專(zhuān)利名稱(chēng)：：半導(dǎo)體清洗方法與裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種清洗方法，且特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體清洗方法與裝置及其控制方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體裝置(例如是晶片)的制造利用到多種顯影技術(shù)，其中，尤其是光刻工藝，其更已成為半導(dǎo)體工藝中形成并圖案化不同材料層的標(biāo)準(zhǔn)流程。一般光刻工藝的操作程序包括于半導(dǎo)體裝置上沉積一光刻膠層；使選定的部分光刻膠層曝光；利用顯影液將不需要的光刻膠溶解掉以使光刻膠層顯影，其中，若是使用正型光刻膠，則照射到光的部分會(huì)溶解在顯影液中，反之，若使用負(fù)型光刻膠，則未照射到光的部分會(huì)溶解在顯影液中。之后，再清洗半導(dǎo)體裝置以將顯影液完全去除。清洗過(guò)后，通常會(huì)利用氣體(如氮?dú)?吹干半導(dǎo)體裝置，以將多余的液體與雜質(zhì)去除。接下來(lái)于光刻工藝完成之前，再進(jìn)行硬烤光刻膠層的步驟，以強(qiáng)化光刻膠層的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)今由于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)系，對(duì)半導(dǎo)體裝置的質(zhì)量要求越來(lái)越高。由于半導(dǎo)體的性能攸關(guān)于半導(dǎo)體的微細(xì)構(gòu)造，各家半導(dǎo)體制造廠商無(wú)不致力于改良半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。然而，受限于傳統(tǒng)上半導(dǎo)體工藝的限制，特別是上述提及的光刻工藝，工藝良率并非總是令人滿意。舉例來(lái)說(shuō)，于半導(dǎo)體裝置的顯影步驟后，光刻膠層通常會(huì)伴隨著多處缺陷，這些缺陷大多是倒塌的光刻膠結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，不僅降低半導(dǎo)體裝置的質(zhì)量，同時(shí)也影響工藝良率，是以如何解決上述問(wèn)題實(shí)乃為必要的課題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體清洗方法與裝置及其控制方法，用以在半導(dǎo)體工藝中有效維持光刻膠層的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而降低缺陷的發(fā)生率，并增加工藝良率。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種半導(dǎo)體清洗方法，其包括步驟提供顯影液至晶片的一已預(yù)先曝光的光刻膠層上；使位于晶片的中央上方位置的噴嘴持續(xù)一段時(shí)間噴灑清洗液至光刻膠層，其中，清洗液不與光刻膠層與顯影液反應(yīng)；沿著晶片的半徑方向移動(dòng)噴嘴至晶片上方的至少一下一位置；使停留在該至少一下一位置的噴嘴持續(xù)至少另一段時(shí)間噴灑清洗液至光刻膠層；以及，清洗晶片直到顯影液與溶解在顯影液中的光刻膠被沖凈為止，以露出晶片的一圖案化光刻膠。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種半導(dǎo)體清洗裝置，其包括-載架、一顯影液供應(yīng)元件、一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件、一清洗液供應(yīng)元件、一動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件與一控制器。載架用以承載一晶片，其中，晶片具有一已預(yù)先曝光的光刻膠層。顯影液供應(yīng)元件用以提供一顯影液至晶片上。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件用以旋轉(zhuǎn)載架及載架上的晶片，以使顯影液均勻地分散在光刻膠層上。清洗液供應(yīng)元件具有一噴嘴用以噴灑一清洗液，其中，清洗液不與光刻膠層與顯影液反應(yīng)。動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件用以移動(dòng)噴嘴。