專利名稱：光傳感器、平板顯示裝置以及暗二極管和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光傳感器、使用該光傳感器的平板顯示裝置以及制造暗二極 管(dark diode)的方法，更具體地涉及僅響應(yīng)于光而輸出信號(hào)的光傳感器 及使用該光傳感器的平板顯示裝置。
背景技術(shù)：
近來(lái)，具有減小的重量和體積的各種平板顯示(FPD)裝置已經(jīng)發(fā)展起 來(lái)，而重量和體積在陰極射線管(CRT)中是障礙。作為平板顯示裝置的有 液晶顯示裝置、場(chǎng)致發(fā)射顯示裝置、等離子體顯示面板、有機(jī)發(fā)光顯示裝置 和其他相關(guān)顯示裝置。
有機(jī)發(fā)光顯示裝置使用通過(guò)電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生光的有機(jī)發(fā)光二極 管(OLED)來(lái)顯示圖像。
有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有各種優(yōu)點(diǎn)，如優(yōu)良的色彩顯示、薄的厚度以及其 他相關(guān)優(yōu)點(diǎn)，從而使有機(jī)發(fā)光顯示裝置被廣泛應(yīng)用在除蜂窩電話之外的各種 應(yīng)用場(chǎng)景中，例如PDA (個(gè)人數(shù)字助理)、MP3裝置以及其他相關(guān)電子設(shè) 備。
在這種平板顯示裝置上所顯示的圖像的可視性可能隨環(huán)境光的亮度而 不同。換句話說(shuō)，即使以相同的亮度顯示圖像，當(dāng)環(huán)境光的亮度相對(duì)較高時(shí)， 所顯示的圖像對(duì)用戶的棵眼來(lái)說(shuō)可能顯得較暗，而當(dāng)環(huán)境光的亮度相對(duì)較低時(shí)，所顯示的圖像對(duì)用戶的棵眼來(lái)說(shuō)可能顯得較亮。
因此，為了增強(qiáng)所顯示的圖像對(duì)用戶棵眼的可視性，對(duì)環(huán)境光的亮度進(jìn) 行檢測(cè)，其中當(dāng)環(huán)境光的亮度相對(duì)較高時(shí)，可以提高所顯示圖像的亮度，而 當(dāng)環(huán)境光的亮度相對(duì)較低時(shí)，可以降低所顯示圖像的亮度。而且當(dāng)根據(jù)環(huán)境 光的亮度控制圖像的亮度時(shí)，所顯示圖像的亮度將不會(huì)被不必要的提高，從 而可以降低顯示裝置的功率消耗。
基于上述原因，已經(jīng)設(shè)計(jì)出通過(guò)將用于檢測(cè)環(huán)境光的光傳感器附到平板 顯示裝置上來(lái)對(duì)應(yīng)于環(huán)境光控制所顯示圖像的亮度的方法。
光傳感器包括對(duì)溫度敏感的光電二極管。因此，當(dāng)環(huán)境溫度升至預(yù)定的 程度時(shí)，光電二極管中由溫度產(chǎn)生的電流變得明顯大于由光產(chǎn)生的電流，從 而可能使由光產(chǎn)生的電流被忽略。因此，為了補(bǔ)償與顯示裝置的環(huán)境光對(duì)應(yīng) 的亮度，應(yīng)當(dāng)根據(jù)溫度對(duì)從光電二極管產(chǎn)生的電流進(jìn)行補(bǔ)償。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種光傳感器、使用該光傳感器的平板顯 示裝置以及制造暗二極管的方法，以便解決上述問(wèn)題。
本發(fā)明的另 一 目的在于提供一種這樣的光傳感器及使用該光傳感器的
平板顯示裝置能夠通過(guò)得到由溫度改變引起的電流變化并根據(jù)溫度變化對(duì)
電流進(jìn)行補(bǔ)償，來(lái)產(chǎn)生僅對(duì)應(yīng)于環(huán)境光的光傳感信號(hào)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，光傳感器可以被構(gòu)造有 光傳感單元，產(chǎn)生與環(huán)境光對(duì)應(yīng)的第一電流和與環(huán)境溫度對(duì)應(yīng)的第二電流； 包括暗二極管的溫度補(bǔ)償單元，由于阻斷光的入射而產(chǎn)生與所述第二電流具 有相同大小的第三電流，所述第二電流對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度；以及緩沖單元，通 過(guò)從所述光傳感單元中產(chǎn)生的第二電流中減去所述溫度補(bǔ)償單元中產(chǎn)生的 第三電流，輸出與第 一電流具有相同大小的電流所對(duì)應(yīng)的光傳感信號(hào)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，平板顯示裝置可以被構(gòu)造
有對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)顯示圖像的像素單元；通過(guò)檢測(cè)環(huán)境光來(lái)產(chǎn)生光傳感信號(hào)的光傳感器；對(duì)應(yīng)于所述光傳感信號(hào)產(chǎn)生所述數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)
驅(qū)動(dòng)器；以及產(chǎn)生所述掃描信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)器；其中所述光傳感器包括光 傳感單元，產(chǎn)生與環(huán)境光對(duì)應(yīng)的第一電流和與環(huán)境溫度對(duì)應(yīng)的第二電流；包 括暗二極管的溫度補(bǔ)償單元，由于阻斷光的入射而產(chǎn)生與所述第二電流具有 相同大小的第三電流，所述第二電流對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度；以及緩沖單元，通過(guò) 從所述光傳感單元中產(chǎn)生的第二電流中減去所述溫度補(bǔ)償單元中產(chǎn)生的第 三電流，輸出與第 一 電流具有相同大小的電流所對(duì)應(yīng)的光傳感信號(hào)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第三方面，暗二極管可以被構(gòu)造有 透明基板；形成在所述透明基板上的緩沖層；形成在所述緩沖層上的半導(dǎo)體 層；形成在所述半導(dǎo)體層上的第一絕緣膜；形成在所述第一絕緣膜上的第二 絕緣膜；形成在所述第二絕緣膜上并分別與所述半導(dǎo)體層的兩端都接觸的第 一金屬電極和第二金屬電極；形成在所述第一金屬電極和所述第二金屬電極 上的第三絕緣膜；形成在所述第三絕緣膜上的平坦化膜；以及形成在所述平 坦化膜上并面對(duì)所述半導(dǎo)體層的陽(yáng)極。


