專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體元件上進(jìn)一步設(shè)置布線電路層而形成的半導(dǎo)體裝置的制造
方法。
背景技術(shù)：
采用硅半導(dǎo)體的IC或采用有機(jī)半導(dǎo)體的有機(jī)EL元件等用各種半導(dǎo)體材料來構(gòu)成 的半導(dǎo)體元件(以下也簡稱為"元件")，通常是通過以下方式制造的，即在晶片基板面將元 件以矩陣(matrix)狀重復(fù)多個(gè)而形成后，通過切割而分割成各個(gè)元件即芯片。以下，將在 晶片基板上形成了半導(dǎo)體元件階段(切割前的階段)的晶片稱為"半導(dǎo)體晶片"來進(jìn)行說 明。 在半導(dǎo)體元件中，為了該元件的高功能化等，除了基本的元件結(jié)構(gòu)之外，還在晶 片階段制造各種布線結(jié)構(gòu)。作為這種布線結(jié)構(gòu)，例如，可舉出再布線層(Redistribution
Layer)或貫通晶片基板而電連接元件側(cè)面與背面的導(dǎo)通路(通孔(through-hole via))等。 例如，在JP特開2000-243754號(hào)公報(bào)中，形成鋁電極(作為半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)而包 含于元件的電極焊盤(pad))之后，在其上面依次形成絕緣層、Cu電鍍層等而形成再布線 層。 附加布線結(jié)構(gòu)、且分割成芯片的元件，成為具有與只露出電極的原始元件相比易
于與外部導(dǎo)體(外部電路等)的連接、安裝的連接用導(dǎo)體的一個(gè)半導(dǎo)體裝置。 例如，通過設(shè)置再布線層，即使兩者的尺寸或間距相互不同，也能夠容易地連接元
件的鋁電極與用于安裝該元件的外部電路上的導(dǎo)體。 另外，通過設(shè)置將晶片基板在板厚方向上貫通的導(dǎo)通路，從而能夠在晶片基板的 背面形成連接端子。 本發(fā)明者等，對(duì)附加于半導(dǎo)體元件的上述那樣的布線結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究，對(duì)于以下舉 出的兩個(gè)事項(xiàng)，發(fā)現(xiàn)存在能夠進(jìn)一步改善的余地，而且將其當(dāng)作了本發(fā)明要解決的課題。
第一事項(xiàng)為與再布線層有關(guān)的制造成本。在半導(dǎo)體晶片上直接形成再布線層的加 工，由于不得不對(duì)每一塊半導(dǎo)體晶片構(gòu)筑再布線層，因此費(fèi)時(shí)費(fèi)力，這雖然在以往未特別當(dāng) 成問題，但是，注目到具有降低制造成本的余地。另外，當(dāng)所形成的再布線層的質(zhì)量不好時(shí)， 即使半導(dǎo)體晶片是良好品也因?yàn)閷?duì)半導(dǎo)體晶片已經(jīng)一體地形成了再布線層，所以必須連該 半導(dǎo)體晶片一起廢棄，從而提高了制造成本。 第二事項(xiàng)是在半導(dǎo)體晶片中形成通孔，且連接在與其不同途徑形成的轉(zhuǎn)接板 (interposer)(為了安裝芯片而介入的一種布線電路基板)時(shí)的質(zhì)量。通孔通常是將導(dǎo)電 性焊糊填充于通孔而形成的，因此存在其兩端部從半導(dǎo)體晶片的板面突起的情況，而且該 突起的高度具有偏差。當(dāng)與外部導(dǎo)體連接具有這種突起的元件時(shí)，在兩者之間介入轉(zhuǎn)接板 的情況下，存在由于該突起的高度的偏差而在轉(zhuǎn)接板與半導(dǎo)體晶片之間的界面產(chǎn)生微小間 隙，從而在一些元件中產(chǎn)生連接不良而降低半導(dǎo)體裝置的可靠性的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題是改善本發(fā)明者等所注目的上述兩個(gè)事項(xiàng)，第一課題是提供一種能
夠進(jìn)一步降低附加于半導(dǎo)體元件的再布線層制造成本的制造方法，第二課題是提供一種即
使存在通孔的端部的突起高度的偏差也能夠制造無間隙的半導(dǎo)體裝置的制造方法。 本發(fā)明者等進(jìn)行了要解決上述課題的專心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，將再布線層作為與半
導(dǎo)體晶片獨(dú)立的布線電路層而另外形成，并且在該布線電路層以能夠剝離的方式預(yù)先附加
金屬制支撐體層，從而能夠同時(shí)解決上述兩個(gè)課題而完成了本發(fā)明。 S卩，本發(fā)明具有以下的特征。 1、一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置具有將半導(dǎo)體元件與布線電路層層 疊的結(jié)構(gòu)， 所述制造方法具有 在金屬制支撐基板上，以能夠從該基板剝離并且連接用導(dǎo)體部露出于該布線電路 層的上面的方式形成具有能夠連接于半導(dǎo)體元件的電極的連接用導(dǎo)體部的布線電路層的 工序； 將所述布線電路層層疊于晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件，并連接該布線電路層的連接用 導(dǎo)體部與半導(dǎo)體元件的電極的工序；禾口 所述連接之后將金屬制支撐基板從布線電路層剝離的工序。
2、根據(jù)技術(shù)方案1所述的制造方法，其特征在于， 在金屬制支撐基板與布線電路層之間形成有剝離層，因此，布線電路層能夠從金 屬制支撐基板剝離。 3、根據(jù)技術(shù)方案2所述的制造方法，其特征在于， 剝離層是以從布線電路層易于剝離而從金屬制支撐基板難以剝離的方式形成的