控制器用以控制清洗液供應(yīng)元件與動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件，其中，于不必要的光刻膠溶解在顯影液后，控制器是控制噴嘴于晶片上的多個(gè)位置停留，并以相同或不同的時(shí)間長(zhǎng)短噴灑清洗液。根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提出一種半導(dǎo)體清洗的控制方法，其包括步驟設(shè)定噴嘴移動(dòng)的一路徑，其中，噴嘴用以噴灑清洗液至晶片上，而該路徑包括噴嘴停留的多個(gè)位置；設(shè)定噴嘴于該多個(gè)位置停留的多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)短；以及，使噴嘴依照該路徑移動(dòng)，并根據(jù)該多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)短停留在該多個(gè)位置上。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖1是依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體清洗裝置的示意圖。圖2A是依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體清洗的控制方法的流程圖。圖2B是依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體清洗方法的流程圖。圖3A是可移動(dòng)的噴嘴停留在晶片上不同位置的示意圖。圖3B是在清洗過(guò)程中將噴嘴固定在晶片的中央上方位置(第一位置Pl)的示意圖。圖4和圖5是分別對(duì)應(yīng)表1、2的數(shù)據(jù)所繪制曲線的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明100:半導(dǎo)體清洗裝置101載架103:顯影液供應(yīng)元件105:旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件107清洗液供應(yīng)元件109、110動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件111控制器112、113:噴嘴200:晶片201光刻膠層20IA不需要的光刻膠P1、P2、P3、P4第一、第二、第三、第四位置具體實(shí)施例方式半導(dǎo)體制造的光刻工藝通常包括涂布光刻膠材料、曝光光刻膠材料以及使光刻膠材料的圖案顯影出來(lái)等步驟。本實(shí)施例是以光刻膠的顯影及其清洗過(guò)程為例作說(shuō)明，然本發(fā)明并不局限于此。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其是依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體清洗裝置100的示意圖。半導(dǎo)體清洗裝置100包括一載架101、一顯影液供應(yīng)元件103、一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件105、一清洗液供應(yīng)元件107、動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件109、110與一控制器111。載架101用以承載一晶片200。載架101例如是一圓盤(pán)，以提供足夠的吸力托住晶片200。晶片200具有一光刻膠層201，光刻膠層201預(yù)先被選擇性地曝光以形成特定的光刻膠圖案，此光刻膠圖案在晶片200完成顯影后被保留在晶片200上。顯影液供應(yīng)元件103用以提供一顯影液至晶片200上。顯影液供應(yīng)元件103具有噴嘴112，其是由動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件110控制，以噴灑顯影液至晶片200上溶解光刻膠層201上不需要的光刻膠201A。光刻膠材料分為正型光刻膠與負(fù)型光刻膠，顯影液是可根據(jù)光刻膠材料的特性去選定。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)光刻膠層201的材料為正型光刻膠，顯影液可為堿性溶液，或較佳為稀釋去離子堿性溶液(dilutenonionicalkalinesolution)。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件105連接載架101，用以旋轉(zhuǎn)載架101及載架101上的晶片200，以使顯影液或其它種類(lèi)的溶液均勻地分散在光刻膠層201上。