結(jié)合附圖并參考以下詳細(xì)描述，對(duì)本發(fā)明的更全面的認(rèn)識(shí)以及伴隨而來(lái)的 諸多優(yōu)點(diǎn)將因其變得更好理解而容易明白。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相 同或相似的組件，其中
圖1是圖示構(gòu)成本發(fā)明的平板顯示裝置的一個(gè)實(shí)例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 結(jié)構(gòu)的示意圖2是圖示構(gòu)成圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置所采用的光傳感器的第一實(shí)施例 的電路的示意圖3是圖示圖2的光傳感器的操作的一組波形；
圖4是示出圖2的光傳感器所采用的暗二極管的第一實(shí)施例的截面圖； 圖5是示出圖2的光傳感器所采用的暗二極管的第二實(shí)施例的截面圖；以
及
12圖6是示出圖2的光傳感器所采用的暗二極管的第三實(shí)施例的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)描述中，僅以圖示的形式示出和描述了本發(fā)明的某些實(shí)施 例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到的是，可以以不同的方式對(duì)所描述的實(shí)施 例進(jìn)行修改，而不會(huì)偏離本發(fā)明的精神和范圍。相應(yīng)地，附圖和說(shuō)明將會(huì)被 認(rèn)為在本質(zhì)上是示例性的而非限制性的。另外，當(dāng)元件被稱為是在另一元件 "上"時(shí)，它可以直接在該元件上，或者間接在該元件上而在兩者之間插入 一個(gè)或多個(gè)中間元件。當(dāng)?shù)谝辉幻枋鰹轳罱又恋诙r(shí)，第一元件可 以是不僅耦接至第二元件，而且還通過(guò)第三元件耦接至第二元件。另外，當(dāng) 元件被稱為是"連接至"另一元件時(shí)，它可以直接連接至該元件，或者間接 連接至該元件而在兩者之間插入一個(gè)或多個(gè)中間元件。在下文中，相同的附 圖標(biāo)記表示相同的元件。
在下文中，將結(jié)合附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例進(jìn)行描述。
圖1圖示有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置構(gòu)成本發(fā)明的
平板顯示裝置的一個(gè)實(shí)例。參見(jiàn)圖1,有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括像素單元100、 光傳感器200、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300以及掃描驅(qū)動(dòng)器400。
像素單元100排布有多個(gè)像素101,其中每個(gè)像素101包括對(duì)應(yīng)于電流 的流動(dòng)而發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管(未示出)。同時(shí)像素單元100排布有數(shù)目
為n的形成在行方向上并傳送掃描信號(hào)的掃描線Sl、 S2..... Sn-l和Sn,
以及數(shù)目為m的形成在列方向上并傳送數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線D1 、 D2、 ... 、 Dm-1 和Dm。
這種像素單元100通過(guò)從外部接收第一電源和第二電源而被驅(qū)動(dòng)。換句
話說(shuō)，像素單元ioo根據(jù)掃描信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)、第一電源以及第二電源來(lái)驅(qū)
動(dòng)電流在有機(jī)發(fā)光二極管中流動(dòng)，從而產(chǎn)生光以顯示圖像。
光傳感器200產(chǎn)生光傳感信號(hào)ls，其自動(dòng)檢測(cè)環(huán)境光，并且對(duì)應(yīng)于可能 具有高亮度或低亮度的環(huán)境光的亮度，來(lái)控制像素單元上所顯示圖像的亮度。光傳感信號(hào)ls被傳送至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300。然后，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300產(chǎn)生對(duì) 應(yīng)于光傳感信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300作為產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的裝置，接收具有紅、綠和藍(lán)分量的 視頻信號(hào)R、 G和B數(shù)據(jù)以及光傳感信號(hào)ls以產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器
300被連接至數(shù)據(jù)線Dl、 D2..... Dm-l和Dm，并向像素單元100施加數(shù)
據(jù)信號(hào)。
掃描驅(qū)動(dòng)器400作為產(chǎn)生掃描信號(hào)的裝置，被連接至掃描線Sl、 S2、…、 Sn-l和Sn,以將掃描信號(hào)傳送至像素單元100的特定行。被傳送有掃描信 號(hào)的像素101還被傳送有從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)，從而產(chǎn)生驅(qū)動(dòng) 電流。所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流在有機(jī)發(fā)光二極管中流動(dòng)。
