專利名稱：引線框架及其制造方法和受光發(fā)光裝置的制作方法
引線框架及其制造方法和受光發(fā)光裝置
技術(shù)區(qū)域
本發(fā)明涉及引線框架及其制造方法和受光發(fā)光裝置。本發(fā)明特別涉及在長 期使用后也能維持特性的引線框架及其制造方法和受光發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
作為以往的半導(dǎo)體器件中使用的引線框架，曾提出過一種引線框架的技術(shù) 方案，即，在被封裝包圍的區(qū)域的一部分的最表層形成作為反射區(qū)域的銀膜， 同時，在除了已形成銀膜的區(qū)域之外的區(qū)域的最表層形成金或金合金膜(例如
參見日本專利第3940124號公報)。在該專利公報記載的引線框架中，例如， 在該引線框架上搭載發(fā)光元件的場合，形成了銀膜的區(qū)域?qū)陌l(fā)光元件發(fā)射到 引線框架側(cè)的光高效率地反射到引線框架的外側(cè)，因此能夠提高發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在該專利乂>|艮中記載的引線框架，其《艮膜露出到外部，在搭載元件 之前銀就發(fā)生硫化和/或氧化，銀膜的反射率低下。另外，在該專利公報中記 載的引線框架中，即使在搭載了發(fā)光元件之后用樹脂將封裝內(nèi)密封的情況下， 經(jīng)過長時間(例如1年左右)的使用，由于透過樹脂的硫成分和/或氧的作用， 銀膜發(fā)生硫化/或氧化，銀膜的反射率大幅度地降低，這樣的問題已為人們所 公知。
因此，本發(fā)明的目的在于，提供即使在長期使用的情況下也能夠抑制特性 劣化的引線框架及其制造方法和受光發(fā)光裝置。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種引線框架，該引線框架具有基體 材料；在基體材料的一部分上形成的反射層；以及，至少設(shè)置在反射層上并覆 蓋反射層的特性維持層，該特性維持層將反射層與外部隔絕，從而維持反射層 的特性。
另外，本發(fā)明優(yōu)選的是，上述的引線框架，其反射層具有對規(guī)定波長的光 顯示規(guī)定的反射率的特性，其特性維持層在防止反射層的反射率降低的同時，能透過來自外部的被反射層反射的光。而且，本發(fā)明還可以是，反射層含有
Ag而形成，特性維持層由無機類材料形成。再有，無機類材料可以是氟類材 料或者硅類材料。
另外，本發(fā)明還可以是，反射層含有Ag而形成，特性維持層由有機類 材料形成。而且，有機類材料可以是三唑類材料或者硫醇類材料。另外，本發(fā) 明還可以是，反射層含有Ag而形成，特性維持層由Au薄膜形成。
另外，本發(fā)明還可以是，特性維持層按以下所述形成，即，在該引線框架 上搭載半導(dǎo)體元件的工序中，通過由構(gòu)成反射層的Ag和構(gòu)成Au薄膜的Au 的相互擴(kuò)散而產(chǎn)生的合金化，形成和反射層一體化的厚度。或者，特性維持層 也可以含有Au薄膜和在Au薄膜與反射層之間形成的合金層而形成。
再有，本發(fā)明還可以是，特性維持層具有與半導(dǎo)體元件接觸的元件搭載區(qū) 域和在元件搭載區(qū)域的外側(cè)形成的外部區(qū)域，元件搭載區(qū)域與反射層上的一部 分對應(yīng)而形成。另外，還可以是，特性維持層的元件搭載區(qū)域和外部區(qū)域形成 為一體，或者，特性維持層的元件搭載區(qū)域和外部區(qū)域各自獨立地形成。
另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種引線框架的制造方法，該方 法具有下述工序在基體材料的一部分上形成反射層的工序；以及，形成特性 維持層的工序，該特性維持層至少設(shè)置在反射層上并覆蓋反射層，通過將反射 層與外部隔絕而維持反射層的特性。
另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種受光發(fā)光裝置，該受光發(fā)光 裝置具備具有形成了反射層的元件搭載區(qū)域的引線框架；搭載在元件搭載區(qū) 域的受光發(fā)光元件；以及，將受光發(fā)光元件密封的密封構(gòu)件。
發(fā)明效果
采用本發(fā)明的引線框架，即使在長期使用的情況下也能夠抑制特性的劣 化，采用本發(fā)明的引線框架的制造方法，可以制造即使在長期使用的情況下也 能夠抑制特性劣化的引線框架。另外，能夠提供使用本發(fā)明的引線框架的受光 發(fā)光裝置。


圖l是第1實施方式的引線框架的斷面圖。