舉例來(lái)說(shuō)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件105包括馬達(dá)，其旋轉(zhuǎn)軸是與載架101結(jié)合。清洗液供應(yīng)元件107具有一噴嘴113用以噴灑清洗液至晶片200，其中，清洗液不與光刻膠層201與顯影液反應(yīng)，以洗凈晶片200并保留晶片200的光刻膠圖案。清洗液較佳為純水或超純水。動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件109用以移動(dòng)噴嘴113以改變噴嘴113相對(duì)于晶片200的位置。較佳地，動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件109與上述控制噴嘴112的動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件110各別包括機(jī)械元件，如馬達(dá)、導(dǎo)軌、皮帶、皮帶輪、齒輪組等所構(gòu)成的機(jī)構(gòu)(未繪示)。本實(shí)施例中，動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件109、110分別驅(qū)使噴嘴113、112沿著晶片200的半徑方向移動(dòng)?？刂破?11例如是一可程控器，其電性連接至顯影液供應(yīng)元件103、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件105、清洗液供應(yīng)元件107與動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件109、110，以控制這些元件的狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，可對(duì)應(yīng)這些元件的操作方式在控制器111中設(shè)定由計(jì)算機(jī)碼編寫(xiě)的特定程序，如此，噴嘴109,110的移動(dòng)路徑、顯影液供應(yīng)元件103的顯影液供應(yīng)量、清洗液供應(yīng)元件107的清洗液供應(yīng)量可在晶片200的顯影步驟開(kāi)始之前，事先設(shè)定在控制器111中。此外，這些元件被致動(dòng)的順序亦可事先規(guī)劃并設(shè)定在控制器111中。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，其是依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體清洗的控制方法的流程圖。半導(dǎo)體清洗的控制方法包括步驟SlOl至S103。于步驟SlOl中，先設(shè)定噴嘴移動(dòng)的一路徑，其中，噴嘴用以噴灑清洗液至晶片上，而該路徑包括噴嘴停留的多個(gè)位置。如圖1所示，噴嘴113移動(dòng)的路徑是預(yù)先設(shè)定在控制器111中。接著，如步驟S102所示，設(shè)定噴嘴于這些位置停留的多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)短，這些時(shí)間長(zhǎng)短亦可設(shè)定于控制器111中。然后，使噴嘴依照該路徑移動(dòng)，并根據(jù)該多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)短停留在該多個(gè)位置上。并請(qǐng)參照?qǐng)D2B，其是依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體清洗方法的流程圖。半導(dǎo)體清洗方法包括步驟S201至S208，之后將詳細(xì)說(shuō)明各步驟。顯影過(guò)程中，噴嘴是在晶片上方的多個(gè)位置停留，而各位置停留的時(shí)間長(zhǎng)短可相同或不相同。以下是以噴嘴停留在晶片上方三個(gè)位置為例作說(shuō)明，然本發(fā)明并不限定于此。在步驟S201中，提供顯影液至晶片上，其中，晶片具有一已預(yù)先曝光的光刻膠層。通常，為了形成具有特定圖案的光刻膠層，可將具有預(yù)定圖案的不透明或半透明掩模覆蓋在涂布好的光刻膠層上，再進(jìn)行曝光的步驟。由于光刻膠材料具有感光特性，未被掩模覆蓋是光刻膠部分會(huì)吸收光能量而改變其對(duì)于顯影液是反應(yīng)。以正型光刻膠為例，在正型光刻膠曝光一段時(shí)間后，照光的部分是可溶解于顯影液中，而未照光的部分則不會(huì)被顯影液所溶解，因此在顯影步驟后，與掩模的預(yù)定圖案相似的光刻膠圖案是可保留下來(lái)。