圖2是圖示構(gòu)成圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置所采用的光傳感器的第一實(shí)施 例的電路的示意圖。參見(jiàn)圖2,光傳感器200包括光傳感單元210、溫度補(bǔ) 償單元220以及緩沖單元230。
光傳感單元210包括光電二極管PD。光電二極管PD產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于環(huán)境 光的亮度的電流。換句話說(shuō)，如果環(huán)境光入射到光電二極管PD，與環(huán)境光 對(duì)應(yīng)的電流沿從陰極到陽(yáng)極的方向流動(dòng)，流動(dòng)的電流強(qiáng)度對(duì)應(yīng)于環(huán)境光的亮 度。這里，光電二極管還對(duì)溫度敏感，因此從光電二極管PD產(chǎn)生的電流可 能根據(jù)溫度變化而變化。
更具體地，光傳感單元210包括光電二極管PD、第一晶體管M1、第二 晶體管M2、第一電容器Cstl以及第二電容器Cboostl。
光電二極管PD的陰極被電連接至驅(qū)動(dòng)電源，并且其陽(yáng)極被電連接至第 一晶體管Ml的漏極和第二晶體管M2的源極。
第一晶體管Ml的源極被電連接至第一節(jié)點(diǎn)Nl，第一晶體管Ml的漏 極被電連接至光電二極管PD的陽(yáng)極，并且其柵極被電連接至第一控制線 HOLD。
第二晶體管M2的源極被電連接至光電二極管PD的陽(yáng)極，第二晶體管 M2的漏極被電連接至初始化信號(hào)線Vint，并且其柵極;故電連接至復(fù)位信號(hào)
14線RESET。
第一電容器Cstl的第一電極被電連接至驅(qū)動(dòng)電源VDD,第一電容器 Cstl的第二電極被電連接至第一節(jié)點(diǎn)Nl。第二電容器Cboostl的第一電極 被電連接至第一節(jié)點(diǎn)Nl,并且第二電容器Cboostl的第二電極被電連接至 第二節(jié)點(diǎn)N1。
溫度補(bǔ)償單元220具有與光傳感單元210相同的結(jié)構(gòu)，并且阻擋環(huán)境光 入射到光電二極管以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于溫度的電流。暗二極管DPD在例如保護(hù)層 1009和透明基板1000之間具有防止入射環(huán)境光1500照射在暗二極管DPD 上的一個(gè)或多個(gè)反射層(例如如圖4所示的陽(yáng)極1008,由于該層由金屬制 成，因此是高反射層)，因此，暗二極管DPD僅僅產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度的 電流。由于光沒(méi)有照射在溫度補(bǔ)償單元220所包括的暗二極管DPD上，所 以僅僅具有根據(jù)DPD 二極管周圍的環(huán)境溫度而變化的幅度的電流在暗二極 管DPD中流動(dòng)。因此，當(dāng)乂人光傳感單元210所產(chǎn)生的電流中減去溫度補(bǔ)償 單元220所產(chǎn)生的電流時(shí)，得到的電流就是對(duì)應(yīng)于環(huán)境光所產(chǎn)生的電流。
更具體地，溫度補(bǔ)償單元220包括暗二極管DPD、第三晶體管M2、第 四晶體管M4、第三電容器Cst2以及第四電容器Cboost2。
暗二極管DPD的陽(yáng)極被電連接至初始化電源Vint,暗二極管DPD的陰 極被電連接至第三晶體管M3的漏極和第四晶體管M4的源極。
第三晶體管M3的源極被電連接至第三節(jié)點(diǎn)N3,第三晶體管M3的漏 極被電連接至暗二極管DPD的陰極，并且第三晶體管M3的柵極被電連接 至第一控制線HOLD。
第四晶體管M4的源極被電連接至暗二極管DPD的陰極，第四晶體管 M4的漏極被電連接至驅(qū)動(dòng)電源VDD，并且第四晶體管M4的柵極被電連接 至復(fù)位信號(hào)線RESET。
第三電容器Cst2的第一電極-故電連接至初始化電源Vint，并且第三電 容器Cst2的第二電極被電連接至第三節(jié)點(diǎn)N3。
第四電容器Cboost2的第一電極被電連接至第三節(jié)點(diǎn)N3,并且其第二
15電極被電連接至第二節(jié)點(diǎn)N2。
緩沖單元230從光傳感單元210所產(chǎn)生的電流中減去溫度補(bǔ)償單元220 所產(chǎn)生的電流。緩沖單元230從光傳感單元中根據(jù)環(huán)境光產(chǎn)生的電流和根據(jù) 溫度產(chǎn)生的電流中減去根據(jù)溫度產(chǎn)生的電流，以產(chǎn)生僅僅對(duì)應(yīng)于環(huán)境光而與 溫度無(wú)關(guān)的電流。而且，緩沖單元230可以改善所產(chǎn)生的電流的特性。
更具體地，緩沖單元230包括第五晶體管M5、第六晶體管M6、第七 晶體管M7以及第八晶體管M8。
第五晶體管M5的源極被電連接至驅(qū)動(dòng)電源VDD,第五晶體管M5的漏 極被電連接至第四節(jié)點(diǎn)N4，并且第五晶體管M5的柵極纟皮電連接至第二節(jié) 點(diǎn)N2。
第六晶體管N6的源極被電連接至第二節(jié)點(diǎn)N2，第六晶體管M6的漏極 被電連接至第四節(jié)點(diǎn)N4,并且第六晶體管M6的柵極被電連接至復(fù)位信號(hào) 線RESET。
第七晶體管M7的源極被電連接至第四節(jié)點(diǎn)N4,第七晶體管M7的漏 極被電連接至第 一輸出線Iref ，并且第七晶體管M7的柵極被電連接至復(fù)位 信號(hào)線RESET。
第八晶體管M8的源極被電連接至第四節(jié)點(diǎn)N4，第八晶體管M8的漏 極被電連接至第二輸出線Iout，并且第八晶體管M8的柵才及被電連接至第二 控制線TX。
圖3是圖示圖2的光傳感器的操作的一組波形。
參見(jiàn)圖3，光傳感器200根據(jù)復(fù)位周期Tl、積分周期以及采樣周期T3 而工作。
