專利名稱：厚膜電容器、印刷電路板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及厚膜電容器，具體地涉及嵌在印刷電路板中的厚膜電容器，更具體地涉及嵌在印刷電路板中由厚膜電介質(zhì)材料制成的電容器。
背景技術(shù)：
在印刷電路中嵌入電容器可以減少電路的尺寸并改善電路性能。電容器一般嵌入層疊、并用互聯(lián)電路連接的板中。層疊的板形成印刷電路板。層疊的板一般可稱為“內(nèi)層板”。
用箔上燒制(fired-on-foil)技術(shù)形成的嵌入印刷電路板中的無源電路元件是已知的?！安戏謩e燒制”的電容器是通過把厚膜電容器材料層沉積在金屬箔基材上，然后把頂部電極材料沉積在厚膜電容器材料層上，再在銅厚膜燒制條件下進(jìn)行燒制而成的。厚膜電容器材料可包含高介電常數(shù)材料、玻璃和/或摻雜劑，而且應(yīng)在燒制后具有高的介電常數(shù)(K)。
燒制后，所得的制品可層合在一個預(yù)浸漬電介質(zhì)層上，然后蝕刻掉金屬箔，形成電容器電極和相關(guān)的電路。然而，在印刷電路板業(yè)中常用的蝕刻液(如在熱2.4N鹽酸中的氯化鐵溶液)可能侵蝕并容器并溶解介電玻璃和摻雜劑。蝕刻液會損壞電容器的電介質(zhì)材料，致使許多電容器在蝕刻后可能短路。即使沒有發(fā)生短路，對電介質(zhì)材料的損壞也會危害電容器的長期可靠性，特別是在沒有從電容器中完全清除所有蝕刻液的情況下。印刷電路板業(yè)中常用于其它方法(如黑色氧化物法和電鍍法)的其它溶液也可能損壞電容器的電介質(zhì)材料，并具有類似的長期可靠性問題。
解決上述蝕刻問題的一種方法是在厚膜電容器材料組合物中使用耐蝕刻液的高二氧化硅含量的玻璃。然而，高二氧化硅的玻璃具有很低的介電常數(shù)和很高的軟化點(diǎn)。當(dāng)它用于電容器配方中時，如果不加入大體積份數(shù)的玻璃，則高的軟化點(diǎn)會使形成的組合物難于燒結(jié)至高密度。然而，高體積份數(shù)的玻璃會使形成的電介質(zhì)材料具有不合需要的低介電常數(shù)。
在美國專利申請No.10/882820(Borland等)中公開了另一種解決蝕刻問題的途徑，它公開了一種制造電容器的方法，所述方法包括提供金屬箔，在金屬箔上形成介電材料，在一部分介電材料上形成第一電極，在一部分金屬箔(包括整個介電材料)上形成保護(hù)涂層，并蝕刻金屬箔，形成第二電極。Borland等還公開了一種制造印刷電路板的方法，所述方法包括在金屬箔上形成介電材料，在介電材料上形成第一電極，將金屬箔的非元件面層壓到至少一種介電材料上，在至少部分介電材料上形成保護(hù)涂層，并蝕刻金屬箔，形成第二電極。
本發(fā)明人旨在通過創(chuàng)造出制造電容器和印刷電路板的新方法來提供一種解決上述蝕刻問題的方案。本發(fā)明人開發(fā)出防止蝕刻液接觸電容器電介質(zhì)的設(shè)計路線而達(dá)到了上述目的。

發(fā)明內(nèi)容
在第一實施方式中，電容器的制造方法包括提供金屬箔，在該金屬箔上形成電容器電介質(zhì)，在一部分電容器電介質(zhì)上形成第一電極，將金屬箔的元件面層壓到層壓材料上，并以避免酸接觸電容器電介質(zhì)的方式蝕刻金屬箔，形成第二電極。
在以上實施方式中，所述設(shè)計使層壓材料保護(hù)電容器電介質(zhì)免于接觸在制造過程中所用的蝕刻溶液。否則，所述刻蝕溶液會侵蝕和溶解電容器電介質(zhì)玻璃以及電介質(zhì)中存在的摻雜劑。電容器的可靠性和性能由此得以提高，并避免電容器短路。而且，在本實施方式的制造方法中不需要使用會降低電介質(zhì)的介電常數(shù)的耐蝕刻玻璃。
