專利名稱：非易失存儲器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)存及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種非易失存儲器及其制造方法。
背景技術(shù)：
在各種非易失存儲器產(chǎn)品中，具有可進(jìn)行多次數(shù)據(jù)之存入、讀取、抹除等動作，且存入之?dāng)?shù)據(jù)在斷電后也不會消失之優(yōu)點的可電抹除且可編程只讀存儲器(EEPROM)，已成為個人計算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種內(nèi)存組件。
典型的可電抹除且可程序只讀存儲器系以摻雜的多晶硅(dopedpolysilicon)制作浮置柵極(floating gate)與控制柵極(control gate)。為了避免典型的可電抹除且可編程只讀存儲器在抹除/寫入時，因過度抹除/寫入現(xiàn)象太過嚴(yán)重，而導(dǎo)致資料之誤判的問題。而在控制柵極與浮置柵極的一側(cè)串接一選擇晶體管(select transistor)，而形成兩晶體管(2T)結(jié)構(gòu)。藉由選擇晶體管(select transistor)來控制內(nèi)存的程序化和讀取。
請參照美國專利申請?zhí)朥S2004/0183121A1，此專利申請案提出了一種閃存單元，將選擇柵極設(shè)置于襯底內(nèi)，藉以縮小閃存單元之組件尺寸，增加組件的集成度。
雖然此種內(nèi)存可以達(dá)到縮小內(nèi)存橫向尺寸的功效，然而內(nèi)存中之信道長度仍然會隨之縮短。這么一來，在操作具有兩晶體管結(jié)構(gòu)的非易失存儲器時，于不同偏壓下，還是很容易因漏電流的產(chǎn)生，而造成程序化干擾(programdisturb)等使內(nèi)存被錯誤寫入的情況。
上述情況會導(dǎo)致內(nèi)存的可靠度(reliability)降低，造成產(chǎn)品的效能不佳。由此可知，如何在兼顧組件積集度的情形下，同時增加通道長度、減少漏電流，是目前產(chǎn)業(yè)上亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種非易失存儲器及其制造方法，可以增加內(nèi)存之信道長度，避免漏電流的產(chǎn)生。
本發(fā)明的另一目的是提供一種非易失存儲器及其制造方法，利用自行對準(zhǔn)的方式形成浮置柵極與控制柵極，可以節(jié)省工藝成本與工藝時間。
本發(fā)明提出一種非易失存儲器，包括襯底、浮置柵極、控制柵極、源極區(qū)與漏極區(qū)。其中，襯底中設(shè)置有溝槽，且溝槽旁之襯底具有階梯狀凹陷。浮置柵極設(shè)置于溝槽側(cè)壁?？刂茤艠O設(shè)置于溝槽與階梯狀凹陷之間的襯底上，且延伸至階梯狀凹陷中。源極區(qū)設(shè)置于溝槽底部之襯底中，漏極區(qū)則設(shè)置于階梯狀凹陷底部之襯底中。
在上述非易失存儲器中，浮置柵極的頂部高于襯底的頂面。
在上述非易失存儲器中，更包括穿隧介電層，設(shè)置于浮置柵極與襯底之間。
在上述非易失存儲器中，更包括浮置柵極介電層，設(shè)置于浮置柵極表面。上述浮置柵極介電層的材質(zhì)包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。
在上述非易失存儲器中，更包括控制柵極介電層，設(shè)置于控制柵極與浮置柵極、襯底之間。
在上述非易失存儲器中，更包括源極導(dǎo)體層，位于源極區(qū)上，填滿溝槽。上述源極導(dǎo)體層上更包括設(shè)置一層保護(hù)層。
在上述非易失存儲器中，控制柵極下方之通道區(qū)呈階梯狀。
在上述非易失存儲器中，更包括位線，與漏極區(qū)電性連接。
在上述非易失存儲器中，控制柵極的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
由于上述控制柵極設(shè)置于溝槽與階梯狀凹陷之間的襯底上，且延伸至階梯狀凹陷中，因此控制柵極下方的通道區(qū)系為階梯狀之通道區(qū)。這種階梯狀的信道區(qū)之信道長度較長，可以以避免漏電流的產(chǎn)生，防止內(nèi)存于程序化與抹除操作時產(chǎn)生干擾的情形，進(jìn)一步提高內(nèi)存的可靠度。