如圖1所示，在噴嘴112噴灑顯影液之前，較佳地可先將噴嘴112移到晶片200的中央上方位置，使顯影液直接滴落到晶片200中央。接著，如步驟S202所示，旋轉(zhuǎn)晶片以使顯影液均勻地分散在光刻膠層上，以溶解不需要的光刻膠。如圖1所示，當(dāng)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件105旋轉(zhuǎn)載架101及晶片200時(shí)，旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力會(huì)對(duì)顯影液造成一股拖拉的力量，使顯影液從晶片200中心流向晶片200邊緣。在載架101旋轉(zhuǎn)的作用下，顯影液被散布在光刻膠層201上，以均勻地將不需要的光刻膠，如已曝光的光刻膠部分溶解掉。在供應(yīng)足夠的顯影液后，動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件110再將位于晶片200中央上方的噴嘴112移回其初始位置，如晶片200邊緣外的位置。之后，當(dāng)不需要的光刻膠完全溶解于顯影液后，是可執(zhí)行晶片200的清洗步驟。如步驟S203所示，使噴嘴停留在第一位置并持續(xù)第一段時(shí)間以噴灑清洗液至晶片的光刻膠層上，其中，第一位置是對(duì)應(yīng)晶片的中央上方位置。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，其是可移動(dòng)的噴嘴停留在晶片上不同位置的示意圖。較佳地，清洗液供應(yīng)元件107的噴嘴113是從晶片200的中央上方位置的第一位置Pl開(kāi)始。噴嘴113持續(xù)第一段時(shí)間停留在第一位置P1，其中，第一段時(shí)間的長(zhǎng)短是可預(yù)先設(shè)定在控制器111中，第一段時(shí)間例如為20秒。于第一段時(shí)間中，靜止的噴嘴113是噴灑清洗液至晶片200上。同時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件105是持續(xù)旋轉(zhuǎn)載架101及其上的晶片200，所產(chǎn)生的離心力會(huì)作用在清洗液上，朝晶片200邊緣的方向牽引清洗液流動(dòng)。當(dāng)清洗液于晶片200上流動(dòng)時(shí)，顯影液與已溶解的光刻膠會(huì)與清洗液混合在一起，且在離心力的作用下被逐漸帶走。于第一段時(shí)間結(jié)束后，清洗方法跳至下一步驟S204。于步驟S204中，使噴嘴沿著晶片的半徑方向移動(dòng)至晶片上方的第二位置。如圖3A所示，噴嘴113是可等速或非等速地在晶片200上移動(dòng)，較佳地，噴嘴113是等速移動(dòng)。而在噴嘴113移動(dòng)到第二位置P2的過(guò)程中，噴嘴113是可持續(xù)或暫停清洗液的噴灑，這些都可事先根據(jù)實(shí)際需求設(shè)定在控制器111中。于本實(shí)施例中，移動(dòng)中的噴嘴113是持續(xù)噴灑清洗液至晶片200上。當(dāng)?shù)竭_(dá)第二位置P2后，噴嘴113是停留在第二位置P2，清洗方法跳至下一步驟S205。于步驟S205中，使噴嘴停留在第二位置并持續(xù)第二段時(shí)間以噴灑清洗液至晶片的光刻膠層上。此步驟與步驟S203相同，然第二段時(shí)間的長(zhǎng)短并不一定要與第一段時(shí)間相同，其中，第二段時(shí)間的長(zhǎng)短亦可預(yù)先設(shè)定在控制器111中。于本實(shí)施例中，噴嘴113較佳是在各位置停留相同的時(shí)間，亦即，噴嘴113是在第二位置P2停留約20秒。而于第二段時(shí)間結(jié)束后，清洗方法跳至下一步驟S206。于步驟S206中，使噴嘴沿著晶片的半徑方向移動(dòng)至晶片上方的第三位置。之后，如步驟S207所示，使噴嘴停留在第三位置并持續(xù)第三段時(shí)間以噴灑清洗液至光刻膠層上。第三段時(shí)間的長(zhǎng)短是與第一、第二段時(shí)間相同，約為20秒。本實(shí)施例中，雖然第二位置P2是位于第一位置Pl與第三位置P3之間，使噴嘴113沿著由第一位置Pl移動(dòng)到第三位置P3的路徑移動(dòng)，然本發(fā)明并不限定于此，噴嘴113亦可沿著P1-P3以外的路徑移動(dòng)。第一位置P1、第二位置P2與第三位置P3的間隔是可預(yù)先設(shè)定在控制器111中。較佳地，第一位置Pl與第二位置P2的間隔是等于第二位置P2與第三位置P3的間隔。如步驟S208所示，清洗晶片直到顯影液與溶解在顯影液中的光刻膠被沖凈為止，以露出晶片的一圖案化光刻膠。從第一位置Pl至第三位置P3的路徑是可重復(fù)多次以完全洗凈晶片200。