本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員在閱讀了一些實施方式的如下詳細(xì)說明后，會理解本發(fā)明各實施方式的上述優(yōu)點(diǎn)和其它優(yōu)點(diǎn)以及各種附加實施方式的好處。


詳細(xì)說明參照如下附圖，其中圖1A-1H是說明嵌入具有金屬箔上單層電容器設(shè)計的電容器的多層印刷電路板的第一制造方法的系列圖。
圖2是單介電層電容器的頂視圖。
圖3A-3G是說明嵌入具有金屬箔上的雙層電容器設(shè)計的電容器的印刷電路板的制造方法的系列圖。
圖4是雙介電層電容器的頂視圖。
按照常規(guī)，附圖中的各種特征未必按比例繪制。各種特征的尺度可以擴(kuò)大或縮小，以便于更清楚地說明本發(fā)明的實施方式。
具體實施例方式
圖1A-1H說明嵌入具有金屬箔上單層電容器設(shè)計的電容器的多層印刷電路板(PCB)1000(圖1H)的第一種制造方法。為了說明的目的，在圖1A-1H中說明形成的兩個嵌入式電容器。然而，用本說明書中所述的方法可以形成一個、兩個、三個或更多個電容器。為簡潔起見，如下的說明書僅用于說明所示電容器之一的形成過程。
在圖1A中提供金屬箔110。金屬箔110可以是工業(yè)上通常可得到的金屬箔。例如，金屬箔110可以是銅、銅-因伐合金-銅、因伐合金、鎳、鍍鎳銅、或熔點(diǎn)超過厚膜漿燒結(jié)溫度(如，900℃)的其它金屬和合金。合適的箔包括主要由銅構(gòu)成的箔，如逆處理銅箔、雙面處理銅箔以及其它多層印刷電路板工業(yè)上常用的銅箔。金屬箔110的厚度例如可以為1～100微米左右。其它的厚度包括3～75微米，更具體為12～36微米。這些厚度范圍相當(dāng)于1/3盎司至1盎司的銅箔。
金屬箔110還可以通過涂覆底涂層(underprint)112進(jìn)行預(yù)處理。圖1A中底涂層112表示為表面涂層，且可以是涂在金屬箔110有元件的表面上的較薄層。底涂層112與金屬箔110和涂布在該底涂層上的涂層附著良好。底涂層112例如可以由涂覆在金屬箔110上的漿料在低于金屬箔熔點(diǎn)以下的溫度燒制而成。底涂料漿可以在金屬箔110整個表面上涂布成開放涂層(open coating)或涂布在金屬箔110的選擇區(qū)域上。一般來說，把底涂料漿涂布在金屬箔110的選擇區(qū)域上比涂布在整個金屬箔110上更經(jīng)濟(jì)。然而，如果對銅箔110進(jìn)行摻氧燒結(jié)，則涂覆金屬箔110的整個表面較佳，因為底涂層中所含的玻璃能防止銅箔110的氧化侵蝕。
適用作底涂層的一種厚膜漿具有如下組成(相對質(zhì)量)銅粉58.4玻璃A 1.7氧化亞銅粉 5.8賦形劑 11.7TEXANOL溶劑 12.9表面活性劑 0.5總量91.0在該組合物中玻璃A包含組成為Pb5Ge3O11的鍺酸鉛賦形劑包含 乙基纖維素N20011％TEXANOL 89％表面活性劑包含 VARIQUATCC-9NS表面活性劑TEXANOL購自Eastman Chemical Co.。VARIQUATCC-9 NS購自AshlandInc.。