在復(fù)位周期Tl中，通過(guò)復(fù)位信號(hào)線RESET傳送的復(fù)位信號(hào)reset為j氐， 通過(guò)第二控制線TX傳送的第二控制信號(hào)tx為高，并且通過(guò)第一控制線 HOLD傳送的第一控制信號(hào)hold為低。
在積分周期T2中，復(fù)位信號(hào)reset為高，第二控制信號(hào)tx為高，并且 第一控制信號(hào)hold為低。在采樣周期T3中，復(fù)位信號(hào)reset為高，第二控制信號(hào)tx為低，并且 第一控制信號(hào)hold為高。
首先，在復(fù)位周期T1中，復(fù)位信號(hào)reset和第一控制信號(hào)hold為低， 并且第二控制信號(hào)tx為高，所以第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶 體管M3、第四晶體管M4、第六晶體管M6和第七晶體管M7導(dǎo)通，而第八 晶體管截止。因此，第一電容器Cstl和第二電容器Cboostl由初使化電壓進(jìn) 行初始化，并且第三電容Cst2和第四電容器Cboost2由驅(qū)動(dòng)電源VDD的電 壓進(jìn)行初始化。當(dāng)參考電流iref流經(jīng)被電連接至第七晶體管M7的漏極的第 一輸出端Iref時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2具有與參考電流iref的電流量對(duì)應(yīng)的預(yù)定電 壓Vref。這種預(yù)定電壓VreH昔助于第一電容器Cstl、第二電容器Cboostl、 第三電容器Cst2和第四電容器Cboost2得到維持。這里，預(yù)定電壓為施加到 第五晶體管M5柵極從而使參考電流iref流動(dòng)的電壓。當(dāng)晶體管M8截止時(shí)， 晶體管M7導(dǎo)通以允許電流Iref流經(jīng)晶體管M7的漏極。當(dāng)電流Iref流經(jīng)晶 體管M7的漏極時(shí)，由于節(jié)點(diǎn)N4被電連接至晶體管M7的源片及，因此電流 Iref流經(jīng)晶體管M5的漏極。流經(jīng)晶體管漏極的電流由該晶體管的源極和柵 極之間的電壓確定，如果電流Iref流經(jīng)晶體管M5的漏極，則允許電流Iref 流經(jīng)晶體管M5漏極的電壓被施加。這里，施加到晶體管M5的電壓是由電 流Iref確定的，而與晶體管M5的閾值電壓無(wú)關(guān)。
在積分周期T2中，第一控制信號(hào)hold為低，且第二控制信號(hào)tx和復(fù) 位信號(hào)reset為高，從而使第二晶體管Ml和第三晶體管M3維持導(dǎo)通狀態(tài)， 而第二晶體管M2和第四晶體管M4維持截止?fàn)顟B(tài)。因此，在光電二極管PD 中，根據(jù)入射光和環(huán)境溫度，電流沿從光電二極管PD的陰極到光電二極管 PD的陽(yáng)極的方向流動(dòng)。在暗二極管DPD中，4艮據(jù)環(huán)境溫度，電流沿從陰極 到陽(yáng)極的方向流動(dòng)。此時(shí)，在流經(jīng)光電二才及管PD的電流中，對(duì)應(yīng)于入射光 而流動(dòng)的電流被稱為第一電流，且對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度而流動(dòng)的電流;故稱為第二 電流。并且在暗二極管DPD中流動(dòng)的對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度的電流被稱為第三電流。
17借助于光電二極管PD而流動(dòng)的第 一 電流和第二電流流向第 一 節(jié)點(diǎn)N1 。
借助于暗二極管DPD而流動(dòng)的第三電流,人第三節(jié)點(diǎn)N3通過(guò)暗二極管DPD 流向初始化信號(hào)線Vint。此時(shí)，光電二才及管PD和暗二才及管DPD以相同的 工藝形成，所以由溫度產(chǎn)生的第二電流和第三電流具有相同的電流量。
第一節(jié)點(diǎn)Nl的電壓根據(jù)光電二極管PD中流動(dòng)的第一電流和第二電流 而增大，第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓根據(jù)暗二極管DPD中流動(dòng)的第三電流而減小。 這里，第二電流和第三電流大小相同而方向相反。因此，第一節(jié)點(diǎn)N1的電 壓根據(jù)第二電流而增大的程度與第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓根據(jù)第三電流而減小的 程度相同。因此，通過(guò)第一電容器Cstl、第二電容器Cbootstl、第三電容器 Cst2和第四電容器Cboost2被耦接至第一節(jié)點(diǎn)Nl和第三節(jié)點(diǎn)N3的第二節(jié) 點(diǎn)N2的電壓對(duì)應(yīng)于第一電流的大小而增大。
因此，電壓Vref+AV (第一節(jié)點(diǎn)N1中根據(jù)第一電流產(chǎn)生的電壓變化的 程度)被施加到第二節(jié)點(diǎn)N2。此時(shí)，第八晶體管M8為截止?fàn)顟B(tài)，使其可 以防止與施加到第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓對(duì)應(yīng)的的電流流經(jīng)第二輸出端Iout。因 此，在周期T2中，第二輸出端Iout處不存在電流。
在采樣周期T3中，復(fù)位信號(hào)reset和控制信號(hào)hold為高而第二控制信 號(hào)tx為低，所以第八晶體管M8導(dǎo)通。因此，光電二極管PD與第一節(jié)點(diǎn) Nl斷開(kāi)，并且暗二極管DPD與第三節(jié)點(diǎn)N3斷開(kāi)。因此，第二節(jié)點(diǎn)N2的 電壓借助于第一電容器Cstl和第二電容器Cboostl以及第三電容器Cst2和 第四電容器Cboost2不再進(jìn)一步變化。第二輸出端Iout通過(guò)第八晶體管M8 保持與第五晶體管M5的漏極相連。因此電流沿著從第五晶體管M5的源極 到其漏極的方向流動(dòng)。這種對(duì)應(yīng)于第二節(jié)點(diǎn)N2處的電壓而流動(dòng)并且通過(guò)第 二輸出端lout流到光傳感器200外部的電流被用作光傳感信號(hào)。
