專(zhuān)利名稱(chēng)：非易失存儲(chǔ)器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體內(nèi)存組件的制造方法，且特別是有關(guān)于一種非易失存儲(chǔ)器的制造方法。
背景技術(shù)：
在各種非易失存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，具有可進(jìn)行多次數(shù)據(jù)之存入、讀取、抹除等動(dòng)作，且存入之?dāng)?shù)據(jù)在斷電后也不會(huì)消失之優(yōu)點(diǎn)的可電擦除且可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，已成為個(gè)人計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種內(nèi)存組件。
業(yè)界提出一種非易失存儲(chǔ)器，如圖1所示。此非易失存儲(chǔ)器包括由多個(gè)存儲(chǔ)胞102與多個(gè)存儲(chǔ)胞116所構(gòu)成之存儲(chǔ)胞串行。存儲(chǔ)胞102與存儲(chǔ)胞116系藉由間隙壁110而隔離開(kāi)來(lái)。存儲(chǔ)胞102由襯底100起依序?yàn)榈捉殡妼?04a、電荷俘獲層104b與頂介電層104c(底介電層104a、電荷俘獲層104b與頂介電層104c構(gòu)成復(fù)合介電層104)、柵極106與頂蓋層108。存儲(chǔ)胞116系配置于兩個(gè)存儲(chǔ)胞102之間。而且，存儲(chǔ)胞116由襯底100起依序?yàn)榈捉殡妼?12a、電荷俘獲層112b、頂介電層112c(底介電層112a、電荷俘獲層112b、頂介電層112c構(gòu)成復(fù)合介電層112)與柵極114。此種非易失存儲(chǔ)器的各個(gè)存儲(chǔ)胞之間無(wú)間隙，因此可以增加組件集成度。
然而，上述之非易失存儲(chǔ)器的制造過(guò)程中，存儲(chǔ)胞102的復(fù)合介電層104與存儲(chǔ)胞116的復(fù)合介電層112是在不同的步驟中所完成的，故其工藝較為繁瑣。而且，由于存儲(chǔ)胞116是形成在兩個(gè)存儲(chǔ)胞102之間，也就是說(shuō)存儲(chǔ)胞116的復(fù)合介電層112是形成在非平坦的表面上。由于存儲(chǔ)胞102與襯底100所形成的轉(zhuǎn)角，將使得存儲(chǔ)胞116的復(fù)合介電層112的厚度不均勻，而導(dǎo)致存儲(chǔ)胞116的可靠度較差。如此將造成存儲(chǔ)胞102及存儲(chǔ)胞116之電性不一致，影響組件的效能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種非易失存儲(chǔ)器的制造方法，能夠同時(shí)形成性質(zhì)相同的復(fù)合介電層，提高存儲(chǔ)胞的可靠度。
本發(fā)明的另一目的是提供一種非易失存儲(chǔ)器的制造方法，可以降低熱預(yù)算(thermal budget)，以提高組件效能，且其工藝簡(jiǎn)單，能夠降低成本。
本發(fā)明提出一種非易失存儲(chǔ)器的制造方法，此方法系先提供襯底。然后，于襯底上形成復(fù)合介電層，此復(fù)合介電層包括底介電層、電荷俘獲層與頂介電層。接著，于復(fù)合介電層上形成犧牲層。之后，于犧牲層上形成掩膜層。繼而，圖案化掩膜層，以形成暴露出犧牲層之多數(shù)個(gè)第一開(kāi)口。接下來(lái)，移除這些第一開(kāi)口所暴露之部分犧牲層。再于這些第一開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第一柵極，這些第一柵極與其下方之復(fù)合介電層構(gòu)成多數(shù)個(gè)第一存儲(chǔ)胞。之后，移除掩膜層，以于多數(shù)個(gè)第一柵極之間形成多數(shù)個(gè)第二開(kāi)口。然后，在這些第一柵極的頂部及側(cè)壁形成絕緣層。繼而，移除這些第二開(kāi)口所暴露之部分犧牲層，并于這些第二開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第二柵極。這些第二柵極與其下方之復(fù)合介電層構(gòu)成多數(shù)個(gè)第二存儲(chǔ)胞。這些第二存儲(chǔ)胞與第一存儲(chǔ)胞構(gòu)成存儲(chǔ)胞串行。繼而，于存儲(chǔ)胞串行兩側(cè)之襯底中各自形成源極/漏極區(qū)。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述于第一開(kāi)口中形成第一柵極的步驟例如是先于襯底上形成第一導(dǎo)體層，然后再移除第一開(kāi)口以外之部分第一導(dǎo)體層，以暴露出掩膜層。