半導(dǎo)體晶片的清洗方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的順序進(jìn)行的清洗工序的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，該方法的特征是在該半導(dǎo)體晶片的清洗方法中最后進(jìn)行的HF清洗中，以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在上述半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗。由此，在半導(dǎo)體晶片的清洗中，提供一種能夠同時(shí)降低半導(dǎo)體晶片表面中的金屬雜質(zhì)水平和粒子水平的半導(dǎo)體晶片的清洗方法。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體晶片的清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片的清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]過(guò)去，作為一種半導(dǎo)體晶片的清洗方法使用將臭氧水、稀氫氟酸、純水組合而進(jìn)行清洗處理的方法。作為該場(chǎng)合的通常的清洗流程，以臭氧水清洗一稀氫氟酸清洗一臭氧水(純水)清洗一干燥的順序進(jìn)行清洗。
[0003]在該方法中，在最初的臭氧水清洗中進(jìn)行附著在半導(dǎo)體晶片表面的有機(jī)物的去除，在下一個(gè)稀氫氟酸清洗中將形成于半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜與混入在該氧化膜中的金屬雜質(zhì)一起去除，其后，在半導(dǎo)體晶片表面上需要保護(hù)氧化膜的情況下利用臭氧水(或純水)進(jìn)行表面氧化處理。而且，出于提高清洗力的目的還實(shí)施使用臭氧水和氫氟酸反復(fù)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜的形成和蝕刻的方法(專利文獻(xiàn)I)。
[0004]例如在通過(guò)葉片式自轉(zhuǎn)清洗的半導(dǎo)體晶片的清洗中也如上所述那樣組合臭氧水清洗、HF (氫氟酸)清洗、純水清洗而進(jìn)行,在通過(guò)臭氧水清洗而在半導(dǎo)體晶片表面形成氧化膜之后進(jìn)行的HF清洗中，氧化膜本身也與混入在上述氧化膜中的金屬雜質(zhì)一起被去除。由此，在半導(dǎo)體晶片表面露出未形成有氧化膜的面(以下稱之為裸面)，因而成為粒子容易附著的狀態(tài)，使得粒子水平變差。因此，在半導(dǎo)體晶片的清洗中同時(shí)降低金屬雜質(zhì)水平和粒子水平成為了課題。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2007-273911號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的課題
[0009]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種在清洗半導(dǎo)體晶片時(shí)能夠同時(shí)降低半導(dǎo)體晶片表面中的金屬雜質(zhì)水平和粒子水平的半導(dǎo)體晶片的清洗方法。
[0010]解決課題的方案
[0011]為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體晶片的清洗方法，該方法具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的順序進(jìn)行的清洗工序，該半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其特征是在該半導(dǎo)體晶片的清洗方法中最后進(jìn)行的HF清洗中，以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在上述半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗。
[0012]這樣一來(lái)，在通過(guò)之前所進(jìn)行的HF清洗而充分地去除了半導(dǎo)體晶片表面中的金屬雜質(zhì)之后，通過(guò)上述半導(dǎo)體晶片的清洗方法的最后進(jìn)行的HF清洗而溶解通過(guò)臭氧水清洗而形成于上述半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜時(shí)，通過(guò)保留一部份厚度就能夠抑制由于上述氧化膜從半導(dǎo)體晶片表面上完全被去除而露出裸面導(dǎo)致成為粒子容易附著的狀態(tài)，由此能夠同時(shí)降低半導(dǎo)體晶片表面中的金屬雜質(zhì)水平和粒子水平。
[0013]而且，通過(guò)半導(dǎo)體晶片的清洗中最后進(jìn)行的HF清洗而溶解上述氧化膜時(shí)，只要在半導(dǎo)體晶片表面保留上述氧化膜的一部份厚度即可，因而非常簡(jiǎn)便。
[0014]而且此時(shí)，在上述半導(dǎo)體晶片的清洗方法中的最初的HF清洗中，理想的是去除形成于上述半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜全部。
[0015]這樣一來(lái)，能夠可靠地去除半導(dǎo)體晶片表面中的金屬雜質(zhì)以及混入有金屬雜質(zhì)的氧化膜，并能夠可靠地降低金屬雜質(zhì)水平，且在其后的HF清洗中保留氧化膜也沒(méi)問(wèn)題。