圖4是示出圖2的光傳感器所采用的暗二極管的第一實(shí)施例的截面圖。 參見(jiàn)圖4，緩沖層1001和包括三個(gè)區(qū)域，即半導(dǎo)體區(qū)域1002a、1002b和1002c 的半導(dǎo)體層被依次形成在透明基板iooo上。然后，在緩沖層1001和半導(dǎo)體 層上形成第一絕緣膜1003。這里半導(dǎo)體區(qū)域1002b和1002c分別位于半導(dǎo)體層的兩個(gè)末端部分，而半導(dǎo)體區(qū)域1002a位于半導(dǎo)體層的中間部分。半導(dǎo)體 區(qū)域1002a可以由掩?；蛳嚓P(guān)工具覆蓋，然后可以執(zhí)行離子摻雜工藝。在摻 雜工藝之后，半導(dǎo)體區(qū)域1002b和半導(dǎo)體區(qū)域1002c之一可以成變?yōu)镹型， 而另一區(qū)域可以成為P型，而半導(dǎo)體區(qū)域1002a沒(méi)有被離子摻雜，成為本征 半導(dǎo)體區(qū)域。此后，在第一絕緣膜1003上形成第二絕緣膜1004,并且形成 穿透第一絕緣膜1003和第二絕緣膜1004的接觸孔1100。在第二絕緣膜1004 上形成金屬層，然后金屬層被圖樣化為第一金屬電極1005a和第二金屬電極 1005b。第一金屬電極1005a和第二金屬電極1005b通過(guò)接觸孔IIOO分別與 半導(dǎo)體層的P型半導(dǎo)體區(qū)域1002b和N型半導(dǎo)體區(qū)域1002c電耦接。在形 成第一金屬電極1005a和第二金屬電極1005b之后，形成第三絕緣膜1006， 并在第三絕緣膜1006上形成平坦化層1007。在平坦化層1007上形成有才幾 發(fā)光顯示裝置的陽(yáng)極1008,并在平坦化層1007上形成保護(hù)膜1009等。
在根據(jù)以上所述形成的暗二沖及管DPD中，光借助于陽(yáng)極1008被反射， 從而使光不入射到暗二極管DPD。因此，暗二極管DPD僅根據(jù)溫度變化而 產(chǎn)生電流。
圖5是示出圖2的光傳感器所采用的暗二極管的第二實(shí)施例的截面圖。 參見(jiàn)圖5，緩沖層2001和包括三個(gè)區(qū)域，即半導(dǎo)體區(qū)域2002a、2002b和2002c 的半導(dǎo)體層被依次形成在透明基板2000上。然后，在緩沖層2001和半導(dǎo)體 層上形成第一絕緣膜2003。此處，半導(dǎo)體區(qū)域2002b和2002c分別位于半導(dǎo) 體層的兩個(gè)末端部分，而半導(dǎo)體區(qū)域2002a位于半導(dǎo)體層的中間部分。半導(dǎo) 體區(qū)域2002a可以由掩?；蛳嚓P(guān)工具覆蓋，然后可以執(zhí)行離子摻雜工藝。在 摻雜工藝之后，半導(dǎo)體區(qū)域2002b和半導(dǎo)體區(qū)域2002c之一可以變?yōu)镹型， 另一區(qū)域可以變?yōu)镻型，而半導(dǎo)體區(qū)域2002a沒(méi)有凈皮離子摻雜，成為本征半 導(dǎo)體區(qū)域。在第一絕緣膜2003上形成第二絕緣膜2004，并且形成穿透第一 絕緣膜2003和第二絕緣膜2004的接觸孔2100。此后，在第二絕緣膜上形 成金屬層，然后金屬層被圖樣化以形成第一金屬電極2005a、第二金屬電極 2005b和第三金屬電極2005c。第一金屬電極2005a和第二金屬電極2005b
19通過(guò)接觸孔2100分別與半導(dǎo)體層的P型半導(dǎo)體區(qū)域和N型半導(dǎo)體區(qū)域電耦
接，而第三金屬電極2005c面對(duì)半導(dǎo)體層的本4正半導(dǎo)體區(qū)域2002a形成，并 與其隔開(kāi)。在第一金屬電極2005a、第二金屬電極2005b和第三金屬電極 2005c上形成第三絕緣膜2006，并在第三絕緣膜2006上形成平坦化層2007。 在平坦化層2007上形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的陽(yáng)極2008，并在平坦化層2007 上形成保護(hù)膜2009等。
在圖4的暗二極管DPD中，即使光借助于陽(yáng)極1008被反射， 一部分光 仍然可以入射到暗二極管DPD。因此，為了解決這個(gè)問(wèn)題，圖5的暗二極 管中，在陽(yáng)極2008和具有半導(dǎo)體區(qū)域2002a、 2002b和2002c的半導(dǎo)體層之 間形成第三金屬電極2005c。因此，穿過(guò)陽(yáng)極2008的一部分光被金屬電極 2005c阻擋，從而不會(huì)入射到半導(dǎo)體層。因此，與圖4的暗二極管相比，圖 5的暗二極管DPD可以進(jìn)一步降低光的影響。
圖6是示出圖2的光傳感器所采用的暗二極管的第三實(shí)施例的截面圖。 參見(jiàn)圖6，緩沖層3001和具有半導(dǎo)體區(qū)域3002a和3002b的半導(dǎo)體層依次形 成在基板3000上。然后，在半導(dǎo)體層上形成第一絕緣膜3003,并執(zhí)行離子 摻雜工藝。借助于離子摻雜工藝，半導(dǎo)體層被分為兩部分3002a和3002b。 換句話說(shuō)，半導(dǎo)體區(qū)域3002a可以變?yōu)镻型半導(dǎo)體區(qū)域，而半導(dǎo)體區(qū)域3002b 可以成為本征半導(dǎo)體區(qū)域。
在第一絕緣膜3003上形成金屬層，并且金屬層被圖樣化，以在預(yù)定區(qū) 域形成第三金屬電極3004。第三金屬電極3004面對(duì)半導(dǎo)體層形成，與半導(dǎo) 體層隔開(kāi)，并且位于可以覆蓋半導(dǎo)體層的中間部分的位置。
在第三金屬電極3004上形成第二絕緣膜3005。形成第二絕緣膜3005 之后，形成穿透第一絕緣膜3003和第二絕緣膜3005的接觸孔3100，并在 第二絕緣膜3005上形成金屬層。金屬層被圖樣化，以形成第一金屬電極 3006a和第二金屬電極3006b。此時(shí)，第一金屬電極3006a和第二金屬電極 3006b借助于接觸孔3100分別與半導(dǎo)體層的兩個(gè)末端部分3002a和3002b 電耦接。而且第一金屬電極3006a和第二金屬電極3006b被形成為與第三金屬電極3004重疊。因此，半導(dǎo)體層由第一金屬電極3006a、第二金屬電極 3006b和第三金屬電極3006c完全覆蓋。在形成第一金屬電極3006a和第二 金屬電極3006b之后，形成第三絕緣膜3007,并在第三絕緣膜3007上形成 平坦化層3008。在平坦化層3008上形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的陽(yáng)極3009,并 在平坦化層3008上形成保護(hù)膜3010等。
