專利名稱：半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其散熱片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，更特別有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其散熱片的環(huán)形條狀凸部環(huán)繞芯片承座。
背景技術(shù)：
集成電路封裝的型式很多，舉例來說，以引腳連接的型式包含有薄小外接腳封裝(thin small outline package，TSOP)、四方扁平封裝(Quad Flat Package, QFP)等封裝，是由金屬導(dǎo)線架支撐封裝結(jié)構(gòu)，借著兩面或四邊的引腳和電路板相連接。球格數(shù)組(ball grid array,BGA)封裝是經(jīng)由錫球和電路板連接，因此針對(duì)不同的封裝型式，其散熱模式也不盡相同，目前業(yè)界的因應(yīng)方式裝設(shè)散熱片等散熱裝置于封裝結(jié)構(gòu)中，以提高散熱效率。參考圖1，已知半導(dǎo)體封裝構(gòu)造10主要包含一導(dǎo)線架11、一芯片12、一散熱片13及一封膠體14。該芯片12經(jīng)由黏膠15而固定于該導(dǎo)線架11的芯片承座20上，并經(jīng)由焊線(圖未示)電性連接至該導(dǎo)線架11的引腳16。該散熱片13直接貼設(shè)于該芯片承座20的下表面22，用以將該芯片12所產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)至外界。然而，該芯片承座20與該散熱片 13之間常因接觸表面不平整而存有空隙24。由于空隙24狹小使得該封膠體14無法填充于空隙24，因此當(dāng)該半導(dǎo)體封裝構(gòu)造10進(jìn)行可靠度相關(guān)溫度測(cè)試時(shí)，該空隙24會(huì)造成該芯片承座22與該散熱片13之間發(fā)生界面脫層(Delamination)，如圖2所示。舉例來說，已知四方扁平封裝(QFP)的封裝構(gòu)造10經(jīng)潮濕敏感度等級(jí)3(攝氏2600C ) (moisture sensitivity level 3,MSL 3)的測(cè)試時(shí)，該散熱片 13 與該芯片承座22之間就會(huì)出現(xiàn)較大的間隙。在此情況下，該間隙24使該導(dǎo)線架11與散熱片13未能良好接合，進(jìn)而阻礙該芯片12產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至該散熱片13，破壞四方扁平封裝(QFP)的封裝構(gòu)造10的散熱功能。更甚者，過大的間隙不僅會(huì)使封裝結(jié)構(gòu)無法達(dá)到預(yù)期散熱效果，還可能導(dǎo)致整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)遭到損壞。因此，便有需要提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其散熱片，能夠解決前述的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其散熱片的環(huán)形條狀凸部可經(jīng)由環(huán)繞芯片承座而阻止該芯片承座與該散熱片之間空隙向外延伸。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，包含一芯片、一導(dǎo)線架、一散熱片及一封膠體。該導(dǎo)線架包含一芯片承座，其承載該芯片。該散熱片貼設(shè)于該芯片承座上，并包含一本體及一環(huán)形條狀凸部。該本體具有一表面，其中該表面接觸該芯片承座。該環(huán)形條狀凸部配置于該本體的表面上，并環(huán)繞該芯片承座。該封膠體用以包覆該導(dǎo)線架的部分、芯片及散熱片。雖然該芯片承座與該散熱片之間可能會(huì)因接觸表面不平整而存有空隙，但是本發(fā)明的散熱片的環(huán)形條狀凸部可經(jīng)由環(huán)繞該芯片承座而阻止該空隙向外延伸，進(jìn)而阻止該芯片承座與該散熱片之間發(fā)生界面脫層(Delamination)。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯，下文將配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的剖面示意圖，其顯示芯片承座20與該散熱片 13之間存有空隙24。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的該半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的剖面示意圖，其顯示該空隙24造成該芯片 承座22與該散熱片13之間發(fā)生界面脫層片。圖3a及3b為本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的平面及剖面示意圖。圖4a及4b為本發(fā)明的一實(shí)施例的散熱片的平面及剖面示意圖。圖5為本發(fā)明的另一實(shí)施例的散熱片的剖面示意圖。主要組件符號(hào)說明10半導(dǎo)體封裝構(gòu)造 11導(dǎo)線架12芯片13散熱片14封膠體15黏膠16 引腳20 芯片承座22 下表面24 空隙100半導(dǎo)體封裝構(gòu)造 110芯片112 黏膠120導(dǎo)線架122支撐肋條124 芯片承座126 上表面128 引腳130 下表面150 散熱片152 本體154環(huán)形條狀凸部 154’環(huán)形條狀凸部156 上表面158 下表面160 封膠體