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述第一導(dǎo)體層之材質(zhì)可以是摻雜多晶硅，移除第一開(kāi)口以外之部分第一導(dǎo)體層的方法包括化學(xué)機(jī)械研磨法。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述犧牲層之材質(zhì)可以是氮化硅，而移除第一開(kāi)口所暴露出之部分犧牲層的步驟及移除第二開(kāi)口所暴露出之部分犧牲層的步驟例如是進(jìn)行濕式蝕刻工藝，其例如是使用磷酸作為蝕刻劑。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述掩膜層之材質(zhì)與犧牲層之材質(zhì)具有不同的蝕刻選擇性，且犧牲層亦與頂介電層具有不同的蝕刻選擇性。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述掩膜層之材質(zhì)例如是氧化硅。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述于第二開(kāi)口中形成第二柵極的步驟例如是于襯底上形成第二導(dǎo)體層，然后移除第二開(kāi)口以外之部分第二導(dǎo)體層，以暴露出位在第一柵極頂部的絕緣層。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述第二導(dǎo)體層之材質(zhì)可以是摻雜多晶硅，移除第二開(kāi)口以外之部分第二導(dǎo)體層的方法包括化學(xué)機(jī)械研磨法。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述于第一柵極的頂部及側(cè)壁形成絕緣層之方法包括熱氧化法。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述底介電層與頂介電層之材質(zhì)例如是氧化硅，電荷俘獲層之材質(zhì)例如是氮化硅。
本發(fā)明提出另一種非易失存儲(chǔ)器的制造方法，此方法系先提供襯底。然后于襯底上形成復(fù)合介電層，此復(fù)合介電層包括底介電層、電荷俘獲層與頂介電層。接著，于復(fù)合介電層上形成掩膜層。繼而，圖案化掩膜層，以形成暴露出復(fù)合介電層之多數(shù)個(gè)第一開(kāi)口，并于這些第一開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第一柵極，這些第一柵極與其下方之復(fù)合介電層構(gòu)成多數(shù)個(gè)第一存儲(chǔ)胞。之后，移除掩膜層，以于這些第一柵極之間形成多數(shù)個(gè)第二開(kāi)口。接下來(lái)，于第一柵極的頂部及側(cè)壁形成絕緣層。然后，在這些第二開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第二柵極。這些第二柵極與其下方之復(fù)合介電層構(gòu)成多數(shù)個(gè)第二存儲(chǔ)胞。這些第二存儲(chǔ)胞與第一存儲(chǔ)胞構(gòu)成存儲(chǔ)胞串行。繼之，于存儲(chǔ)胞串行兩側(cè)之襯底中各自形成源極/漏極區(qū)。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述于第一開(kāi)口中形成第一柵極的步驟例如是于襯底上形成第一導(dǎo)體層，然后再移除第一開(kāi)口以外之部分第一導(dǎo)體層，以暴露出掩膜層。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述于第二開(kāi)口中形成第二柵極的步驟例如是先于襯底上形成第二導(dǎo)體層，然后再移除第二開(kāi)口以外之部分第二導(dǎo)體層，以暴露出位于第一柵極頂部的絕緣層。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述第一導(dǎo)體層之材質(zhì)可以是摻雜多晶硅，第二導(dǎo)體層之材質(zhì)可以是摻雜多晶硅。移除第一開(kāi)口以外之部分第一導(dǎo)體層，以及移除第二開(kāi)口以外之部分第二導(dǎo)體層的方法例如是化學(xué)機(jī)械研磨法。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述于第一柵極的頂部及側(cè)壁形成絕緣層之方法可以是熱氧化法。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，上述之底介電層與頂介電層之材質(zhì)例如是氧化硅，電荷俘獲層之材質(zhì)例如是氮化硅。