層，因此，該剝離層能夠與金屬制支撐基板一體地從布線電路層被剝落。 4、根據(jù)技術(shù)方案2所述的制造方法，其特征在于， 剝離層是由聚酰亞胺形成的層。 5、根據(jù)技術(shù)方案2所述的制造方法，其特征在于， 剝離層是由從金屬、金屬氧化物、以及無機(jī)氧化物中選擇的一種材料形成的層。 6、根據(jù)技術(shù)方案1所述的制造方法，其特征在于， 布線電路層對(duì)于半導(dǎo)體元件而言作為再布線層而發(fā)揮作用。 7、根據(jù)技術(shù)方案1所述的制造方法，其特征在于， 布線電路層， 具有絕緣層，并且具有設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的導(dǎo)體層， 在該絕緣層的一個(gè)面，具有用于與半導(dǎo)體元件的電極連接的連接用導(dǎo)體部，并且， 在該絕緣層的另一個(gè)面，具有用于與外部導(dǎo)體連接的外部連接用導(dǎo)體部，這些連接用導(dǎo)體 部與外部連接用導(dǎo)體部通過設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的導(dǎo)體層相互連接。
8、根據(jù)技術(shù)方案7所述的制造方法，其特征在于， 布線電路層的絕緣層為單一層或形成為層疊結(jié)構(gòu)，所述單一層由相同的聚合物形 成，所述層疊結(jié)構(gòu)具有金屬制支撐基板側(cè)的基底絕緣層、和用于與半導(dǎo)體元件粘接的粘接劑層。 9、根據(jù)技術(shù)方案1所述的制造方法，其特征在于， 在成為所述晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的基板的晶片基板中，設(shè)置有向厚度方向貫通 該基板的導(dǎo)通路，且半導(dǎo)體元件的電極構(gòu)成為通過該導(dǎo)通路能夠連通到晶片基板的背面?zhèn)?的結(jié)構(gòu)， 將所述布線電路層層疊于該晶片基板的任一面?zhèn)?，并連接該導(dǎo)通路的端部與該布 線電路層的連接用導(dǎo)體部。 根據(jù)本發(fā)明的制造方法，上述第一課題通過以下方式被解決。 本發(fā)明的制造方法可以說是將再布線層作為與半導(dǎo)體元件獨(dú)立的布線電路層而 進(jìn)行制作，之后將它在半導(dǎo)體晶片等晶片狀態(tài)的元件中以成為再布線層的方式層疊而作為 半導(dǎo)體裝置的方法。 通過另外制造布線電路層，能夠以巻對(duì)巻(roll-to-roll)方式大量容易地制造 可包含多個(gè)晶片的大面積的元件，因此，與在各個(gè)半導(dǎo)體晶片上面直接形成再布線層的情 況相比，制造成本變得更低。 另外，在布線電路層上以能夠剝離的方式附加的金屬制支撐基板，對(duì)布線電路層 賦予了適當(dāng)?shù)膭傂?硬度)并優(yōu)化了將該布線電路層層疊于半導(dǎo)體晶片之前的操作性，從 而帶來制造成本的改善。 另外，在本發(fā)明的制造方法中，能夠僅選擇良好品的布線電路層來連接晶片狀態(tài) 的元件，因此不存在白白浪費(fèi)地廢棄良好品元件的情況。 另外，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，上述第二課題通過以下方式被解決。 例如，當(dāng)將布線電路層的連接用導(dǎo)體部與半導(dǎo)體晶片的雙面中的具有如通孔的端
部那樣突起的端子的面連接時(shí)，使金屬制支撐基板具有適當(dāng)?shù)膭傂远鴮⒉季€電路層從背后
整面進(jìn)行加壓。通過這種的加壓，在布線電路層的連接用導(dǎo)體部正下方的部分產(chǎn)生適當(dāng)?shù)?br> 壓縮，而且，連接用導(dǎo)體部的周圍的絕緣層(尤其，粘接劑層(在后面說明))掩埋了端子部
的突起的高低差異而與晶片面貼緊，因此在布線電路層與半導(dǎo)體晶片的界面不產(chǎn)生間隙。


圖1是為了說明該制造方法，示意性表示各工序中形成的布線電路層的各部的樣 子的圖。為了區(qū)別區(qū)域，適當(dāng)施加了影線(其它圖也同樣)。 圖2是表示根據(jù)本發(fā)明而形成的布線電路層內(nèi)部結(jié)構(gòu)、導(dǎo)體的連接結(jié)構(gòu)的變化的 圖。 圖3是更詳細(xì)地表示布線電路層內(nèi)部結(jié)構(gòu)例的示意圖。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的加工步驟的圖。
圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例的加工步驟的圖。
圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例的加工步驟的圖。 圖7是表示將布線電路層內(nèi)的導(dǎo)體層作為多層時(shí)的結(jié)構(gòu)例的圖。 圖中l(wèi)-金屬制支撐基板，2-布線電路層，21-連接用導(dǎo)體部，22-外部連接用導(dǎo)體
部，5-晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件，4-半導(dǎo)體裝置。