將電容器電介質(zhì)材料涂覆在預(yù)處理金屬箔110的底涂層112上，形成第一電介質(zhì)材料層120(圖1A)。該電容器電介質(zhì)材料例如可以是絲網(wǎng)印刷在金屬箔110上的厚膜電容器漿。然后將第一電介質(zhì)材料層120干燥。在圖1B中，然后涂覆第二電介質(zhì)材料層125，并進(jìn)行干燥。在另一個實施方式中，在單個絲網(wǎng)印刷步驟中，將單層電容器電介質(zhì)材料涂覆成與雙層120、和125等厚度的層。一種已公開的適用于箔上燒結(jié)實施方式的厚膜電容器材料具有如下組成(相對質(zhì)量)鈦酸鋇粉末 68.55氟化鋰 1.0氟化鋇 1.36氟化鋅 0.74玻璃A 10.25玻璃B 1.0玻璃C 1.0賦形劑 5.9TEXANOL溶劑 8.7氧化劑 1.0磷酸鹽潤濕劑0.5總量100.00在該組合物中玻璃A包含 組成為Pb5Ge3O11的鍺酸鉛玻璃B包含Pb4BaGe1.5Si1.5O11玻璃C包含Pb5GeSiTiO11賦形劑包含乙基纖維素N20011％TEXANOL溶劑 89％
氧化劑包含硝酸鋇粉84％賦形劑 16％在圖1C中，在第二電介質(zhì)材料層125上形成導(dǎo)電材料層130，并進(jìn)行干燥。導(dǎo)電材料層130例如可以通過在第二電介質(zhì)材料層125上絲網(wǎng)印刷厚膜金屬漿形成。用于形成底涂層112的漿料也適用于形成導(dǎo)電材料層130。如果俯視，第一和第二電介質(zhì)材料層120，125的表面積一般大于導(dǎo)電材料層130的表面積。
然后將第一電介質(zhì)材料層120、第二電介質(zhì)材料層125和導(dǎo)電材料層130一起燒制成所得的結(jié)構(gòu)。燒制后的結(jié)構(gòu)截面按正視圖方式表示在圖1D中。燒制使得電介質(zhì)材料層120和125形成單層電介質(zhì)層128，因為電介質(zhì)材料層120和125之間的界面在共同燒制過程中消失了。在共同燒制過程中也形成了頂部電極132。當(dāng)在銅箔上和氮?dú)夥罩幸苑逯禍囟葹?00℃燒制10分鐘后，所得電介質(zhì)層128的介電常數(shù)可以為約3000～5000，耗散常數(shù)約為2.5％。也可以使用其它燒制條件，以獲得與電介質(zhì)層128不同的材料性質(zhì)。
在圖1E中，金屬箔110的組件面與層壓材料170層合，頂部電極132朝上。形成的結(jié)構(gòu)是個內(nèi)層板。這種層合例如可以用標(biāo)準(zhǔn)印刷電路板工藝中的FR4預(yù)浸漬物執(zhí)行。在一個實施方式中，可以使用106環(huán)氧樹脂預(yù)浸漬物。合適的層合條件例如是在抽真空至28英寸汞柱的真空腔室中在185℃和208psig的條件下層壓1小時。層壓條件可以根據(jù)所選的材料而變化。硅橡膠壓墊和填充聚四氟乙烯的光滑玻璃剝離片可以與金屬箔110接觸，以防止環(huán)氧樹脂與層壓板粘合在一起。層壓材料170可以是任何類型的電介質(zhì)材料，如標(biāo)準(zhǔn)環(huán)氧樹脂、高Tg環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、氰酸酯樹脂、填充樹脂體系、BT環(huán)氧樹脂、以及其它在電路層之間提供絕緣的樹脂和層壓材料。箔180可以施加在層壓材料170的背面，以提供用于形成電路的表面。
現(xiàn)參看圖1F，層壓后，將光刻膠涂覆在金屬箔110和180上，使光刻膠成像并顯影。蝕刻所述金屬箔110和180，使用例如標(biāo)準(zhǔn)印刷電路板條件剝離剩余的光刻膠。所述蝕刻在電容器電介質(zhì)128的外圍的箔110中形成凹痕115，形成電容器箔電極118，它與剩余的金屬箔110分隔。所述電容器箔電極118、電介質(zhì)128和頂部電極132形成電容器100。所述蝕刻工藝也從箔180形成電路185、186、187、188等。在蝕刻過程中，所述蝕刻溶液不會接觸電容器100的電容器介電材料，這是因為電容器箔電極118的面積大于電容器電介質(zhì)的面積，并且層壓片170覆蓋了電容器結(jié)構(gòu)100的電介質(zhì)。
