專利名稱：電子器件及其制造方法、發(fā)光二極管顯示單元及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子器件及其制造方法、 一種發(fā)光二極管顯示 單元及其制造方法。
背景技術(shù)：
通過在用于顯示單元的基板上安裝津奇密元件而制造的各種電 子器件的實例是發(fā)光二極管顯示單元。在這種發(fā)光二極管顯示單元 中，發(fā)紅光的二極管用作發(fā)紅光的子像素，發(fā)綠光的二極管用作發(fā) 綠光的子像素，以及發(fā)藍(lán)光的二極管用作發(fā)藍(lán)光的子像素。該發(fā)光 二極管顯示單元根據(jù)這三種類型子像素的發(fā)光狀態(tài)顯示彩色圖像。
發(fā)光二極管顯示單元通常包括多個第一布線，在第一方向上 延伸；多個第二布線，在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及
多個發(fā)光二極管，每個發(fā)光二極管均具有第一連接部和第二連接 部。所述發(fā)光二才及管i殳置在第一布線和第二布線相交疊的區(qū)域上。 每個發(fā)光二極管的第一連接部(一個電極)連接至第一布線并且第 二連接部(另一電極)連接至第二布線。
通常，多個發(fā)光二極管以陣列的方式形成在諸如化合物半導(dǎo)體 基板的基板(下文中也稱為"元件制造基板")上。然后每個發(fā)光 二極管從元件制造基板移動(例如轉(zhuǎn)移)到顯示單元基板。在元件
制造基板上所形成的每個發(fā)光二極管均包括依次形成的n傳導(dǎo)型的 第 一化合物半導(dǎo)體層、活性層和p傳導(dǎo)型的第二化合物半導(dǎo)體層。 此外，p側(cè)電極設(shè)置在第二化合物半導(dǎo)體層上，n側(cè)電極設(shè)置在第 一化合物半導(dǎo)體層上。
例如，具有40英寸對角線的高清晰度(HD)高精細(xì)的全彩色 顯示單元在屏幕的水平方向上包括1920 ^f象素且在屏幕的垂直方向 上包括1080像素。因此，在這種情況下，4寺安裝的發(fā)光二極管的 數(shù)量是1920xl080x(形成單一像素所需的發(fā)光二極管即發(fā)紅光二極 管、發(fā)綠光二極管及發(fā)藍(lán)光二極管的類型數(shù))，即大約6,000,000。 因此，使用一種已知的步進(jìn)轉(zhuǎn)移法(步進(jìn)安裝法)作為在具有40 英寸公稱對角線的顯示單元的基板上安裝如此大量發(fā)光二極管的 方法。在這種步進(jìn)轉(zhuǎn)移法中，以陣列方式形成發(fā)光二極管，使得該 陣列具有尺寸小的于屏幕尺寸，并且將發(fā)光二極管順序地乂人設(shè)置于 發(fā)光二極管陣列上轉(zhuǎn)移至安裝于顯示單元基板上，同時調(diào)整發(fā)光二 才及管的位置。
例如，在日本未審定專利申請公開第2004-273596號和第 2004-281630號中4皮露了這種步進(jìn)轉(zhuǎn)移法。在這些未審定專利申諱-公告中所披露的技術(shù)中，使用其上具有壓敏粘合層的顯示單元基 板。基本上，在形成于元件制造基板上的多個發(fā)光二極管中，在發(fā) 光二極管與元件制造基板分離的狀態(tài)下，將預(yù)定的發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移 至轉(zhuǎn)移基板。隨后，將發(fā)光二極管從設(shè)置于轉(zhuǎn)移基板上轉(zhuǎn)移至嵌入 于顯示單元基板的壓敏粘合層中，使得發(fā)光二極管從此處部分地突 出。然后，利用輥子等將發(fā)光二極管深深地嵌入到壓每文粘合層中。 從而，將發(fā)光二4及管安裝于顯示單元基4反上(例如參見日本未審定
專利申請公開第2004-273596號的
段以及日本未 審定專利申請公開第2004-281630號的
段和
段)。
為了制造如上所述的發(fā)光二極管顯示單元，將發(fā)光二極管以預(yù) 定的間隔和節(jié)距安裝于顯示單元基板上。然后在基板的整個表面上 形成第 一絕緣層。隨后在第 一絕緣層中在對應(yīng)于發(fā)光二極管電極上 部的位置形成第一開口 ，并且在第一絕緣層上形成連4妄于電才及的第 一布線。接著，將包括第一布線的第一絕緣層用介于其與固定基板 之間的粘合劑粘結(jié)至固定基板。隨后，通過例如激光切除法將發(fā)光 二極管與顯示單元基板分離，并且在整個表面上形成第二絕緣基 板。然后，在第二絕緣層中在對應(yīng)于發(fā)光二極管另一電極上部的位 置形成第二開口 ，并且在第二絕緣層上形成連接于另一電極的第二 布線。將第一布線和第二布線連接至驅(qū)動電路，從而制造出現(xiàn)有技 術(shù)中的發(fā)光二才及管顯示單元。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，這種發(fā)光二4及管顯示單元的制造包括大量的步驟， 以建立一個電才及與第一布線之間的連4矣以及另一電才及與第二布線 之間的連孑妄。
這就需要提供一種電子器件及其制造方法、 一種發(fā)光二極管顯 示單元及其制造方法，它們具有一種構(gòu)造或結(jié)構(gòu)，其中設(shè)置于各種 元件上的連才妄部和布線能夠可靠且相對容易;也連4妄，而無需4丸4亍大 量的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種電子器件，該電子器件包括 (A)基體，其上具有第一布線；(B)柔性膜，其上具有第二布線； (C)多個元件，每個元件包括第一連接部和第二連接部；以及(D) 粘合劑層，其中，在第一連接部與第一布線接觸、第二連接部與第二布線接觸及張力施加于膜的狀態(tài)下，各元件被夾在基體與膜之 間，并且在這種狀態(tài)下，基體和膜用粘合劑層粘結(jié)在一起。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種發(fā)光二極管顯示單元，該發(fā)
光二極管顯示單元包括(A)基體，其上具有多個第一布線；(B) 柔性膜，其上具有多個第二布線；(C)多個發(fā)光二極管，每個發(fā)光 二極管包括第一連接部和第二連接部；以及(D)粘合劑層，其中， 在第 一連接部與 一個第 一布線接觸、第二連接部與 一個第二布線接 觸及張力施加于膜的狀態(tài)下，各發(fā)光二極管被夾在基體與膜之間， 并且在這種狀態(tài)下，基體和膜用粘合劑層粘結(jié)在一起。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種電子器件的制造方法，該方 法包括以下步驟制備(A')其上具有第 一布線和粘合劑層的基體、 (B')其上具有第二布線的柔性膜、以及(C')各自包括第一連接 部和第二連接部的多個元件；(a)將元件設(shè)置在基體上，以便各元 件的第一連接部與第一布線接觸；以及隨后(b)將元件夾在基體 與膜之間，以便各元件的第二連接部與第二布線接觸且張力施加于 膜，并且在保持這種狀態(tài)的同時用粘合劑層粘結(jié)基體和膜。
才艮據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了 一種發(fā)光二極管顯示單元的制造 方法，該方法包括以下步驟制備(A')其上具有多個第一布線和 粘合劑層的基體、(B')其上具有多個第二布線的柔性膜、以及(C') 各自包括第一連接部和第二連接部的多個發(fā)光二極管；(a)將發(fā)光 二極管設(shè)置在基體上，以便各發(fā)光二極管的第 一連接部與 一個第一 布線接觸；以及隨后(b)將發(fā)光二極管夾在基體與膜之間，以便 各發(fā)光二極管的第二連接部與一個第二布線接觸且張力施加于膜， 并且在保持這種狀態(tài)的同時用粘合劑層粘結(jié)基體和膜。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的電子器件的制造方法或發(fā)光二極管顯示單元的制造方法中，可以將預(yù)定的元件或發(fā)光二才及管(下文中，
這些一般被稱為"元件等")從位于元件制造基板(其上形成有多 個元件等)上轉(zhuǎn)移至附著于中繼基板，隨后可以將附著于中繼基板 的元件等設(shè)置于粘合劑層上，并且可以使元件等與第 一布線接觸， 乂人而〗吏第 一連4妄部4妄觸第 一布線。
中，元件可以是發(fā)光二才及管(LED)。在才艮l居本發(fā)明優(yōu)選實施例的 電子器件或電子器件的制造方法中，或者在才艮據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例 的發(fā)光二極管顯示單元或發(fā)光二極管顯示單元的制造方法中(在下 文中，這些通?？梢院喎Q為"本發(fā)明的實施例")，黑色矩陣層優(yōu)選 地設(shè)置在位于面對膜的基體內(nèi)表面上的且未設(shè)置元件等的區(qū)域上。 更優(yōu)選地，絕緣膜進(jìn)一步設(shè)置在黑色矩陣層上和基體內(nèi)表面上。在 本發(fā)明的實施例中，凸透4竟優(yōu)選地設(shè)置在位于基體外表面上的位置 處，該外表面與面對膜的基體內(nèi)表面相對，而且來自元件等的光發(fā) 射至該位置。取代在基體內(nèi)表面上形成黑色矩陣層，黑色矩陣層可 以形成在基體外表面上的區(qū)域上，該區(qū)域是來自元件等的光所發(fā)射 到的區(qū)i或之外的區(qū)i或。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，當(dāng)與膜粘結(jié)之前第一布線和基體的 總厚度(即基體的總厚度)用、表示、與膜粘結(jié)之后第一布線和基 體的總厚度用t、表示、與基體粘結(jié)之前第二布線和膜的總厚度(即 膜的總厚度)用b表示、與基體粘結(jié)之后第二布線和膜的總厚度用 t、表示、在粘結(jié)之前的粘合劑層的厚度用Udh表示、并且各元件等 的厚度用tD表示時，則可以滿足下列關(guān)系式