具體實(shí)施例方式以下，參照具體例子，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的制造方法進(jìn)行說明。 另外，在本發(fā)明中所用的"上面"、"下面"等表示上下的語句只是用于說明層的位 置關(guān)系，而不是用于限定布線電路層或半導(dǎo)體裝置的實(shí)際的上下姿勢(shì)。 圖1是為了說明該制造方法而示意性表示各工序中形成的產(chǎn)品的樣子的圖。在該 圖中表示的布線電路層內(nèi)的層結(jié)構(gòu)或連接圖案是為了說明而簡化的圖，在后面進(jìn)行詳細(xì)敘 述。 該制造方法，首先，如圖l(a)中所示，具有在金屬制支撐基板1上將布線電路層2 以能夠從該基板1剝離的方式形成而作為層疊體的工序。該布線電路層2具有能夠與連接 對(duì)象即半導(dǎo)體元件3的電極31連接的連接用導(dǎo)體部21。連接用導(dǎo)體部21，以能夠與半導(dǎo) 體元件3的電極31連接的方式露出于與金屬支撐基板1的側(cè)面相反側(cè)的面。在實(shí)際的制 造工序中，也可以將連接用導(dǎo)體部21所露出的面，進(jìn)一步用剝離片(liner)覆蓋并在與半 導(dǎo)體元件的連接時(shí)將該剝離片剝下來使用。 通過將布線電路層采用這種的獨(dú)立工序來制造，能夠大量降低成本并且只使良好 品與晶片狀態(tài)的元件連接。 另外，在圖l(a)中，將連接用導(dǎo)體部21或電極31等畫成比實(shí)際突出得更大，這是 為了明確地表示位置。另外，在圖1中，只放大畫出了一個(gè)元件，而實(shí)際的元件是在晶片規(guī) 模的基板上以矩陣狀進(jìn)行多個(gè)配置的元件。 另外，在元件的電極中，形成金凸塊(Au stud bump)、凸塊下金屬層(UBM)等。作
為該UBM，可舉出通過非電解電鍍形成的Ni/Au層(Ni為基底側(cè)。其它也同樣，先記載了層
疊的基底側(cè))或由濺鍍法生成的Ti/Cu層、Ti/W/Cu層、Ti/Ni/Cu層等。 以下，該制造方法，如圖l(b)中所示，具有將所述層疊體的布線電路層2層疊于晶
片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件3，且連接該布線電路層2的連接用導(dǎo)體部21與元件3的電極31的工序。 另外，在圖l(b)中，畫出了將連接用導(dǎo)體部21、電極31的各自的突起進(jìn)行省略的 圖。在實(shí)際的工序中，也將半導(dǎo)體元件3與布線電路層2通過加壓而無間隙地貼緊。
而且，該制造方法，如圖l(c)中所示，具有使金屬制支撐基板從布線電路層剝離 的工序。通過該工序，能夠獲得半導(dǎo)體元件3與布線電路層2層疊的半導(dǎo)體裝置4。
該階段的半導(dǎo)體裝置成為晶片狀態(tài)，因此將它進(jìn)一步切割而獲得各個(gè)芯片狀的半 導(dǎo)體裝置。另外，對(duì)于剝離了金屬制支撐基板的布線電路層，在切割之前，也可以施行賦予 焊球等加工。 本發(fā)明中所述的半導(dǎo)體元件可以是能夠?qū)盈B并連接布線電路層的元件，例如，除 了可舉出如單一發(fā)光元件那樣簡單結(jié)構(gòu)的元件或?qū)⑵浼系年嚵?、有機(jī)半導(dǎo)體元件、IC、集 成了多種運(yùn)算電路的處理器、存儲(chǔ)器、光傳感器、圖像傳感器等以往眾所周知的元件之外， 還可以舉出多芯片組件(multi chip module) 、MEMS (Micro Electro Mechanical Systems: 機(jī)械要素部件、傳感器、激勵(lì)器、將電子電路等集成在基板上的器件)等。
用于形成半導(dǎo)體元件的晶片基板，除了硅等半導(dǎo)體晶體基板之外，可以是絕緣性 晶體基板、玻璃基板、由有機(jī)化合物形成的基板等用于半導(dǎo)體元件的所有基板。在這些基板 之中，最廣泛應(yīng)用的是硅晶體基板(硅晶片)。
6
在本發(fā)明中所述的"晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件"不僅是指在晶片基板上以矩陣狀來 形成多個(gè)半導(dǎo)體元件的階段(在切割之前的階段)的元件，而且也包括對(duì)在晶片基板上以 多數(shù)形成的各元件進(jìn)行質(zhì)量檢查并暫時(shí)切割成各個(gè)芯片后，僅將作為良好品的芯片在與晶 片基板同形狀的薄片(sheet)上進(jìn)行了再排列的元件。以下，將"晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件" 稱為"晶片狀元件"來進(jìn)行說明。 布線電路層，通過與半導(dǎo)體元件層疊連接，從而起再布線層的作用，且介于與外部 導(dǎo)體的連接之間。 作為將元件的電極與布線電路層的連接用導(dǎo)體部進(jìn)行連接的方法，可以采用眾所 周知的方法，例如，可舉出Au-Au接合、金凸塊-焊錫接合、焊錫凸塊(bump)接合、采用銀焊 糊的接合、采用ACF(各向異性導(dǎo)電性薄膜)或NCF(非導(dǎo)電性薄膜)的接合。為了與細(xì)間 距(fine pitch)相對(duì)應(yīng)，適合采用金凸塊-焊錫接合。另外，在元件與布線電路層之間由 于凸塊高度等而產(chǎn)生間隙時(shí)，也可以填充底部填膠(under fill)材料等。
另外，當(dāng)構(gòu)成以下結(jié)構(gòu)，即在晶片基板中設(shè)置將該基板在厚度方向上貫通的通孔 (導(dǎo)通路)且半導(dǎo)體元件的電極通過該通孔能夠與晶片基板的背面?zhèn)冗B接時(shí)，也可以將布 線電路層層疊于晶片基板的背面?zhèn)?，且將布線電路層的連接用導(dǎo)體部與該通孔體的端子連 接。另外，在此時(shí)，既可以將布線電路層不是在晶片基板背面?zhèn)?，而是在元件?cè)用于連接元 件的電極與通孔，也可以在背面?zhèn)纫约霸?cè)的兩處層疊布線電路層。 包含于分割前的布線電路層中的各個(gè)布線電路層的排列圖案，只要與晶片態(tài)元件 中的元件的排列圖案對(duì)應(yīng)，且各個(gè)元件與布線電路層能夠連接即可。 作為分割前的布線電路層整體的外圍形狀，也可以是與晶片基板相同或與其相對(duì) 應(yīng)的形狀、能包含多個(gè)晶片基板的更大面積的形狀(單個(gè)薄片狀、從巻中送出的帶狀等)、 與各個(gè)晶片基板內(nèi)的元件集合區(qū)域相同或與其相對(duì)應(yīng)的形狀等。 只要適當(dāng)施加用于使分割前的布線電路層與晶片狀態(tài)元件定位的附加的結(jié)構(gòu)或 能夠優(yōu)化操作性的處理即可。 布線電路層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、導(dǎo)體的連接結(jié)構(gòu)并不進(jìn)行特別的限定，但是，作為有用的 基本結(jié)構(gòu)，如圖l(a)中所示，舉出了以下結(jié)構(gòu)在絕緣層的一個(gè)面具有用于與元件的電極 連接的連接用導(dǎo)體部21，在另一面形成用于與外部導(dǎo)體(要安裝該半導(dǎo)體裝置的外部電路 的焊盤等)連接的外部連接用導(dǎo)體部，它們通過設(shè)置在該絕緣層內(nèi)的導(dǎo)體層相互連接。