圖2 (a)是第1實施方式的引線框架的上面的概要圖，(b)是第1實施方式的引線框架的側(cè)面的概要圖，(C)是在第1實施方式的引線框架上搭栽了 半導(dǎo)體元件的狀態(tài)的側(cè)面的概要圖。
圖3 (a)是第1實施方式的改形例的特性維持層和反射層接觸狀態(tài)的界 面的放大圖，(b)是第1實施方式的改形例的特性維持層和反射層形成合金化 的狀態(tài)的放大圖。
圖4是第2實施方式的引線框架的斷面圖。
圖5是第3實施方式的引線框架的斷面圖。
圖6是第4實施方式的引線框架的斷面圖。
圖7是改形例的引線框架的俯^見圖。
符號說明
1、 la、 lb、 lc、ld引線框架
10基體材料
20金屬層
22 阻擋層
24 粘附層
30反射層
40、 42、 44、 46、48特性維持層
術(shù)、42a、 44a、46a、48a 元件^^載區(qū)域
40b、 42b、楊、46b、48b外部區(qū)域
40c、 42c、 44c、46c、48d 連接區(qū)域
50反射器
55封固樹脂
60 半導(dǎo)體元件
65 金屬線
70 —體化層
具體實施例方式
第1實施方式
圖l表示本發(fā)明的第1實施方式的引線框架的斷面圖。 <引線框架1的構(gòu)成>本發(fā)明的第1實施方式的引線框架1具有由引線框架用的原材料形成的 基體材料IO、在基體材料10的表面上形成的金屬層20、在金屬層20的表面 的一部分上形成的反射層30、以及在反射層30上和未形成反射層30的金屬 層20上形成的特性維持層40。另外，本實施方式的金屬層20具有在基體 材料10的表面上形成的阻擋層22、在阻擋層22與反射層30及特性維持層40 之間形成的附著層24。再有，特性維持層40具有搭載半導(dǎo)體元件的元件搭 栽區(qū)域40a、在元件搭載區(qū)域40a的外側(cè)形成的外部區(qū)域40b、和利用金屬線 與半導(dǎo)體元件電連接的區(qū)域40c。再者，在用虛線表示的區(qū)域設(shè)置有反射器50。
基體材料10由作為搭載發(fā)光元件等的半導(dǎo)體元件的引線框架用的原材料 的薄板形成?；w材料10，例如通過對由金屬材料構(gòu)成的薄板進(jìn)行沖壓加工 或腐蝕加工而形成，作為一例，加工成0.1mm至l.Omm的厚度。構(gòu)成基體材 料10的金屬材料，由具有規(guī)定的導(dǎo)熱率和規(guī)定的導(dǎo)電率的金屬材料形成，作 為一例，由銅或者銅合金形成。另外，基體材料10也可以含有鐵等而形成。 再者，發(fā)光元件，作為一例，是在包括紫外線至紅外線領(lǐng)域的波長中發(fā)出規(guī)定 的波長范圍的光的發(fā)光二極管(Light Emitting Diode: LED )。另外，半導(dǎo)體元 件也可以是對于規(guī)定波長的光具有受光敏感性的受光元件。
阻擋層22是在基體材料10的表面上形成，具有作為基底層規(guī)定的厚度。 阻擋層22覆蓋了基體材料10的大致全部表面。阻擋層22抑制或者防止構(gòu)成 基體材料10的元素傳播到阻擋層22的與基體材料IO接觸的表面的相反一側(cè) 的表面方向。阻擋層22,例如含有鎳(Ni)而形成。具體地說，阻擋層22是 通過鍍鎳在基體材料10上形成的鍍鎳層，作為一個例子，形成O.l(im至2.0pm 的厚度。
粘附層24是在阻擋層22的表面上形成，具有規(guī)定的厚度。粘附層24覆 蓋了阻擋層22的大致全部表面。粘附層24由具有良好耐蝕性并具有化學(xué)穩(wěn)定 性的金屬材料形成，作為一個例子，含有鈀(Pd)而形成。具體地說，粘附層 24是通過在阻擋層22上實施鍍鈀而形成的鍍鈀層。作為一個例子，粘附層24 形成0.01|um至0.5)Lim的厚度。
反射層30在粘附層24的表面的一部分上形成，是以規(guī)定的反射率反射規(guī) 定波長范圍的光的金屬層。反射層30在搭載半導(dǎo)體元件的一側(cè)，至少包含搭栽半導(dǎo)體元件的區(qū)域，在與包含從半導(dǎo)體元件發(fā)出的光的照射范圍的至少 一部 分相對應(yīng)的區(qū)域形成。具體地說，在將搭載半導(dǎo)體元件的引線框架1的面規(guī)定 為正面、將搭載半導(dǎo)體元件的表面的相反一側(cè)的表面規(guī)定為背面的情況下，反
射層30在與元件搭載區(qū)域40a和連接區(qū)域40c對應(yīng)的表面的一部分以及將在 引線框架1的大致中央附近形成的元件搭載區(qū)域40a和連接區(qū)域40c分離的離 間部分的端面上形成。但是，不一定必須在端面形成反射層30。即，本實施 方式的反射層30,只要至少在與元件搭載區(qū)域40a和連接區(qū)域40c對應(yīng)的表 面的一部分上形成即可。
