專(zhuān)利名稱(chēng)：金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體記憶元件及其形成方法，特別是涉及一種位于半導(dǎo)體記憶 元件中的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在目前的半導(dǎo)體工業(yè)中，微小化是重要的設(shè)計(jì)趨勢(shì)，也就是藉由縮小半導(dǎo)體元件 的尺寸，進(jìn)而縮減單一晶片面積，以在單一晶圓上制作更多晶片。然而，當(dāng)元件尺寸越來(lái)越 小時(shí)，用以制造此半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體制造工藝(即制程，以下均稱(chēng)為制造工藝)將會(huì)面臨 許多問(wèn)題。圖IA為公知一種例示性金屬-接觸窗(Metal-to-contact，ML-to-CO)堆疊結(jié)構(gòu) 的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)DIA所示，金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)接觸窗11以及多個(gè)金屬13， 其中接觸窗11位于介電層12中且介電層12位于基底10上，以及每個(gè)金屬13位于其中一 個(gè)接觸窗11上。理想地，在半導(dǎo)體制造工藝中，每個(gè)金屬13必須精準(zhǔn)地形成在對(duì)應(yīng)的接觸 窗11上。然而，半導(dǎo)體產(chǎn)品的尺寸因?yàn)槲⑿』厔?shì)而縮小，使得半導(dǎo)體產(chǎn)品中的元件或構(gòu) 件以及兩者之間的間距也隨之縮小。如此一來(lái)，在制造半導(dǎo)體產(chǎn)品時(shí)，需要采用較嚴(yán)格的設(shè) 計(jì)原則(諸如線(xiàn)寬或線(xiàn)之間的間距)，且因而需要較精準(zhǔn)的配置。圖IB為圖IA所示的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)可能遭遇的問(wèn)題的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D IB所示，由于制造工藝中可能會(huì)產(chǎn)生制造誤差(manufactureinaccuracy)或偏差，因此接 觸窗11與金屬13可能會(huì)彼此錯(cuò)置。如此一來(lái)，可能會(huì)發(fā)生短路(以虛線(xiàn)圓表示)，而短路 可能會(huì)破壞半導(dǎo)體產(chǎn)品。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法與使用上，顯 然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不 費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方 法又沒(méi)有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此 如何能創(chuàng)設(shè)一種新的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè) 界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種 新的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其避免誤差或偏差的發(fā)生造成的短 路，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種半導(dǎo)體元件，具有金屬-接觸窗堆迭疊結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體元件包括基底；介電層，位 于所述基底上；接觸窗，位于所述介電層中且耦接所述基底；第一導(dǎo)電區(qū)域，位于所述介電 層中且位于所述接觸窗上；介電側(cè)壁，位于所述介電層中且位于所述接觸窗上，且所述介電 側(cè)壁圍繞所述第一導(dǎo)電區(qū)域；以及第二導(dǎo)電區(qū)域，位于所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述介電層上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體元件，其中所述接觸窗包括第一導(dǎo)電材料，以及所述第一導(dǎo)電區(qū)域 與所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括第二導(dǎo)電材料，且所述第二導(dǎo)電材料與所述第一導(dǎo)電材料不同。前述的半導(dǎo)體元件，其中所述接觸窗與所述第一導(dǎo)電區(qū)域包括第一導(dǎo)電材料，以 及所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括第二導(dǎo)電材料，且所述第二導(dǎo)電材料與所述第一導(dǎo)電材料不同。前述述的半導(dǎo)體元件，其中所述接觸窗包括鎢(W)，以及所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述 第二導(dǎo)電區(qū)域包括鋁(Al)、銅(Cu)以及鋁與銅的合金中的一者。前述述的半導(dǎo)體元件，其中所述接觸窗與所述第一導(dǎo)電區(qū)域包括鎢，以及所述第 二導(dǎo)電區(qū)域包括鋁(Al)、銅(Cu)以及鋁與銅的合金中的一者。前述述的半導(dǎo)體元件，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述介電層共平面。前述述的半導(dǎo)體元件，其中所述介電側(cè)壁與所述介電層共平面。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種半導(dǎo)體元件，具有金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體元件包括基底；介電層，位于所 述基底上；第一接觸窗，位于所述介電層中且耦接所述基底；第二接觸窗，位于所述介電層 中且耦接所述基底；第一導(dǎo)電區(qū)域，位于所述介電層中且位于所述第一接觸窗與第二接觸 窗上；介電側(cè)壁，位于所述介電層中且位于各個(gè)所述第一接觸窗與第二接觸窗上，且所述介 電側(cè)壁圍繞所述第一導(dǎo)電區(qū)域；以及第二導(dǎo)電區(qū)域，位于所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述介電層 上。