一種晶片背面清洗裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體行業(yè)晶片處理領(lǐng)域，具體地說是一種用于前道半導(dǎo)體工藝的晶片背面清洗裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]用于半導(dǎo)體集成電路的晶片需進(jìn)行多次光刻膠涂布和顯影，在晶片表面會有多層線路，晶片在傳送和工藝處理過程中晶片背面會有顆粒污染，這樣就需要對背面進(jìn)行清洗，但背面清洗時不能有物體或液體接觸晶片表面，這時就需對晶片正面進(jìn)行防護(hù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體行業(yè)晶片處理領(lǐng)域，具體地說是一種用于前道半導(dǎo)體工藝的晶片背面清洗裝置，用于晶片的背面清洗，清洗液不會濺落在晶片正面，也不會對晶片正面的圖形造成損傷。
[0004]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種晶片背面清洗裝置，包括晶片夾持機(jī)構(gòu)、承片臺、清洗腔體和吹干裝置，待清洗的晶片背面朝下放置于所述承片臺上，該晶片通過可升降的晶片夾持機(jī)構(gòu)帶動升降，清洗腔體在晶片上升停止后移動至該晶片下方，所述清洗腔體內(nèi)設(shè)有毛刷和背噴管，晶片在開始清洗前下降以使背面與清洗腔體內(nèi)的毛刷相抵，所述毛刷在清洗晶片時旋轉(zhuǎn)，所述背噴管在清洗晶片時噴出清洗液，晶片在清洗干凈后上升至吹干位置，所述背噴管在吹干晶片時噴出氣體，所述晶片夾持機(jī)構(gòu)上安裝有清洗以及吹干晶片時向該晶片的上表面吹氣的吹干裝置，所述吹干裝置隨晶片夾持機(jī)構(gòu)一同升降。
[0006]所述晶片夾持機(jī)構(gòu)包括氣爪和夾持臂，夾持臂分別安裝在氣爪兩側(cè)，在所述夾持臂上安裝有夾持晶片用的夾持爪。
[0007]所述氣爪與一個滾珠絲桿機(jī)構(gòu)連接，該滾珠絲杠機(jī)構(gòu)與驅(qū)動晶片夾持機(jī)構(gòu)升降的電機(jī)相連。
[0008]所述吹干裝置為封閉的圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，底面均布有吹氣孔，所述吹干裝置通過管路與供氣系統(tǒng)相連。
[0009]所述清洗腔體的底面上設(shè)有旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述毛刷通過所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)帶動旋轉(zhuǎn)。
[0010]所述清洗腔體與一個滾珠絲桿機(jī)構(gòu)連接，該滾珠絲杠機(jī)構(gòu)與驅(qū)動清洗腔體水平移動的電機(jī)相連。
[0011]所述承片臺為三針承片臺，該承片臺與晶片采用點(diǎn)式接觸。
[0012]晶片在上升至吹干位置時仍處于清洗腔體內(nèi)。
[0013]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與積極效果為:
[0014]1、本發(fā)明不損傷晶片表面的圖形，就可以完成對晶片背面的清洗。
[0015]2、本發(fā)明采用三針承片臺，承片臺與晶片間采用點(diǎn)式接觸，減少交叉污染。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明的機(jī)構(gòu)立體圖，
[0017]圖2為圖1中本發(fā)明的側(cè)視圖，
[0018]圖3為圖1中清洗腔體內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]其中，1為晶片夾持機(jī)構(gòu)，2為晶片,3為吹干裝置,4為承片臺，5為清洗腔體,6為毛刷，7為背噴管,8為旋轉(zhuǎn)電機(jī),9為氣爪，10為夾持臂，11為夾持爪。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳述。