本發(fā)明提出一種非易失存儲器的制造方法，其例如是先提供襯底，并于襯底上形成一層掩膜層。之后于襯底與掩膜層中形成溝槽，再于溝槽中形成一層穿隧介電層。接著于溝槽側(cè)壁形成浮置柵極，并于浮置柵極上形成一層浮置柵極介電層。繼之，于溝槽下方之襯底中形成源極區(qū)。移除部分掩膜層，于溝槽外側(cè)之襯底上形成第一間隙壁。然后蝕刻未被第一間隙壁覆蓋之襯底，于溝槽旁之襯底中形成階梯狀凹陷。移除第一間隙壁，于襯底上形成一層控制柵極介電層。接下來于襯底上形成控制柵極，控制柵極自溝槽外側(cè)延伸至階梯狀凹陷中。然后于階梯狀凹陷底部之襯底中形成漏極區(qū)。
上述非易失存儲器的制造方法，其中控制柵極的形成方法例如是先于襯底上形成一層導(dǎo)體層，然后再移除部分導(dǎo)體層，以形成控制柵極，并且暴露出階梯狀凹陷底部之部分襯底。
上述非易失存儲器的制造方法，其中浮置柵極的形成方法例如是先于襯底上形成一層導(dǎo)體層，導(dǎo)體層的頂面高于襯底頂面。然后，于導(dǎo)體層上之溝槽兩側(cè)壁形成第二間隙壁。以此第二間隙壁為掩膜，移除部分導(dǎo)體層，于溝槽兩側(cè)壁形成浮置柵極，并且暴露出溝槽底部之部分襯底。之后再移除第二間隙壁。
上述非易失存儲器的制造方法，其中第一間隙壁的形成方法例如是先移除掩膜層，并與襯底上形成第一間隙壁材料層。之后移除部分第一間隙壁材料層，于浮置柵極的側(cè)壁形成第一間隙壁。
上述非易失存儲器的制造方法，更包括于形成浮置柵極介電層的步驟后，于溝槽中形成一層源極導(dǎo)體層。于形成源極導(dǎo)體層的步驟之后，更可以于源極導(dǎo)體層上形成一層保護(hù)層。
上述非易失存儲器的制造方法，其中浮置柵極介電層的材質(zhì)包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。其中控制柵極的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
上述非易失存儲器的制造方法，更包括于形成漏極區(qū)的步驟后，形成位線，與漏極區(qū)電性連接。
本發(fā)明之非易失存儲器的制造方法，由于在襯底中形成了一個階梯狀凹陷，使得設(shè)置于襯底上、延伸至階梯狀凹陷中之控制柵極之底部呈階梯狀，這也就是說，控制柵極下方的通道區(qū)即為階梯狀之通道區(qū)。由于階梯狀通道區(qū)之長度較長，可以避免漏電流產(chǎn)生，使得內(nèi)存單元在程序化操作時，不會對鄰近內(nèi)存單元產(chǎn)生干擾，進(jìn)而提高內(nèi)存的可靠度。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1A至圖1E是繪示本發(fā)明的實施例之非易失存儲器的制造流程剖面圖。
主要組件符號說明100襯底101墊層103掩膜層105溝槽110穿隧介電層120、155導(dǎo)體層125浮置柵極130浮置柵極介電層132源極區(qū)135源極導(dǎo)體層137保護(hù)層120a、140間隙壁143階梯狀凹陷150控制柵極介電層160控制柵極170漏極區(qū)具體實施方式
圖1A至圖1E系繪示本發(fā)明的實施例之非易失存儲器的制造流程剖面圖。請參照圖1A，此方法系先提供襯底100，襯底100例如是硅襯底。之后，襯底100上形成一層墊層101與一層掩膜層103。墊層101的材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法。掩膜層103的材質(zhì)例如是氮化硅、碳化硅或碳氧化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
接著，請繼續(xù)參照圖1A，于襯底100、墊層101與掩膜層103中形成溝槽105。溝槽105的形成方法例如是先圖案化此掩膜層103與墊層101，并以圖案化之后的掩膜層103為掩膜，移除部分襯底100以形成溝槽105。其中，圖案化此掩膜層103與墊層101的方法例如是先形成一層圖案化光阻層(未繪示)，再以此圖案化光阻層為掩膜，移除暴露出之掩膜層103與墊層101。移除部分掩膜層103與墊層101的方法例如是反應(yīng)性離子蝕刻法。移除部分襯底100的方法例如是干式蝕刻法。