利用如上所述的構(gòu)成本發(fā)明的光傳感器以及使用該光傳感器的平板顯 示裝置，根據(jù)溫度改變的電流可以被補(bǔ)償，從而使光傳感器可以產(chǎn)生僅與環(huán) 境光的改變有關(guān)的信息。
雖然已結(jié)合某些示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā) 明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明意在涵蓋所附權(quán)利要求及其等 同物的精神和范圍之內(nèi)的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
1、一種光傳感器，包括包括光電二極管的光傳感單元，產(chǎn)生與環(huán)境光對(duì)應(yīng)的第一電流和與環(huán)境溫度對(duì)應(yīng)的第二電流；包括暗二極管的溫度補(bǔ)償單元，通過(guò)阻擋光照射到所述暗二極管上來(lái)產(chǎn)生與第二電流具有相同大小的第三電流，其中第二電流具有根據(jù)所述暗二極管周圍的環(huán)境溫度而變化的幅度；以及緩沖單元，通過(guò)從所述光傳感單元處產(chǎn)生的第二電流中減去所述溫度補(bǔ)償單元處產(chǎn)生的第三電流，輸出與第一電流具有相同大小的電流所對(duì)應(yīng)的光傳感信號(hào)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中在所述光傳感單元中，光電 二極管的陰極被傳送以驅(qū)動(dòng)電源的電壓，且所述光電二才及管的陽(yáng)扭j皮傳送以 初始化電源的電壓；并且在所述溫度補(bǔ)償單元中，所述暗二極管的陽(yáng)極被傳 送以所述初始化電源的電壓，且所述暗二極管的陰才及被傳送以所述驅(qū)動(dòng)電源 的電壓。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中所述光傳感單元和所述溫度 補(bǔ)償單元被傳送以復(fù)位信號(hào)和第一控制信號(hào)，并且所述緩沖單元被傳送以第 二控制信號(hào)，所述復(fù)位信號(hào)在第一周期期間為低而在第二周期和第三周期期 間為高，所述第一控制信號(hào)在第一周期和第二周期期間為低而在第三周期期 間為高，并且所述第二控制信號(hào)在第一周期和第二周期期間為高而在第三周 期期間為低。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光傳感器，其中所述光電二極管的陰極被傳 送以驅(qū)動(dòng)電源的電壓，所述光電二極管的陽(yáng)相j皮傳送以初始化電壓；并且所述光傳感單元進(jìn)一步包括第一晶體管，其第一電極被電連接至所述光電二極管的陽(yáng)極，其第二電 極被電連接至第一節(jié)點(diǎn)，并且其柵極被電連接至被傳送以所述第一控制信號(hào)的第一控制線；第二晶體管，其第一電極被電連接至被傳送以所述初始化電壓的初始化 信號(hào)線，其第二電極被電連接至所述光電二極管的陽(yáng)極，并且其柵極被電連接至被傳送以所述復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)線；第一電容器，其第一電極被電連接至所述光電二極管的陰極，并且其第 二電極被電連接至所述第一節(jié)點(diǎn)；以及第二電容器，其第一電極被電連接至所述第一節(jié)點(diǎn)，并且其第二電極被 電連接至第二節(jié)點(diǎn)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光傳感器，其中所述暗二極管的陽(yáng)極被電連 接至傳送初始化電壓的初始化信號(hào)線，所述暗二極管的陰極被傳送以驅(qū)動(dòng)電 源的電壓；并且所述溫度補(bǔ)償單元進(jìn)一步包括第三晶體管，其第一電極被電連接至所述暗二極管的陰極，其第二電極 被電連接至第三節(jié)點(diǎn)，并且其柵極被電連接至被傳送以所述第一控制信號(hào)的 第一控制線；第四晶體管，其第一電極被傳送以所述驅(qū)動(dòng)電源的電壓，其第二電極被 電連接至所述暗二極管的陰極，并且其柵極;故電連接至被傳送以所述復(fù)位信 號(hào)的復(fù)位信號(hào)線；第三電容器，其第一電極被電連接至所述暗二極管的陽(yáng)極，并且其第二 電極被電連接至所述第三節(jié)點(diǎn)；以及第四電容器，其第一電極被電連接至所述第三節(jié)點(diǎn)，并且其第二電極被 電連接至第二節(jié)點(diǎn)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光傳感器，其中所述緩沖單元包括 第五晶體管，其第一電極被電連接至驅(qū)動(dòng)電源，其第二電極被電連接至第四節(jié)點(diǎn)，并且其柵極被電連接至第二節(jié)點(diǎn)；第六晶體管，其第一電極被電連接至所述第二節(jié)點(diǎn)，其第二電極被電連 接至所述第四節(jié)點(diǎn)，并且其柵極被電連接至被傳送以所述復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)線；第七晶體管，其第一電極被電連接至所述第四節(jié)點(diǎn)，其第二電極被電連 接至第一輸出線，并且其柵極被電連接至所述復(fù)位信號(hào)線；以及第八晶體管，其第一電極被電連接至所述第四節(jié)點(diǎn)，其第二電極被電連 接至第二輸出線，并且其柵極被電連接至被傳送以所述第二控制信號(hào)的第二 控制信號(hào)線。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中所述暗二極管包括半導(dǎo)體層和形成在所述半導(dǎo)體層上的金屬層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光傳感器，其中所述暗二極管進(jìn)一步包括布 置在所述半導(dǎo)體層與所述金屬層之間的第 一金屬電極和第二金屬電極，所述 第 一金屬電極與所述第二金屬電極電絕緣。