<formula>complex formula see original document page 10</formula>在公式(1 )中，滿足t、 S t！ , t'2 < t2,且tAdh < tD。此外,優(yōu)選地， 滿足t、〈t、。這里，各厚度t、和t'2是與元件等接觸的部分或區(qū)域的厚度。
在下面的描述中，基體可以稱為"安裝基體"，并且膜可以稱 為"安裝膜"。
這里，當(dāng)At = tD - tAdh時，公式(1 )可以變成公式(1'):
<formula>complex formula see original document page 11</formula>(1') 即，至少安裝基體和安裝膜中之一在粘結(jié)之后優(yōu)選地變形，從而在 張力施加于安裝膜(張應(yīng)力存在于安裝膜中)的狀態(tài)下將安裝基體 和安裝膜用粘合劑層粘結(jié)時，包括第一布線厚度的安裝基體的厚度 t、和包括第二布線厚度的安裝膜的厚度t'2之和比包括第 一布線厚度 的原始安裝基體的總層厚度、和包括第二布線厚度的原始安裝膜的
總層厚度12之和小約At。 (t,+t2)的值粗略地等于(t',+t'2 + At)
的值。然而，更具體地說，公式(r)意味著滿足關(guān)系式<formula>complex formula see original document page 11</formula>。
在本發(fā)明的實施例中，例如，當(dāng)安裝基體由膜構(gòu)成時，安裝膜 和構(gòu)成安裝基體的膜的厚度和/或彈性模量優(yōu)選地互不相同，以便優(yōu)
化t、和t'2的值。在這樣的情況下， 一種因大變形而具有4交大厚度或
具有較低彈性模量的膜的布線寬度優(yōu)選地設(shè)計成大于各元件等的 寬度，從而形成一種賦予該布線光抽取功能的結(jié)構(gòu)(例如， 一種布 線也用作光抽取4竟的結(jié)構(gòu))。另一方面，另一種因小變形而具有4交 小厚度或具有較高彈性模量的膜的布線寬度優(yōu)選地設(shè)計成小于各 元件等的寬度，從而允許光從所述膜的側(cè)面發(fā)出。
當(dāng)元件等被夾在安裝基體與安裝膜之間以便各元件等的第二 連4妾部與第二布線接觸且張力施加于該安裝膜時，為防止氣泡的產(chǎn) 生或混合，例如，將元件等優(yōu)選地在真空氣氛下夾在安裝基體與安 裝膜之間。可替換地，利用干燥層壓機將元件等優(yōu)選地夾在安裝基 體與安裝膜之間。用粘合劑層將基體粘結(jié)至膜的方法的實例包括一
種使用包括加熱單元的層壓壓力裝置的方法、以及一種使用包括加 熱單元的層壓4昆裝置的方法。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的電子器件及其制造方法中，元件的實例
不^f又包括發(fā)光二才及管(LED),而且包括其它發(fā)光元件，諸如半 導(dǎo)體激光器和電致發(fā)光(EL)元件；光接收元件，諸如光電二極管、 CCD傳感器、和MOS傳感器；以及電子元件，諸如IC芯片和LSI 芯片。除半導(dǎo)體元件(諸如發(fā)光元件、光接收元件、和電子躍遷元 4牛(electron transit element))之夕卜，元4牛的實例包4舌壓電元4牛、熱 電元件、光學(xué)元件(諸如使用非線性光學(xué)晶體的第二諧波發(fā)生元 件)、介電元件(包括鐵電體元件)、以及超導(dǎo)元件。另外，元件的 實例還包括用于各種微型機電系統(tǒng)(MEMS)(諸如光學(xué)編碼器) 的^r密部件和元件。
元件等的尺寸(例如，芯片尺寸)同樣沒有具體限制。元件等 通常具有非常小的尺寸。更具體地iJi,元件等具有例如lmm或更 小、0.3mm或更小、或者0.1mm或更小的尺寸。電子器件(或發(fā) 光二極管顯示單元)包括多個元件等。例如，元件等的數(shù)量、類型、 安裝(布置)、和間距是根據(jù)電子器件的應(yīng)用和功能、電子器件或 發(fā)光二極管顯示單元所需的技術(shù)要求等來確定的。
在本發(fā)明的實施例中，安裝膜的實例包括聚醚砜(PES)膜、 聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)膜、聚酰亞胺(PI)膜、及聚對苯二 甲酸乙二醇酯(PET)膜。安裝基體的實例包括上述各種膜；玻 璃基板；通過將上述膜粘結(jié)至玻璃基板而制備的基板；其上具有聚 酰亞胺樹脂層、丙烯酸樹脂層、聚苯乙烯樹脂層、或硅樹脂橡膠層 的玻璃基板?？商鎿Q地，玻璃基板可以用金屬基板或塑料基板代替。
在才艮據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光二極管顯示單元中或者其制造方 法中，多個第一布線中的每一個整體為帶狀且在第一方向上延伸。多個第二布線中的每一個整體為帶狀且在不同于第一方向的第二 方向上(例如，在垂直于第一方向的方向上)延伸。整體為帶狀的 布線可以包4舌帶^)犬的主布線以及各/人主布線延伸的多個分支布線。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的電子器件中及其制造方法中，第 一布線 包括多個布線，且每個布線在第一方向上作為整體延伸。第二布線 也包括多個布線，且每個布線作為整體在不同于第一方向的第二方 向上(例如，在垂直于第一方向的方向上)延伸?？?#換地，第一
布線可以包^舌共用布線(共用電才及)，第二布線可以包^"多個布線， 且各布線作為整體可以在一個方向上延伸?？商?奐地，第一布線可 以包括多個布線，各布線作為整體在一個方向上延伸，且第二布線 可以包4舌共用布線(共用電才及)?？商?灸;也，第一布線可以包4舌共 用布線C共用電極)，且第二布線也可以包括共用布線C共用電極)。 例如，布線可以包^舌主布線以及乂人主布線延伸的多個分支布線。
第一布線和第二布線的材料的實例包括金屬，諸如金(Au)、 4艮(Ag )、 4同(Cu )、 4巴(Pd )、 4白(Pt )、 4各(Cr )、 4臬(Ni )、 4呂(Al )、 鉭(Ta)、鴒(W)、 4太(Ti)、銦(In)、以及錫(Sn);含有這些金 屬元素的合金；由這些金屬中的任一種制得的導(dǎo)電顆粒；以及由含 有這些金屬元素的合金制得的導(dǎo)電顆粒。可替換地，每個第一布線 和第二布線可以為包括層(含有這些元素)的層壓結(jié)構(gòu)。第一布線 和第二布線的材料的實例還包括有機材料(導(dǎo)電聚合物)，諸如聚 (3，4-乙烯基二氧p塞吩)/聚苯乙烯碌酸(PEDOT/PSS)。形成第一 布線和第二布線的方法取決于構(gòu)成這些布線的材料。所述方法的實 例包括物理氣相沉積法(PVD法)；化學(xué)氣相沉積法(CVD法)， 諸如金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法；旋涂法；印刷法，諸 如絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法、膠j反印刷法、以及照相凹;f反式印刷法； 涂布法，諸如氣刀涂布法、刮刀涂布法、4干涂布法、；旋刀涂布法、 才齊壓涂布法、逆轉(zhuǎn)輥涂布法、轉(zhuǎn)印輥涂布法、照相凹版式涂布法、
吻合涂布法、4壽涂法、噴涂法、狹縫涂布法、壓延涂布法、以及浸
漬法；壓印法；提升法；蔭罩法；鍍覆法，諸如電解鍍覆法、化學(xué) 鍍法、及這些方法的組合；以及噴涂法。根據(jù)需要，這些方法可以 與圖案化技術(shù)相結(jié)合來使用。PVD法的實例包括
(a )真空沉積法， 諸如電子束加熱法、電阻加熱法、及閃蒸法；
(b)等離子體沉積法；
(c) 濺射法，諸如雙極賊射法、DC濺射法、DC》茲控管濺射法、 RF '減射法、磁控管'減射法、離子束賊射法、及偏壓'減射法；以及
(d) 離子鍍覆法，諸如直流(DC)法、RF法、多陰極法、活性反 應(yīng)法、電場蒸發(fā)法、RF離子鍍覆法、及活性離子鍍覆法。第一布 線的材^牛和第二布線的材料可以相同或不同。
在本發(fā)明的實施例中，短語"安裝膜是柔性的"意思是，在張 力施加于安裝膜的狀態(tài)下(在張應(yīng)力存在于安裝膜中的狀態(tài)下)， 安裝膜可變形至元件等可被夾在安裝基體與安裝膜之間的程度。在 某些情況下粘合劑層可以設(shè)置在安裝膜上。可替換地，粘合劑層可 以設(shè)置在安裝膜和安裝基體兩者上。
絕緣膜的材料的實例包括無機絕緣材料，諸如氧化硅材料、 氮化硅(SiNy)、及金屬氧化物高介電絕緣膜；以及有機絕緣材料， 諸如聚曱基丙烯酸曱酯(PMMA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、及聚 乙烯醇(PVA)。這些材沖?？梢越M合4吏用。氧化石圭材并牛的實例包括 硅氧化物(SiOx )、氮氧化硅(SiON )、旋涂式玻璃(SOG )、及低 介電常數(shù)SiOx材料(諸如聚芳基醚、環(huán)狀全氟化碳聚合物、苯并 環(huán)丁烯、環(huán)狀碳氟樹脂、聚四氟乙烯、氟代芳基醚、氟代聚酰亞胺、 無定形石灰、及有才幾SOG )。形成絕纟彖力莫的方法的實例包括上述的PVD 法、CVD法、旋涂法、上述的印刷法、上述的涂布法、浸漬法、鑄 涂法、以及噴涂法。