本實施方式的反射層30,由對于作為半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件發(fā)出的光的 波長顯示良好的反射率的材料形成。例如，反射層.30由對于紫外和藍(lán)色區(qū)域 的波長的光顯示高反射率的金屬材料形成。具體地說，反射層30含有對波長 400nm至800nm的光顯示大約95 %以上的反射率的Ag。更具體地說，反射層 30是通過在粘附層24的一部分上電鍍而形成的鍍銀層，例如，形成0.5jum至 20pm的厚度。再者，作為反射層30而形成的鍍銀層，可以作為光亮鍍銀層或 無光亮鍍銀層，或者作為具有規(guī)定的致密度的Ag層而形成。
特性維持層40，至少在反射層30上以規(guī)定的膜厚覆蓋反射層30而設(shè)置。 特性維持層40覆蓋了反射層30，防止反射層30與外部直接接觸。而且，由 于特性維持層40覆蓋了反射層30，將反射層30與外部隔絕，從而維持反射 層30所顯示的特性。即，由于特性維持層40阻止大氣等外部或者大氣中等包 含的硫成分或者氧與反射層30接觸，防止了反射層30因硫化或氧化而變質(zhì)。
具體地說，本實施方式的特性維持層40防止反射層30的反射率降低。另 外，特性維持層40能透過反射層30所反射的光，或者至少不吸收反射層30 反射的波長的光的大部分，使這些光傳播。即，特性維持層40由對于反射層 30反射的光基本上透明的材料形成，或者以對于反射層30反射的光基本上透 明的厚度形成。再者，特性維持層40防止反射層30與外部接觸，因此能夠防 止反射層30的機械強度、導(dǎo)熱率和導(dǎo)電率等特性發(fā)生變化。
作為一個例子，第1實施方式的特性維持層40是由金(Au)或Au合金 形成的金屬層。具體地說，特性維持層40是鍍金層，優(yōu)選的是作為金薄膜的 金薄鍍層。作為特性維持層40的金薄鍍層，為了使反射層30所反射的光實質(zhì)上透過，按照反射層30反射的光的波長的1/10以下程度的厚度形成。例如， 在反射層30反射紫外區(qū)域至藍(lán)色區(qū)域(或者藍(lán)綠色區(qū)域)的光的場合，作為 特性維持層40的金薄鍍層按0.0001iLim至0.05fim的厚度形成。再者，作為特 性維持層40的金薄鍍層的厚度，可以根據(jù)反射層30應(yīng)當(dāng)反射的光的波長來決 定。
元件搭載區(qū)域40a是引線框架1的表面一側(cè)的特性維持層40的一部分區(qū) 域，是搭載半導(dǎo)體元件的區(qū)域。具體地說，元件搭載區(qū)域40a在引線框架1的 表面的一部分上形成，在反射層30上形成的特性維持層40中，是包含搭載半 導(dǎo)體元件的區(qū)域，是至少比半導(dǎo)體元件與特性維持層40接觸的區(qū)域更寬廣的 區(qū)域。另外，接觸區(qū)域40c是引線框架1的表面?zhèn)鹊奶匦跃S持層40的一部分 區(qū)域，是為半導(dǎo)體元件供給電力的金屬線的一端電連接的區(qū)域。再有，外部區(qū) 域40b是引線框架1的表面?zhèn)鹊奶匦跃S持層40的一部分區(qū)域，是在元件搭載 區(qū)域40a和連接區(qū)域40c的外側(cè)形成的區(qū)域。這里，在第1實施方式中，元件 搭載區(qū)域40a和外部區(qū)域40b以及連接區(qū)域40c形成為 一體。
再者，作為本實施方式的改形例的特性維持層40的金薄鍍層，在該金薄
鍍層與構(gòu)成反射層30的Ag發(fā)生固相反應(yīng)的場合，金薄鍍層也可以形成與反
射層30—體化的厚度。例如，在該引線框架1上搭載半導(dǎo)體元件的工序中，
對該引線框架1進(jìn)行規(guī)定的熱處理(例如230。C、 30分鐘左右)時，構(gòu)成金薄
鍍層的Au向構(gòu)成反射層30的Ag中固相擴(kuò)散。這樣一來，金薄鍍層的Au就
與Ag發(fā)生合金化?？紤]到該固相擴(kuò)散，金薄鍍層的Au與反射層30的Ag發(fā)
生合金化，也可以形成金薄鍍層，達(dá)到金薄鍍層與反射層30—體化的厚度。
即，通過金薄鍍層與反射層30的Ag的合金化，也可以形成具有作為金薄鍍 層單體不能確認(rèn)的程度的厚度的金薄鍍層。
再有，作為本實施方式的另外的變形例的特性維持層40的金薄鍍層，也 可以在金薄鍍層與反射層30的界面處包含含有Au和Ag的合金層。即，也可 以在金薄鍍層與反射層30的界面處形成金薄鍍層的一部分與反射層30的一部 分發(fā)生合金化而形成的合金層。