本發(fā)明因于平坦的表面上同時(shí)形成存儲(chǔ)胞串行的所有復(fù)合介電層，可以避免習(xí)知之復(fù)合介電層因?yàn)槌练e在非平坦的表面，造成存儲(chǔ)胞可靠度差的問(wèn)題。另外，由于只需要形成一次復(fù)合介電層，因此可以降低熱預(yù)算，進(jìn)而提高組件的效能，而且這個(gè)方法的工藝簡(jiǎn)單，能夠降低成本。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1所繪示為一種非易失存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖2A至圖2G所繪示為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例之一種非易失存儲(chǔ)器的制造流程剖面圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明100、200襯底102、116、Q1、Q2存儲(chǔ)胞104、112、201復(fù)合介電層104a、112a、201a底介電層104b、112b、201b電荷俘獲層104c、112c、201c頂介電層106、114、209、215柵極108頂蓋層110間隙壁203犧牲層205掩膜層207、211開(kāi)口213絕緣層221源極/漏極區(qū)具體實(shí)施方式
圖2A至圖2G為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例之一種非易失存儲(chǔ)器的制造流程剖面圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，此方法系先提供襯底200，襯底200例如是硅襯底。然后，于襯底200上形成一層復(fù)合介電層201，此復(fù)合介電層201例如是由底介電層201a、電荷俘獲層201b與頂介電層201c所構(gòu)成。其中，底介電層201a之材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法。電荷俘獲層201b之材質(zhì)例如是氮化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。頂介電層201c之材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。當(dāng)然，底介電層201a及頂介電層201c也可以是其它類(lèi)似的材質(zhì)。電荷俘獲層201b之材質(zhì)并不限于氮化硅，也可以是其它能夠使電荷俘獲于其中之材質(zhì)，例如鉭氧化層、鈦酸鍶層與鉿氧化層等。
然后，于復(fù)合介電層201上形成犧牲層203。犧牲層203之材質(zhì)與頂介電層201c之材質(zhì)具有不同的蝕刻選擇性。此犧牲層203之材質(zhì)例如是氮化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，于犧牲層203上形成掩膜層205。掩膜層205之材質(zhì)與犧牲層203之材質(zhì)具有不同的蝕刻選擇性。掩膜層205之材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
繼而，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，圖案化掩膜層205，以形成暴露出犧牲層203之多數(shù)個(gè)開(kāi)口207。圖案化掩膜層205的方法例如是經(jīng)由平版印刷、蝕刻工藝而完成之。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，移除這些開(kāi)口207所暴露之部分犧牲層203。其中，移除此部分犧牲層203的步驟例如是進(jìn)行濕式蝕刻工藝，其例如是使用磷酸作為蝕刻劑。由于犧牲層203之材質(zhì)與頂介電層201c之材質(zhì)具有不同的蝕刻選擇性。因此，于移除部分之犧牲層203之時(shí)，并不會(huì)侵蝕到頂介電層201c，可以維持復(fù)合介電層201的可靠度。而掩膜層205下方的復(fù)合介電層201則由掩膜層205所覆蓋住而不會(huì)受到蝕刻。
然后，請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2D，于這些開(kāi)口207中形成多數(shù)個(gè)柵極209。形成柵極209的步驟例如是先于襯底200上形成導(dǎo)體層(未繪示)，然后再移除這些開(kāi)口209以外之部分導(dǎo)體層，以暴露出掩膜層205。導(dǎo)體層之材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之，當(dāng)然也可以采用臨場(chǎng)注入雜質(zhì)的方式以化學(xué)氣相沉積法形成摻雜多晶硅層。移除開(kāi)口209以外之部分導(dǎo)體層的方法例如是化學(xué)機(jī)械研磨法。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2E，移除掩膜層205，以于這些柵極209之間形成多數(shù)個(gè)開(kāi)口211。移除掩膜層205的方法例如是干式蝕刻或濕式蝕刻等適當(dāng)之蝕刻工藝。由于掩膜層205之材質(zhì)與犧牲層203之材質(zhì)具有不同的蝕刻選擇性，因此蝕刻會(huì)終止在犧牲層203，而不會(huì)侵蝕到頂介電層201c。然后，在這些柵極209的頂部及側(cè)壁形成絕緣層213。絕緣層213的材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法。