具體實(shí)施例方式參考圖3a及3b，其顯示本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100。該半導(dǎo)體封裝 構(gòu)造100包含一芯片110、一導(dǎo)線架120、一散熱片150及一封膠體160。該導(dǎo)線架120包含 四個(gè)支撐肋條122及一芯片承座124，該支撐肋條122連接于芯片承座124的角落，且該芯 片承座124用以承載該芯片110。該芯片110經(jīng)由黏膠112而固定于該導(dǎo)線架120的芯片 承座124的上表面126，并經(jīng)由焊線(圖未示)電性連接至該導(dǎo)線架120的引腳128。該散 熱片150貼設(shè)于該芯片承座124的下表面130，用以將該芯片110所產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)至外界。 該散熱片150包含一本體152及一環(huán)形條狀凸部154。該本體152具有一上表面156及一 下表面158，其中該本體152的上表面156接觸該芯片承座124的下表面130，且該本體152 的下表面158相對(duì)于該本體152的上表面156。該環(huán)形條狀凸部154配置于該本體152的 上表面156，并環(huán)繞該芯片承座124。較佳地，該環(huán)形條狀凸部154鄰近于該芯片承座124。 該封膠體160用以包覆該導(dǎo)線架120、芯片110及散熱片150，并裸露出該導(dǎo)線架120的部分引腳128及該散熱片150的下表面158。雖然該芯片承座124與該散熱片150之間可能會(huì)因接觸表面不平整而存有空隙， 但是本發(fā)明的散熱片150的環(huán)形條狀凸部154可經(jīng)由環(huán)繞該芯片承座124而阻止該空隙向 外延伸，進(jìn)而阻止該芯片承座124與該散熱片150之間發(fā)生界面脫層(Delamination)。參考圖4a及4b，該環(huán)形條狀凸部154配置于該本體152的上表面156。在本實(shí)施 例中，該環(huán)形條狀凸部154可為一矩形條狀凸部，諸如正方形或長(zhǎng)方形條狀凸部。在另一實(shí) 施例中，該環(huán)形條狀凸部154亦可為圓形條狀凸部或橢圓形條狀凸部。該環(huán)形條狀凸部154 的剖面可為矩形。再參考圖4b，在本實(shí)施例中，該環(huán)形條狀凸部154與該本體152可為不同材質(zhì)，且 該環(huán)形條狀凸部154經(jīng)由黏膠(圖未示)固定于該本體152上。該環(huán)形條狀凸部154可為 金屬氧化物所制，且該本體152可為金屬所制。由于金屬氧化物與封膠體160之間的接合 性大于該芯片承座124 (金屬所制)與封膠體160之間的接合性，因此可更有效地阻止該空 隙向外延伸。舉例而言，該環(huán)形條狀凸部154為氧化銅所制，且該本體152為銅金屬所制。 或者，該環(huán)形條狀凸部154為氧化鋁所制，且該本體152為鋁金屬所制。參考圖5，在另一實(shí) 施例中，該環(huán)形條狀凸部154’與該本體152可為同一材質(zhì)，并一體成形被制造。舉例而言， 該環(huán)形條狀凸部154’與該本體152皆為銅金屬或鋁金屬所制。該環(huán)形條狀凸部154’可經(jīng) 由沖壓或鍛造工藝而被制造。雖然本發(fā)明已以前述實(shí)施例揭示，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與修改。因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，包含一芯片；一導(dǎo)線架，包含一芯片承座，其承載該芯片；一散熱片，貼設(shè)于該芯片承座上，并包含一本體，具有一表面，其中該表面接觸該芯片承座；以及一環(huán)形條狀凸部，配置于該本體的表面上，并環(huán)繞該芯片承座；以及一封膠體，用以包覆該導(dǎo)線架的部分、芯片及散熱片。
2.依權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該環(huán)形條狀凸部為一矩形條狀凸部。
3.依權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該矩形條狀凸部為正方形或長(zhǎng)方形條狀 凸部。
4.依權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該環(huán)形條狀凸部為圓形條狀凸部或橢圓 形條狀凸部。
5.依權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該環(huán)形條狀凸部的剖面為矩形。
6.依權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該環(huán)形條狀凸部與該本體為同一材質(zhì)， 并一體成形被制造。
7.依權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該環(huán)形條狀凸部與該本體皆為銅金屬或 鋁金屬所制。
8.依權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該環(huán)形條狀凸部與該本體為不同材質(zhì)， 且該環(huán)形條狀凸部固定于該本體上。
9.依權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該環(huán)形條狀凸部為金屬氧化物所制，且 該本體為金屬所制。
10.依權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中該環(huán)形條狀凸部鄰近于該芯片承座。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一芯片、一導(dǎo)線架、一散熱片及一封膠體。該導(dǎo)線架包含一芯片承座，其承載該芯片。該散熱片貼設(shè)于該芯片承座上，并包含一本體及一環(huán)形條狀凸部。該本體具有一表面，其中該表面接觸該芯片承座。該環(huán)形條狀凸部配置于該本體的表面上，并環(huán)繞該芯片承座。該封膠體用以包覆該導(dǎo)線架的部分、芯片及散熱片。
文檔編號(hào)H01L23/495GK101800208SQ20091000409
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2009年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月11日
發(fā)明者劉俊成, 邱彬鴻 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司