圖1中用虛線表示的反射器50,在搭載半導(dǎo)體元件的一側(cè)(反射器50的 表面?zhèn)?具有凹部，同時，在反射器50的背面?zhèn)染哂械撞?。反射?0由具有規(guī)定的耐熱性和規(guī)定的機械強度的絕緣性樹脂材料或陶資材料或者它們的復(fù)
合材料形成。在反射器50由樹脂材料形成的情況下，反射器50可以通過樹脂 成形來形成。
圖2 (a)表示本發(fā)明的第1實施方式的引線框架的上面的概況，(b)表 示第i實施方式的引線框架的側(cè)面的概況，另外，(c)表示在第1實施方式的 引線框架上搭載了半導(dǎo)體元件的狀態(tài)的側(cè)面的概況。
參照圖2 (a)和(b)，本實施方式的引線框架1具有比連接區(qū)域40c更 寬的元件搭載區(qū)域40a。另外，在本實施方式的改形例中，也可以按照元件搭 載區(qū)域40a的面積和連接區(qū)域40c的面積大致相同來形成元件搭載區(qū)域40a和 連接區(qū)域40c。在本實施方式中，從俯^見來看，元件^荅載區(qū)域40a和連"t妻區(qū)域 40c大致形成矩形。再者，在本實施方式的改形例中，元件^搭載區(qū)域40a和連 接區(qū)域40c也可以形成大致多邊形，或者也可以在一部分具有規(guī)定的曲率的圓 弧而形成。
而且，如圖2 (c)所示，在使用引線框架1制造發(fā)光裝置時，在元件搭 載區(qū)域40a上搭載LED等半導(dǎo)體元件60。例如，使用Ag糊等導(dǎo)電性粘合劑 或者AuSn等合金材料，將半導(dǎo)體元件60固定在引線框架1的元件搭載區(qū)域 40a上。然后，半導(dǎo)體元件60的上面電極和連接區(qū)域40c，通過由金線等金屬 材料構(gòu)成的金屬線65進(jìn)行電連接。在第1實施方式中，特性維持層40由金薄 鍍層形成，因此，與將半導(dǎo)體元件60直接結(jié)合在反射層30上相比，半導(dǎo)體元 件60的結(jié)合特性提高。
再有，在反射器50的凹部填充用來密封半導(dǎo)體元件60和金屬線65的樹 脂密封材料。通過進(jìn)行規(guī)定的熱處理，使該樹脂密封材料固化。再者，作為一 個例子，樹脂密封材料使用環(huán)氧樹脂或者硅樹脂等密封樹脂55。再有，在密 封樹脂55中，也可以添加和分散將半導(dǎo)體元件60發(fā)出的光轉(zhuǎn)換成不同波長的 光的規(guī)定的熒光體。所述的熒光體，可以使用氧化物系熒光體或氮化物系熒光 體。例如，如果利用藍(lán)色區(qū)域波長的光進(jìn)行激勵，在密封樹脂55中就可以添 加在黃色區(qū)域具有峰值波長的發(fā)出黃色光的黃色熒光體(例如YAG熒光體)。 另外，代替密封樹脂55,也可以使用低熔點玻璃材料。
圖3 (a)表示本發(fā)明的第1實施方式的改形例的特性維持層和反射層接觸狀態(tài)的界面的放大圖，(b)表示本發(fā)明的第1實施方式的改形例的特性維持 層與反射層發(fā)生合金化的狀態(tài)的放大圖。
首先，如圖3 (a)所示，在反射層30上形成了作為特性維持層40的金 薄鍍層的狀態(tài)，在反射層30上獨立地形成特性維持層40。即，反射層30呈 現(xiàn)Ag的性質(zhì)，同時，特性維持層40呈現(xiàn)Au的性質(zhì)。再者，在圖3 (a)中， 將特性維持層40的厚度表示為t。
反射層30由Ag形成，特性維持層40由Au形成。Ag向Au中固相擴(kuò)散 的速度非?？欤秃孟笤贏g鍍層上引線結(jié)合Au線那樣，在幾秒鐘就完成了。 因此，在規(guī)定的溫度下對特性維持層40和反射層30接觸狀態(tài)的引線框架1 實施規(guī)定時間的熱處理時，由于Au和Ag的相互擴(kuò)散而引起的Au與Ag的合 金化，特性維持層40就與反射層30接合到一起(固相擴(kuò)散接合)。
第1實施方式的改形例的特性維持層40,通過Au和Ag的相互擴(kuò)散，至 少與反射層30接觸的特性維持層40與反射層30形成一體化，成為一體化層 70的厚度。這樣，如圖3 (b)所示，反射層30和特性維持層40發(fā)生合金化， 形成一體化的一體化層70。與反射層30相比，該一體化層70對外部的物質(zhì) 例如空氣中的硫成分、水分和/或氧等的耐性強。另外， 一體化層70的特性(例 如反射率)與反射層30顯示的特性大致相同。再有，半導(dǎo)體元件與一體化層 70的結(jié)合特性也比與反射層30的結(jié)合特性提高。