黑色矩陣層的材料的實例包括碳、金屬薄膜(諸如鉻、鎳、 鋁、鉬、或其合金)、金屬氧化物(諸如氧化鉻)、金屬氮化物(諸
如氮化鉻)、耐熱有機樹脂、玻璃膠、以及含有導(dǎo)電顆粒(如黑色 顏料)或銀顆粒的玻璃膠。黑色矩陣層可以根據(jù)所用材料通過適當(dāng)選沖奪的方法來形成。例如，可以通過如下方法來形成黑色矩陣層 將真空沉積法或濺射法與蝕刻法組合；將真空沉積法、賊射法、或 旋涂法與提升法組合；印刷法；或平版印刷技術(shù)。凸透鏡的材料的 實例包括丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、以及硅橡膠。形成(設(shè)置)凸透 鏡的方法的實例包括回流法、灌裝法、壓印法、光刻法、蝕刻法、 及印刷法。
下面將描述在安裝基體上設(shè)置元件等的具體方法以及在粘合 劑層上設(shè)置元件等的具體方法。在電子器件中，多個元件可以規(guī)則 或不規(guī)則地設(shè)置在安裝基體上。元件可以規(guī)則或不規(guī)則地設(shè)置在粘 合劑層上。相反，在發(fā)光二極管顯示單元中，多個發(fā)光二極管規(guī)則 地設(shè)置在安裝基體上且規(guī)則地設(shè)置在粘合劑層上。
在本發(fā)明的包括上述優(yōu)選結(jié)構(gòu)的實施例中，粘合劑層的材料的 實例包括通過照射能量光束而顯示粘合功能的材料，所述能量光 束諸如光(尤其是，例如紫外線)、放射性射線(諸如X射線)、或 電子束；以及通過受熱、受壓等而顯示粘合功能的材料。粘合劑層 的材料沒有特別限制，只要這些材料用任何方法能顯示粘合功能即 可。易于形成粘合劑層并顯示粘合功能的材料的實例包括樹脂粘合 劑層，具體地說，由感光粘合劑、熱固性粘合劑、以及熱塑性粘合 劑制得的層。感光粘合劑的實例包括公知的感光粘合劑。其具體實 例包括負(fù)性感光粘合劑，諸如聚乙烯肉桂酸和聚乙烯疊氮亞節(jié)基(azidobenzal),其中通過光致交聯(lián)反應(yīng)所暴露部分幾乎不溶于顯影 溶液，以及丙烯酰胺，其中通過光致聚合反應(yīng)所暴露部分幾乎不溶 于顯影溶液；以及正性感光粘合劑，i者如o-鄰醌疊氮4b物-酚醛
(o-quinonediazide-novolak )樹脂，其中鄰醌疊氮化物基團通過光 降解作用產(chǎn)生羧酸并且樹脂變得易溶于顯影溶液中。熱固性粘合劑 的實例包括公知的熱固性粘合劑。其具體實例包括環(huán)氧樹脂、酚 醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺曱醛樹脂、非飽和聚酯樹脂、聚氨酯 樹脂、以及聚酰亞胺樹脂。此外，熱塑性粘合劑的實例包括公知的 熱塑性粘合劑。其具體實例包括聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚 氯乙烯樹脂、及聚酰胺樹脂。例如，當(dāng)使用感光粘合劑時，通過用 光或紫外線照射粘合劑層可以賦予該粘合劑層粘合作用。當(dāng)使用熱 固性粘合劑時，通過用熱4反、烘箱、熱壓裝置、加熱輥等加熱粘合 劑層可以賦予該粘合劑層粘合作用。當(dāng)使用熱塑性粘合劑時，通過 選擇性地加熱粘合劑層的一部分，例如通過光照射以熔化所述部分 并JU武予流動性，隨后冷卻該粘合劑層，可以f武予該粘合劑層粘合 作用。另外，粘合劑層的其它實例包括壓敏粘合劑層(由丙烯酸樹 脂等制成)、及原本就具有粘合作用且僅形成一層而無需進(jìn)一步處 理就顯示粘合作用的層。
電子器件的實例包括發(fā)光二極管顯示單元、包括發(fā)光二極管的 背光源、發(fā)光二極管照明系統(tǒng)、以及EL顯示單元。電子器件不受 具體限制，并且可以是便攜式電子器件或非便攜式電子器件。其具 體實例包括蜂窩電話、移動裝置、機器人、個人電腦、汽車用具、 以及家用電器。例如，由氮化物基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的二 極管可以用作紅色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管、及藍(lán)色發(fā)光二相^ 管。例如，由AlGalnP化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的二極管可以用作紅色發(fā) 光二極管。
目前，很難制造超過公稱2英寸的大直徑基板來作為其上制造 GalnN發(fā)光二極管的元件制造基板。也4艮難制造超過公稱3英寸的 大直徑基板來作為其上制造AlGalnP發(fā)光二極管的元件制造基板。 從而，例如，使用公稱直徑2英寸的藍(lán)寶石基板作為元件制造基板 來制造藍(lán)色發(fā)光二極管和綠色發(fā)光二極管，并且使用公稱直徑3英 寸的GaAs基板作為元件制造基板來制造紅色發(fā)光二極管。例如， 當(dāng)制造26英寸對角線的發(fā)光二才及管顯示單元時，需要在具有650 mmx 550mm尺寸的顯示單元基板上安裝藍(lán)色發(fā)光二極管、綠色發(fā) 光二極管、及紅色發(fā)光二極管。
為了生產(chǎn)這樣的發(fā)光二極管顯示單元，當(dāng)采用上述的步進(jìn)轉(zhuǎn)移 法時，需要將發(fā)光二極管從元件制造基板移動(例如轉(zhuǎn)移)到安裝 基體上，例如，不少于24xl0x (發(fā)光二極管的三種類型)=720 次。在一次移動(轉(zhuǎn)移)中，多個發(fā)光二極管被移動(轉(zhuǎn)移)。將 在下面詳細(xì)描述發(fā)光二極管移動的次數(shù)。從而，需要高精度和高生 產(chǎn)能力的安裝裝置，導(dǎo)致不僅增加了發(fā)光二極管顯示單元的制造成 本，而且增加了發(fā)光二極管顯示單元的制造難度。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，例如，才是供了一種方法，包括以下步驟 (1)制備多個元件中間體結(jié)構(gòu)，其中元件中間體(用于在后續(xù)步 驟中通過分離而得到元件等)形成在元件制造基板上；(2)將各元 件中間體結(jié)構(gòu)中的元件中間體臨時固定在臨時固定基板上；(3 )從 元件中間體上移除包含于各元件中間體結(jié)構(gòu)中的元件制造基板；
(4)分離臨時固定在臨時固定基板上的元件中間體，從而獲得多 個元件等；以及(5)將臨時固定在臨時固定基板上的多個元件等 設(shè)置到安裝基體上。
上述步驟(5)可以包括以下步驟(5-1 )將已經(jīng)臨時固定在臨 時固定基板上的多個預(yù)定元件等臨時固定在中繼基板上；以及(5-2 ) 將臨時固定在中繼基板上的元件等設(shè)置到安裝基體上。
將已經(jīng)臨時固定在臨時固定基板上的多個預(yù)定元件等臨時固 定到中繼基板上的方法的實例是一種允許將元件等提前粘附到形 成于中繼基板上的微壓敏層的方法。將已經(jīng)臨時固定在中繼基板上 的元件等設(shè)置到安裝基體上的方法或者將元件等設(shè)置(移動或轉(zhuǎn) 移)到安裝基體的粘合劑層上的方法將在下面進(jìn)行描述。
在這種情況下，在步驟(5-2)中，更具體地說，在將已經(jīng)臨時 固定于中繼基板上的元件等設(shè)置(移動或轉(zhuǎn)移)到粘合劑層上之后， 元件等優(yōu)選地與第 一布線接觸。
元件中間體的形狀、構(gòu)造、及結(jié)構(gòu)取決于元件等的類型，然而， 元件中間體的實例是薄膜。元件制造基板不受具體限制，只要該基 板上適合于制造元件等即可。例如，當(dāng)元件是藍(lán)色發(fā)光二極管或綠 色發(fā)光二極管時，藍(lán)寶石基板可以用作元件制造基板。例如，當(dāng)元 件是紅色發(fā)光二極管時，GaAs基板可以用作元件制造基板。即， 當(dāng)使用前一元件制造基板時，元件中間體是包括GalnN化合物半導(dǎo) 體層的層壓體。當(dāng)使用后一元件制造基板時，元件中間體是包括 AlGalnP化合物半導(dǎo)體層的層壓體。制造元件中間體的方法可以根 據(jù)元件等的類型確定。最終從元件制造基板獲得的元件等的數(shù)量及 元件中間體結(jié)構(gòu)的數(shù)量可以從包含于電子器件或發(fā)光二極管顯示 單元中的元件等的數(shù)量來適當(dāng)確定。
臨時固定基板或下面所描述的支撐基板的材料的實例包括玻 璃板、金屬板、合金板、陶瓷板、及塑料板。將多個臨時固定基板 固定于支撐基板的方法、以及將元件中間體結(jié)構(gòu)的元件中間體臨時
接法、半導(dǎo)體連接法、以及金屬-半導(dǎo)體連接法。從元件中間體上移 除元件制造基板的方法的實例包括激光消融法、加熱法、以及蝕刻 法。分離多個元件中間體的方法的實例包括濕蝕刻法、干蝕刻法、 激光照射法、以及切割法。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的電子器件或發(fā)光二極管顯示單元中，在 元件等的第 一連接部與第 一布線接觸、元件等的第二連接部與第二 布線接觸、以及張力施加于膜的狀態(tài)下，各元件等被夾在基體與膜 之間。此外，在這種狀態(tài)下，基體和膜通過粘合劑層粘結(jié)在一起。