除了這種典型的結(jié)構(gòu)例之外，例如，還可以如圖2(a)中所示，指定的連接用導(dǎo)體 部21a、21b彼此相互連接的結(jié)構(gòu)，或者相反，一個(gè)連接用導(dǎo)體部連接了多個(gè)外部連接用導(dǎo) 體部的結(jié)構(gòu)(未圖示)，另外，如圖2(b)中所示，指定的連接用導(dǎo)體部21a、21b彼此僅在層 內(nèi)相互連接，而不與下面的外部連接用導(dǎo)體部連接的結(jié)構(gòu)等，其連接結(jié)構(gòu)的圖案可根據(jù)用 途自由地進(jìn)行變更和組合。 布線電路層內(nèi)的布線(在層內(nèi)橫向上延伸的導(dǎo)體層)，如圖1、圖2中所示，可以是 單層，如圖7中所示，也可以是多層。 圖3是更詳細(xì)地表示布線電路層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)例的示意圖。 在圖3(a)中所示的例中，在絕緣層20的內(nèi)部，導(dǎo)體層23以規(guī)定的連接圖案來形 成，且從該導(dǎo)體層23延伸到元件側(cè)的導(dǎo)通路(金屬柱)24的前端部成為連接用導(dǎo)體部21， 相反，從該導(dǎo)體層23延伸到金屬制支撐基板側(cè)的導(dǎo)通路(金屬柱)25的前端部成為外部連
7接用導(dǎo)體部22。在圖的例中，在各個(gè)導(dǎo)通路的前端部形成有用于更好地進(jìn)行電連接且提高 抗蝕性的金屬膜。 在圖3(b)中所示的例中，在絕緣層20的內(nèi)部，元件側(cè)的導(dǎo)體層26、金屬制支撐基 板側(cè)的導(dǎo)體層27以分離為上下段的狀態(tài)來設(shè)置。元件側(cè)的導(dǎo)體層26埋沒在絕緣層內(nèi)(在 圖的例中，通過粘接劑層20b覆蓋)，在圖的例中，金屬制支撐基板側(cè)的導(dǎo)體層27與剝離層 5直接鄰接而設(shè)置。這些導(dǎo)體層26、27通過在它們之間的規(guī)定位置設(shè)置的導(dǎo)通路28相互連 接。在粘接劑層20b的上面，在規(guī)定位置設(shè)置開口而露出導(dǎo)體層26，該開口內(nèi)的露出部分成 為與元件連接的連接用導(dǎo)體部21。另一方面，在圖的例中，金屬制支撐基板側(cè)的導(dǎo)體層27 的下面在絕緣層的下面全部露出，在金屬制支撐基板1的下面的規(guī)定位置設(shè)置開口 (貫通 孔h)，除去剝離層5而露出導(dǎo)體層27的下面，且該開口內(nèi)的露出部分成為外部連接用導(dǎo)體 部22。各個(gè)開口內(nèi)的露出部分，可以是僅露出導(dǎo)體層的形態(tài)，而在圖的例中，在各露出部分 的表面形成有用于更好地進(jìn)行電連接且提高抗蝕性的金屬膜。 所述金屬膜的形成方法優(yōu)選電鍍，作為該金屬膜的材料，可舉出銅、金、銀、鉬、鉛、 錫、鎳、鈷、銦、銠、鉻、鎢、釕等單一金屬、或者由它們的兩種以上形成的合金等。其中作為優(yōu) 選材料可舉出金、錫、鎳等，作為優(yōu)選金屬膜的形態(tài)可舉出以Ni為基底層、以Au為表面層的 雙層結(jié)構(gòu)等。 另外，如圖3 (a) 、 (b)中所示，通過對(duì)金屬制支撐基板在外部連接用導(dǎo)體部22的位 置設(shè)置開口 (貫通孔h)，能夠使外部連接用導(dǎo)體部22的前端部從絕緣層20a的下面突起。
布線電路層的絕緣層20，可以是由同一聚合物形成的單一層，如圖3(a)、 (b)中 所示，也可以是具有金屬制支撐基板側(cè)的基底絕緣層20a、用于與元件粘接的粘接劑層20b 的層疊結(jié)構(gòu)。另外，在通過元件的電極與布線電路基板的連接用導(dǎo)體部的接合從而以足夠 的機(jī)械強(qiáng)度使兩者一體化的情況下，也可以是省略粘接劑層且無粘接性的眾所周知的絕緣 層。 作為基底絕緣層的材料，并不進(jìn)行特別的限定，但是，可以舉出例如，聚酰 亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、環(huán)氧樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯 (polyethylene ter印hthalate)豐對(duì)月旨、聚蔡二酸乙二醇酉旨(polyethylene naphthalate)豐對(duì) 脂、聚氯乙烯樹脂等眾所周知的合成樹脂、或這些樹脂與合成纖維布、玻璃布、玻璃無紡布、 以及1102、 Si02、 Zr(^、或礦物、粘土等微粒子的復(fù)合樹脂等。尤其，就剝離了金屬制支撐體 層之后，形成更薄、且具有更大的機(jī)械強(qiáng)度，并具有更優(yōu)選的電特性(絕緣特性)的柔性絕 緣層的方面而言，作為優(yōu)選材料可以舉出聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、玻璃布復(fù)合環(huán)氧樹脂。