[0016]而且此時(shí)，在上述半導(dǎo)體晶片的清洗方法中的第二次以后的HF清洗中，理想的是以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在上述半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗。
[0017]這樣一來(lái)，例如即便是反復(fù)進(jìn)行HF清洗和臭氧清洗的場(chǎng)合也在第二次以后的HF清洗中保留氧化膜，因此，能夠更加可靠地抑制由于半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜完全被去除而露出裸面導(dǎo)致成為粒子容易附著的狀態(tài)使得半導(dǎo)體晶片表面的粒子水平變差。
[0018]而且此時(shí)，在上述半導(dǎo)體晶片的清洗方法中，能夠通過(guò)將進(jìn)行臭氧水清洗之后進(jìn)行HF清洗，或者進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程交替地反復(fù)兩次以上進(jìn)行清洗而進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的清洗。
[0019]這樣一來(lái)，能夠更為有效地降低半導(dǎo)體晶片表面的金屬雜質(zhì)水平和粒子水平，因而比較理想。
[0020]而且此時(shí)，能夠在以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在上述半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗的HF清洗中，HF濃度設(shè)為0.1wt %?1.5wt%。
[0021]這樣一來(lái)，通過(guò)臭氧水清洗而形成在半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜的溶解不會(huì)導(dǎo)致過(guò)多地消耗時(shí)間，而且，也不會(huì)因上述氧化膜的溶解所需時(shí)間過(guò)短而導(dǎo)致控制困難，因而比較
理相
[0022]而且此時(shí)，能夠在上述臭氧水清洗中，臭氧水的濃度設(shè)為3ppm以上。
[0023]這樣一來(lái)，進(jìn)一步提高臭氧水清洗中的清洗效果，因而比較理想。
[0024]而且此時(shí)，能夠以葉片式自轉(zhuǎn)清洗進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的HF清洗、臭氧水清洗。
[0025]這樣，在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的清洗方法中的HF清洗和臭氧水清洗中能夠適用葉片式自轉(zhuǎn)清洗。
[0026]發(fā)明效果
[0027]如以上所說(shuō)明，若使用本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，則可有效地且簡(jiǎn)便地減少半導(dǎo)體晶片表面的粒子，進(jìn)而能夠同時(shí)降低半導(dǎo)體晶片表面中的金屬雜質(zhì)水平和粒子水平。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是表示本發(fā)明中半導(dǎo)體晶片的清洗方法的一例的流程圖。
[0029]圖2是表示了在實(shí)施例和比較例中對(duì)于各HF清洗次數(shù)的晶片表面的粒子水平的圖表的圖。【具體實(shí)施方式】
[0030]以下，關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，作為實(shí)施方式的一例一邊參照?qǐng)D1一邊詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此。
[0031]首先，準(zhǔn)備通過(guò)本發(fā)明的清洗方法進(jìn)行清洗的半導(dǎo)體晶片。這里所能夠使用的半導(dǎo)體晶片，雖然并不限定于此，但例如可以是硅片或GaAs、InP等的化合物半導(dǎo)體晶片等。
[0032]將這樣的半導(dǎo)體晶片按照例如圖1所示的流程圖進(jìn)行清洗。
[0033]首先進(jìn)行圖1 (a)所示的最初的臭氧水清洗。作為此時(shí)使用的臭氧水的濃度，由于臭氧水濃度越高則其清洗效果就越高，因而能夠設(shè)為3ppm以上，理想的是5ppm以上，更為理想的是IOppm以上。另外，由于該最初的臭氧水清洗是以去除附著在半導(dǎo)體晶片表面的有機(jī)物為目的，因而若已準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片幾乎沒(méi)有有機(jī)物附著則也可以省略。
[0034]接著，如圖1 (b)?(d)所示，通過(guò)以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的順序進(jìn)行的清洗工序清洗半導(dǎo)體晶片。