舉例來(lái)說(shuō)，如圖3A的箭頭Al所示，原本停留在第三位置P3的噴嘴113是再次被移回第一位置P1，以重復(fù)路徑P1-P3。而在噴嘴113重新定位于第一位置Pl后，再重復(fù)上述步驟S203至S207。重復(fù)路徑P1-P3的次數(shù)是可根據(jù)對(duì)于晶片200的需求預(yù)先設(shè)定在控制器111中。換言之，噴嘴113的移動(dòng)軌跡是可先由計(jì)算機(jī)碼編寫(xiě)程序并預(yù)先設(shè)定在控制器111中，使動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件109根據(jù)設(shè)定好的程序驅(qū)使噴嘴113移動(dòng)。當(dāng)噴嘴113移動(dòng)的路徑P1-P3重復(fù)時(shí)，是可縮減噴嘴113在各位置上停留的時(shí)間。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)路徑P1-P3重復(fù)2或3次時(shí)，于第一位置P1、第二位置P2與第三位置P3停留的時(shí)間是可各為5秒。由于在噴嘴113噴灑清洗液至晶片200時(shí)，晶片200是持續(xù)旋轉(zhuǎn)，因此所產(chǎn)生的離心力會(huì)不斷地牽引清洗液向外流動(dòng)，使得顯影液與溶解的光刻膠會(huì)被清洗液帶走而非保留在晶片200上。此外，由于在清洗過(guò)程中，噴嘴113是停留在不同位置(如位置P1、P2、P3)上噴灑清洗液，并非將清洗液噴灑在晶片200的特定位置(如晶片200的中央位置)，因此降低了對(duì)晶片200其光刻膠層201的沖擊。再者，噴嘴113噴灑清洗液的效率及其移動(dòng)速度是可由控制器111所控制?；谏鲜隼碛?，當(dāng)清洗晶片200時(shí)，可避免圖案化光刻膠的結(jié)構(gòu)剝落，以完整保護(hù)圖案化光刻膠，大幅增加晶片200的工藝良率。通常，光刻工藝的顯影步驟所需的時(shí)間包括供應(yīng)顯影液的時(shí)間、光刻膠層201與顯影液反應(yīng)的時(shí)間以及清洗晶片200的時(shí)間。另外，尚須考慮部分的光刻膠層201是需要較長(zhǎng)時(shí)間的清洗以完全去除雜質(zhì)。由于噴嘴113是噴灑清洗液至晶片200的多個(gè)位置，使顯影步驟所需的時(shí)間大為降低，加速了顯影的過(guò)程。在清洗晶片200之后，噴嘴113通常是移回其初始位置，如對(duì)應(yīng)晶片200中央的第一位置P1，然本發(fā)明并不限定于此。噴嘴113亦可移到其它位置，如位于晶片200邊緣外側(cè)的第四位置P4(見(jiàn)圖3A)。以下是以具有多個(gè)晶格(die)的晶片作良率測(cè)試。測(cè)試時(shí)，晶片的轉(zhuǎn)速為700rpm至2000rpm，第一、第二與第三段時(shí)間的長(zhǎng)短各為5秒，第一與第二位置PI、P2的距離為5公厘，第二與第三位置P2、P3的距離為10公厘，而路徑P1-P3的重復(fù)次數(shù)為1至5次，晶片的總清洗時(shí)間則少于60秒。請(qǐng)參照?qǐng)D3B，其是在清洗過(guò)程中將噴嘴113固定在晶片的中央上方位置(第一位置Pl)的示意圖，以作為對(duì)照的圖式。作為測(cè)試的晶片在清洗之后，是進(jìn)一步計(jì)算晶片上產(chǎn)生的缺陷，此缺陷包括倒塌的光刻膠層部位以及毀壞的晶格，而缺陷的數(shù)目是記錄在表1與表2中，其中，表1記錄的是晶片在不同轉(zhuǎn)速下的測(cè)試結(jié)果，表2記錄的則是在定轉(zhuǎn)速(IOOOrpm)與不同重復(fù)次數(shù)下的測(cè)試結(jié)果。在表1、表2中，DD代表根據(jù)本實(shí)施例的清洗方法清洗晶片后，所得的毀壞晶格數(shù)目，而DC代表光刻膠層倒塌部位的數(shù)目，而DC-Base與DD-Base則為對(duì)照組的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。并請(qǐng)參照?qǐng)D4和圖5，是分別對(duì)應(yīng)表1、2的數(shù)據(jù)所繪制曲線的示意圖。由表1與圖4的測(cè)試結(jié)果可觀察到，以轉(zhuǎn)速2000rpm測(cè)試的缺陷數(shù)目17.3遠(yuǎn)大于轉(zhuǎn)速1500rpm的缺陷數(shù)目4.8，是以，晶片的旋轉(zhuǎn)速度較佳可小于2000rpm。此外值得注意的是，以可動(dòng)的噴嘴所做的測(cè)試結(jié)果皆?xún)?yōu)于噴嘴固定的試驗(yàn)。