在第1實施方式的改形例中，按以下所述設(shè)定金薄鍍層的厚度。首先，在 引線框架1上搭載半導(dǎo)體元件60時，設(shè)定使用AuSn等軟釬料連接半導(dǎo)體元 件60的背面和元件搭載區(qū)域40a的場合的熱處理時的熱處理條件(熱處理溫 度和時間)。然后，通過實驗求出在采用設(shè)定的熱處理條件進(jìn)行熱處理后金薄 鍍層消失的厚度t。這樣，設(shè)定由于Au和Ag的相互擴(kuò)散引起的合金化、金薄 鍍層消失的厚度t。
第1實施方式的效果
采用本發(fā)明的第1實施方式的引線框架1，由于在反射層30上覆蓋了特 性維持層40，可以防止反射層30與外部接觸。這樣，可以防止反射層30與 外部的物質(zhì)(例如外部空氣中包含的硫成分和氧)接觸，從而可以防止反射層 30發(fā)生硫化和/或氧化。這樣一來，本實施方式的引線框架1，即使經(jīng)過長期使用，也能防止反射層30的特性發(fā)生劣化。
另外，采用本發(fā)明的第1實施方式的引線框架1，由于在反射層30上覆 蓋了由含Au的材料形成的特性維持層40,可以提高半導(dǎo)體元件60的結(jié)合特 性。再有，采用本發(fā)明的第1實施方式的引線框架1，由于在半導(dǎo)體元件60 中產(chǎn)生的熱通過特性維持層40傳播、釋放到外部，因此耐熱特性提高。
另外，采用第1實施方式的改形例的引線框架，由于反射層30由Ag構(gòu) 成，與反射層30接觸的特性維持層40由金薄鍍層(Au薄膜)構(gòu)成，通過使 反射層30和至少與反射層30接觸的特性維持層40合金化而形成一體化。這 樣，即使在反射層30與外部物質(zhì)接觸的場合，也能夠防止反射層30的特性發(fā) 生劣化。
第2實施方式
圖4表示本發(fā)明的第2實施方式的引線框架的斷面圖。 本發(fā)明的第2實施方式的引線框架la,除了特性維持層42的構(gòu)成不同外， 具有與第1實施方式的引線框架1大致相同的構(gòu)成。因此，除了不同點之外，
詳細(xì)的說明;故省略。
<元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c的構(gòu)成>
第2實施方式的引線框架la，具有至少在反射層30上覆蓋反射層30而 設(shè)置的特性維持層42,特性維持層42的元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c與 外部區(qū)域42b分別由不同的材料形成。具體地說，第2實施方式的元件搭載區(qū) 域42a和連接區(qū)域42c分別由對紫外區(qū)域至近紅外區(qū)域的波長的光實質(zhì)上透明 的無機類材料或有機類材料形成。在第2實施方式中，元件搭載區(qū)域42a和連 接區(qū)域42c與外部區(qū)域42b是各自獨立地形成，不過，在第2實施方式的改 形例中，也可以一體地形成元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c及外部區(qū)域42b。 在此情況下，元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c及外部區(qū)域42b由完全相同的 材料形成。
更具體地說，元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c分別由作為無機類材料的 氟系材料或者硅系材料形成。作為氟系材料，可以舉出氟系表面活性劑或者氟 樹脂等有機氟化物(具有全氟基的化合物)。作為氟系表面活性劑，例如可以 使用住友只卩-工厶抹式會社制造的<乂《、7々>EGC- 1720 (<乂《7夕>是
12注冊商標(biāo))。作為有機氟化合物，例如可以使用作為有才幾氟化合物的Rl - OCH2 -Rf- CH20 - R2 (Rl和R2:官能基(丙烯基、環(huán)氧基或者環(huán)氧丙烯基)、Rf: 全氟基)。
另外，作為硅系材料，可以使用硅樹脂。具體地說，可以使用分子末端用 烷氧基曱硅烷基(ESi-OR， R:有機取代.基)封鎖的烷氧基低聚物經(jīng)過水解 縮合而固化的硅樹脂。其中，有機取代基包括選自曱基、苯基、環(huán)氧基和巰基 中的至少一種。再者，在想要使用不吸收紫外區(qū)域波長的光的硅樹時，優(yōu)選的 是取代基為甲基。
另外，作為硅系材料，也可以使用有效成分中的硅樹脂性分量為50%以 上、基本上不含有機溶劑并且分子末端是硅烷醇基的丙烯基硅乳液。再有，作 為硅系材料，也可以使用具有規(guī)定的折射率、作為光學(xué)樹脂使用的硅樹脂系材 料。例如，可以使用折射率1.3至1.4的硅樹脂。另外，作為光學(xué)樹脂使用的 硅樹脂，可以采用溶膠-凝膠法形成。