接著，再移除這些開(kāi)口211所暴露之部分犧牲層203，暴露出復(fù)合介電層201。其中，移除這些開(kāi)口211所暴露之部分犧牲層203的步驟例如是進(jìn)行濕式蝕刻工藝，其例如是使用磷酸作為蝕刻劑。由于犧牲層203之材質(zhì)與頂介電層201c之材質(zhì)具有不同的蝕刻選擇性。因此，于移除部分之犧牲層203之時(shí)，并不會(huì)侵蝕到頂介電層201c，可維持復(fù)合介電層201的可靠度。
繼而，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，于開(kāi)口211中形成多數(shù)個(gè)柵極215。形成柵極215的步驟例如是于襯底200上形成導(dǎo)體層(未繪示)，再移除開(kāi)口211以外之部分導(dǎo)體層，以暴露出柵極209頂部的絕緣層213。其中，導(dǎo)體層之材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之，當(dāng)然也可以采用臨場(chǎng)注入雜質(zhì)的方式以化學(xué)氣相沉積法形成摻雜多晶硅層。至于移除開(kāi)口211以外之部分導(dǎo)體層的方法例如是化學(xué)機(jī)械研磨法。
其中，柵極209和其下方的復(fù)合介電層201構(gòu)成存儲(chǔ)胞Q1；柵極215和其下方的復(fù)合介電層201構(gòu)成存儲(chǔ)胞Q2。多數(shù)個(gè)存儲(chǔ)胞Q1與多數(shù)個(gè)存儲(chǔ)胞Q2構(gòu)成存儲(chǔ)胞串行，如圖2F所示。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2G，移除存儲(chǔ)胞串行兩側(cè)，欲形成源極/漏極區(qū)的區(qū)域上所殘留之柵極215。此移除方法例如是進(jìn)行一蝕刻工藝。繼而，于存儲(chǔ)胞串行兩側(cè)之襯底200中形成源極/漏極區(qū)221。源極/漏極區(qū)221的形成方法例如是離子注入法，注入的離子可以是P型離子或N型離子，其端視所欲形成之組件型態(tài)而定。
值得一提的是，上述實(shí)施例系以于復(fù)合介電層201上形成一層犧牲層203為例作說(shuō)明。犧牲層203雖具有保護(hù)底下之復(fù)合介電層201之功用，然而犧牲層203的設(shè)置是可以視實(shí)際需要而選擇性地設(shè)置的。惟倘若選擇不設(shè)置犧牲層203，則可以將掩膜層205直接形成于頂介電層201c上。只要掩膜層205之材質(zhì)選用氮化硅或其它與頂介電層201c之蝕刻選擇性不同之適當(dāng)材質(zhì)。如此一來(lái)，在移除掩膜層205之時(shí)，可以留下頂介電層201c，并能夠維持復(fù)合介電層201的品質(zhì)。
另外，在上述實(shí)施例中，系以形成六個(gè)存儲(chǔ)胞結(jié)構(gòu)為實(shí)例做說(shuō)明。當(dāng)然，使用本發(fā)明之存儲(chǔ)胞串行之制造方法，可以視實(shí)際需要而形成適當(dāng)數(shù)目的存儲(chǔ)胞，舉例來(lái)說(shuō)，同一條位線可以串接32至64個(gè)存儲(chǔ)胞結(jié)構(gòu)。而且，本發(fā)明之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，實(shí)際上是應(yīng)用于形成整個(gè)存儲(chǔ)胞串行。
綜上所述，由于復(fù)合介電層201，系于平坦的表面上在同一步驟中形成，在工藝上可以節(jié)省所需的熱預(yù)算，有利于組件的效能，而且能夠有效簡(jiǎn)化制造流程，降低制造成本。此外，存儲(chǔ)胞Q1及存儲(chǔ)胞Q2的復(fù)合介電層201因系于平坦的表面上所形成的，其成膜品質(zhì)較穩(wěn)定，得以確保存儲(chǔ)胞Q1及存儲(chǔ)胞Q2之間的電性一致，進(jìn)而提高組件的可靠度。