元的制造方法中，將元件等夾在基體與膜之間，以便元件等的第二 連接部與第二布線<接觸且張力施加于膜，并且在保持這種狀態(tài)的同時用粘合劑層粘結(jié)基體和膜。從而，與現(xiàn)有才支術(shù)不同，不需在將元 件等安裝于顯示單元基板上之后形成布線。這種方法不包括許多步 驟，例如，在將元件等安裝于元件顯示基板上之后形成布線的步驟 是不需要的。從而，_沒置于元件等上的連接部可以以高度可靠性可 靠地且相對容易地連接至布線。
在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的電子器件的制造方法或發(fā)光二極管顯示單元的制造方法中，將元件中間體臨時固定于臨時固定基板 上，將元件制造基板從元件中間體上移除，以及隨后將臨時固定于 臨時固定基板上的多個元件中間體分離以獲得單個的元件等。因 此，獲得元件等之后的狀態(tài)等同于制造元件等的狀態(tài)，好像臨時固當(dāng)于幾個元件制造基板的尺寸)。從而，不需從元件制造基板上移 動(例如轉(zhuǎn)移)元件等?？梢詼p少將元件等從臨時固定基板移動(例 如轉(zhuǎn)移)到安裝基體的次數(shù)。此外，當(dāng)通過分離元件中間體而獲得 元件等時，與在分離之后設(shè)置元件等的情況相比，可以獲得高位置 精度。從而，可以在不使用具有高精度和高生產(chǎn)能力的安裝裝置的 情況下，將元件等從臨時固定基板移動(例如轉(zhuǎn)移)到安裝基體上。 結(jié)果，不會引起元件等制造成本的增加，而且可以很容易進(jìn)行安裝 有大量元件等的單元或發(fā)光二極管顯示單元的制造。
元件等是通過分離臨時固定于臨時固定基板上的多個元件中 間體而獲得的。因此，在分離之后4呆留在臨時固定基玲反上的元件等 的位置精度取決于分離元件中間體的工藝精度，而不取決于將元件 中間體臨時固定于臨時固定基板上時的位置精度。從而，可以在不 使用具有高精度和高生產(chǎn)能力的安裝裝置的情況下，將元件中間體 從元件制造基板移動到臨時固定基板。


圖1A是才艮據(jù)第一實施例的電子器件或發(fā)光二才及管顯示單元的 示意性局部截面圖IB是示出了才艮據(jù)第一實施例的第一布線和第二布線的布局 的一見圖2A是根據(jù)第 一 實施例的安裝膜的示意性局部截面圖2B是根據(jù)第 一 實施例的安裝基體的示意性局部截面圖3A是元件(發(fā)光二極管)的示意性截面圖3B是示出了從上方觀察的安裝膜粘結(jié)于安裝基體的狀態(tài)的 示意圖4A至圖4C是元件等的示意性局部端視圖，示出了第一實 施例的電子器件的制造方法或發(fā)光二極管顯示單元的制造方法；
圖5A和圖5B是在第一實施例的電子器件的制造方法或發(fā)光 二極管顯示單元的制造方法中，在執(zhí)行圖4C所示的過程之后，元 件等的示意性局部端^L圖5C是在[步驟-130]中所獲得的發(fā)光二極管的示意性局部放 大截面圖6A和圖6B是在第一實施例的電子器件的制造方法或發(fā)光 二極管顯示單元的制造方法中，在執(zhí)行圖5B所示的過程之后，元 件等的示意性局部端^L圖7A和圖7B是在第一實施例的電子器件的制造方法或發(fā)光 二極管顯示單元的制造方法中，在執(zhí)行圖6B所示的過程之后，元 件等的示意性局部端視圖8是在第 一 實施例的電子器件的制造方法或發(fā)光二極管顯示 單元的制造方法中，在4丸行圖7B所示的過程之后，元件等的示意 性局部端—見圖9A和圖9B是元件等的示意性平面圖，示出了第二實施例 的電子器件的制造方法或發(fā)光二極管顯示單元的制造方法；
圖IOA和圖IOB是在第二實施例的電子器件的制造方法或發(fā) 光二極管顯示單元的制造方法中，在寺丸4亍圖9B所示的過程之后， 元件等的示意性平面圖IIA和圖IIB是在第二實施例的電子器件的制造方法或發(fā)光 二極管顯示單元的制造方法中，在執(zhí)行圖IOB所示的過程之后，元 件等的示意性平面圖12A和圖12C是根據(jù)改進(jìn)的第一實施例的安裝膜的示意性 局4卩截面圖；以及
圖12B和12D是根據(jù)改進(jìn)的第一實施例的安裝基體的示意性 局部截面圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖利用實施例來描述本發(fā)明。 第一實施例
第 一 實施例涉及才艮據(jù)本發(fā)明實施例的 一種電子器件及其制造 方法，以及才艮據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二才及管顯示單元及其制造 方法。在第一實施例中，發(fā)光二極管用作元件。因此，在下文的描 述中，可以使用術(shù)語"發(fā)光二極管"來代替術(shù)語"元件"。從而， 當(dāng)術(shù)語"發(fā)光二極管"用于下文的描述時，該術(shù)語原則上包括"元 件"的含義。
圖1A是根據(jù)第一實施例的電子器件或發(fā)光二極管顯示單元的 示意性局部截面圖。圖1B示出了第一布線和第二布線的布局。圖 2A是安裝膜的示意性局部截面圖。圖2B是安裝基體的示意性局部 截面圖。圖3A是元件(發(fā)光二^ l管)31的示意性截面圖。圖3B 是示出了從上方觀察的安裝膜粘結(jié)于安裝基體的狀態(tài)的示意圖。在 第一實施例中，制造具有13英寸對角線的發(fā)光二極管顯示單元。 因此，lt量為1920 xl080 x (形成單一像素所需的發(fā)光二4及管的類 型數(shù)，即3 )的發(fā)光二極管被安裝在300 mm x 200 mm的區(qū)域上。
第一實施例的電子器件包括(A)安裝基體11,其上具有第 一布線12; (B)柔性安裝膜21，其上具有第二布線22; (C)多個 元件31，每個元件包括第一連接部35和第二連接部36;以及(D) 粘合劑層13'。
第一實施例的發(fā)光二4及管顯示單元包^l舌(A)安裝基體11， 其上具有多個第一布線12; (B)柔性安裝膜21，其上具有多個第 二布線22; (C)多個發(fā)光二極管31,每個發(fā)光二極管包括第一連 接部35和第二連接部36;以及(D )粘合劑層13'。
在第一連4妄部35與第一布線12接觸、第二連4妄部36與第二 布線22接觸并且張力施加于安裝膜21(張應(yīng)力存在于安裝膜21中) 的狀態(tài)下，各元件(發(fā)光二極管)31被夾在安裝基體11與安裝膜 21之間。此外，在這種狀態(tài)下，安裝基體11用粘合劑層13，粘結(jié)至
安裝膜21。這里，未固化的粘合劑層用參考標(biāo)號13表示，而固化 的粘合劑層用參考標(biāo)號13，表示。
在第一實施例的電子器件中，第一布線12包括多個布線。每 個布線12整體為帶狀且在第一方向上延伸。第二布線22也包4舌多 個布線。每個布線整體為帶狀且在不同于第一方向的第二方向上延 伸。第一布線12包4舌各自以帶狀延伸的主布線12A和/人每個主布 線12A延伸的多個分支布線12B。
如圖2B的示意性局部截面圖所示，安裝基體11由寬度為300 mm、公稱厚度為10 nm及彈性模量為2 x 109 Pa ( 2 GPa )的PES 膜構(gòu)成。由>^友制成的黑色矩陣層14通過絲網(wǎng)印刷法形成在一個區(qū) 域(具有300 mm x 200 mm尺寸的矩形區(qū)域)上，所述區(qū)域位于安 裝基體11的面對安裝膜21的內(nèi)表面11A上并且發(fā)光二才及管31未 ^殳置在該區(qū)域上。具有1 pm厚度的絕纟彖力莫15形成在尺寸為300 mm x 200 mm且i殳置在黑色矩陣層14及安裝基體11的內(nèi)表面11A上 的矩形區(qū)域上。用于設(shè)置安裝基體11內(nèi)表面11A的發(fā)光二極管31 的一部分(該部分上不具有黑色矩陣層14)的外部形狀是直徑為 30(am的圓形。此外，厚度為0.5 fxm且由鋁制成的第一布線12通 過真空沉積法形成在絕緣膜15上。第一布線12包括各自帶狀延伸 的主布線12A和從每個主布線12A延伸的多個分支布線12B。主布 線12A的凄t量為1080，每個主布線12A的寬度為100 (im，且主布 線12A之間的間距為150 pm。數(shù)量為1920x 3且每個寬度為2 pm 的分支布線12B 乂人各主布線12A以50 pm的間3巨延伸。由熱石更化 的粘合劑制成且厚度(tAdh)為2 jam的粘合劑層13通過旋涂法形 成在絕纟彖膜15和第一布線12上。粘合劑層13可以通過4壬^f可方法 形成。作為實施方法(例如旋涂法)的代替，粘合材料層13例如 可以通過印刷法(i者如4妄觸印刷法、壓印法、絲網(wǎng)印刷法、照相凹 版印刷法、或平板印刷法)形成。此外，為了將前方的亮度增加大約兩倍，由丙烯酸樹脂制成的凸透4竟16通過回流法形成在一個位 置，所述位置位于安裝基體11的外表面11B上，該外表面與安裝 基體ll的面對安裝膜21的內(nèi)表面IIA相對，并且來自發(fā)光二極管 31的光發(fā)射到所述位置。
如圖2A的示意性局部截面圖所示，安裝膜21由寬度為300 mm、 7>稱厚度為100 nm、且彈性模量為2 x 109 Pa ( 2 GPa)的PES 膜構(gòu)成。由鋁制成的第二布線22通過真空沉積法形成在安裝膜21 的面對安裝基體11的內(nèi)表面上。第二布線22包括1920 x 3個布線， 每個布線的寬度為40 pm，布線之間的間距為50 (um,且其厚度為 0.5 nm。第二布線22也作為光提取鏡。