基底絕緣層的厚度優(yōu)選為3 50 ii m。 作為粘接劑層的材料，并不進(jìn)行特別的限定，但是，作為優(yōu)選材料可以舉出聚砜、 聚醚砜、聚乙內(nèi)酰脲(polyhydantoin)、聚醚酰亞胺、聚酯、聚酰亞胺硅氧烷(polyimide siloxane)、硅氧烷變性聚酰胺酰亞胺(polyamide imide)等的熱塑性樹脂、環(huán)氧系樹脂、丙 烯酸系樹脂、硅系樹脂、聚酰亞胺樹脂等，也可以將它們混合而使用。 另外，作為環(huán)氧類樹脂，并不進(jìn)行特別的限定，但是，可以舉出熱塑性樹脂或者橡 膠或者彈性材料(elastomer)等和混合的環(huán)氧樹脂、或雜化二氧化硅(silica hybrid)、納 米粒子分散型環(huán)氧樹脂等。 另外，作為丙烯酸系樹脂，并不進(jìn)行特別的限定，但是，例如可以舉出環(huán)氧丙烯酸酯(印oxy acrylate)、氨基甲酸酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)、硅丙烯酸酯(silicon acrylate)等。 粘接劑層的厚度優(yōu)選為1 100 ii m。 在金屬制支撐基板上形成布線電路層的方法中，可以適用半加成 (semi-additive)法、刪減(subtractive)法等以往眾所周知的電路基板、轉(zhuǎn)接板的制造技 術(shù)。 通過在金屬制支撐基板上形成布線電路層，在制造工序中優(yōu)化尺寸穩(wěn)定性，而且， 還優(yōu)化薄的布線電路層的操作性。 通過半加成法在布線電路層內(nèi)形成導(dǎo)體層或?qū)窌r(shí)，如圖4中所示，優(yōu)選預(yù)先 通過濺鍍?cè)谝蔀閷?dǎo)體層23以及導(dǎo)通路25的部分的壁面上形成用于使金屬材料良好堆積 的種膜(金屬薄膜)23a。作為這種種膜的材料，例如可以采用銅、金、銀、鉬、鉛、錫、鎳、鈷、 銦、銠、鉻、鎢、釕等單一金屬、或者由它們的兩種以上形成的合金等。 作為在圖3中所示的導(dǎo)體層、導(dǎo)通路的材料，例如可以舉出從銅、金、銀、鉬、鉛、 錫、鎳、鈷、銦、銠、鉻、鎢、釕等中選擇的單一金屬、或者以它們?yōu)槌煞值暮辖?例如，焊錫、 鎳-錫、金-鈷等)。在它們之中，也優(yōu)選采用能夠電解電鍍或非電解電鍍的金屬。就導(dǎo)體 層電路圖案的易形成度、以及電特性的優(yōu)異度的方面而言，銅作為優(yōu)選材料而被舉出。
導(dǎo)體層23的厚度，并不進(jìn)行特別的限定，只要在1 50ym的范圍進(jìn)行適當(dāng)選擇 即可。另外，導(dǎo)通路24、25的形狀優(yōu)選為圓柱狀，其直徑為5 500 ii m，優(yōu)選為5 300 y m。
金屬制支撐基板的材料，并不進(jìn)行特別的限定，但是，作為優(yōu)選材料可以舉出銅、
或以銅為主體的銅合金、鎳、或以鎳為主體的鎳合金、以鎳和鐵為主要成分的合金、不銹鋼等。 為了將與半導(dǎo)體晶片的線膨脹系數(shù)之差設(shè)得小，優(yōu)選以鎳和鐵為主要成分的合金 (例如，42合金)。 金屬制支撐基板的厚度，雖然還取決于材料的剛性，但是，優(yōu)選為10 ii m 200 ii m 左右，更優(yōu)選為20iim 80iim左右。 當(dāng)金屬制支撐基板的厚度小于10 ii m時(shí)，在該金屬制支撐基板上容易產(chǎn)生裂紋、 皺紋，而在巻制程(roll process)的操作性下降。另外，當(dāng)金屬制支撐基板的厚度大于 200iim時(shí)，由于其剛性而巻徑變大，從而在巻制程的處理變難，基于蝕刻(etching)的加工 也變難。 為了更順利地剝離金屬制支撐基板與布線電路層，優(yōu)選在兩者之間介入剝離層的 結(jié)構(gòu)。剝離層優(yōu)選形成為從布線電路層容易剝離而從金屬制支撐基板不容易剝離，且設(shè)置 為該剝離層能夠與金屬制支撐基板一體地從布線電路層剝下。 作為剝離層的材料，可舉出有機(jī)物(硅樹脂、聚酰亞胺等)、無機(jī)物(金屬、金屬氧
化物、無機(jī)氧化物等)。作為所述無機(jī)物，可舉例Ag、 Ti、 W、 Ni、 Si02等。 當(dāng)考慮到布線電路層的制造工序或?qū)⒃摬季€電路層與半導(dǎo)體晶片連接時(shí)的高熱
條件時(shí)，存在硅樹脂惡化的情況，因此聚酰亞胺或所述無機(jī)物為更優(yōu)選的材料。 當(dāng)以聚酰亞胺層為剝離層時(shí)，其厚度優(yōu)選為O. 1 lOym，為了防止布線電路層整
體的撓曲，更優(yōu)選為0. 1 5iim。 當(dāng)以由所述無機(jī)物形成的層為剝離層時(shí)，其厚度優(yōu)選為1 100nm，為了防止布線電路層整體的撓曲，更優(yōu)選為0. 1 0. 5nm。 作為以聚酰亞胺層為剝離層時(shí)的該層的形成方法，可以舉出涂敷溶液的方法、通 過電沉積法(electrod印osition) 、 CVD法來沉積的方法、或者層疊另外形成的聚酰亞胺薄 膜的方法等。另外，作為以由金屬、金屬氧化物、無機(jī)氧化物等無機(jī)物形成的層為剝離層時(shí) 的該層的形成方法，可以舉出電解電鍍法、真空蒸鍍法、濺鍍法等。 以下，舉出實(shí)際的制造例，對(duì)本發(fā)明的制造方法進(jìn)行更具體并且詳細(xì)的說明。用于 以下說明的圖4 7的布線電路層，全都是僅擴(kuò)大一個(gè)連接用導(dǎo)體部和在背面與其相對(duì)應(yīng) 的一個(gè)外部連接用導(dǎo)體部來進(jìn)行描繪的。
實(shí)施例1 在本實(shí)施例中，在由42合金構(gòu)成的金屬制支撐基板上形成由聚酰亞胺構(gòu)成的剝 離層，在其上面形成布線電路層，且與半導(dǎo)體晶片接合。另外，作為在外部連接用導(dǎo)體部的 端面施行接點(diǎn)用的貴金屬電鍍的步驟，在本實(shí)施例中，在金屬制支撐基板中從下面形成開 口 ，使外部連接用導(dǎo)體部的端面露出而施行電鍍。 [owe]〔剝離層的形成〕 如圖4 (a)中所示，作為金屬制支撐基板1采用厚度為50 ii m的42合金箔，在其上 涂敷聚酰胺(polyamic)酸溶液(是使聚苯四甲酸二酐(pyromellitic dianhydride)和2， 2' -二甲基(dimethyl)-4， 4' _ 二氨基二苯(4， 4-diaminodiphenyl)進(jìn)行反應(yīng)而獲得的產(chǎn) 物)，通過加熱而進(jìn)行干燥，通過酰亞胺化而整面形成了厚度為2 ii m的聚酰亞胺剝離層5。