繼而，請參照圖1A，于溝槽105中形成一層穿隧介電層110。穿隧介電層110的材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法。然后，于溝槽105中形成一層導(dǎo)體層120，導(dǎo)體層120的頂面高于襯底100的頂面。導(dǎo)體層120的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，其形成方法例如是先于襯底100上形成一層共形的導(dǎo)體材料層(未繪示)，之后移除掩膜層103上之導(dǎo)體材料層，以及溝槽105頂部之部分導(dǎo)體材料層以形成之。隨后在導(dǎo)體層120上方之溝槽105兩側(cè)壁形成間隙壁120a，其材質(zhì)例如是氧化硅。間隙壁120a的形成方法例如是先以化學(xué)氣相沉積法于襯底100上形成一層間隙壁材料層(未繪示)，然后對間隙壁材料層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以形成位于溝槽105兩側(cè)壁的一對間隙壁120a。
接下來，請參照圖1B，移除部分導(dǎo)體層120，于溝槽105側(cè)壁形成浮置柵極125，且暴露出溝槽105底部之部分襯底100。移除部分導(dǎo)體層120的方法例如是利用間隙壁120a為掩膜進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻法。所形成的浮置柵極125例如是呈區(qū)塊狀，位于溝槽105相對的兩側(cè)壁。接著，移除間隙壁120a，移除的方法例如是濕式蝕刻法。而后，于浮置柵極125上形成一層浮置柵極介電層130。浮置柵極介電層130例如是氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層或是復(fù)合介電層如氧化硅/氮化硅層或是氧化硅/氮化硅/氧化硅層。浮置柵極介電層130的形成方法例如是熱氧化法或是依照其材質(zhì)，以不同的反應(yīng)氣體進(jìn)行化學(xué)氣相沉積法。
繼之，請繼續(xù)參照圖1B，于溝槽105下方之襯底100中形成源極區(qū)132。源極區(qū)132例如是P型摻雜區(qū)或是N型摻雜區(qū)，其例如是以浮置柵極125為掩膜，進(jìn)行雜質(zhì)注入以形成之。然后，于溝槽105中形成一層源極導(dǎo)體層135，源極導(dǎo)體層135的頂面高于浮置柵極125的頂部。源極導(dǎo)體層135的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅之后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之，或者也可以采用臨場注入雜質(zhì)的方式以化學(xué)氣相沉積法形成摻雜多晶硅。當(dāng)然，源極導(dǎo)體層135的材質(zhì)也可以是金屬、金屬硅化物等導(dǎo)體材料，其形成方法例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。當(dāng)然，若是先前形成的浮置柵極介電層130覆蓋住溝槽105底部，則需先將溝槽105底部之浮置柵極介電層130移除，再形成前述之源極導(dǎo)體層135。之后，于源極導(dǎo)體層135上形成一層保護(hù)層137。保護(hù)層137的材質(zhì)例如是氧化硅，保護(hù)層137的形成方法例如是熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法。
接著，請參照圖1C，移除掩膜層103與墊層101，移除的方法包括濕式蝕刻法或干式蝕刻法。之后，于襯底100上形成間隙壁材料層(未繪示)，間隙壁材料層的材質(zhì)例如是氮化硅、碳化硅或碳氧化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。繼而移除部分間隙壁材料層，于該浮置柵極125與源極導(dǎo)體層135側(cè)壁形成間隙壁140。移除部分間隙壁材料層的方法例如是進(jìn)行干式蝕刻法。其后，以間隙壁140為掩膜，移除部分襯底100而于襯底100中形成階梯狀凹陷143。移除部分襯底100的方法例如是反應(yīng)性離子蝕刻法。當(dāng)然，間隙壁140也可以是利用移除部分掩膜層103的方法以形成之。如此即無須另外形成間隙壁材料層。