圖3A是發(fā)光二極管31的示意性截面圖。在發(fā)光二才及管31中， 由n型化合物半導(dǎo)體制成的第一化合物半導(dǎo)體層32、活性層33、 以及由p型化合物半導(dǎo)體制成的第二化合物半導(dǎo)體層34順序地堆 疊。第一化合物半導(dǎo)體層32、活性層33、以及第二化合物半導(dǎo)體 層34例如整體為平面形狀，且發(fā)光二才及管31整體為截頭圓錐形。 例如為圓形的第一連接部(p側(cè)電極)35設(shè)置在第二化合物半導(dǎo)體 層34上。例如為圓形的第二連"l妄部(n側(cè)電才及)36 i殳置在第一化 合物半導(dǎo)體層32上。更確切地說，構(gòu)成第一化合物半導(dǎo)體層32、 活性層33和第二化合物半導(dǎo)體34的化合物半導(dǎo)體例如是GalnN化 合物半導(dǎo)體或AlGalnP 4b合物半導(dǎo)體。
當(dāng)發(fā)光二極管31例如是GaN發(fā)光二極管時，所述層的尺寸、 材料等的具體實施例如下。第一化合物半導(dǎo)體層32由厚度為2.6 ium 的n型GaN層構(gòu)成。活性層33具有例如0.2 |im的厚度且具有包括 InGaN阱層和GaN阻擋層的多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。第二4b合物 半導(dǎo)體層34由0.2 fim厚度的p型GaN層構(gòu)成。當(dāng)GaN發(fā)光二才及 管是藍(lán)色發(fā)光二才及管時，活性層33中的InGaN阱層的銦(In)組 分為例如0.17。當(dāng)GaN發(fā)光二才及管是綠色發(fā)光二才及管時，InGaN阱
層的銦(In)組分為例如0.25。發(fā)光二才及管31的最大直徑，即第二 化合物半導(dǎo)體層34的底面直徑是20 nm。發(fā)光二才及管31的總厚度 (tD)是5 [im。 P側(cè)電極35例如由具有Ag/Pt/Au結(jié)構(gòu)的金屬多層 膜構(gòu)成?？商鎿Q地，p側(cè)電極35可以是由銀制成的單層膜。N側(cè)電 極36例如由具有Ti/Pt/Au結(jié)構(gòu)的金屬多層膜構(gòu)成。在這種發(fā)光二 極管31中，在操作過程中從活性層33所產(chǎn)生的光和從端面37所 發(fā)出的光在第二布線22處反射并通過安裝基體11和凸透鏡16提 取到外界。
發(fā)光二4及管31的面積由Sd表示。面積為So的單個發(fā)光二才及 管31的有效彈性模量用E'd表示。當(dāng)安裝基體11在粘合過程中受 壓時，面積為Sd的安裝基體11的有效彈性模量用E、表示。當(dāng)安裝 膜21在粘合過^E中以P2的壓力受壓時，面積為Sd的安裝膜21的 有效彈性模量用E'2表示。粘合劑層13，的彈性模量用E她表示。在 粘合過程中，施加于發(fā)光二極管31的壓力用P!表示。當(dāng)滿足如下 條件時，
<formula>complex formula see original document page 25</formula>
粘合過程中施加于發(fā)光二極管31的壓力Pl由公式(2)表示
P1 = E1 x (tD - tadh)/(t1+ t2) + P2 (2)
這里，當(dāng)滿足如下條件時，
E'， = 5 x 109 Pa ( 5 GPa)，<formula>complex formula see original document page 26</formula>
當(dāng)應(yīng)力由T表示且應(yīng)變由s表示時，楊氏彈性才莫量E由E = T/s 表示。
例如，具有相同有效彈性模量E、-E'2的膜在所述膜將發(fā)光二 極管31夾在中間的狀態(tài)下變形時所產(chǎn)生的應(yīng)力與厚度為(t, + 12)的 膜(即結(jié)合這些膜而制備的膜)變形時所產(chǎn)生的應(yīng)力相同。因而， 由于膜變形而產(chǎn)生的總應(yīng)變s通過變形量(tD - tAdh )除以原始總厚度
(、+t2)來計算，即(tD-tAdh) / (ti+t2)。另一方面，上述公式中
的E可以用膜的有效彈性模量E、代替。從而，具有相同有效彈性 才莫量E、 =E'2的膜承受上述應(yīng)變s時所產(chǎn)生的應(yīng)力T由E'lX(tD-tAdh) / (t+t2)表示。
另夕卜，施加于發(fā)光二極管31的壓力Pt由(T + P2)表示。從而， 得到了上面的公式(2)。雖然設(shè)置了第一布線12和第二布線22， 然而，厚度非常小的布線12和22容易受到塑性變形。從而，可以 認(rèn)為，布線12和22不會顯著地影響彈性變形。
即，在每個發(fā)光二極管31中，粘合過程中施加于發(fā)光二極管 31的壓力Pt(這對于1吏第一連4妾部35與第一布線12進(jìn)4于可靠4妻觸 以及使第二連接部36與第二布線22進(jìn)行可靠接觸是一個重要因 素)取決于安裝基體11的有效彈性模量EV安裝膜21的有效彈性 模量E、、安裝基體11的總厚度一 安裝膜21的總厚度V粘合劑 層的厚度Udh、以及發(fā)光二極管31的厚度to，并且該壓力不受粘合 過程中施加于安裝膜21的壓力P2及其變化的影響。從而，即使在
大面積下，也可以將均勻的載荷施加于所有元件(發(fā)光二4及管31 )。 結(jié)果，布線和連4妄部可以穩(wěn)、定i也電連才妄。
王見在將參照圖4A至圖4C、圖5A和圖5B、圖6A和圖6B、 圖7A和圖7B以及圖8描述第一實施例的電子器件的制造方法和發(fā) 光二極管顯示單元的制造方法，這些圖都是元件等的示意性局部端 視圖。在圖7B和圖8所示的安裝基體11中，僅示出了安裝基體11 和粘合劑層13，而省去了第一布線12、黑色矩陣層14、絕緣膜15 和凸透4竟16。
在該方法中，準(zhǔn)備好中繼基板60,該中繼基板上具有由硅橡膠 制成的微壓敏層61 (參見圖5B )。黑色矩陣層14用作對準(zhǔn)標(biāo)記。
首先，用已知的方法準(zhǔn)備(制造)元件中間體結(jié)構(gòu)40 (參見圖 4A)，其中，在元件制造基板41上設(shè)置用于在后續(xù)步驟中通過分離 獲得的發(fā)光二極管31的元件中間體42。更確切地說，例如，通過 MOCVD法在7>稱直徑為2英寸的藍(lán)寶石基斧反(元件制造基才反41 ) 上順序地形成n傳導(dǎo)型的第一化合物半導(dǎo)體層32、活性層33、以 及p傳導(dǎo)型的第二化合物半導(dǎo)體層34。此外，通過真空沉積法在第 二化合物半導(dǎo)體層34上形成第一連4妄部(p側(cè)電才及35)。因此，可 以制造出元件中間體結(jié)構(gòu)40，在所述元件中間體結(jié)構(gòu)中，具有包括-第一化合物半導(dǎo)體層32、活性層33、第二化合物半導(dǎo)體層34、和 p側(cè)電極35的層疊結(jié)構(gòu)的元件中間體42設(shè)置在元件制造基板41上。 在圖中，元件中間體42以單層示出。
隨后，將單個元件中間體結(jié)構(gòu)40的元件中間體42臨時固定在 臨時固定基板50上。更確切地說，準(zhǔn)備臨時固定基板50 ，該臨時 固定基板是其上具有由未固化粘合劑構(gòu)成的粘合層51的玻璃基板。 隨后將元4牛中間體結(jié)構(gòu)40的元件中間體42 (更確切地^兌是p側(cè)電 極35)粘結(jié)至粘合層51,并固化粘合層51。因此，元件中間體結(jié) 構(gòu)40被臨時固定在臨時固定基板50上(參見圖4B )。
隨后，/人元件中間體42上移除包含于元件中間體結(jié)構(gòu)40中的 元件制造基板41 (參見圖4C)。更確切地說，用準(zhǔn)分子激光經(jīng)由元 件制造基才反41照射元件中間體42 (更確切地-說，第一化合物半導(dǎo) 體層32)與元件制造基板41之間的界面。結(jié)果，產(chǎn)生了激光消融， 從而從元件中間體42上分離元件制造基板41。
隨后，分離臨時固定于臨時固定基板50上的元件中間體42， 從而可以獲得多個發(fā)光二極管31 (參見圖5A)。更確切地說，在第 一化合物半導(dǎo)體層32上形成第二連4妄部(n側(cè)電才及36)。隨后用光 刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)蝕刻元件中間體42,從而可以獲得多個發(fā)光二極 管31。圖5C是發(fā)光二極管31的示意性局部放大截面圖。發(fā)光二 極管31以矩陣形式(二維矩陣的形狀)保留在臨時固定基板50上。 各發(fā)光二才及管31的平面形狀是直徑為20 imi的圓形。
臨時固定基板50的材料的實例不^f義包括玻璃基板，而且包括 金屬板、合金板、陶瓷器板、以及塑料板。將元件中間體結(jié)構(gòu)40 的元件中間體42臨時固定于臨時固定基板50上的方法的實例不僅 包括4吏用粘合劑的方法，而且包括金屬連4妄方法、半導(dǎo)體連4妄方法、 以及金屬-半導(dǎo)體連接方法。從元件中間體42上移除元件制造基板 41的方法的實例不僅包括激光消融法，而且包括加熱法和蝕刻法。 分離多個元件中間體42的方法的實例包4舌濕蝕刻法、干蝕刻法、 激光照射法、以及切割法。
隨后，通過以下方法排列臨時固定于臨時固定基板50上的發(fā) 光二極管31，以i"更第一連接部35與安裝基體11上的第一布線12 相4姿觸。更確切地i兌，將預(yù)定的發(fā)光二才及管31 乂人i殳置于形成有多 個發(fā)光二極管31的元件制造基板41上轉(zhuǎn)移至附著于中繼基板60。 將附著于中繼基板60的發(fā)光二極管31排列在粘合劑層13上。隨 后將各發(fā)光二極管31設(shè)置在安裝基體11上，以便第一連接部35 與第一布線12相4妄觸。