[0021]如圖1?3所示，本發(fā)明包括晶片夾持機(jī)構(gòu)1、吹干裝置3、承片臺4、清洗腔體5、毛刷6和旋轉(zhuǎn)電機(jī)8，其中承片臺4設(shè)置于該裝置最底端，待清洗的晶片2背面朝下放置于所述承片臺4上，所述承片臺4為三針承片臺，該承片臺4與晶片2采用點(diǎn)式接觸，可防止承片臺4上的顆粒附著在晶片2的背面，減少交叉污染，可升降的晶片夾持機(jī)構(gòu)I即用于夾持放置于所述承片臺4上的的晶片2，所述晶片夾持機(jī)構(gòu)I包括氣爪9和安裝在所述氣爪9兩側(cè)的夾持臂10，在所述夾持臂10上安裝有夾持晶片2用的夾持爪11，所述夾持爪11在夾持時只夾持晶片2的邊緣，不會接觸到晶片2的背面，所述氣爪9與一個滾珠絲桿機(jī)構(gòu)連接，一個電機(jī)通過該滾珠絲杠機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)晶片夾持機(jī)構(gòu)I的升降，此為本領(lǐng)域公知常識，該滾珠絲桿機(jī)構(gòu)通過支架固定在設(shè)備架體上。在晶片夾持機(jī)構(gòu)I上還安裝有清洗及吹干晶片2時向晶片2的上表面吹氣的吹干裝置3，所述吹干裝置3隨晶片夾持機(jī)構(gòu)I 一同升降，所述吹干裝置3為一個封閉的圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，在圓環(huán)的下表面均布有吹氣孔。所述吹干裝置3通過管路與供氣系統(tǒng)相連，并通過供氣系統(tǒng)控制吹氣，此為本領(lǐng)域公知技術(shù)。
[0022]所述清洗腔體5能夠水平移動，當(dāng)晶片夾持機(jī)構(gòu)I夾持晶片2上升或下降時，清洗腔體5水平移開以使晶片夾持機(jī)構(gòu)I順利升降，當(dāng)晶片夾持機(jī)構(gòu)I夾持晶片2上升停止后，清洗腔體5即水平移動至該晶片2正下方。所述清洗腔體5與一個滾珠絲桿機(jī)構(gòu)相連，一個電機(jī)通過該滾珠絲杠實(shí)現(xiàn)清洗腔體5的水平移動，此為本領(lǐng)域公知技術(shù)，該滾珠絲杠機(jī)構(gòu)通過支架安裝在設(shè)備架體上。
[0023]如圖3所示，所述清洗腔體5內(nèi)設(shè)有清洗晶片2用的毛刷6，所述毛刷6通過安裝在清洗腔體5底面上的旋轉(zhuǎn)電機(jī)8帶動旋轉(zhuǎn)，在清洗腔體5內(nèi)還設(shè)有能夠噴出清洗液或氣體的背噴管7，其中控制所述背噴管7噴清洗液或噴氣為本領(lǐng)域公知技術(shù)。清洗晶片2時，晶片夾持機(jī)構(gòu)I夾持晶片2下降使所述毛刷6與晶片2的背面相抵，毛刷6在旋轉(zhuǎn)電機(jī)8的帶動下旋轉(zhuǎn)，此時背噴管7對準(zhǔn)晶片2的背面噴出清洗液，與毛刷6配合清洗晶片2背面，同時位于晶片夾持機(jī)構(gòu)I上端的吹干裝置3向晶片2的上表面吹氣，防止清洗液濺落到晶片2的上表面上。清洗干凈后的晶片2在晶片夾持機(jī)構(gòu)I帶動下上升至吹干位置，此時晶片2仍處在清洗腔體5內(nèi)部，背噴管7噴出氣體將晶片2背面吹干，同時吹干裝置3依舊處于吹氣狀態(tài)，晶片2吹干后，吹干裝置3與背噴管7同時停止吹氣，晶片2在晶片夾持機(jī)構(gòu)I帶動下上升完全脫離清洗腔體5。
[0024]本發(fā)明的工作原理為:
[0025]待清洗的晶片2背面朝下放置于所述承片臺4上，晶片夾持機(jī)構(gòu)I夾持該晶片2上升，晶片2上升到位后，清洗腔體5水平移動至該晶片2下方，晶片夾持機(jī)構(gòu)I夾持晶片2下降，使晶片2的背面與清洗腔體5內(nèi)的毛刷6相抵，毛刷6在旋轉(zhuǎn)電機(jī)8的帶動下旋轉(zhuǎn)，背噴管7對準(zhǔn)晶片2的背面噴出清洗液，與毛刷6配合清洗晶片2背面，同時位于晶片夾持機(jī)構(gòu)I上端的吹干裝置3向晶片2的上表面吹氣，防止清洗液濺落到晶片2的上表面上，晶片2清洗干凈后背噴管7停止噴液，晶片2在晶片夾持機(jī)構(gòu)I帶動下上升至吹干位置，此時晶片2仍處在清洗腔體5內(nèi)部，背噴管7此時噴出氣體將晶片2背面吹干，同時吹干裝置3依舊處于吹氣狀態(tài)，晶片2吹干后，吹干裝置3與背噴管7停止吹氣，晶片2在晶片夾持機(jī)構(gòu)I帶動下上升完全脫離清洗腔體5，清洗腔體5水平移開，晶片2通過晶片夾持機(jī)構(gòu)I帶動下降并放置于承片臺4上，完成清洗。