊隔開(kāi)定位的多個(gè)系桿160而連接到面板90。圖15中所示的引線框架100完 全適合于其中通過(guò)從面板90沖壓引線框架而單一化引線框架100的實(shí)施例。即，可通過(guò)沖 壓系桿160而單一化封裝142。然而，在其它實(shí)施例中，可通過(guò)上述任何切割方法從面板90 單一化圖15的引線框架。在通過(guò)切割或沖壓分離封裝142之后，所述封裝的邊緣可為粗糙的和/或來(lái)自引 線框架的金屬片段可仍附接在其上。舉例來(lái)說(shuō)，在沖壓圖15的引線框架之后，可留下系桿 160的片段。因此，在通過(guò)切割或沖壓分離封裝142之后，可執(zhí)行去毛刺過(guò)程以使在切割或 沖壓引線框架之后留下的任何粗糙邊緣和/或金屬片段平滑?？赏ㄟ^(guò)用于使已完成封裝 142的邊緣平滑的激光、噴水或其它已知裝置來(lái)執(zhí)行所述去毛刺過(guò)程。雖然已相對(duì)于Transflash存儲(chǔ)器卡描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但應(yīng)了解，本發(fā)明可 用于具有一個(gè)或一個(gè)以上曲線邊緣的多種其它半導(dǎo)體裝置，包括(例如)SD卡和微型SD 卡。還涵蓋其它裝置。出于說(shuō)明和描述的目的，已呈現(xiàn)了本發(fā)明的先前詳細(xì)描述。不期望其是詳盡的或 將本發(fā)明限于所揭示的精確形式。依照上文的教示，可進(jìn)行許多修改和變化。所闡述的實(shí) 施例經(jīng)選擇以最佳地闡釋本發(fā)明的原理和其實(shí)際應(yīng)用，借此使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在各種 實(shí)施例中且以適合于所涵蓋的特殊用途的各種修改最佳地利用本發(fā)明。希望本發(fā)明的范圍 是由本文所附權(quán)利要求書(shū)界定。
權(quán)利要求
一種制造經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝的方法，其包含以下步驟(a)形成具有以所述半導(dǎo)體封裝的外邊緣的形狀圍繞所述引線框架的一部分延伸的槽的引線框架，所述部分在離散點(diǎn)處附接到環(huán)繞所述部分的所述引線框架；(b)將半導(dǎo)體電路小片附接到所述引線框架的由所述槽界定的所述部分；(c)將所述引線框架的由所述槽界定的所述部分囊封在模塑料中；(d)斷開(kāi)所述離散點(diǎn)以從所述引線框架單一化所述半導(dǎo)體封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝的方法，所述斷開(kāi)所述離散點(diǎn)以從所 述引線框架單一化所述半導(dǎo)體封裝的步驟(d)包含從所述引線框架沖壓所述半導(dǎo)體封裝 的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝的方法，所述形成具有圍繞所述引線 框架的一部分延伸的槽的引線框架的步驟(a)包含在所述引線框架中蝕刻所述槽的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝的方法，所述形成具有圍繞所述引線 框架的一部分延伸的槽的引線框架的步驟(a)包含在所述引線框架中壓印所述槽的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝的方法，所述形成具有圍繞所述引線 框架的一部分延伸的槽的引線框架的步驟(a)包含以Transflash快閃存儲(chǔ)器裝置的外邊 緣的形狀形成所述槽的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝的方法，所述形成具有圍繞所述引線 框架的一部分延伸的槽的引線框架的步驟(a)包含以安全數(shù)字快閃存儲(chǔ)器裝置的外邊緣 的形狀形成所述槽的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造經(jīng)囊封半導(dǎo)體封裝的方法，其進(jìn)一步包含在從所述引線 框架單一化所述半導(dǎo)體封裝之后給所述半導(dǎo)體封裝去毛刺的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及基于引線框架的快閃存儲(chǔ)器卡。本發(fā)明揭示一種引線框架設(shè)計(jì)和用于形成具有曲線形狀的基于引線框架的半導(dǎo)體封裝的方法。所述引線框架可各自包括對(duì)應(yīng)于已完成和單一化的半導(dǎo)體封裝中的曲線邊緣的一個(gè)或一個(gè)以上曲線槽。在囊封之后，可通過(guò)從引線框架面板將集成電路切割為多個(gè)個(gè)別集成電路封裝而單一化所述面板上的所述集成電路封裝。所述引線框架中的所述槽有利地允許使用僅進(jìn)行直線切割的鋸條來(lái)單一化每一引線框架。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101847584SQ20101000064
公開(kāi)日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2006年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者什里卡爾·巴加特, 赫姆·塔基阿爾 申請(qǐng)人:桑迪士克股份有限公司