更具體地說，在[步驟-140]中，首先，將微壓敏層61壓在臨時 固定基板50上的發(fā)光二極管31上，在該臨時固定基板上發(fā)光二極 管31保持矩陣形式(兩維矩陣形狀)(參見圖5B和圖6A)。中繼 基板60的材料的實例包括玻璃板、金屬板、合金板、陶瓷板、半 導(dǎo)體基板、以及塑料板。中繼基板60保持在定位裝置(未示出) 中。中繼基板60與臨時固定基板50之間的位置關(guān)系可以通過操作 定位裝置而調(diào)整。隨后，例如，用準(zhǔn)分子激光從臨時固定基板50 的后側(cè)照射待安裝的發(fā)光二極管31 (參見圖6B)。結(jié)果，產(chǎn)生了激 光消融，進(jìn)而，將經(jīng)準(zhǔn)分子激光照射的發(fā)光二4及管31與臨時固定 基板50分離。隨后，當(dāng)中繼基板60與發(fā)光二極管31之間的接觸 釋放時，與臨時固定基板50分離的發(fā)光二極管31被粘附于微壓敏 層61上(參見圖7A)。
然后，將發(fā)光二極管31設(shè)置(移動或轉(zhuǎn)移)到粘合劑層13上 (參見圖7B和圖8)。更確切地i兌，4吏用黑色矩陣層14作為對準(zhǔn) 標(biāo)記，將發(fā)光二4及管31從位于中繼基玲反60上移動到設(shè)置于安裝基
體11的粘合劑層13上。發(fā)光二才及管31 ^f又是不牢固地粘附于孩i壓 敏層61。從而，當(dāng)中繼基板60在發(fā)光二極管31與粘合劑層13接 觸(壓在粘合劑層上)的狀態(tài)下沿中繼基板60與安裝基體11分離 的方向移動時，發(fā)光二極管31保留在粘合劑層13上。
為方便起見，將這種使用中繼基板60的方法稱為"步進(jìn)轉(zhuǎn)移 法"。通過重復(fù)這種步進(jìn)轉(zhuǎn)移法所需的次數(shù)，就將所需數(shù)量的發(fā)光 二極管31以兩維矩陣形狀粘附于微壓敏層61上并轉(zhuǎn)移至安裝基體 11上。更確切地說，在第一實施例中，在一次步進(jìn)轉(zhuǎn)移中，數(shù)量為 160 x 120的發(fā)光二極管31以兩維矩陣形狀粘附于微壓每文層61上且 隨后被轉(zhuǎn)移至安裝基體11上。從而，通過重復(fù)步進(jìn)轉(zhuǎn)移法(1920 x 1080 ) / ( 160 x 120 ) = 180次，可以將1920 x 1080個發(fā)光二才及管 31轉(zhuǎn)移至安裝基體11上。通過重復(fù)一組[步驟-100]至[步驟-140]三 次，可以將預(yù)定數(shù)量的紅色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管、以及藍(lán) 色發(fā)光二極管以預(yù)定的間隔和節(jié)距安裝在安裝基體11上。
隨后，將發(fā)光二極管31夾在安裝基體11與安裝膜21之間， 從而作為各發(fā)光二極管31的第二連接部的n側(cè)電極36與第二布線 22接觸并且張力施加于(張應(yīng)力存在于)安裝膜21。在保持這種 狀態(tài)的同時，隨后用粘合劑層13將安裝基體11粘結(jié)至安裝膜21。 更確切地說，在真空氣氛下用安裝膜21覆蓋安裝基體11,從而發(fā) 光二極管31的第二連接部(n側(cè)電極36 )與設(shè)置在安裝膜21上的 第二布線22接觸。然后，將如此獲得的層壓體裝入層壓壓力裝置 中并且在150。C下加熱一'卜時，同時施加大約1 x 106 Pa (大約io kgf/cm2)的壓力，從而固化粘合劑層13。這樣，在張力施力。于(張 應(yīng)力施加于)安裝膜21的狀態(tài)下，用粘合劑層13，將安裝基體11 粘結(jié)在安裝膜21上。圖3B是示出了從上方觀察的安裝膜21粘結(jié) 于安裝基體11的狀態(tài)的示意圖。然后，切割安裝基體11和安裝膜
21以《更具有預(yù)定尺寸，并將第一布線12和第二布線22用適當(dāng)?shù)姆?br> 法連4妾至驅(qū)動電路。這樣，就可以制造出發(fā)光二極管顯示單元或電 子器件。
保留在臨時固定基板50上的發(fā)光二極管31可以用來安裝在下 一安裝基體11上。
與現(xiàn)有技術(shù)不同，在第一實施例中，在元件或發(fā)光二極管安裝 于顯示單元基板上之后不需形成布線。這種方法不包4舌許多步驟， 例如，在元件或發(fā)光二一及管安裝于顯示單元基纟反上之后形成布線的 步驟是不需要的。從而，設(shè)置在元件或發(fā)光二才及管上的連接部因具 有高可靠性而能夠可靠地并相對容易地連接至布線。
另外，當(dāng)將精密發(fā)光二極管31安裝于安裝基體11上時，不會 發(fā)生發(fā)光二一及管31在不期望的位置不對準(zhǔn)或傾斜的現(xiàn)象。從而， 發(fā)光二極管31能夠容易且可靠地安裝，并具有較高的位置精度。 于是，可以使用具有較低安裝位置精度的安裝裝置，由于工序成本 的降低和安裝裝置費用的降低，從而實現(xiàn)了其中陣列有多個發(fā)光二 極管的發(fā)光二極管顯示單元的制造成本的降低。
第二實施例
第二實施例是第一實施例的改進(jìn)。在第二實施例中，所執(zhí)4亍的 步進(jìn)轉(zhuǎn)移的次凄t與第 一 實施例相比可以顯著降j氐。在第二實施例 中，制造具有26英寸對角線的發(fā)光二極管顯示單元。因此，數(shù)量 為1920 x 1080 x (形成單一像素所需的發(fā)光二極管的類型數(shù)，即3 ) 的發(fā)光二極管被安裝于尺寸為650 mm x 550 mm的安裝基體上。現(xiàn) 在將再次參照圖4A至圖4C、圖5A和圖5B、圖6A和圖6B、圖 7A和圖7B、以及圖8描述第二實施例的電子器件的制造方法和發(fā)光二才及管顯示單元的制造方法，這些圖為元件等的示意性局部端#見圖。
首先，如第一實施例的[步驟-100]，制備(生產(chǎn))多個元件中 間體結(jié)構(gòu)40，在所述元件中間體結(jié)構(gòu)上，用于通過在后續(xù)步驟中分 離而獲得發(fā)光二極管31的元件中間體42 i殳置在元件制造基4反41 上(參見圖4A)。
隨后，如同第一實施例的[步艱《-210], a夸包含于多個元件中間 體結(jié)構(gòu)40中的元件制造基板41從元件中間體42上移除(參見圖 4C)。在圖9B中，已分離的元件制造基板41用虛線表示。
隨后，如同第一實施例的[步驟-130]，將臨時固定于臨時固定 基板50上的各元件中間體42分離，從而可以獲得多個發(fā)光二極管 31 (參見圖9B和圖5A)。發(fā)光二^ l管31以陣列形式(二維矩陣形 狀)保留在臨時固定基板50上。各發(fā)光二極管31的平面形狀是具 有15 pm直徑的圓形。發(fā)光二極管31之間的X方向上的節(jié)距和Y 方向上的節(jié)距各為20 jam。設(shè)置有發(fā)光二極管31的區(qū)域的尺寸在X 方向為24 mm且在Y方向為32.4 mm。 乂人而，1200個發(fā)光二才及管 31在X方向上i殳置且1620個發(fā)光二才及管31在Y方向上i殳置于單 個元件制造基板41中。即，每個元件制造基板41可獲得1,944,000 個發(fā)光二極管31。圖9B中，發(fā)光二極管31以陣列形式(二維矩 陣形狀)保留在臨時固定基板50上的區(qū)域由實線矩形表示。
隨后，如同第一實施例的[步驟-140],首先，將"i殳置在中繼基 板60上的微壓敏層61壓在臨時固定基板50 (發(fā)光二極管31以陣 列(二維矩陣形狀)保留在該臨時固定基板上)上的發(fā)光二極管31 上(參見圖5B和6A)。隨后，例如，用準(zhǔn)分子激光從臨時固定基 板50的后側(cè)照射待安裝的發(fā)光二極管31 (參見圖6B)。結(jié)果，產(chǎn) 生了激光消融，進(jìn)而，將經(jīng)準(zhǔn)分子激光照射的發(fā)光二才及管31與臨 時固定基板50分離。隨后，當(dāng)中繼基板60與發(fā)光二極管31之間 的接觸釋放時，與臨時固定基板50分離的發(fā)光二極管31被粘附于 微壓敏層61上(參見圖7A)。以二維矩陣形狀粘附于微壓敏層61 的發(fā)光二極管31的垂直節(jié)距和水平節(jié)距各為300 nm。
隨后，將發(fā)光二極管31設(shè)置(移動或轉(zhuǎn)移)在粘合劑層13上 (參見圖7B和圖8)。更確切地-說，^使用黑色矩陣層14作為對準(zhǔn) 標(biāo)記，將發(fā)光二極管31從位于中繼基板60上移動到設(shè)置于安裝基 體11的粘合劑層13上。發(fā)光二極管31僅僅是不牢固地粘附于微 壓敏層61。從而，當(dāng)中繼基板60在發(fā)光二極管31與粘合劑層13 接觸(壓在粘合劑層上)的狀態(tài)下沿中繼基板60與安裝基體11分 離的方向移動時，發(fā)光二才及管31^f呆留在粘合劑層13上。
該步驟稱為"第一步進(jìn)轉(zhuǎn)移"。