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體元件，其中所述第一接觸窗與第二接觸窗包括第一導(dǎo)電材料，以及 所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括第二導(dǎo)電材料，且所述第二導(dǎo)電材料與所述第 一導(dǎo)電材料不同。前述的半導(dǎo)體元件，其中所述第一接觸窗與所述第二接觸窗包括鎢(W)，以及所述 第一導(dǎo)電區(qū)域與所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括鋁(Al)、銅(Cu)以及鋁與銅的合金中的一者。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明的一實(shí)施例亦提供一種半導(dǎo)體元件，其具有金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)。半導(dǎo) 體元件包括基底、位于基底上的介電層、穿過(guò)介電層以暴露基底的接觸窗、位于介電層中且 圍繞接觸窗的上部分的介電側(cè)壁、以及位于接觸窗的上部分上且位于介電層上的導(dǎo)電區(qū) 域。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的形成方法，其形成在半導(dǎo)體 元件中。此方法包括提供基底。在基底上形成第一介電層。形成多個(gè)導(dǎo)電插塞，其中導(dǎo)電 插塞穿過(guò)第一介電層且暴露基底?；匚g刻導(dǎo)電插塞，以形成多個(gè)接觸窗與多個(gè)凹槽，其中凹 槽由接觸窗與第一介電層界定，且每個(gè)凹槽包括側(cè)壁，側(cè)壁為第一介電層的一部分。在第一 介電層與接觸窗上形成第二介電層。圖案化第二介電層，以于每個(gè)凹槽的側(cè)壁上形成圖案 化的第二介電層。在第一介電層與圖案化的第二介電層上形成導(dǎo)電層，導(dǎo)電層填滿(mǎn)凹槽，以 形成多個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)域。圖案化導(dǎo)電層，以形成多個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域，其中每個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域 位于其中一個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)域上。本發(fā)明的一實(shí)施例亦提供一種金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的形成方法，其形成在半導(dǎo) 體元件中。此方法包括提供基底。在基底上形成第一介電層。在第一介電層中形成多個(gè)開(kāi)口，以暴露部分基底。在第一介電層上形成第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層填滿(mǎn)開(kāi)口，以形成多個(gè) 導(dǎo)電插塞?；匚g刻導(dǎo)電插塞，以形成多個(gè)接觸窗與多個(gè)凹槽，其中凹槽由接觸窗與第一介電 層界定，且每個(gè)凹槽包括側(cè)壁，側(cè)壁為第一介電層的一部分。在第一介電層與接觸窗上形成 第二介電層。圖案化第二介電層，以在每個(gè)凹槽的側(cè)壁上形成圖案化的第二介電層。在第 一介電層與圖案化的第二介電層上形成第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層填滿(mǎn)所述凹槽，以形成多 個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)域。移除位于第一介電層上的第二導(dǎo)電層，以暴露第一介電層、圖案化的第二 介電層以及第一導(dǎo)電區(qū)域。在第一介電層、圖案化的第二介電層以及第一導(dǎo)電區(qū)域上形成 第三導(dǎo)電層。圖案化第三導(dǎo)電層，以形成多個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域，其中每個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域位于其 中一個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)域上。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效 果本發(fā)明能夠避免誤差或偏差的發(fā)生造成的短路。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)。其中，一種半導(dǎo)體元件， 其具有金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體元件包括基底、位于基底上的介電層、位于介電層中 且耦接基底的接觸窗、位于介電層中且位于接觸窗上的第一導(dǎo)電區(qū)域、位于介電層中且位 于接觸窗上的介電側(cè)壁，其中介電側(cè)壁圍繞第一導(dǎo)電區(qū)域、以及位于第一導(dǎo)電區(qū)域與介電 層上的第二導(dǎo)電區(qū)域。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠(chéng)為一新 穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA為公知的一種例示性金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的示意圖。圖IB為圖IA所示的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)可能遭遇的問(wèn)題的示意圖。圖2A至圖2H為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的形成方法 的流程示意圖。圖3A至圖3D為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的形成方 法的流程示意圖。10,20 基底1U40:接觸窗12、21、26:介電層13 金屬22、沘、38 圖案化光阻層23:開(kāi)口24、27、34、37 導(dǎo)電層24-1:導(dǎo)電插塞25:凹槽25-1 側(cè)壁25-2 底表面