另一方面，作為有機系材料，使用通過與構(gòu)成反射層30的Ag發(fā)生螯合 反應(yīng)等而形成有機覆膜的材料。具體地說，作為有機系材料，可以使用作為由 化學(xué)式CH3 ( CH2) nSH表示的硫醇系材料的脂肪族硫醇(烷基硫醇，n = 12 ~ 20)，或者，選自5 -甲基.1H-苯并三唑和/或5， 6-二曱基.1H-苯并三唑 的作為三唑系材:扦的苯并三唑4汙生物。
<元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c的制造方法>
例如，將氟系材料溶解于有機溶劑中，將含有氟系材料的有機溶劑分別涂 布在元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c上，然后除去有機溶劑，即可形成本實 施方式的特性維持層42的元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c。具體地說，可 按以下所述形成本實施方式的元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c。在此，作為 一個例子，敘述使用氟系材料形成元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c的情況。
首先，在基體材料10的表面上形成阻擋層22和粘附層24。然后，在粘 附層24的一部分上形成反射層30。接著，在除了反射層30上以外的區(qū)域， 形成例如由金薄鍍層構(gòu)成的特性維持層42(外部區(qū)域42b),制備引線框架(引 線框架制備工序)。然后，使用丙酮和/或異丙醇等有機溶劑進(jìn)行超聲波清洗(清 洗工序)。清洗后，將該引線框架在100。C左右加熱干燥3分鐘至5分鐘左右(第l干燥工序)。
接著，在該引線框架的形成元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c的區(qū)域，涂 布作為氟系材料的EGC - 1720 (住友X卩-工厶抹式會社制造)(涂布工序)。 然后，將在規(guī)定的區(qū)域了涂布了 EGC- 1720 (住友義卩-工厶株式會社制造) 的引線框架，在6(TC至i20。C的溫度下加熱干燥30分鐘(第2干燥工序)。結(jié) 果，形成了膜厚5nm至10nm左右的特性維持層42 (元件搭載區(qū)域42a和連 接區(qū)域42c)。這樣，形成了具備特性維持層42的引線框架la,該特性維持層 42具有由氟系材料形成的元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c。
將這樣形成的引線框架la和露出反射層的引線框架在室溫下及大氣中放 置315小時。結(jié)果，位于具備特性維持層42的引線框架la的元件搭載區(qū)域 42a和連接區(qū)域42c的下面的反射層30的反射率，在大氣中放置之前和之后 沒有發(fā)生變化。另一方面，在露出反射層的引線框架中，反射層的反射率大幅 度降低。
再者，代替在規(guī)定的區(qū)域涂布EGC- 1720的工序，也可以采用下述工序， 即，在清洗后的引線框架的形成元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c的區(qū)域以外 形成掩蔽層，將形成了掩蔽層的引線框架浸漬在EGC- 1720中，然后以3mm 至4mm/秒的速度提升(浸涂)的工序(涂布工序)。隨后，將浸涂了 EGC-1720 (住友久'J -工厶抹式會社制造)的引線框架，在60。C至120。C的溫度加 熱干燥30分鐘，去除掩蔽層(掩蔽層去除工序)。這樣，形成引線框架la。
另外，在用有機系材料形成特性維持層42的元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū) 域42c的場合，例如在使用脂族硫醇作為特性維持層42的場合，可以采用以 下所述的制造方法。即，首先，在液體石蠟或者聚乙二醇中添加脂族硫醇。接 著，將添加了脂族^琉醇的液體石蠟或者聚乙二醇溶解在乙醇或者三氯乙烷等有 機溶劑中，制備原料溶液。然后，將該原料溶液涂布在規(guī)定的區(qū)域上，即可形 成特性維持層42。
第2實施方式的效果
本發(fā)明的第2實施方式的引線框架la，可以利用無機系材料或者有機系 材料至少將元件搭載區(qū)域40a和連接區(qū)域40c覆蓋住。這樣，可以防止反射層 30與外部接觸，從而防止反射層30的反射率降低，同時，還可以防止反射層30的硫化和/或氧化(變色)。