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片背面清洗裝置，其特征在于:包括晶片夾持機(jī)構(gòu)(I)、承片臺(4)、清洗腔體(5)和吹干裝置(3)，待清洗的晶片(2)背面朝下放置于所述承片臺(4)上，該晶片(2)通過可升降的晶片夾持機(jī)構(gòu)(I)帶動升降，清洗腔體(5)在晶片(2)上升停止后移動至該晶片(2)下方，所述清洗腔體(5)內(nèi)設(shè)有毛刷(6)和背噴管(7)，晶片(2)在開始清洗前下降以使背面與清洗腔體(5)內(nèi)的毛刷(6)相抵，所述毛刷(6)在清洗晶片(2)時旋轉(zhuǎn)，所述背噴管(7)在清洗晶片(2)時噴出清洗液，晶片(2)在清洗干凈后上升至吹干位置，所述背噴管(7)在吹干晶片(2)時噴出氣體，所述晶片夾持機(jī)構(gòu)(I)上安裝有清洗以及吹干晶片(2)時向該晶片(2)的上表面吹氣的吹干裝置(3)，所述吹干裝置(3)隨晶片夾持機(jī)構(gòu)(I) 一同升降。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片背面清洗裝置，其特征在于:所述晶片夾持機(jī)構(gòu)(I)包括氣爪(9)和夾持臂(10)，夾持臂(10)分別安裝在氣爪(9)兩側(cè)，在所述夾持臂(10)上安裝有夾持晶片(2)用的夾持爪(11)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片背面清洗裝置，其特征在于:所述氣爪(9)與一個滾珠絲桿機(jī)構(gòu)連接，該滾珠絲杠機(jī)構(gòu)與驅(qū)動晶片夾持機(jī)構(gòu)(I)升降的電機(jī)相連。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片背面清洗裝置，其特征在于:所述吹干裝置(3)為封閉的圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，底面均布有吹氣孔，所述吹干裝置(3)通過管路與供氣系統(tǒng)相連。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片背面清洗裝置，其特征在于:所述清洗腔體(5)的底面上設(shè)有旋轉(zhuǎn)電機(jī)(8)，所述毛刷(6)通過所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)(8)帶動旋轉(zhuǎn)。6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的晶片背面清洗裝置，其特征在于:所述清洗腔體(5)與一個滾珠絲桿機(jī)構(gòu)連接，該滾珠絲杠機(jī)構(gòu)與驅(qū)動清洗腔體(5)水平移動的電機(jī)相連。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片背面清洗裝置，其特征在于:所述承片臺(4)為三針承片臺，該承片臺(4)與晶片(2)采用點(diǎn)式接觸。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片背面清洗裝置，其特征在于:晶片(2)在上升至吹干位置時仍處于清洗腔體(5)內(nèi)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體行業(yè)晶片處理領(lǐng)域，具體地說是一種用于前道半導(dǎo)體工藝的晶片背面清洗裝置，包括晶片夾持機(jī)構(gòu)、承片臺、清洗腔體和吹干裝置，待清洗的晶片放置于承片臺上并通過晶片夾持機(jī)構(gòu)夾起升降，清洗腔體在晶片上升停止后水平移動至該晶片下方，在清洗腔體內(nèi)設(shè)有毛刷和背噴管，清洗晶片時，晶片夾持機(jī)構(gòu)夾持晶片下降使晶片的背面與毛刷相抵，毛刷在旋轉(zhuǎn)電機(jī)的帶動下旋轉(zhuǎn)，背噴管噴出清洗液配合毛刷清洗晶片，晶片清洗干凈后上升至吹干位置，此時背噴管噴出氣體吹干晶片背面，在晶片清洗及吹干時，安裝在晶片夾持機(jī)構(gòu)上的吹氣裝置向晶片的上表面吹氣。本發(fā)明使清洗液不會濺落在晶片正面，不會對晶片正面造成損傷。
【IPC分類】H01L21/67, H01L21/02
【公開號】CN105097438
【申請?zhí)枴緾N201410220405
【發(fā)明人】胡延兵, 盧繼奎
【申請人】沈陽芯源微電子設(shè)備有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2014年5月23日