〔基底絕緣層的形成〕 如圖4(b)中所示，采用感光性聚酰胺酸(是使3，4'，3，4' -二苯基砜四羧酸 二酸酐(diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride)禾口 4，4' _ 二氨基二苯醚 (diaminodiphenyl ether)、對(duì)苯二胺(para phenylene diamine)進(jìn)行反應(yīng)而獲得的產(chǎn)物， 含有感光劑)形成了聚酰亞胺層(基底絕緣層)20a。另外，在要形成外部連接用導(dǎo)體部的 位置形成了開口hl。在該開口的底部，使剝離層露出?；捉^緣層的厚度為5ym，開口形 狀為圓形，直徑為100iim。
〔種膜、下側(cè)的導(dǎo)通路、導(dǎo)體層的形成〕 如圖4(c)中所示，以鉻、銅的次序施行濺鍍而形成種膜(鉻層的厚度為20nm、銅 層的厚度為100nm)23a，通過電解銅電鍍，形成了被設(shè)成規(guī)定布線圖案的導(dǎo)體層23、導(dǎo)通路 25。然后，除去了無導(dǎo)體層23部分的種膜。種膜中的銅層，由于與導(dǎo)通路以及導(dǎo)體層的銅 成一體化，因此，在圖4(c)中，將該種膜23a畫成由鉻形成的一層。圖5 圖7也同樣。
〔金屬制支撐基板的開口的形成〕 如圖4(d)中所示，從金屬制支撐基板l的下面?zhèn)龋趯?duì)應(yīng)于導(dǎo)通路25的位置，用 氯化亞鐵水溶液形成直徑為300 ii m的開口 h2，在該開口 h2內(nèi)使剝離層(聚酰亞胺層)5露 出，而且，將該剝離層5用堿性處理液進(jìn)行蝕刻除去而使種膜(鉻層)23a露出，將該鉻層用 鐵氰化鉀與氫氧化鈉的混合水溶液進(jìn)行蝕刻而使銅層露出。
〔上側(cè)的導(dǎo)通路的形成〕 如圖4(e)中所示，用電鍍抗蝕劑rl來覆蓋導(dǎo)體層23的上面(要形成導(dǎo)通路的部 分除外)，并且用抗蝕劑r2來整面覆蓋金屬制支撐基板1的下面以及開口 h2，通過電解銅 電鍍，形成了直徑為80 ii m、高度為15 ii m的導(dǎo)通路24。
10[cms]〔粘接劑層的形成〕 如圖4(f)中所示，除去上述電鍍抗蝕劑rl、r2，以埋沒露出的導(dǎo)體層23以及導(dǎo)通 路24的方式形成以環(huán)氧以及聚酰亞胺為主要成分的粘接劑層20b，以導(dǎo)通路24的上端面作 為端子部而露出于粘接層上面的方式將該粘接層用堿性溶液進(jìn)行了蝕刻。 [cms]〔端子部的金屬膜的形成〕 如圖4(g)中所示，在導(dǎo)通路24的上面、以及金屬制支撐基板的開口內(nèi)的底面(導(dǎo) 通路25的下端面)，通過電解電鍍依次形成了鎳膜(厚度為2 ii m)、金膜(厚度為0. 5 ii m)。
〔與半導(dǎo)體晶片的連接〕 將以上所獲得的布線電路層(可剝離地帶有金屬制支撐基板的布線電路層)，用 下述的步驟來與半導(dǎo)體晶片進(jìn)行了連接。 半導(dǎo)體晶片，該晶片中的元件數(shù)為240個(gè)、一個(gè)元件中的電極焊盤數(shù)為240個(gè)、各
焊盤是直徑為80 ii m的圓形，在各焊盤上形成有直徑為60 ii m的金凸塊。 將以上所獲得的布線電路層，采用EVGroup公司制的對(duì)準(zhǔn)器(aligner)、焊接裝置
進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，在真空度為3Pa、溫度為30(TC、壓力為1. 5g/凸塊的壓力下進(jìn)行粘合后，在180°C
下進(jìn)行了 2小時(shí)的粘接劑層的固化，之后在剝離層5與基底絕緣層20a的界面進(jìn)行剝離，除
去該剝離層5與金屬制支撐基板，而獲得半導(dǎo)體裝置。 實(shí)施例2 在本實(shí)施例中，作為在外部連接用導(dǎo)體部的端面施行接點(diǎn)用的貴金屬電鍍的步 驟，在金屬制支撐基板上不形成開口 ，從開始起在剝離層的規(guī)定位置設(shè)置開口 ，先形成接點(diǎn) 用的貴金屬層，之后在其上面形成導(dǎo)通路。
〔剝離層的形成〕 如圖5(a)中所示，作為金屬制支撐基板1而采用與實(shí)施例1同樣的42合金箔，在 其上面，用與實(shí)施例1同樣的感光性聚酰胺酸溶液，形成了由聚酰亞胺構(gòu)成的厚度為2ym 的剝離層5。在剝離層中，在要形成外部連接用導(dǎo)體部的規(guī)定位置上設(shè)置有開口h3。該開 口的形狀為圓形，直徑為100iim?！不捉^緣層的形成，接點(diǎn)用的金屬膜的形成〕 如圖5(b)中所示，采用與實(shí)施例1同樣的感光性聚酰胺酸溶液，形成具有與開口 h3 —致的開口 h4的聚酰亞胺層，并作為基底絕緣層20a。該基底絕緣層20a的厚度為5 y m， 開口形狀為圓形，直徑為100iim。 然后，在開口 (h4+h3)內(nèi)露出的金屬制支撐基板的表面，通過電解電鍍依次形成 了金層212、鎳層211?！卜N膜、下側(cè)的導(dǎo)通路、導(dǎo)體層的形成〕 如圖5(c)中所示，以鉻、銅的次序來施行濺鍍而形成種膜(鉻層的厚度為20nm、銅 層的厚度為100nm)23a，通過電解銅電鍍形成了被設(shè)成規(guī)定布線圖案的導(dǎo)體層23、導(dǎo)通路 25。然后，除去了無導(dǎo)體層23部分的種膜。
〔上側(cè)的導(dǎo)通路的形成〕 如圖5(d)中所示，用電鍍抗蝕劑rl來覆蓋(要形成導(dǎo)通路的部分除外)導(dǎo)體層 23的上面，且用抗蝕劑r2來整面覆蓋金屬制支撐基板1的下面，通過電解銅電鍍，形成了直 徑為80iim、高度為15iim的導(dǎo)通路24。CN [O135]〔粘接劑層的形成〕 如圖5(e)中所示，用與上述實(shí)施例1同樣的材料、步驟來除去電鍍抗蝕劑rl、r2， 以埋沒露出的導(dǎo)體層23以及導(dǎo)通路24的方式形成粘接劑層20b，以導(dǎo)通路24的上端面作 為端子部而露出于粘接層上面的方式將該粘接層進(jìn)行了蝕刻。