然后，請參照圖1D，移除間隙壁140，移除的方法例如是干式蝕刻法或濕式蝕刻法。之后，于襯底100上形成控制柵極介電層150。控制柵極介電層150的材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法或是化學(xué)氣相沉積法。而后，于襯底100上形成一層共形的導(dǎo)體層155，覆蓋住控制柵極介電層150與保護(hù)層137。導(dǎo)體層155的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅之后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之，或者也可以采用臨場注入雜質(zhì)的方式以化學(xué)氣相沉積法形成摻雜多晶硅。當(dāng)然，導(dǎo)體層155的材質(zhì)也可以是金屬、金屬硅化物等導(dǎo)體材料，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法。
接下來，請參照圖1E，移除部分導(dǎo)體層155而形成控制柵極160，控制柵極160位于浮置柵極125、源極導(dǎo)體層135的側(cè)壁，并且延伸至階梯狀凹陷143中。移除部分導(dǎo)體層155的方法例如是干式蝕刻法。繼之，于階梯狀凹陷143底部之襯底100中形成漏極區(qū)170。漏極區(qū)170例如是P型摻雜區(qū)或N型摻雜區(qū)，其形成方法例如是以控制柵極160為掩膜，對暴露出之襯底100進(jìn)行雜質(zhì)注入以形成之。于形成源極區(qū)170之后，更可以形成一條位線(未繪示)，與源極區(qū)170電性連接。至于后續(xù)完成非易失存儲器的工藝為熟知本技藝者所周知，于此不再贅述。
在上述實施例中，由于在襯底100中形成了階梯狀凹陷143，使得控制柵極160下方的通道區(qū)得以成為階梯狀的通道區(qū)。藉由形成此種階梯狀信道區(qū)而拉長信道的長度，將可避免漏電流產(chǎn)生，使得內(nèi)存在程序化、抹除操作時，不會產(chǎn)生干擾，進(jìn)而提高內(nèi)存的可靠度。
而且，控制柵極160下方之階梯狀通道區(qū)的長度，還可以透過對于階梯狀凹陷143深度的控制而改變，使得內(nèi)存的設(shè)計布局可以更有彈性，更加符合目前組件積集化之趨勢。
再者，由于本發(fā)明是采用自行對準(zhǔn)的方式形成浮置柵極125與控制柵極160，而不是利用一般平版印刷技術(shù)，不但可以增加工藝裕度，也可以節(jié)省工藝成本與工藝時間。
上述實施例系說明本發(fā)明提出之非易失存儲器的制造方法。以下欲說明的則是本發(fā)明所提出之非易失存儲器的結(jié)構(gòu)。
請參照圖1E，其系繪示本發(fā)明實施例之非易失存儲器的剖面示意圖。此非易失存儲器是由襯底100、浮置柵極125、控制柵極160、源極區(qū)132與漏極區(qū)170所組成的。其中，襯底100例如是硅襯底。襯底100中例如是設(shè)置有溝槽105與位于溝槽105旁之階梯狀凹陷143。
浮置柵極125設(shè)置于溝槽105側(cè)壁，其材質(zhì)例如是摻雜多晶硅、金屬或金屬硅化物等導(dǎo)體材料?？刂茤艠O160例如是設(shè)置于溝槽105與階梯狀凹陷143之間的襯底100上，且延伸至階梯狀凹陷143中。由于控制柵極160有一部份是位于溝槽105與階梯狀凹陷143之間的襯底100上，另一部份則伸入階梯狀凹陷143之中，因此，控制柵極160的底部沿著襯底100與部分階梯狀凹陷143的表面，呈現(xiàn)一階梯狀。這也就是說，控制柵極160下方之通道區(qū)系成一階梯之形狀。襯底100上控制柵極160的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅、金屬或金屬硅化物等導(dǎo)體材料。