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視后附之權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種非易失存儲(chǔ)器的制造方法，包括提供襯底；于該襯底上形成復(fù)合介電層，該復(fù)合介電層包括底介電層、電荷俘獲層與頂介電層；于該復(fù)合介電層上形成犧牲層；于該犧牲層上形成掩膜掩膜層；圖案化該掩膜掩膜層，以形成暴露該犧牲層之多數(shù)個(gè)第一開(kāi)口；移除該些第一開(kāi)口所暴露之部分該犧牲層；于該些第一開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第一柵極，該些第一柵極與該些第一柵極下方之該復(fù)合介電層構(gòu)成多數(shù)個(gè)第一存儲(chǔ)胞；移除該掩膜掩膜層，以于該些第一柵極之間形成多數(shù)個(gè)第二開(kāi)口；于該些第一柵極的頂部及側(cè)壁形成絕緣層；移除該些第二開(kāi)口所暴露之部分該犧牲層；于該些第二開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第二柵極，該些第二柵極與該些第二柵極下方之該復(fù)合介電層構(gòu)成多數(shù)個(gè)第二存儲(chǔ)胞，該些第二存儲(chǔ)胞與該些第一存儲(chǔ)胞構(gòu)成存儲(chǔ)胞串行；以及于該存儲(chǔ)胞串行兩側(cè)之該襯底中各自形成源極/漏極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該些第一開(kāi)口中形成該些第一柵極的步驟包括于該襯底上形成第一導(dǎo)體層；以及移除該些第一開(kāi)口以外之部分該第一導(dǎo)體層，以暴露出該掩膜掩膜層。
3.如權(quán)利要求2所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第一導(dǎo)體層之材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
4.如權(quán)利要求3所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中移除該些第一開(kāi)口以外之部分該第一導(dǎo)體層的方法包括化學(xué)機(jī)械研磨法。
5.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該犧牲層之材質(zhì)包括氮化硅。
6.如權(quán)利要求5所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中移除該些第一開(kāi)口所暴露之部分該犧牲層之的步驟及移除該些第二開(kāi)口所暴露之部分該犧牲層的步驟包括進(jìn)行濕式蝕刻工藝。
7.如權(quán)利要求6所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中在該濕式蝕刻工藝包括使用磷酸作為蝕刻劑。
8.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該掩膜掩膜層之材質(zhì)與該犧牲層之材質(zhì)具有不同的蝕刻選擇性，且該犧牲層亦與該頂介電層具有不同的蝕刻選擇性。
9.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該掩膜層之材質(zhì)包括氧化硅。
10.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該些第二開(kāi)口中形成該些第二柵極的步驟包括于該襯底上形成第二導(dǎo)體層；以及移除該些第二開(kāi)口以外之部分該第二導(dǎo)體層，以暴露出于該些第一柵極的頂部的該絕緣層。
11.如權(quán)利要求10所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第二導(dǎo)體層之材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
12.如權(quán)利要求11所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中移除該些第二開(kāi)口以外之部分該第二導(dǎo)體層的方法包括化學(xué)機(jī)械研磨法。
13.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該些第一柵極的頂部及側(cè)壁形成該絕緣層之方法包括熱氧化法。
14.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該底介電層與該頂介電層之材質(zhì)包括氧化硅。
15.如權(quán)利要求1所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該電荷俘獲層之材質(zhì)包括氮化硅。