在這個步驟中，每塊元件制造基板41上，8640個發(fā)光二極管 31 (即，X方向上的80個發(fā)光二極管31和Y方向上的108個發(fā)光 二極管31)以二維矩陣形狀被粘附于孩i壓壽文層61上進(jìn)而4皮轉(zhuǎn)移至 安裝基體11上。由于使用了 60個元件制造基板41,則518,400個 發(fā)光二纟及管31以二維矩陣形狀^皮粘附于樣i壓4文層61進(jìn)而纟皮轉(zhuǎn)移至 安裝基體11上。圖10A示意性地示出了這種狀態(tài)。在下面描述的 圖IOA和圖IOB、圖IIA和圖11B中，例如，凄t字"05、 06"表 示與設(shè)置于第5行和第6列中的元件制造基板對應(yīng)的一組元件(發(fā) 光二極管)31。由矩形包圍的數(shù)字'T，至"4"表示執(zhí)行步進(jìn)轉(zhuǎn)移 的順序。另外，如上所述，8640個發(fā)光二極管31通過單次步進(jìn)轉(zhuǎn) 移而轉(zhuǎn)移至由矩形包圍的各區(qū)^t或中。
重復(fù)上述[步驟-240] 4次。即，順序執(zhí)行第二步進(jìn)轉(zhuǎn)移(參見 圖IOB)、第三步進(jìn)轉(zhuǎn)移(參見圖IIA)、以及第四步進(jìn)轉(zhuǎn)移(參見 圖IIB)。在圖11A中，為了便于理解，在用于第四步進(jìn)轉(zhuǎn)移的區(qū) 域中繪制了陰影。通過執(zhí)行步進(jìn)轉(zhuǎn)移4次，數(shù)量為1920xl080的發(fā) 光二極管31可被轉(zhuǎn)移至安裝基體11上。隨后，重復(fù)[步驟-200]至[步 驟-230] 1次、并重復(fù)[步驟-240]4次。此外，重復(fù)[步驟-200]至[步 驟-230] 1次、并重復(fù)[步驟-240] 4次。從而，可以將預(yù)定數(shù)量的紅
色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管、以及藍(lán)色發(fā)光二極管以預(yù)定間隔 和節(jié)距安裝在安裝基體11上。
隨后，如同第一實施例的[步驟-150]，將發(fā)光二極管31夾在安 裝基體11與安裝膜21之間，從而作為各發(fā)光二極管31的第二連 接部的n側(cè)電極36與第二布線22接觸并且張力施加于(張應(yīng)力存 在于)安裝膜21。在保持這種狀態(tài)的同時，隨后用粘合劑層13'將 安裝基體11粘結(jié)至安裝膜21。隨后，切割安裝基體11和安裝膜21 以《更具有預(yù)定的尺寸，并將第一布線12和第二布線22通過合適的 方法連接至驅(qū)動電路。這樣，就可以制造出發(fā)光二極管顯示單元或 電子器件。
如同第一實施例中，保留在臨時固定基板50上的發(fā)光二極管 31可以用來安裝于下一安裝基體11上。
假如在現(xiàn)有技術(shù)中，通過沖丸-f亍一次步進(jìn)轉(zhuǎn)移，例如80 x 108個 發(fā)光二極管被從單個元件制造基板轉(zhuǎn)移至安裝基體11。在這種情況 下，為了將1920 x 1080個發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至安裝基體11，需要執(zhí) 行步進(jìn)轉(zhuǎn)移240次。為了將三種類型的發(fā)光二極管從元件制造基板 移動(例如轉(zhuǎn)移)至顯示單元基板，總共需要纟丸4于步進(jìn)轉(zhuǎn)移720次。 如上所述，在第二實施例中，將元件中間體42臨時固定在臨時固 定基板50上，并且隨后將元件制造基板41從元件中間體42上移 除。隨后，將臨時固定于臨時固定基板50上的多個元件中間體42 分離以獲得單個發(fā)光二極管31。從而，獲得發(fā)光二極管31之后的 狀態(tài)等同于制造發(fā)光二極管31的狀態(tài)，好像臨時固定基板50具有 的尺寸是作為元件制造基板的元件制造基板41的60倍。結(jié)果，通 過執(zhí)行4次步進(jìn)轉(zhuǎn)移就可以將1920 x 1080個發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至安 裝基體11。此外，可以以高位置4青度分離元件中間體42以生產(chǎn)發(fā)
光二極管31。從而，可以在無需使用高精度和高生產(chǎn)能力的安裝裝 置的情況下，將發(fā)光二極管31從臨時固定基板50移動(例如轉(zhuǎn)移) 到安裝基體11。結(jié)果，不會增加發(fā)光二極管31的生產(chǎn)成本，而且 可以很容易執(zhí)行其上安裝有大量發(fā)光二極管31的單元或發(fā)光二極 管顯示單元的生產(chǎn)。另外，通過分離臨時固定于臨時固定基板50 上的多個元件中間體42而獲得發(fā)光二才及管31。因此，在分離之后 保留在臨時固定基板50上的發(fā)光二極管31的位置精度取決于分離 元件中間體42的工藝精度，而不取決于將元件中間體42臨時固定 于臨時固定基板50上時的位置精度。因此，可以在不使用高精度 和高生產(chǎn)能力的安裝裝置的情況下，將元件中間體42從元件制造 基板41移動到臨時固定基板50。
如上所述，由于能夠很容易地將紅色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二 極管、以及藍(lán)色發(fā)光二極管以高位置精度設(shè)置在安裝基體11上， 因此可以提高顯示單元屏幕的均勻性。此外，當(dāng)通過步進(jìn)轉(zhuǎn)移法制 造尺寸大于元件制造基板(其上形成有發(fā)光二極管)尺寸的發(fā)光二 才及管顯示單元時，可以防止步進(jìn)轉(zhuǎn)移邊界的形成。這也能夠提高顯 示單元屏幕的均勻性。另外，由于工藝成本的降低以及安裝裝置費 用的降<氐，可以實現(xiàn)發(fā)光二才及管顯示單元制造成本的降寸氐。
第三實施例
第三實施例是第二實施例的改進(jìn)。在第二實施例中，12 x 5 = 60 個元件中間體結(jié)構(gòu)40的元件中間體42被臨時固定在臨時固定基板 50上。通過重復(fù)第二實施例的[步驟-240]4次，將一種類型的發(fā)光 二極管以預(yù)定的間隔和節(jié)距安裝在安裝基體11上。另一方面，在 第三實施例中，6x5 = 30個元件中間體結(jié)構(gòu)40的元件中間體42 被臨時固定在臨時固定基板50上。通過重復(fù)與第二實施例的[步驟 -240]相同的步驟8次，將一種類型的發(fā)光二才及管以預(yù)定的間隔和 節(jié)距安裝在安裝基體11上。通常，當(dāng)通過4吏用M x N個元件中間
體結(jié)構(gòu)40重復(fù)第二實施例的[步驟-240] oc次而將發(fā)光二極管31安 裝于安裝基體11上時，可以通過4吏用(M/m) x (N/n)個元件中 間體結(jié)構(gòu)40重復(fù)第二實施例的[步驟-240] m x n x a次而將發(fā)光二 極管31安裝于安裝基體11上，其中，M、 N、 m、 n、 ( M/m )、以 及(N/n)各是正整數(shù)。
由于第三實施例中的其它步驟可以與第二實施例中的步驟相 同，因此省略所述步驟的詳細(xì)描述。在第三實施例中，與第二實施 例的[步-驟-240]相同的步驟所重復(fù)的次lt增加。然而，第三實施例 的優(yōu)點在于可以減少要制備的元件中間體結(jié)構(gòu)40的數(shù)量。
使用優(yōu)選實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述。但是，本發(fā)明不限于這 些實施例，而且基于本發(fā)明的才支術(shù)，見念可以進(jìn)4亍各種<奮改。例如， 實施例中所描述的數(shù)值、材料、配置、結(jié)構(gòu)、形狀、基板、原材料、 以及工藝過程僅僅是作為實例給出。根據(jù)需要，可以使用不同于上 述實施例中所用的數(shù)值、材料、配置、結(jié)構(gòu)、形狀、基板、原材料、 以及工藝過程等。例如在第二實施例的[步驟-210]中，可以將30個 元件中間體結(jié)構(gòu)40的元件中間體42臨時固定在臨時固定基板50 上，并且可以將兩個這樣的臨時固定基板50固定在支撐基板上。 可*奈換地，可以將15個元件中間體結(jié)構(gòu)40的元件中間體42臨時 固定在臨時固定基板50上，并且可以將四個這樣的臨時固定基板 50固定在支撐基板上。
在電子器件的某些結(jié)構(gòu)中，第一布線可以由共用布線(共用電 才及)構(gòu)成，并且第二布線可以具有與第一實施例中所描述的第一布 線或第二布線相同的結(jié)構(gòu)?？商娌啪?也，第一布線可以具有與第一實 施例中所描述的第一布線或第二布線相同的結(jié)構(gòu)，并且第二布線可 以由共用布線(共用電才及)構(gòu)成?？商骀牡?，第一布線可以由共用 布線(共用電才及)構(gòu)成，并且第二布線也可以由共用布線(共用電 才及)構(gòu)成。#4居電子器件的結(jié)構(gòu)，共用布線可以由單層薄片(sheet)或者多層薄片或條構(gòu)成。當(dāng)執(zhí)行元件(發(fā)光二極管)的AC驅(qū)動時， 第 一連"l妄部與第 一布線*接觸且第二連4妄部與第二布線4妄觸的元件
(發(fā)光二4及管)以及第二連接部與第一布線接觸且第一連接部與第
二布線4妻觸的元件(發(fā)光二才及管)可以混合。在第二連4妄部與第一 布線接觸且第一連接部與第二布線接觸的元件(發(fā)光二極管)中， 與第一布線接觸的第二連接部將作為"第一連4妄部"、并且與第二 布線4妻觸的第一連4妄部將作為"第二連4妄部"。