浮置柵極125與襯底100之間例如是設(shè)置有一層穿隧介電層110，穿隧介電層110的材質(zhì)例如是氧化硅?？刂茤艠O160的與浮置柵極160、襯底100之間例如是設(shè)置有一層控制柵極介電層150，控制柵極介電層150的材質(zhì)例如是氧化硅。
源極區(qū)132設(shè)置于溝槽105底部之襯底100中，源極區(qū)132例如是P型摻雜區(qū)或N型摻雜區(qū)。漏極區(qū)170設(shè)置于階梯狀凹陷143底部之襯底100中，漏極區(qū)例如是與源極區(qū)相同導(dǎo)電型之P型摻雜區(qū)或N型摻雜區(qū)。漏極區(qū)170上例如是設(shè)置有一條與源極區(qū)170電性連接之位線(未繪示)。
源極區(qū)132上、浮置柵極125之間，例如是設(shè)置有一層源極導(dǎo)體層135，填滿浮置柵極125之間的空隙。且源極導(dǎo)體層135的頂面例如是高于浮置柵極125的頂部。源極導(dǎo)體層135的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅、金屬或金屬硅化物等導(dǎo)體材料。源極導(dǎo)體層135與兩側(cè)之浮置柵極125之間例如是設(shè)置有一層浮置柵極介電層130。浮置柵極介電層130的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是二層以上之介電材料如氧化硅氮化硅、氧化硅氮化硅/氧化硅等。源極導(dǎo)體層135上例如是設(shè)置有一層保護(hù)層137，保護(hù)層137的材質(zhì)例如是氧化硅。
上述非易失存儲器于溝槽105旁設(shè)置有階梯狀凹陷143，而控制柵極160設(shè)置于溝槽105與階梯狀凹陷143之間的襯底100上，且延伸至階梯狀凹陷143中，故而控制柵極160下方的通道區(qū)系為階梯狀之通道區(qū)。因此，在不增加內(nèi)存橫向尺寸，或甚至縮短內(nèi)存橫向尺寸的情況下，仍然可以增加通道區(qū)的長度。于是，便得以避免漏電流的產(chǎn)生，防止內(nèi)存于程序化與抹除操作時產(chǎn)生干擾的情形，進(jìn)一步提高內(nèi)存的可靠度。
雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動與潤飾，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視后附之權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種非易失存儲器，包括襯底，該襯底中設(shè)置有溝槽，且該溝槽旁之該襯底具有階梯狀凹陷；浮置柵極，設(shè)置于該溝槽側(cè)壁；控制柵極，設(shè)置于該溝槽與該階梯狀凹陷之間的該襯底上，且延伸至該階梯狀凹陷中；源極區(qū)，設(shè)置于該溝槽底部之該襯底中；以及漏極區(qū)，設(shè)置于該階梯狀凹陷底部之該襯底中。
2.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，其中該浮置柵極的頂部高于該襯底的頂面。
3.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，更包括穿隧介電層，設(shè)置于該浮置柵極與該襯底之間。
4.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，更包括浮置柵極介電層，設(shè)置于該浮置柵極表面。
5.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，其中該浮置柵極介電層的材質(zhì)包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。
6.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，更包括控制柵極介電層，設(shè)置于該控制柵極與該浮置柵極、該襯底之間。