16.一種非易失存儲(chǔ)器的制造方法，包括提供襯底；于該襯底上形成復(fù)合介電層，該復(fù)合介電層包括底介電層、電荷俘獲層與頂介電層；于該復(fù)合介電層上形成掩膜層；圖案化該掩膜層，以形成暴露該復(fù)合介電層之多數(shù)個(gè)第一開(kāi)口；于該些第一開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第一柵極，該些第一柵極與該些第一柵極下方之該復(fù)合介電層構(gòu)成多數(shù)個(gè)第一存儲(chǔ)胞；移除該掩膜層，以于該些第一柵極之間形成多數(shù)個(gè)第二開(kāi)口；于該些第一柵極的頂部及側(cè)壁形成絕緣層；于該些第二開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第二柵極，該些第二柵極與該些第二柵極下方之該復(fù)合介電層構(gòu)成多數(shù)個(gè)第二存儲(chǔ)胞，該些第二存儲(chǔ)胞與該些第一存儲(chǔ)胞構(gòu)成存儲(chǔ)胞串行；以及于該存儲(chǔ)胞串行兩側(cè)之該襯底中各自形成源極/漏極區(qū)。
17.如權(quán)利要求16所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該些第一開(kāi)口中形成該些第一柵極的步驟包括于該襯底上形成第一導(dǎo)體層；以及移除該些第一開(kāi)口以外之部分該第一導(dǎo)體層，以暴露出該掩膜層。
18.如權(quán)利要求17所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第一導(dǎo)體層之材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
19.如權(quán)利要求18所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中移除該些第一開(kāi)口以外之部分該第一導(dǎo)體層的方法包括化學(xué)機(jī)械研磨法。
20.如權(quán)利要求16所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該些第二開(kāi)口中形成該些第二柵極的步驟包括于該襯底上形成第二導(dǎo)體層，該第二導(dǎo)體層之材質(zhì)包括多晶硅；以及移除該些第二開(kāi)口以外之部分該第二導(dǎo)體層，以暴露出于該些第一柵極的頂部的該絕緣層。
21.如權(quán)利要求20所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第二導(dǎo)體層之材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
22.如權(quán)利要求21所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中移除該些第二開(kāi)口以外之部分該第二導(dǎo)體層的方法包括化學(xué)機(jī)械研磨法。
23.如權(quán)利要求16所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該些第一柵極的頂部及側(cè)壁形成該絕緣層之方法包括熱氧化法。
24.如權(quán)利要求16所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該底介電層與該頂介電層之材質(zhì)包括氧化硅。
25.如權(quán)利要求16所述之非易失存儲(chǔ)器的制造方法，其中該電荷俘獲層之材質(zhì)包括氮化硅。
全文摘要
一種非易失存儲(chǔ)器的制造方法，首先提供襯底，于襯底上依序形成復(fù)合介電層、犧牲層與掩膜層。之后，圖案化掩膜層，以形成暴露出犧牲層之多數(shù)個(gè)第一開(kāi)口。接下來(lái)，移除第一開(kāi)口所暴露出之部分犧牲層，再于第一開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第一柵極。之后，移除掩膜掩膜層，以于第一柵極之間形成多數(shù)個(gè)第二開(kāi)口。然后，在第一柵極的頂部及側(cè)壁形成一絕緣層。接著，再移除這些第二開(kāi)口所暴露出之部分犧牲層，并于這些第二開(kāi)口中形成多數(shù)個(gè)第二柵極。多數(shù)個(gè)第二柵極與多數(shù)個(gè)第一柵極構(gòu)成存儲(chǔ)胞串行。繼而，于存儲(chǔ)胞串行兩側(cè)之襯底中各自形成源極/漏極區(qū)。
文檔編號(hào)H01L21/8246GK101022089SQ20061000701
公開(kāi)日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2006年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月14日
發(fā)明者魏鴻基, 畢嘉慧 申請(qǐng)人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司