〔連接用導(dǎo)體部端面的金屬膜的形成〕 如圖5(f)中所示，在導(dǎo)通路24的上端面，通過電解電鍍依次形成了鎳膜(厚度為 2ym)、金膜(厚度為0.5iim)。 在實(shí)施例2中，如圖5(a)中所示，首先在剝離層形成了開口 ，因此與實(shí)施例1相 比，不需要如圖4(d)中所示那樣為了端子的鎳電鍍、金電鍍而在金屬制支撐基板上形成開 口部。〔與半導(dǎo)體晶片的連接〕 將以上所獲得的布線電路層(可剝離地帶有金屬制支撐基板的布線電路層)，用 與實(shí)施例1同樣的步驟來與半導(dǎo)體晶片進(jìn)行連接，除去該剝離層與金屬制支撐基板，而獲 得半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例3 在本實(shí)施例中，作為剝離層材料采用了金屬。
〔剝離層的形成〕 如圖6(a)中所示，作為金屬制支撐基板1而采用與實(shí)施例1同樣的42合金箔，在 其上用真空蒸鍍法形成了由Ag構(gòu)成的剝離層5 (厚度為25nm)。
〔基底絕緣層的形成，接點(diǎn)用的金屬膜的形成〕 如圖6(b)中所示，采用與實(shí)施例1同樣的感光性聚酰胺酸溶液，形成具有開口 h5 的聚酰亞胺層，并作為基底絕緣層20a。該基底絕緣層20a的厚度為5 y m，開口形狀為圓形， 直徑為100 ii m。 然后，在開口內(nèi)露出的Ag表面上，通過電解電鍍依次形成了金層212、鎳層211 。 [OH9]〔種膜、下側(cè)的導(dǎo)通路、導(dǎo)體層的形成〕 如圖6(c)中所示，以鉻、銅的次序來施行濺鍍而形成種膜(鉻層的厚度為20nm、銅 層的厚度為100nm)23a，通過電解銅電鍍形成了被設(shè)成規(guī)定布線圖案的導(dǎo)體層23、導(dǎo)通路 25。然后，除去了無導(dǎo)體層23部分的種膜。 如圖6(d)中所示，用電鍍抗蝕劑rl來覆蓋(要形成導(dǎo)通路的部分除外)導(dǎo)體層 23的上面，且用抗蝕劑r2來整面覆蓋金屬制支撐基板1的下面，通過電解銅電鍍，形成了直 徑為80iim、高度為15iim的導(dǎo)通路24。
〔粘接劑層的形成〕 如圖6(e)中所示，用與上述實(shí)施例1同樣的材料、步驟來除去電鍍抗蝕劑rl、r2， 以埋沒露出的導(dǎo)體層23以及導(dǎo)通路24的方式形成粘接劑層20b，以導(dǎo)通路24的上端面作 為端子部而露出于粘接層上面的方式將該粘接層進(jìn)行了蝕刻。
〔連接用導(dǎo)體部端面的金屬膜的形成〕 如圖6(f)中所示，在導(dǎo)通路24的上端面，通過電解電鍍依次形成了鎳膜211(厚 度為2 ii m)、金膜212 (厚度為0. 5 ii m)。 在實(shí)施例3中，如圖6(b)中所示，能夠通過剝離層(Ag層)導(dǎo)通電并進(jìn)行金、鎳的
12電鍍，因此與實(shí)施例l相比，不需要如圖4(d)中所示那樣為了端子的鎳電鍍、金電鍍而在金
屬制支撐基板上形成開口部?！才c半導(dǎo)體晶片的連接〕 將以上所獲得的布線電路層(可剝離地帶有金屬制支撐基板的布線電路層)，用 與實(shí)施例1同樣的步驟來與半導(dǎo)體晶片進(jìn)行連接，除去該剝離層與金屬制支撐基板，而獲 得半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例4 在本實(shí)施例中，作為剝離層材料采用了無機(jī)氧化物(Si02)。
〔剝離層的形成〕 如圖4(a)中所示，作為金屬制支撐基板1而采用與實(shí)施例1同樣的42合金箔，在 其上用濺鍍法形成了由Si02構(gòu)成的剝離層5 (厚度為7nm)。 以下，〔基底絕緣層的形成，接點(diǎn)用的金屬膜的形成〕、〔種膜、下側(cè)的導(dǎo)通路、導(dǎo)體 層的形成〕、〔粘接劑層的形成〕、〔連接用導(dǎo)體部的端面的金屬膜的形成〕、〔與半導(dǎo)體晶片的 連接〕的步驟、材料等是與實(shí)施例1完全相同。 另外，在本實(shí)施例中，在圖4(d)中所示的工序中，當(dāng)從金屬制支撐基板l的下面?zhèn)?通過蝕刻來形成開口時(shí)，由于作為剝離層的Si02膜非常薄，因此通過金屬制支撐基板的蝕 刻，將同時(shí)被除去。
實(shí)施例5 在本實(shí)施例中，如圖7中所示，多層設(shè)置了布線電路層內(nèi)的導(dǎo)體層。 圖7中的例，除了使基底絕緣層與導(dǎo)體層重復(fù)層疊之外，與上述實(shí)施例1中獲得的
結(jié)構(gòu)相同。 在本實(shí)施例中，從圖4(a)的〔金屬制支撐基板上的剝離層的形成〕到圖4(d)的〔 金屬制支撐基板的開口形成〕進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的加工。通過該加工，如圖7中所示，形 成金屬制支撐基板1、剝離層5、第一基底絕緣層201、第一導(dǎo)通路251、第一導(dǎo)體層231。種 膜也與實(shí)施例l相同。 其次，在本實(shí)施例中，代替進(jìn)入圖4(e)的工序，不再進(jìn)行與圖4(b)同樣的加工，用 第二基底絕緣層202掩埋第一導(dǎo)體層231，在其規(guī)定位置形成開口，如圖4(c)所示，形成第 二導(dǎo)通路252、第二導(dǎo)體層232。而且，不再進(jìn)行與以上所述同樣的加工，形成第三基底絕緣 層203、第三導(dǎo)通路253、第三導(dǎo)體層233。 然后，進(jìn)入圖4(e) (f)的工序，進(jìn)行上側(cè)的導(dǎo)通路24的形成、粘接劑層20b的
形成、端子部21的金屬膜的形成。 通過以上的加工，獲得圖7的布線電路層。 實(shí)施例6 在本實(shí)施例中，針對(duì)具有端子從晶片面突起的通孔的半導(dǎo)體晶片，確認(rèn)了能夠無