參看圖1G，用激光鉆出微孔125，并進(jìn)行電鍍，以將電極132電氣連接到外部(或表面)電路185和187，以形成完整的內(nèi)層。在這一階段形成微孔使得其它層壓片可層壓到內(nèi)層的任意一側(cè)。或者，若層壓片僅層壓到內(nèi)層的箔電極側(cè)，則微孔125可以和通孔135同時形成，如圖1H所示。
參看圖1H，其它層壓片和蝕刻的銅箔對可以層壓到如圖1G所示的內(nèi)層的任意一側(cè)。在這一實施例中，它們僅層壓到一側(cè)上。
可以鉆出通孔135，并進(jìn)行電鍍，以將底部電極或箔電極118電氣連接到外部電路186、188上，以便完成電容器100的電氣連接。還可以形成附加通孔，以便電氣連接至第二電容器100，如圖1H所示?？梢杂媚臀g性金屬電鍍印刷電路板1000的上表面，制得所述印刷電路板1000。
圖1H中電路板成品1000是在鄰近印刷電路板1000外層的層中具有嵌入電容器100的四金屬層印刷電路板。但是，所述印刷電路板1000可以具有任意層數(shù)，并且根據(jù)本實施方式的嵌入電容器可以位于多層印刷電路板中的任意層中。作為電鍍通孔的替換物，也可以使用微孔來把電路連接到電容器箔電極118。
在以上實施方式中，在蝕刻過程中，所述蝕刻溶液不會接觸電容器100的電容器介電材料。電容器100的可靠性由此提高。此外，成品電容器100短路的可能性也大大降低。
圖2表示單介電層電容器的頂視圖。單介電層120在金屬箔110上是明顯可見的。在燒結(jié)過程中，導(dǎo)電材料層在介電層120上形成頂部電極132。在電容器電介質(zhì)120的外圍的箔110中形成凹痕115，并由此形成電容器箔電極118，它是與金屬箔110的剩余部分分離的。電容器箔電極118、電介質(zhì)120和頂部電極132形成電容器100。
圖3A-3G說明了嵌入電容器200的印刷電路板2000(圖3K)的制造方法，其中的電容器200具有兩層電介質(zhì)和三個電極。為簡潔起見，如下的說明書討論一個電容器200的形成。圖3A-3K是截面正視圖。
在圖3A中，制備圖1D中所示的制品。
參看圖3B，在電極230上形成第三電介質(zhì)材料層240，并進(jìn)行干燥。在第三電介質(zhì)材料層240上形成第四電介質(zhì)材料層245，并進(jìn)行干燥。在第四電介質(zhì)材料層245上形成第二導(dǎo)電材料層250，進(jìn)行干燥。然后燒制形成的制品。圖3C表示燒制后的制品。燒制產(chǎn)生由電介質(zhì)材料層形成的雙層電介質(zhì)材料248以及頂部電極250。頂部電極250與中間電極230電絕緣，并與箔210電連接。
參看圖3D，在與圖1E中所述工藝類似的條件下，將箔210的元件側(cè)與層壓材料270層合。對箔210的層壓要使電容器結(jié)構(gòu)位于內(nèi)層板結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)。為了提供能形成電路的表面(表面電路)，可以把箔280施加到層壓材料270上。層壓材料與箔一道并稱為層壓箔對。所得結(jié)構(gòu)是一種內(nèi)層板。