26-1 介電側(cè)壁(介電層)27-1、27-2、34-1、37_1 導(dǎo)電區(qū)域29,39 金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)290,390 堆疊單元
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方 法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。圖2A至圖2H為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的形成方法 的流程示意圖。在本發(fā)明的實(shí)施例中，“金屬”可以代表導(dǎo)電層或一條或多條導(dǎo)線(xiàn)，其位于半 導(dǎo)體記憶元件的基底上，以及“接觸窗”可以代表導(dǎo)電孔、導(dǎo)電插塞或?qū)щ娐窂?，其將?dǎo)電區(qū) 域電性耦接半導(dǎo)體記憶元件中的金屬，其中導(dǎo)電區(qū)域例如是擴(kuò)散區(qū)，諸如在基底中的源極/ 漏極區(qū)。在所屬領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者將理解本發(fā)明的方法與堆疊結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于半導(dǎo)體元 件中，特別是應(yīng)用于有金屬-接觸窗堆疊問(wèn)題的半導(dǎo)體元件中。請(qǐng)參照?qǐng)D2A所示，提供硅(Si)基底20，其已摻雜有P型雜質(zhì)。可以在基底20上 形成記憶胞陣列(未繪示)，其中記憶胞陣列包括諸如雙載子或P型/N型金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效晶體管(MOSFETs)。藉由沉積制造工藝，可以在記憶胞陣列與基底20上形成第一介 電層21。在一實(shí)施例中，第一介電層21可以包括氧化硅。接著，藉由涂布與微影制造工藝， 可以在第一介電層21上形成第一圖案化光阻層22，且第一圖案化光阻層22暴露部分第一 介電層21。請(qǐng)參照?qǐng)D2B所示，以第一圖案化光阻層22為掩模(即罩幕，以下均稱(chēng)為掩模)，蝕 刻所暴露的第一介電層21，以在第一介電層21中形成多個(gè)開(kāi)口 23，其中開(kāi)口 23暴露基底 20。在本實(shí)施例中，可以使用干蝕刻制造工藝，使每個(gè)開(kāi)口 23具有由暴露部分至基底20逐 漸變窄的形狀。接著，可以剝除第一圖案化光阻層22。請(qǐng)參照?qǐng)D2C所示，藉由沉積制造工藝，可以在第一介電層21上形成第一導(dǎo)電層 M，其中沉積制造工藝?yán)缡腔瘜W(xué)氣相沉積(CVD)制造工藝。在沉積制造工藝期間，第一導(dǎo) 電層M會(huì)填滿(mǎn)開(kāi)口 23，以在第一介電層21中形成多個(gè)導(dǎo)電插塞M-1。在一實(shí)施例中，第 一導(dǎo)電層M可以包括(但不限于)鎢(W)。請(qǐng)參照?qǐng)D2D所示，藉由回蝕刻制造工藝移除部分導(dǎo)電插塞M-I。詳言之，藉由控 制蝕刻時(shí)間，可以蝕刻去除位于第一介電層21上的第一導(dǎo)電層24，以及可以回蝕刻導(dǎo)電插 塞24-1，以形成高度低于第一介電層21的表面的接觸窗M0。第一介電層21與接觸窗240 可以界定出多個(gè)凹槽25。每個(gè)凹槽25可以包括側(cè)壁25-1以及底表面25-2，其中側(cè)壁25-1 為第一介電層21的上部分以及底表面25-2為對(duì)應(yīng)的接觸窗MO的上表面。請(qǐng)參照?qǐng)D2E所示，藉由沉積制造工藝，可以在第一介電層21與凹槽25上形成第 二介電層26。在一實(shí)施例中，第二介電層沈可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，且其在第 一介電層21以及凹槽25的側(cè)壁25-1與底表面25-2上可以具有實(shí)質(zhì)上相同的厚度。請(qǐng)參照?qǐng)D2F所示，可以藉由蝕刻制造工藝移除部分第二介電層沈，且保留位于凹 槽25的側(cè)壁25-1上的第二介電層26，以形成圖案化的第二介電層26-1。也就是說(shuō)，蝕刻制造工藝會(huì)蝕刻去除位于第一介電層21與凹槽25的底表面25-2上的第二介電層沈部分。 當(dāng)接觸窗240與金屬錯(cuò)置時(shí)，圖案化的介電側(cè)壁(第二介電層U6-1可以在接觸窗240與 金屬之間提供電性絕緣，且依序形成在接觸窗240上。請(qǐng)參照?qǐng)D2G所示，藉由沉積制造工藝，可以在第一介電層21與圖案化的第二介電 層沈-1上形成第二導(dǎo)電層27。在沉積制造工藝期間，第二導(dǎo)電層27會(huì)填滿(mǎn)凹槽25，以形 成多個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)域27-1。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層27可以包括(但不限于) 鋁(Al)、銅(Cu)以及鋁與銅的合金中的一者。接著，可以在第二導(dǎo)電層27上形成第二圖案 化光阻層28，以遮蔽第一導(dǎo)電區(qū)域27-1。請(qǐng)參照?qǐng)D2H所示，以第二圖案化光阻層觀為掩模，可以藉由蝕刻制造工藝移除部 分第二導(dǎo)電層27，以形成多個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域27-2，其中每個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域27-2位在其中一 個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)域27-1上。