[0035]這里，在本發(fā)明中，在進(jìn)行上述清洗工序中的最后的HF清洗(相當(dāng)于圖1 (d)的HF清洗)時(shí)，以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗。這樣一來(lái)，通過(guò)之前所進(jìn)行的HF清洗(圖1 (b))從半導(dǎo)體晶片表面充分地去除了金屬雜質(zhì)之后，能夠抑制由于形成于半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜通過(guò)臭氧水清洗(相當(dāng)于圖1 (c)的臭氧水清洗)被完全去除而露出裸面導(dǎo)致成為粒子容易附著的狀態(tài)，由此能夠同時(shí)降低半導(dǎo)體晶片表面中的金屬雜質(zhì)水平和粒子水平。另外，并不特別限定此時(shí)保留在半導(dǎo)體晶片表面上的氧化膜的一部份厚度，只要是能夠充分地保護(hù)半導(dǎo)體晶片表面的厚度即可。而且，圖1 (c)的臭氧水清洗能夠與圖1 (a)的臭氧水清洗同樣地進(jìn)行。
[0036]而且，在進(jìn)行上述清洗工序中的最初的HF清洗(相當(dāng)于圖1 (b)的HF清洗)時(shí)，若將形成于半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜全部去除則能夠更加可靠地去除半導(dǎo)體晶片表面的金屬雜質(zhì)，進(jìn)而通過(guò)其后進(jìn)行的臭氧水清洗而形成保護(hù)半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜，因此，也不會(huì)導(dǎo)致粒子水平變差，因而比較理想。
[0037]另外，圖1中示出了僅進(jìn)行一次這樣的HF / O3 / HF的清洗工序的例，但本發(fā)明并不限定于此，還可以進(jìn)行兩次以上、進(jìn)而進(jìn)行三次以上。其時(shí)，在第二次以后的HF清洗中，若以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗，則能夠更加有效地降低半導(dǎo)體晶片表面中的粒子水平，因而比較理想。
[0038]而且，作為以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在上述半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行HF清洗的方法，雖然并不限定于此但將清洗時(shí)間縮短以防例如氧化膜全部溶解即可。
[0039]而且，在可將兩種以上的濃度不同的HF清洗液向半導(dǎo)體晶片表面供給的情況下，使在上述半導(dǎo)體晶片表面保留氧化膜的一部份厚度的HF清洗的HF濃度低于去除形成于該半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜全部的HF清洗的HF濃度亦可。此時(shí)，在以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留氧化膜的一部份厚度的方式進(jìn)行的HF清洗中，若將HF濃度設(shè)成0.1wt %?1.5wt%則在上述氧化膜的溶解不會(huì)導(dǎo)致過(guò)多地消耗時(shí)間，而且，也不會(huì)因上述氧化膜的溶解所需時(shí)間過(guò)短而導(dǎo)致控制困難，因而比較理想。當(dāng)然，即便同時(shí)控制清洗時(shí)間和HF濃度亦可。[0040]而且，在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的清洗方法中，雖然并不限定于此但通過(guò)將進(jìn)行臭氧水清洗之后進(jìn)行HF清洗，或者進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程交替地反復(fù)兩次以上進(jìn)行而進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的清洗，則能夠更加有效地降低半導(dǎo)體晶片表面的金屬雜質(zhì)水平和粒子水平，因而比較理想。
[0041]進(jìn)行了這樣的清洗工序之后，如圖1 (e)所示，通過(guò)進(jìn)行最后的臭氧水清洗，形成用于保護(hù)半導(dǎo)體晶片表面的保護(hù)氧化膜。
[0042]而且如圖1 (f)所示，干燥形成有上述保護(hù)氧化膜的半導(dǎo)體晶片。
[0043]這里，上述HF清洗以及臭氧水清洗，雖然并不限定于此但能夠以例如葉片式自轉(zhuǎn)清洗進(jìn)行。若是葉片式自轉(zhuǎn)清洗，則能夠容易且以高精度進(jìn)行臭氧水清洗與HF清洗的轉(zhuǎn)換、清洗液的濃度控制、以及清洗時(shí)間的控制等。另外，在這樣通過(guò)葉片式自轉(zhuǎn)清洗而進(jìn)行了上述HF清洗以及臭氧水清洗的情況下，若通過(guò)離心脫水來(lái)干燥所清洗的半導(dǎo)體晶片則更為有效，因而比較理想。
[0044]實(shí)施例
[0045]以下，示出實(shí)施例和比較例而具體説明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些。
[0046](實(shí)施例1)
[0047]首先，準(zhǔn)備了 15片直徑為300mm的將兩面加工成鏡面且表面潔凈的單晶硅晶片。接著，從該表面潔凈的單晶硅晶片15片中抽出3片，為了調(diào)查清洗前的粒子水平，利用晶片表面缺陷檢查裝置(粒子計(jì)數(shù)器，日立高新技術(shù)制LS-6800 41nm))對(duì)I片進(jìn)行了粒子測(cè)定。測(cè)定結(jié)果，清洗前的晶片粒子水平是100個(gè)以下，可知比較良好。而且，對(duì)于2片，為了調(diào)查附著在清洗前的表面的金屬雜質(zhì)濃度，利用HF煙霧對(duì)晶片表面的自然氧化膜進(jìn)行汽相熱裂之后，通過(guò)HF滴注而回收晶片表面的金屬雜質(zhì)，并進(jìn)行了通過(guò)ICP-MS分析裝置的晶片表面的金屬雜質(zhì)濃度測(cè)定。測(cè)定結(jié)果，實(shí)驗(yàn)前的晶片表面的金屬(Al、Cr、Fe、N1、Cu、Zn)雜質(zhì)濃度如表4所示，檢出了 Cu以外的元素。