參看圖3E，在層壓之后，將光刻膠施涂到箔210和280上，并進(jìn)行成像和顯影。然后蝕刻箔210和280，并剝離剩余的光刻膠，在箔210中形成凹痕215，它們位于電容器電介質(zhì)248外圍的外側(cè)，并形成底部電極或電容器電極218，它孤立于剩下的箔。所述電容器箔電極218、雙層電介質(zhì)248、中間電極230以及頂部電極250形成電容器200。所述蝕刻工藝還從箔280形成電路285、286、287、288等。在蝕刻過程中，所述蝕刻溶液不會接觸電容器200的電容器電介質(zhì)材料，這是因為電極的面積大于電介質(zhì)的面積，且層壓片270覆蓋了電容器結(jié)構(gòu)200的電介質(zhì)。
參看圖3F，用激光鉆出微孔290，并進(jìn)行電鍍，以將中間電極230電氣連接到電路286，形成完整的內(nèi)層板。在這一階段形成微孔能使層壓片可層壓到內(nèi)層的任意一側(cè)?；蛘撸魧訅浩瑑H層壓到內(nèi)層的箔電極側(cè)，則微孔290可以與通孔295同時形成，如圖3G所示。
參看圖3G，其它層壓片和蝕刻銅箔對可以層壓到圖3F所示內(nèi)層板結(jié)構(gòu)的一側(cè)或兩側(cè)上。在這一實施例中，它們僅層壓到一側(cè)上。
可以鉆出通孔295，并進(jìn)行電鍍，以將底部電極或箔電極218電氣連接到外部電路285和其它電路上，以完成電容器200的電連接。還可以形成附加通孔，以便電氣連接到第二電容器200，可以用耐蝕性金屬電鍍印刷電路板2000的頂部銅表面，制得所述模塊2000。
圖3G中電路板成品2000是在鄰近印刷電路板2000外層的層中具有嵌入電容器200的四金屬層印刷電路板。但是，所述印刷電路板2000可以具有任意層，并且根據(jù)本實施方式的嵌入電容器可以位于多層印刷電路板中的任意層中。作為電鍍通孔的替換物，也可以使用微孔來連接電路與電容器箔電極218。
圖4表示雙介電層電容器的頂視圖。第一介電層228在金屬箔210上可以看見。在燒結(jié)過程中，導(dǎo)電材料層在介電層228上形成頂部電極230。在頂部電極上形成一個或多個電介質(zhì)材料層，并進(jìn)行干燥，此時在電介質(zhì)材料層上形成第二導(dǎo)電材料層250。燒結(jié)形成了雙層電介質(zhì)248，由第一介電層228和另一介電層所形成。在電容器電介質(zhì)228和248的外圍的箔210中形成凹痕215。
所述雙層電容器200提供很高的電容密度。例如，雙層電容器的電容密度幾乎是單層電容器的兩倍。
在以上實施方式中，所述電容器電介質(zhì)在制造過程中不會接觸蝕刻溶液。因此，所述電介質(zhì)不會接觸到那些不然會侵蝕和溶解電介質(zhì)玻璃以及電介質(zhì)中的摻雜劑的酸蝕刻溶液。由此提高了電容器的可靠性和性能。
在以上實施方式中，所述厚膜糊劑包含陶瓷、玻璃、金屬或其它固體的細(xì)顆粒。所述顆粒的大小可以為1微米或更小，可以分散在“有機(jī)賦形劑(organicvehicle)”中，賦形劑包含溶解在分散劑和有機(jī)溶劑混合物中的聚合物。
所述厚膜電介質(zhì)材料在燒結(jié)之后具有高介電常數(shù)(K)。例如，介電常數(shù)K高的厚膜電介質(zhì)可以通過混合高介電常數(shù)的粉末(所謂“功能相”)和玻璃粉末，并將所述混合物分散到厚膜絲網(wǎng)印刷賦形劑中來制得。在燒結(jié)過程中，所述電容器材料的玻璃組分在達(dá)到峰值燒結(jié)溫度前軟化并流動、凝結(jié)并包住功能相，形成燒結(jié)的電容器復(fù)合體。