此外，每個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域27-2可以作為金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu) 中的金屬線(xiàn)。因此，形成包括多個(gè)堆疊單元四0的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)四。每個(gè)堆疊單 元290包括位于第一介電層21中的接觸窗M0、位于接觸窗240上的第一導(dǎo)電區(qū)域27_1、 圍繞第一導(dǎo)電區(qū)域27-1的介電側(cè)壁沈-1以及位于第一導(dǎo)電區(qū)域27-1上的第二導(dǎo)電區(qū)域 27-2，其中接觸窗240具有第一導(dǎo)電材料、第一導(dǎo)電區(qū)域27-1具有第二導(dǎo)電材料以及第二 導(dǎo)電區(qū)域27-2具有第二導(dǎo)電材料。在一實(shí)施例中，接觸窗240可以包括第一表面或底表面(未標(biāo)示)以及第二表面 或頂表面(未標(biāo)示)，其中第一表面與基底20的擴(kuò)散區(qū)接觸，以及第二表面位于第一介電 層21中。此外，第一導(dǎo)電區(qū)域27-1位于接觸窗240的第二表面上，且實(shí)質(zhì)上與第一介電層 21共平面。再者，圍繞第一導(dǎo)電區(qū)域27-1的介電側(cè)壁沈-1位于接觸窗240的第二表面上， 且實(shí)質(zhì)上與第一介電層21共平面。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電區(qū)域27-2位于介電側(cè)壁沈-1 上。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電區(qū)域27-2因?yàn)橹圃旃に囈蛩囟c第一導(dǎo)電區(qū)域27-1錯(cuò)置時(shí)，由于堆疊結(jié) 構(gòu)四中的介電側(cè)壁26-1可以提供電性絕緣，因此可以避免堆疊結(jié)構(gòu)四發(fā)生短路問(wèn)題。在 此狀況下，第二導(dǎo)電區(qū)域27-2可以與鄰近的堆疊單元四0的一介電側(cè)壁沈-1重疊。在一 實(shí)例中，介電側(cè)壁26-1的寬度約為lOnm，其中第一導(dǎo)電區(qū)域27_1與堆疊單元290之間的顯 著錯(cuò)位能額外提供避免發(fā)生短路的絕緣。圖3A至圖3D為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)的形成方 法的流程示意圖。請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D2F所示，形成圖案化的第二介電層沈-1。接著請(qǐng)參照?qǐng)D 3A所示，藉由沉積制造工藝，可以在第一介電層21與圖案化的第二介電層沈-1上形成第二 導(dǎo)電層34，其中第二導(dǎo)電層34的材料例如是與第一導(dǎo)電層即形成接觸窗MO的材料 層)的材料相同。在沉積制造工藝中，第二導(dǎo)電層34填滿(mǎn)凹槽25，以形成多個(gè)第一導(dǎo)電區(qū) 域 34-1。請(qǐng)參照?qǐng)D:3B所示，例如是藉由化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)制造工藝移除位于第一介電層 21上的第二導(dǎo)電層34，以暴露第一介電層21、第一導(dǎo)電區(qū)域34-1以及圖案化的第二介電層 26-1。請(qǐng)參照?qǐng)D3C所示，藉由沉積制造工藝，可以在第一介電層21、第一導(dǎo)電區(qū)域34-1 以及圖案化的第二介電層26-1上形成第三導(dǎo)電層37。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第三導(dǎo)電層 37可以包括(但不限于)鋁(Al)、銅(Cu)以及鋁與銅的合金中的一者。接著，可以在第三 導(dǎo)電層37上形成第二圖案化光阻層38，以遮蔽第一導(dǎo)電區(qū)域34-1。
請(qǐng)參照?qǐng)D3D所示，以第二圖案化光阻層38為掩模，可以藉由蝕刻制造工藝移除部 分第三導(dǎo)電層37，以形成多個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域37-1，其中每個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域37-1位在其中一 個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)域34-1上。此外，每個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域37-1可以作為金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu) 中的金屬線(xiàn)。因此，形成包括多個(gè)堆疊單元390的金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)39。每個(gè)堆疊單 元390包括位于第一介電層21中的接觸窗M0、位于接觸窗240上的第一導(dǎo)電區(qū)域34_1、 圍繞第一導(dǎo)電區(qū)域34-1的介電側(cè)壁沈-1以及位于第一導(dǎo)電區(qū)域34-1上的第二導(dǎo)電區(qū)域 37-1，其中接觸窗240具有第一導(dǎo)電材料、第一導(dǎo)電區(qū)域34-1具有第一導(dǎo)電材料以及第二 導(dǎo)電區(qū)域37-1具有第二導(dǎo)電材料。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)， 當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，可以理解的是，本發(fā)明不限于所揭露的特定實(shí)施例，也就 是說(shuō)在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可對(duì)其作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán) 利要求所界定者為準(zhǔn)。