另外，第2實施方式的引線框架la，可以用無機系材料或者有機系材料 覆蓋住包含與反射器50接觸的區(qū)域的元件搭載區(qū)域40a和連接區(qū)域40c，提 高與通過樹脂成型形成的反射器50的粘附性。這樣，可以提高引線框架la的 可靠性。
第3實施方式
圖5表示本發(fā)明的第3實施方式的引線框架的斷面圖。
第3實施方式的引線框架lb ，除了特性維持層44的構(gòu)成不同之外，具
有與第1實施方式的引線框架1大致相同的構(gòu)成。因此，對于相同之處省略詳
細(xì)i也i兌明。
<特性維持層44的構(gòu)成>
第3實施方式的引線框架lb，具有至少在反射層30上覆蓋反射層30而 設(shè)置的特性維持層44,特性維持層44的元件搭載區(qū)域42a和連接區(qū)域42c的 厚度及外部區(qū)域42b的厚度，各自以不同的厚度形成。具體地說，與元件搭 載區(qū)域44a和連接區(qū)域44c對應(yīng)的特性維持層44的厚度，比與外部區(qū)域44b 對應(yīng)的特性維持層44的厚度要薄。而且，第3實施方式的元件搭載區(qū)域44a 和連接區(qū)域44c,分別以對于從紫外區(qū)域至近紅外區(qū)域的波長的光基本上透明 的厚度形成。
例如，在反射層30的表面上形成掩蔽層，對粘附層24上實施鍍金，從而 在粘附層24上形成規(guī)定厚度的鍍金層。接著，去除在反射層30的表面上形成 的掩蔽層。然后，在反射層30上形成金薄鍍層，就可以形成本實施方式的引 線框架lb。再者，代替在反射層30上形成的金薄鍍層，也可以使用在第2實 施方式中說明的無機系材料或者有機系材料，形成特性維持層44的元件搭載 區(qū)域44a和連4妄區(qū)域44c。
通過以各自的厚度形成元件搭載區(qū)域44a和連接區(qū)域44c及外部區(qū)域44b, 在元件搭載區(qū)域44a和連接區(qū)域44c可以透過M^定波長的光，同時，能夠賦予 防止反射層30與外部接觸的功能，并且，能夠賦予外部區(qū)域44b規(guī)定的機械 強度。這樣，可以提高引線框架lb的構(gòu)成的自由度。
第4實施方式圖6表示本發(fā)明的第4實施方式的引線框架的斷面圖。 第4實施方式的引線框架lc，除了特性維持層46的構(gòu)成不同之外，具有
與第1實施方式的引線框架1大致相同的構(gòu)成。因此，相同之處省略詳細(xì)的說明。
第4實施方式的引線框架lc,具有至少在反射層30上覆蓋反射層30而 設(shè)置的特性維持層46,形成特性維持層46的元件搭載區(qū)域46a的材料和形成 連接區(qū)域46c的材料，由各自不同的材料形成。至少作為元件搭載區(qū)域46a而 形成的特性維持層46，以對于從紫外區(qū)域至近紅外領(lǐng)域的波長的光基本上透 明的厚度形成。另外，在本實施方式的變形例的引線框架lc中，形成元件招: 載區(qū)域46a的材料與形成連接區(qū)域46c的材料相同，另一方面，元件搭載區(qū)域 46a的厚度比連接區(qū)域46c的厚度要薄。
第4實施方式的元件搭載區(qū)域46a,例如是由金薄鍍層形成的金薄膜。另 外，元件搭載區(qū)域46a，也可以使用第2實施方式中所述的無機系材料或者有 機系材料形成。另一方面，連接區(qū)域46c,通過鍍金，作為比元件搭載區(qū)域46a 的特性維持層46厚的Au層形成。例如，在除了與元件搭載區(qū)域46a對應(yīng)的 反射層30之外的反射層30和粘附層24的表面上，通過鍍金形成規(guī)定厚度的 Au層，另一方面，在與元件搭載區(qū)域46a對應(yīng)的反射層30的表面上，通過鍍 覆金薄鍍層形成Au薄膜，從而制成本實施方式的引線框架lc。
改形例
圖7表示本發(fā)明的改形例的引線框架的俯視圖。
改形例的引線框架ld,除了俯^L圖中的形狀與第1至第4實施方式的各 引線框架不同之夕卜，具有與第1至第4實施方式的引線框架中的任一個大致相 同的構(gòu)成。因此，相同之處省略詳細(xì)地說明。
改形例的引線框架lc，其特性維持層48具有元件搭載區(qū)域48a和多個連 接區(qū)域48c及多個外部區(qū)域48b。例如，改形例的引線框架lc,在元件搭載區(qū) 域48a上搭載多個半導(dǎo)體元件，同時，多個半導(dǎo)體元件的每個與多個連接區(qū)域 48c的每個通過金屬線電連接。具體地說，在元件搭載區(qū)域48a上搭載發(fā)出紅 色區(qū)域波長的光的紅色LED和發(fā)出綠色區(qū)域波長的光的綠色LED以及發(fā)出藍(lán) 色區(qū)域波長的光的藍(lán)色LED。而且，紅色LED和綠色LED及藍(lán)色LED與多個連接區(qū)域48c中的任一個分別電連接。這樣，改形例的引線框架ld可以用 來作為白色LED的引線框架。