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光傳感器，其中所述暗二極管進(jìn)一步包括布 置在所述半導(dǎo)體層與所述金屬層之間的第三金屬電極，所述第三金屬電極與 所述第一金屬電極和所述第二金屬電極電絕緣。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光傳感器，其中所述暗二極管進(jìn)一步包括形 成在所述第一金屬電極和所述第二金屬電極與所述第三金屬電極之間的電 絕緣膜。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的光傳感器，其中所述第一金屬電極和所述 第二金屬電極與所述第三金屬電極重疊并且與所述第三金屬電極電絕緣。
12、 一種平板顯示裝置，包括 對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)顯示圖像的像素單元； 通過(guò)檢測(cè)環(huán)境光來(lái)產(chǎn)生光傳感信號(hào)的光傳感器； 對(duì)應(yīng)于所述光傳感信號(hào)產(chǎn)生所述數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器； 產(chǎn)生所述掃描信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)器；并且所述光傳感器包括包括光電二極管的光傳感單元，產(chǎn)生與環(huán)境光對(duì)應(yīng)的第一電 流和與環(huán)境溫度對(duì)應(yīng)的第二電流；包括暗二極管的溫度補(bǔ)償單元，通過(guò)阻擋光照射到所述暗二 極管上來(lái)產(chǎn)生與所述第二電流具有相同大小的第三電流，其中第 二電流具有根據(jù)所述暗二極管周圍的環(huán)境溫度而變化的幅度；以 及緩沖單元，通過(guò)從所述光傳感單元中產(chǎn)生的第二電流中減去 所述溫度補(bǔ)償單元中產(chǎn)生的第三電流，輸出與第 一 電流具有相同 大小的電流所對(duì)應(yīng)的光傳感信號(hào)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的平板顯示裝置，其中在所述光傳感單元中， 光電二極管的陰極被傳送以驅(qū)動(dòng)電源的電壓，且所述光電二極管的陽(yáng)極被傳 送以初始化電源的電壓；并且在所述溫度補(bǔ)償單元中，所述暗二極管的陽(yáng)極 被傳送以所述初始化電源的電壓，且所述暗二斗及管的陰極被傳送以所述驅(qū)動(dòng) 電源的電壓。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的平板顯示裝置，其中所述光傳感單元和所 述溫度補(bǔ)償單元被傳送以復(fù)位信號(hào)和第一控制信號(hào)，并且所述緩沖單元被傳 送以第二控制信號(hào)，所述復(fù)位信號(hào)在第一周期期間為低而在第二周期和第三 周期期間為高，所述第一控制信號(hào)在第一周期和第二周期期間為低而在第三 周期期間為高，并且所述第二控制信號(hào)在第一周期和第二周期期間為高而在 第三周期期間為低。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中所述光電二極管的陰 極被傳送以驅(qū)動(dòng)電源的電壓，所述光電二極管的陽(yáng)極被傳送以初始化電壓；并且所述光傳感單元進(jìn)一步包括第一晶體管，其第一電極被電連接至所述光電二極管的陽(yáng)極，其第二電 極被電連接至第一節(jié)點(diǎn)，并且其柵極被電連接至被傳送以所述第一控制信號(hào) 的第一控制線；第二晶體管，其第一電極被電連接至被傳送以所述初始化電壓的初始化 信號(hào)線，其第二電極被電連接至所述光電二極管的陽(yáng)極，并且其柵極被電連 接至被傳送以所述復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)線；第一電容器，其第一電極被電連接至所述光電二極管的陰極，并且其第 二電極被電連接至所述第一節(jié)點(diǎn)；以及第二電容器，其第一電極被電連接至所述第一節(jié)點(diǎn)，并且其第二電極被 電連接至第二節(jié)點(diǎn)。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中所述暗二極管的陽(yáng)極被電連接至傳送初始化電壓的初始化信號(hào)線，所述暗二極管的陰極被傳送以驅(qū)動(dòng)電源的電壓；并且所述溫度補(bǔ)償單元進(jìn)一步包括第三晶體管，其第一電極被電連接至所述暗二極管的陰極，其第二電極 被電連接至第三節(jié)點(diǎn)，并且其柵極被電連接至被傳送以所述第一控制信號(hào)的 第一控制線；第四晶體管，其第一電極被傳送以所述驅(qū)動(dòng)電源的電壓，第二電極被電 連接至所述暗二極管的陰極，并且其柵極被電連接至被傳送以所述復(fù)位信號(hào) 的復(fù)位信號(hào)線；第三電容器，其第一電極被電連接至所述暗二極管的陽(yáng)極，并且其第二 電極被電連接至所述第三節(jié)點(diǎn)；以及第四電容器，其第一電極被電連接至所述第三節(jié)點(diǎn)，并且其第二電極被 電連接至第二節(jié)點(diǎn)。
17、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的平板顯示裝置，其中所述緩沖單元包括 第五晶體管，其第一電極被電連接至驅(qū)動(dòng)電源，其第二電極被電連接至第四節(jié)點(diǎn)，并且其柵極被電連接至第二節(jié)點(diǎn)；第六晶體管，其第一電極被電連接至所述第二節(jié)點(diǎn)，其第二電極被電連 接至所述第四節(jié)點(diǎn)，并且其柵極被電連接至被傳送以所述復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)線；第七晶體管，其第一電極被電連接至所述第四節(jié)點(diǎn)，其第二電極被電連接至第一輸出線，并且其柵極被電連接至所述復(fù)位信號(hào)線；以及第八晶體管，其第一電極被電連接至所述第四節(jié)點(diǎn)，其第二電極被電連接至第二輸出線，并且其柵極被電連接至被傳送以所述第二控制信號(hào)的第二 控制信號(hào)線。