[0048]接著，如下清洗所準(zhǔn)備的單晶硅晶片中的其他2片，并進(jìn)行了粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定。
[0049]首先，進(jìn)行了通過(guò)葉片式自轉(zhuǎn)清洗的上述2片的單晶硅晶片的清洗。此時(shí)，如表I所示，反復(fù)兩次進(jìn)行了進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程，在第一次HF清洗中，去除了形成于單晶硅晶片表面的氧化膜(自然氧化膜)全部，且在第二次(最后)HF清洗中，以在單晶硅晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)臭氧水清洗而在單晶硅晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行了清洗。
[0050]而且，作為清洗條件，將去除單晶硅晶片表面的氧化膜全部的HF清洗時(shí)的HF濃度設(shè)為1.0wt %,晶片轉(zhuǎn)速設(shè)為500rpm / 15sec,并將在單晶娃晶片表面保留氧化膜的一部份厚度的HF清洗時(shí)的HF濃度設(shè)為1.0wt %，晶片轉(zhuǎn)速設(shè)為500rpm / 3sec，且將臭氧水清洗時(shí)的臭氧水濃度設(shè)為IOppm,晶片轉(zhuǎn)速設(shè)為500rpm / 15sec而進(jìn)行了清洗。
[0051]另外，為了形成用于保護(hù)單晶硅晶片的表面的保護(hù)氧化膜而進(jìn)行了最后的臭氧水清洗。而且，由于在所準(zhǔn)備的單晶硅晶片的表面幾乎未附著有機(jī)物等雜質(zhì)，因而未進(jìn)行用于去除有機(jī)物的最初的臭氧水清洗。
[0052]使這樣清洗的2片單晶娃晶片通過(guò)離心脫水以1500rpm / 30sec的轉(zhuǎn)速進(jìn)一步干燥之后，通過(guò)與進(jìn)行清洗之前測(cè)定了粒子水平的檢測(cè)裝置相同的晶片表面缺陷檢查裝置和ICP-MS分析裝置進(jìn)行了晶片表面中的粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定。此時(shí)的結(jié)果表示在表2、表3、以及圖2中。
[0053](實(shí)施例2)
[0054]如下清洗在實(shí)施例1準(zhǔn)備的單晶硅晶片中2片并進(jìn)行了粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定。
[0055]如表I所示，反復(fù)三次進(jìn)行了進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程，在第一次HF清洗中去除形成于單晶硅晶片表面的氧化膜全部，且在第二次以后的全部的HF清洗中以在單晶硅晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)臭氧水清洗而在單晶硅晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗，除此之外與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，而進(jìn)行了單晶硅晶片的清洗。
[0056]這樣清洗的單晶硅晶片表面中的粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定是與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行的。此時(shí)的結(jié)果表示在表2、表3、以及圖2中。
[0057](實(shí)施例3)
[0058]如下清洗在實(shí)施例1準(zhǔn)備的單晶硅晶片中2片并進(jìn)行了粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定。
[0059]如表I所示，反復(fù)四次進(jìn)行了進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程，在第一次HF清洗中去除形成于單晶硅晶片表面的氧化膜全部，且在第二次以后的全部的HF清洗中以在單晶硅晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)臭氧水清洗而在單晶硅晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗，除此之外與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，而進(jìn)行了單晶硅晶片的清洗。
[0060]這樣清洗的單晶硅晶片表面中的粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定是與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行的。
[0061]此時(shí)的結(jié)果表不在表2、表3、以及圖2中。
[0062](比較例I)
[0063]如下清洗在實(shí)施例1準(zhǔn)備的單晶硅晶片中2片并進(jìn)行了粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定。