以上說明了本發(fā)明的實施方式和改形例，但是，上面所述的實施方式和改 形例不是限定權(quán)利要求中所述的發(fā)明。另外，需要注意的是，實施方式和改形 你l中"ijf.曰月的缺;fe的紐厶的A都.； ;一玄^觫決勞曰月^^恭的辜貨所必琉^
權(quán)利要求
1. 引線框架，其特征在于，該引線框架具有基體材料；在該基體材料的一部分上形成的反射層；以及，至少設(shè)置在所述反射層上并覆蓋該反射層的特性維持層，該特性維持層將所述反射層與外部隔絕，從而維持所述反射層的特性。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其中，所述反射層具有對于規(guī)定波 長的光顯示規(guī)定的反射率的上述特性，所述特性維持層防止所述反射層的所述 反射率的降低，同時，能透過所述反射層反射的來自所述外部的所述光。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的引線框架，其中，所述反射層含有Ag而形 成，所述特性維持層由無機系材料形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架，其中，所述無機系材料是氟系材料 或;圭系材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的引線框架，其中，所述反射層含有Ag而形 成，所述特性維持層由有機系材料形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的引線框架，其中，所述有機系材料是三唑系材 料或者疏醇系材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的引線框架，其中，所述反射層含有Ag而形 成，所述特性維持層由Au薄膜形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架，其中，所述的特性維持層，在該引 線框架上搭載半導(dǎo)體元件的工序中，通過構(gòu)成所述反射層的Ag和構(gòu)成所述 Au薄膜的Au的相互擴(kuò)散而產(chǎn)生的合金化，形成為與所述反射層一體化的厚 度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架，其中，所述特性維持層包含所述Au 薄膜以及在所述Au薄膜與所述反射層之間形成的合金層而形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項所述的引線框架，其中，所述特性維持 層具有與半導(dǎo)體元件接觸的元件搭載區(qū)域以及在所述元件搭載區(qū)域的外側(cè)形成的外部區(qū)域，所述元件-搭載區(qū)域與所述反射層上的 一部分相對應(yīng)而形成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線框架，其中，所述特性維持層的所述元件搭載區(qū)域和所述外部區(qū)域形成為 一體。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線框架，其中，所述特性維持層的所述元 件搭載區(qū)域和所述外部區(qū)域各自獨立地形成。
13. 引線框架的制造方法，其特征在于，該制造方法具有下列工序在基 體材料的一部分上形成反射層的工序；以及，形成特性維持層的工序，該特性 維持層至少設(shè)置在所述反射層上并覆蓋所述反射層，將所述反射層與外部隔 絕，從而維持所述反射層的特性。
14. 受光發(fā)光裝置，其特征在于，該裝置具備下列部件具有形成了反射 層的元件搭載區(qū)域的引線框架；搭載在所述元件搭載區(qū)域上的受光發(fā)光元件； 以及，將所述受光發(fā)光元件密封的密封構(gòu)件。
全文摘要
提供了在長期使用的情況下也能抑制特性劣化的引線框架及其制造方法以及受光發(fā)光裝置。本發(fā)明的引線框架具有基體材料；在基體材料的一部分上形成的反射層；以及，至少設(shè)置在反射層上并覆蓋反射層的特性維持層，該特性維持層將反射層與外部隔絕，從而維持反射層的特性。
文檔編號H01L33/62GK101452904SQ20081018165
公開日2009年6月10日 申請日期2008年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月3日
發(fā)明者大沼雄悅, 川野邊直, 御田護(hù) 申請人:日立電線精密株式會社;御田護(hù)