以轉(zhuǎn)速I(mǎi)OOOrpm的試驗(yàn)為例，以可動(dòng)噴嘴進(jìn)行測(cè)試所得的缺陷數(shù)目為16.8，而固定噴嘴(對(duì)照組)則為37.5。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>5另外，如表2與圖5所示，于各個(gè)不同重復(fù)次數(shù)的測(cè)試中，以可動(dòng)噴嘴所做測(cè)試所得的缺陷數(shù)目皆小于固定噴嘴的缺陷數(shù)目。由上述所記錄的測(cè)試結(jié)果清楚地表示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體清洗方法與裝置確實(shí)可制作出高質(zhì)量的晶片產(chǎn)品。本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體清洗方法與裝置除了用在上述光刻工藝中，亦可應(yīng)用在化學(xué)機(jī)械拋光(chemicalmechanicalpolishing/planarization,CMP)或是其它半導(dǎo)體工藝中。相較于傳統(tǒng)上使用的工藝裝置與方法，本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體清洗方法與裝置及其控制方法是動(dòng)態(tài)控制噴嘴噴灑清洗液的位置，使噴嘴的移動(dòng)軌跡更具有彈性。此外，由于清洗過(guò)程中，噴嘴能夠噴灑清洗液至晶片的不同部位，避免使清洗液集中在光刻膠層的特定位置，因而分散了清洗液的沖擊力，并可縮短清洗晶片的時(shí)間，亦降低了毀壞光刻膠層結(jié)構(gòu)的機(jī)率。且在噴嘴噴灑清洗液的過(guò)程中，晶片是持續(xù)地旋轉(zhuǎn)以產(chǎn)生離心力去牽引清洗液，更容易將顯影液與溶解的光刻膠沖洗干凈，以增加清洗晶片的效率。基于上述的試驗(yàn)結(jié)果，本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體清洗方法與裝置及其控制方法確實(shí)可降低晶片缺陷的數(shù)目，有效提升半導(dǎo)體工藝的工藝良率。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求一種半導(dǎo)體清洗方法，其特征在于，包括步驟提供一顯影液至一晶片的一已預(yù)先曝光的光刻膠層上；使位于該晶片的一中央上方位置的一噴嘴持續(xù)一段時(shí)間噴灑一清洗液至該光刻膠層，其中，該清洗液不與該光刻膠層與該顯影液反應(yīng)；沿著該晶片的一半徑方向移動(dòng)該噴嘴至該晶片上方的至少一下一位置；使停留在該至少一下一位置的該噴嘴持續(xù)至少另一段時(shí)間噴灑該清洗液至該光刻膠層；以及清洗該晶片直到該顯影液與溶解在該顯影液中的光刻膠被沖凈為止，以露出該晶片的一圖案化光刻膠。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清洗方法，其特征在于，該晶片的該中央上方位置為一第一位置，該噴嘴是持續(xù)一第一段時(shí)間停留在該第一位置，該噴嘴更持續(xù)一第二段時(shí)間停留在一第二位置，以及持續(xù)一第三段時(shí)間停留在一第三位置。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體清洗方法，其特征在于，該第二位置位于該第一位置與該第三位置之間。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體清洗方法，其特征在于，該第一段時(shí)間、該第二段時(shí)間與該第三段時(shí)間均為20秒。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體清洗方法，其特征在于，該噴嘴沿著該第一位置移動(dòng)至該第三位置的路徑重復(fù)2至5次。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體清洗方法，其特征在于，更包括步驟使該噴嘴從該第三位置移回該第一位置；以及使該噴嘴從該第一位置持續(xù)該第一段時(shí)間噴灑該清洗液至該光刻膠層。7.