此外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，是以具有特定的步驟順序來(lái)描述本發(fā)明的方法及/ 或制造工藝。然而，本發(fā)明的方法或制造工藝并不限于此處所述的步驟順序。任何所屬技 術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)理解，也有可能是其他順序。因此，在說(shuō)明書(shū)中所述的步驟的特 定順序不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)權(quán)利要求的限制。再者，權(quán)利要求中對(duì)本發(fā)明的方法及/或制造工 藝的描述也不應(yīng)被認(rèn)為是依照所書(shū)寫(xiě)的順序來(lái)進(jìn)行，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者 應(yīng)理解，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以更動(dòng)順序。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件，具有金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件包括 基底；介電層，位于所述基底上；接觸窗，位于所述介電層中且耦接所述基底；第一導(dǎo)電區(qū)域，位于所述介電層中且位于所述接觸窗上；介電側(cè)壁，位于所述介電層中且位于所述接觸窗上，且所述介電側(cè)壁圍繞所述第一導(dǎo) 電區(qū)域；以及第二導(dǎo)電區(qū)域，位于所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述介電層上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中所述接觸窗包括第一導(dǎo)電材料， 以及所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括第二導(dǎo)電材料，且所述第二導(dǎo)電材料與所 述第一導(dǎo)電材料不同。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中所述接觸窗與所述第一導(dǎo)電區(qū) 域包括第一導(dǎo)電材料，以及所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括第二導(dǎo)電材料，且所述第二導(dǎo)電材料與 所述第一導(dǎo)電材料不同。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中所述接觸窗包括鎢，以及所述第 一導(dǎo)電區(qū)域與所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括鋁、銅以及鋁與銅的合金中的一者。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中所述接觸窗與所述第一導(dǎo)電區(qū) 域包括鎢，以及所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括鋁、銅以及鋁與銅的合金中的一者。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述介電 層共平面。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中所述介電側(cè)壁與所述介電層共平面。
8.一種半導(dǎo)體元件，具有金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件包括 基底；介電層，位于所述基底上；第一接觸窗，位于所述介電層中且耦接所述基底；第二接觸窗，位于所述介電層中且耦接所述基底；第一導(dǎo)電區(qū)域，位于所述介電層中且位于所述第一接觸窗與第二接觸窗上； 介電側(cè)壁，位于所述介電層中且位于各個(gè)所述第一接觸窗與第二接觸窗上，且所述介 電側(cè)壁圍繞所述第一導(dǎo)電區(qū)域；以及第二導(dǎo)電區(qū)域，位于所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述介電層上。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中所述第一接觸窗與第二接觸窗 包括第一導(dǎo)電材料，以及所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括第二導(dǎo)電材料，且所 述第二導(dǎo)電材料與所述第一導(dǎo)電材料不同。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中所述第一接觸窗與所述第二接 觸窗包括鎢，以及所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述第二導(dǎo)電區(qū)域包括鋁、銅以及鋁與銅的合金中 的一者。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)。其中，一種半導(dǎo)體元件，其具有金屬-接觸窗堆疊結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體元件包括基底、位于基底上的介電層、位于介電層中且耦接基底的接觸窗、位于介電層中且位于接觸窗上的第一導(dǎo)電區(qū)域、位于介電層中且位于接觸窗上的介電側(cè)壁，其中介電側(cè)壁圍繞第一導(dǎo)電區(qū)域、以及位于第一導(dǎo)電區(qū)域與介電層上的第二導(dǎo)電區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L23/528GK102122650SQ20101000061
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2010年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月12日
發(fā)明者楊金成 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司