間隙地接合布線電路層。
〔半導(dǎo)體晶片〕 作為半導(dǎo)體晶片，準(zhǔn)備厚度為400ym、直徑為6英寸的硅晶片，對(duì)該晶片設(shè)置直徑 為100iim的貫通孔，在該貫通孔中用印刷法將銅糊以端子部凸起5iim左右的方式進(jìn)行填 充，進(jìn)行燒制而形成突起狀的端子部。
13[one]〔布線電路層〕 與實(shí)施例1同樣，獲得了具有可剝離的金屬制支撐基板的布線電路層。
〔連接〕 在與實(shí)施例1同樣的條件下，將布線電路層與半導(dǎo)體晶片壓接而獲得半導(dǎo)體裝置。 在所獲得的半導(dǎo)體晶片與布線電路層之間完全無間隙，所有元件的電極與布線電
路層的連接用導(dǎo)體部的連接良好。[產(chǎn)業(yè)上的可利用性] 根據(jù)本發(fā)明的制造方法，能夠?qū)Π雽?dǎo)體元件賦予更廉價(jià)的再布線層，并且，不存在 由于再布線層不良而連良好品的半導(dǎo)體元件也被廢棄的情況。另外，根據(jù)本發(fā)明的制造方 法，即使通孔體的端部突起，也能夠制造無間隙的半導(dǎo)體裝置。 本申請(qǐng)，基于在日本申請(qǐng)的特愿2008-316076，且其內(nèi)容全部包含于本說明書。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置具有將半導(dǎo)體元件與布線電路層層疊的結(jié)構(gòu)，所述制造方法具有在金屬制支撐基板上，以能夠從該基板剝離并且連接用導(dǎo)體部露出于該布線電路層的上面的方式形成具有能夠連接于半導(dǎo)體元件的電極的連接用導(dǎo)體部的布線電路層的工序；將所述布線電路層層疊于晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件，并連接該布線電路層的連接用導(dǎo)體部與半導(dǎo)體元件的電極的工序；和所述連接之后將金屬制支撐基板從布線電路層剝離的工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造方法，其特征在于，在金屬制支撐基板與布線電路層之間形成有剝離層，因此，布線電路層能夠從金屬制 支撐基板剝離。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，剝離層是以從布線電路層易于剝離而從金屬制支撐基板難以剝離的方式形成的層，因 此，該剝離層能夠與金屬制支撐基板一體地從布線電路層被剝落。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于， 剝離層是由聚酰亞胺形成的層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，剝離層是由從金屬、金屬氧化物、以及無機(jī)氧化物中選擇的一種材料形成的層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造方法，其特征在于，布線電路層對(duì)于半導(dǎo)體元件而言作為再布線層而發(fā)揮作用。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造方法，其特征在于， 布線電路層，具有絕緣層，并且具有設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的導(dǎo)體層，在該絕緣層的一個(gè)面，具有用于與半導(dǎo)體元件的電極連接的連接用導(dǎo)體部，并且，在該 絕緣層的另一個(gè)面，具有用于與外部導(dǎo)體連接的外部連接用導(dǎo)體部，這些連接用導(dǎo)體部與 外部連接用導(dǎo)體部通過設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的導(dǎo)體層相互連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，布線電路層的絕緣層為單一層或形成為層疊結(jié)構(gòu)，所述單一層由相同的聚合物形成， 所述層疊結(jié)構(gòu)具有金屬制支撐基板側(cè)的基底絕緣層、和用于與半導(dǎo)體元件粘接的粘接劑層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造方法，其特征在于，在成為所述晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的基板的晶片基板中，設(shè)置有向厚度方向貫通該基 板的導(dǎo)通路，且半導(dǎo)體元件的電極構(gòu)成為通過該導(dǎo)通路能夠連通到晶片基板的背面?zhèn)鹊慕Y(jié) 構(gòu)，將所述布線電路層層疊于該晶片基板的任一面?zhèn)?，并連接該導(dǎo)通路的端部與該布線電 路層的連接用導(dǎo)體部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。將具有能夠與半導(dǎo)體元件(3)的電極(31)連接的連接用導(dǎo)體部(21)的布線電路層(2)，在金屬制支撐基板(1)上以能夠從該基板(1)剝離的方式并且連接用導(dǎo)體部(21)露出于該布線電路層上面的方式形成，在將該布線電路層(2)在晶片狀態(tài)的元件(3)上層疊，并將連接用導(dǎo)體部(21)與電極(31)進(jìn)行連接之后，將所述支撐基板(1)從布線電路層(2)剝離，并切割晶片而獲得各個(gè)半導(dǎo)體裝置。
文檔編號(hào)H01L21/48GK101752280SQ20091025421
公開日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月11日
發(fā)明者吉田直子, 小田高司, 森田成紀(jì) 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社