7.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，更包括一源極導(dǎo)體層，位于該源極區(qū)上，填滿該溝槽。
8.如權(quán)利要求7所述之非易失存儲器，更包括保護(hù)層，設(shè)置于該源極導(dǎo)體層上。
9.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，其中該控制柵極下方之通道區(qū)呈階梯狀。
10.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，更包括位線，與該漏極區(qū)電性連接。
11.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲器，其中該控制柵極的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
12.一種非易失存儲器的制造方法，包括提供襯底；于該襯底上形成掩膜層；于該襯底與該掩膜層中形成溝槽；于該溝槽中形成穿隧介電層；于該溝槽側(cè)壁形成浮置柵極；于該浮置柵極上形成浮置柵極介電層；于該溝槽下方之該襯底中形成源極區(qū)；移除部分該掩膜層，于該溝槽外側(cè)之該襯底上形成第一間隙壁；蝕刻未被該第一間隙壁覆蓋之該襯底，于該溝槽旁之該襯底中形成階梯狀凹陷；移除該第一間隙壁；于該襯底上形成控制柵極介電層；于該襯底上形成控制柵極，該控制柵極自該溝槽外側(cè)延伸至該階梯狀凹陷中；以及于該階梯狀凹陷底部之該襯底中形成一漏極區(qū)。
13.如權(quán)利要求12所述之非易失存儲器的制造方法，其中該控制柵極的形成方法包括于該襯底上形成導(dǎo)體層；以及移除部分該導(dǎo)體層，以形成該控制柵極，且暴露出該階梯狀凹陷底部之部分該襯底。
14.如權(quán)利要求12所述之非易失存儲器的制造方法，其中該浮置柵極的形成方法包括于該襯底上形成導(dǎo)體層，該導(dǎo)體層的頂面高于該襯底頂面；于該導(dǎo)體層上之該溝槽兩側(cè)壁形成第二間隙壁；以該第二間隙壁為掩膜，移除部分該導(dǎo)體層，于該溝槽兩側(cè)壁形成該浮置柵極，且暴露出該溝槽底部之部分該襯底；以及移除該第二間隙壁。
15.如權(quán)利要求12所述之非易失存儲器的制造方法，其中該第一間隙壁的形成方法更包括移除該掩膜層；與該襯底上形成第一間隙壁材料層；以及移除部分該第一間隙壁材料層，于該浮置柵極的側(cè)壁形成該第一間隙壁。
16.如權(quán)利要求12所述之非易失存儲器的制造方法，更包括于形成該浮置柵極介電層的步驟后，于該溝槽中形成源極導(dǎo)體層。
17.如權(quán)利要求16所述之非易失存儲器的制造方法，更包括于形成該源極導(dǎo)體層的步驟之后，于該源極導(dǎo)體層上形成保護(hù)層。
18.如權(quán)利要求12所述之非易失存儲器的制造方法，其中該浮置柵極介電層的材質(zhì)包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。
19.如權(quán)利要求12所述之非易失存儲器的制造方法，其中該控制柵極的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
20.如權(quán)利要求12所述之非易失存儲器的制造方法，更包括于形成該漏極區(qū)的步驟后，形成位線，與該漏極區(qū)電性連接。
全文摘要
一種非易失存儲器，包括襯底、浮置柵極、控制柵極、源極區(qū)與漏極區(qū)。其中，襯底中設(shè)置有溝槽，且溝槽旁之襯底中具有階梯狀凹陷。浮置柵極設(shè)置于溝槽側(cè)壁?？刂茤艠O設(shè)置于溝槽與階梯狀凹陷之間的襯底上，且延伸至階梯狀凹陷中。源極區(qū)設(shè)置于溝槽底部之襯底中，漏極區(qū)則設(shè)置于階梯狀凹陷底部之襯底中。
文檔編號H01L21/336GK101022114SQ20061000702
公開日2007年8月22日 申請日期2006年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月14日
發(fā)明者張格滎, 張骕遠(yuǎn) 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司