[0064]如表I所示，反復(fù)兩次進(jìn)行了進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程，在全部的HF清洗中去除形成于單晶硅晶片表面的氧化膜全部而進(jìn)行清洗，除此之外與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，而進(jìn)行了單晶硅晶片的清洗。
[0065]這樣清洗的單晶硅晶片表面中的粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定是與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行的。此時(shí)的結(jié)果表示在表2、表3、以及圖2中。
[0066](比較例2)
[0067]如下清洗在實(shí)施例1準(zhǔn)備的單晶硅晶片中2片并進(jìn)行了粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定。
[0068]如表I所示，反復(fù)三次進(jìn)行了進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程，除此之外與比較例I同樣地進(jìn)行，而進(jìn)行了單晶硅晶片的清洗。
[0069]這樣清洗的單晶硅晶片表面中的粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定是與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行的。此時(shí)的結(jié)果表示在表2、表3、以及圖2中。
[0070](比較例3)[0071]如下清洗在實(shí)施例1準(zhǔn)備的單晶硅晶片中2片并進(jìn)行了粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定。
[0072]如表1所示，反復(fù)四次進(jìn)行了進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程，除此之外與比較例I同樣地進(jìn)行，而進(jìn)行了單晶硅晶片的清洗。
[0073]這樣清洗的單晶硅晶片表面中的粒子水平和金屬雜質(zhì)水平的測(cè)定是與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行的。此時(shí)的結(jié)果表示在表2、表3、以及圖2中。
[0074]表1
[0075]
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體晶片的清洗方法，具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的順序進(jìn)行的清洗工序，該半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其特征在于， 在該半導(dǎo)體晶片的清洗方法中最后進(jìn)行的HF清洗中，以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在上述半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其特征在于， 在上述半導(dǎo)體晶片的清洗方法中的最初的HF清洗中，去除形成于上述半導(dǎo)體晶片表面的氧化膜全部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其特征在于， 在上述半導(dǎo)體晶片的清洗方法中的第二次以后的HF清洗中，以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在上述半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其特征在于， 在上述半導(dǎo)體晶片的清洗方法中，通過(guò)將進(jìn)行臭氧水清洗之后進(jìn)行HF清洗，或者進(jìn)行HF清洗之后進(jìn)行臭氧水清洗的過(guò)程交替地反復(fù)兩次以上進(jìn)行清洗而進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的清洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其特征在于， 在以在上述半導(dǎo)體晶片表面上保留一部份厚度而不會(huì)去除通過(guò)上述臭氧水清洗而在上述半導(dǎo)體晶片表面形成的氧化膜全部的方式進(jìn)行清洗的HF清洗中，HF濃度設(shè)為0.1wt %?1.5wt % ο
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其特征在于， 在上述臭氧水清洗中，臭氧水的濃度設(shè)為3ppm以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其特征在于， 以葉片式自轉(zhuǎn)清洗進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的HF清洗、臭氧水清洗。
【文檔編號(hào)】H01L21/304GK103608904SQ201280029741
【公開(kāi)日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月17日
【發(fā)明者】阿部達(dá)夫, 椛澤均 申請(qǐng)人:信越半導(dǎo)體株式會(huì)社