在安裝基體上設(shè)置元件以便第 一連接部與第 一布線接觸的方 法也不限于實施例中所描述的方法。例如，在某些電子器件中，可 以通過使用分配器將元件噴涂于安裝基體上來設(shè)置元件?？商鎿Q 地，可以使用諸如機器人的安裝裝置來將元件設(shè)置于安裝基體上。根據(jù)本發(fā)明實施例的電子器件的制造方法或發(fā)光二極管顯示單元
的制造方法不僅可以作為批量方法來進(jìn)行，而且可以作為巻到巻
(reel-to-reel)方法(其中薄膜巻用于安裝基體和安裝膜)來進(jìn)行。 另外，在實施例中，用于將元件等固定到安裝基體的粘合劑層也用 作將安裝基體粘結(jié)到安裝膜的粘合劑層?？商鎿Q地，用于將元件等 固定到安裝基體的粘合劑層和用于將安裝基體粘結(jié)到安裝膜的粘 合劑層可以分離。為了清潔的目的，例如，4艮據(jù)需要可以在暴露的 第一連接部和第二連接部上進(jìn)行氬(Ar)等離子處理。
如圖12A所示，可以通過適當(dāng)?shù)姆椒ㄔ诎惭b膜21的內(nèi)表面21A 上提供不平整，且第二布線22可以形成在內(nèi)表面21A上。另外， 如圖12B所示，可以在絕緣膜15的面對安裝膜21內(nèi)表面21A的內(nèi) 表面上可以^是供不平整，而且第一布線12 (更確切地說，分支布線 12B)可以形成在絕纟彖力莫15上。這種結(jié)構(gòu)可以在n側(cè)電才及36 (作 為發(fā)光二極管31的第二連接部)與第二布線22之間以及p側(cè)電極 35 (作為發(fā)光二才及管31的第一連沖妾部)與第一布線12之間可靠地 建立連接。在某些情況下，可以在安裝膜21的內(nèi)表面21A上提供 不平整，并且第二布線22可以^f義形成在內(nèi)表面21A上(即，可以 省去在絕緣膜15的面對安裝膜21內(nèi)表面21A的內(nèi)表面上的不平整 的形成)?？商鎿Q地，可以4又在安裝膜21內(nèi)表面21A的將形成第二 布線22的區(qū)域上形成不平整。可以僅在絕緣膜15內(nèi)表面的將形成 第一布線12的區(qū)域上形成不平整。此外，如圖12C所示，可以提 供用于在安裝膜21的內(nèi)表面21A上形成不平整的材料21B,所述 材料可以由樹脂或金屬制成。如圖12D所示，可以提供用于在絕緣 膜15的內(nèi)表面上形成不平整的材料15B,所述材料可以由樹脂或 金屬制成。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍 內(nèi)，根據(jù)設(shè)計要求和其它因素，可以進(jìn)行各種修改、組合、次組合 和變更。
權(quán)利要求
1.一種電子器件，包括(A)基體，其上具有第一布線；(B)柔性膜，其上具有第二布線；(C)多個元件，每個元件包括第一連接部和第二連接部；以及(D)粘合劑層，其中，在所述第一連接部與所述第一布線接觸、所述第二連接部與所述第二布線接觸、及張力施加于所述膜的狀態(tài)下，每個所述元件被夾在所述基體與所述膜之間，并且在這種狀態(tài)下，所述基體和所述膜用所述粘合劑層粘結(jié)在一起。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述元件是發(fā)光二極管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件，其中，在位于所述基體的面 對所述膜的內(nèi)表面上的且未設(shè)置所述元件的區(qū)域上設(shè)置有黑 色矩陣層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子器件，其中，在所述黑色矩陣層上 以及在所述基體的內(nèi)表面上設(shè)置有絕緣膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件，其中，在位于所述基體的外 表面上的位置處設(shè)置有凸透鏡，所述外表面與所述基體的面對所述膜的內(nèi)表面相對，并且來自所述元件的光發(fā)射到所述位置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，與所述膜粘結(jié)之前所 述第 一布線和所述基體的總厚度用、表示、與所述膜粘結(jié)之后 所述第一布線和所述基體的總厚度用t、表示、與所述基體粘 結(jié)之前所述第二布線和所述膜的總厚度用t2表示、與所述基體 粘結(jié)之后所述第二布線和所述膜的總厚度用t、表示、在粘結(jié) 之前所述粘合劑層的厚度用U他表示、并且每個所述元件的厚 度用tD表示時，滿足下列關(guān)系式<formula>complex formula see original document page 3</formula>
7. —種發(fā)光二才及管顯示單元，包括(A) 基體，其上具有多個第一布線；(B) 柔性膜，其上具有多個第二布線；(C) 多個發(fā)光二極管，每個發(fā)光二極管包括第一連接部 和第二連4妄部；以及(D) 粘合劑層，其中，在所述第一連接部與一個所述第一布線接觸、所 述第二連接部與一個所述第二布線接觸、及張力施加于所述膜 的狀態(tài)下，每個所述發(fā)光二極管被夾在所述基體與所述膜之 間，并且在這種狀態(tài)下，所述基體和所述膜用所述粘合劑層粘結(jié) 在一起。
8. —種電子器件的制造方法，所屬方法包括以下步驟制備(A')基體，其上具有第一布線和粘合劑層；(B')柔性膜，其上具有第二布線；及(C')多個元件，每個元件包括第一連接部和第二連4妄部；U)將所述元件設(shè)置在所述基體上，以便每個所述元件 的所述第一連4妄部與所述第一布線接觸；以及隨后(b )將所述元件夾在所述基體與所述膜之間，以便每個所述元件的所述第二連接部與所述第二布線4妄觸且張力施加于所述膜，并且在保持這種狀態(tài)的同時用所述粘合劑層粘結(jié)所 述基體和所述膜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件的制造方法，其中，將預(yù)定的元件從位于形成有多個元件的元件制造 基板上轉(zhuǎn)移至粘附于中繼基4反，隨后將粘附至所述中繼基板的所述元件設(shè)置在所述粘合 劑層上，以及使所述元件與所述第一布線接觸，從而使所述第一連接 部與所述第 一布線4妄觸。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件的制造方法，其中，所述元件 是發(fā)光二極管。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件的制造方法，其中，在位于 所述基體的面對所述膜的內(nèi)表面上的且未"i殳置所述元件的區(qū) 域上形成有黑色矩陣層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子器件的制造方法，其中，在所述 黑色矩陣層上以及在所述基體的內(nèi)表面上^殳置有絕緣膜。
13. 才艮據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件的制造方法，其中，在位于 所述基體的外表面上的位置處i殳置有凸透鏡，所述外表面與所 述基體的面對所述膜的內(nèi)表面相對，并且來自所述元件的光發(fā) 射到所述位置。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件的制造方法，其中，與所述膜 粘結(jié)之前所述第一布線和所述基體的總厚度用、表示、與所述 膜粘結(jié)之后所述第一布線和所述基體的總厚度用t',表示、與 所述基體粘結(jié)之前所述第二布線和所述膜的總厚度用12表示、 與所述基體粘結(jié)之后所述第二布線和所述膜的總厚度用t'2表 示、在粘結(jié)之前所述粘合劑層的厚度用U加表示、并且每個所 迷元件的厚度用tD表示時，滿足下列關(guān)系式<formula>complex formula see original document page 5</formula> ，其中t、《t" t'2 < t2,且tAdh < tD°
15. —種發(fā)光二才及管顯示單元的制造方法，所述方法包4舌以下步驟制備(A')基體，其上具有多個第一布線和粘合劑層， (B')柔性膜，其上具有多個第二布線，以及(C')多個發(fā)光二極管，每個發(fā)光二極管包括第一連接部 和第二連^妻部；(a)將所述發(fā)光二極管設(shè)置在所述基體上，以便每個所 述發(fā)光二一及管的所述第 一連4妾部與一個所述第 一布線4妄觸；以 及隨后(b )將所述發(fā)光二極管夾在所述基體與所述膜之間，以 <更每個所述發(fā)光二4及管的所述第二連4妄部與 一個所述第二布 線接觸且張力施加于所述膜，并且在保持這種狀態(tài)的同時用所 述粘合劑層粘結(jié)所述基體和所述膜。
全文摘要
一種電子器件，包括基體，其上具有第一布線；柔性膜，其上多個第二布線；多個元件，每個元件包括第一連接部和第二連接部；以及粘合劑層，其中，在第一連接部與第一布線接觸、第二連接部與第二布線接觸及張力施加于膜的狀態(tài)下，各元件被夾在基體與膜之間，并且在這種狀態(tài)下，基體和膜用粘合劑層粘結(jié)在一起。
文檔編號H01L25/00GK101197355SQ20071018756
公開日2008年6月11日 申請日期2007年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月4日
發(fā)明者友田勝寬 申請人:索尼株式會社