一種半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，包括一載架，用以承載一晶片，其中，該晶片具有一已預(yù)先曝光的光刻膠層；一顯影液供應(yīng)元件，用以提供一顯影液至該晶片上；一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)元件，用以旋轉(zhuǎn)該載架及該載架上的該晶片，以使該顯影液均勻地分散在該光刻膠層上；一清洗液供應(yīng)元件，具有一噴嘴用以噴灑一清洗液，其中，該清洗液不與該光刻膠層與該顯影液反應(yīng)；一動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件，用以移動(dòng)該噴嘴；以及一控制器，用以控制該清洗液供應(yīng)元件與該動(dòng)作驅(qū)動(dòng)元件，其中，于不必要的光刻膠溶解在該顯影液后，該控制器是控制該噴嘴于該晶片上的多個(gè)位置停留，并以相同或不同的時(shí)間長(zhǎng)短噴灑該清洗液。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，該控制器是一可編程(programmable)控制器。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，該控制器是預(yù)先設(shè)定有該噴嘴停留的一第一位置、一第二位置與一第三位置，該第一位置是位于該晶片中央上方，該第二位置是位于該第一位置與該第三位置之間。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，該噴嘴于該第一位置、該第二位置與該第三位置停留的時(shí)間均為20秒。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，該噴嘴沿著該第一位置移動(dòng)至該第三位置的路徑重復(fù)2至5次。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體清洗裝置，其特征在于，該控制器是控制停留在該第三位置的該噴嘴移回該第一位置，并控制該噴嘴噴灑該清洗液至該光刻膠層上。13.一種半導(dǎo)體清洗的控制方法，其特征在于，包括步驟設(shè)定一噴嘴移動(dòng)的一路徑，其中，該噴嘴用以噴灑一清洗液至一晶片，該路徑包括該噴嘴停留的多個(gè)位置；設(shè)定該噴嘴于該多個(gè)位置停留的多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)短；以及使該噴嘴依照該路徑移動(dòng)，并根據(jù)該多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)短停留在該多個(gè)位置。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體清洗的控制方法，其特征在于，該路徑包括該晶片的一半徑方向上的一第一位置、一第二位置與一第三位置，該第二位置位于該第一位置與該第三位置之間。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體清洗的控制方法，其特征在于，該噴嘴分別在該第一位置、該第二位置與該第三位置停留一第一段時(shí)間、一第二段時(shí)間與一第三段時(shí)間。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體清洗的控制方法，其特征在于，該第一段時(shí)間、該第二段時(shí)間與該第三段時(shí)間均為20秒。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體清洗的控制方法，其特征在于，該噴嘴沿著該第一位置移動(dòng)至該第三位置的該路徑重復(fù)2至5次。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體清洗的控制方法，其特征在于，更包括步驟使該噴嘴從該第三位置移回該第一位置；以及使該噴嘴從該第一位置噴灑該清洗液至該晶片。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體清洗方法與裝置及其控制方法。該半導(dǎo)體清洗方法包括步驟提供顯影液至晶片的一已預(yù)先曝光的光刻膠層上；使位于晶片的中央上方位置的噴嘴持續(xù)一段時(shí)間噴灑清洗液至光刻膠層，其中，清洗液不與光刻膠層與顯影液反應(yīng)；沿著晶片的半徑方向移動(dòng)噴嘴至晶片上方的至少一下一位置；使停留在該至少一下一位置的噴嘴持續(xù)至少另一段時(shí)間噴灑清洗液至光刻膠層；以及，清洗晶片直到顯影液與溶解在顯影液中的光刻膠被沖凈為止，以露出晶片的一圖案化光刻膠。文檔編號(hào)H01L21/3105GK101826459SQ20091025421公開(kāi)日2010年9月8日申請(qǐng)日期2009年12月10日優(yōu)先權(quán)日2009年3月6日發(fā)明者余柏緯,王俊杰,陳正輝申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司