18、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的平板顯示裝置，其中所述暗二極管包括半 導(dǎo)體層和形成在所述半導(dǎo)體層上的金屬層。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的平板顯示裝置，其中所述暗二極管進(jìn)一步包括形成在所述半導(dǎo)體層與所述金屬層之間的第一金屬電極和第二金屬電 極，所述第一金屬電極與所述第二金屬電極電絕緣。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的平板顯示裝置，其中所述暗二極管進(jìn)一步 包括形成在所述半導(dǎo)體層與所述金屬層之間的第三金屬電極，所述第三金屬 電極與所述第 一 金屬電極和所述第二金屬電極電絕緣。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的平板顯示裝置，其中所述暗二極管進(jìn)一步 包括形成在所述第一金屬電極和所述第二金屬電極與所述第三金屬電極之 間的電絕緣膜。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的平板顯示裝置，其中所述第一金屬電極和 所述第二金屬電極與所述第三金屬電極重疊并且與所述第三金屬電極電絕緣。
23、 一種暗二極管，包括 透明基板；形成在所述透明基板上的緩沖層；形成在所述緩沖層上的半導(dǎo)體層；形成在所述半導(dǎo)體層上的第一電絕緣膜；形成在所述第 一 電絕緣膜上的第二電絕緣膜；形成在所述第二電絕緣膜上、并通過(guò)形成在所述第一電絕緣膜和第二電 絕緣膜中的通孔分別被電接觸到所述半導(dǎo)體層兩端的第一金屬電極和第二 金屬電極，并且所述第一金屬電極和所述第二金屬電極彼此電絕緣；形成在所述第 一金屬電極和所述第二金屬電極上的第三電絕緣膜；形成在所述第三電絕緣膜上的平坦化膜；以及布置在所述平坦化膜上、面對(duì)所述半導(dǎo)體層并且與所述半導(dǎo)體層隔開(kāi)的 陽(yáng)極，所述陽(yáng)極由反射材料制成。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的暗二極管，其中所述暗二極管進(jìn)一步包括 形成在所述第二電絕緣膜上并位于所述第一金屬電極和所述第二金屬電極 之間的第三金屬電極，所述第三金屬電極與所述第一金屬電極和所述第二金 屬電極電絕緣。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的暗二極管，其中所述第三金屬電極被形成 在所述第一電絕緣膜上，與所述第一金屬電極和第二金屬電極重疊，并與所 述第一金屬電極和所述第二金屬電極電絕緣。
26、 一種制造暗二極管的方法，該方法包括 形成透明基板；在所形成的透明基板上形成緩沖層；在所形成的緩沖層上形成半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括離子摻雜的半導(dǎo) 體區(qū)域和本征半導(dǎo)體區(qū)域；在所形成的半導(dǎo)體層上形成第一電絕緣膜； 在所形成的第 一 電絕緣膜上形成第二電絕緣膜；在所形成的第二電絕緣膜上形成第一金屬電極和第二金屬電極，所述第 一金屬電極和第二金屬電極通過(guò)形成在所述第一電絕緣膜和第二電絕緣膜 中的通孔分別被電接觸到所述半導(dǎo)體層的預(yù)定半導(dǎo)體區(qū)域，所述第一金屬電 極和所述第二金屬電極彼此電絕緣；在所形成的第一金屬電極和第二金屬電極上形成第三電絕緣膜；在所形成的第三電絕緣膜上形成平坦化膜；以及在所形成的平坦化膜上形成陽(yáng)極，所述陽(yáng)極面對(duì)所述半導(dǎo)體層，并且與 所述半導(dǎo)體層隔開(kāi)，所述陽(yáng)極由反射材料制成。
27、 根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，進(jìn)一步包括形成位于所述第一金屬 電極與所述第二金屬電極之間的第三金屬電極，所述第三金屬電極與所述第 一金屬電極和第二金屬電極電絕緣。
28、根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述第三金屬電極被形成在所述第一電絕緣膜上，與所述第一金屬電極和所述第二金屬電極重疊，并且與 所述第一金屬電極和所述第二金屬電極電絕緣。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種光傳感器、平板顯示裝置以及暗二極管和其制造方法。所述光傳感器能夠通過(guò)得到依賴于溫度變化的電流變化并根據(jù)溫度變化對(duì)電流進(jìn)行補(bǔ)償，來(lái)產(chǎn)生僅對(duì)應(yīng)于環(huán)境光的光傳感信號(hào)。所述平板顯示裝置使用該光傳感器。并且所述光傳感器包括光傳感單元，產(chǎn)生與環(huán)境光對(duì)應(yīng)的第一電流和與環(huán)境溫度對(duì)應(yīng)的第二電流；包括暗二極管的溫度補(bǔ)償單元，由于阻斷光的入射而產(chǎn)生與所述第二電流具有相同大小的第三電流，所述第二電流對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度；以及緩沖單元，通過(guò)從所述光傳感單元中產(chǎn)生的第二電流中減去所述溫度補(bǔ)償單元中產(chǎn)生的第三電流，輸出與第一電流具有相同大小的電流所對(duì)應(yīng)的光傳感信號(hào)。
文檔編號(hào)H01L51/42GK101510554SQ20091000414
公開(kāi)日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2009年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月13日
發(fā)明者松枝洋二郎, 金度曄, 金襟男 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社