高介電常數(shù)的功能相包括通式為ABO3的鈣鈦礦，如結(jié)晶鈦酸鋇(BT)、鋯鈦酸鉛(PZT)、鋯鈦酸鑭鉛(PLZT)、鈮酸鉛鎂(PMN)和鈦酸鋇鍶(BST)。鈦酸鋇在燒制在銅箔應(yīng)用中有優(yōu)勢，因為它不受燒制中所用的還原條件的影響。
一般來說，電介質(zhì)材料中的厚膜玻璃組份對高K值的功能相是惰性的，而且主要用于把復(fù)合體內(nèi)聚結(jié)合在一起，并把電容器復(fù)合體結(jié)合到基底上。優(yōu)選僅使用少量的玻璃，從而使高K值功能相的介電常數(shù)不受過度稀釋。這種玻璃例如是硼硅酸鈣鋁、硼硅酸鉛鋇、硅酸鎂鋁、硼酸稀土或其它相似的組成。由于稀釋效應(yīng)不太明顯，且可保持復(fù)合材料的高介電常數(shù)，所以優(yōu)選使用介電常數(shù)較高的玻璃。組成為Pb5Ge3O11的鍺酸鉛玻璃是介電常數(shù)約為150的鐵電玻璃，因此是合適的。改性的鍺酸鉛也是合適的。例如，鉛可以被鋇部分取代，鍺可以被硅、鋯和/或鈦部分取代。
用于形成電極層的漿料可以基于銅、鎳、銀、銀-鈀組合物、或這些化合物混合物的金屬粉末。銅粉末組合物是優(yōu)選的。
所需的燒結(jié)溫度取決于金屬基材的熔融溫度、電極的熔融溫度以及電介質(zhì)組合物的化學(xué)和物理特性。例如，一組適用于上述實施方式的燒結(jié)條件是在900℃的峰值溫度停留10分鐘的氮?dú)鉄品椒ā?br> 上述本發(fā)明的說明書解釋和描述了本發(fā)明。另外，上述揭示的內(nèi)容僅展示和描述了本發(fā)明的選擇性優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明能用于其它組合、改變和環(huán)境中，且能在本申請中表述、與上述揭示內(nèi)容相稱和/或在有關(guān)領(lǐng)域的技能或知識范圍內(nèi)的發(fā)明構(gòu)思范圍內(nèi)進(jìn)行變化或改變。
上述的實施方式還進(jìn)一步用于解釋本發(fā)明的已知最佳實施方式，并使本領(lǐng)域中其他普通技術(shù)人員把本發(fā)明應(yīng)用于這些或其它實施方式以及特定用途或本發(fā)明用途要求的各種變化中。因此，本說明書不想把本發(fā)明限制在上述的形式。所附的權(quán)利要求書被認(rèn)為包括了上述詳細(xì)說明中沒有明確敘述的替代實施方式。
權(quán)利要求
1.一種電容器的制造方法，它包括提供一金屬箔；在所述金屬箔上形成電容器電介質(zhì)；在一部分的所述電容器電介質(zhì)上形成第一電極，由此形成所述金屬箔的元件面；將所述金屬箔的元件面層壓至一層壓材料上；以及蝕刻所述電容器電介質(zhì)邊界外的所述金屬箔，形成第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在所述第一電極上形成第二電容器電介質(zhì)層，并在所述第二電容器電介質(zhì)層上形成第三電極，所述第三電極導(dǎo)電耦合到所述第二電極上。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬箔選自燒結(jié)溫度大于900℃的金屬、金屬合金以及它們的混合物。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬箔選自銅、銅-因伐合金-銅、因伐合金、鎳和鍍鎳銅。
5.一種電容器，它按照權(quán)利要求1所述方法制得。
6.如權(quán)利要求5所述的電容器，其特征在于，所述電容器是雙層電容器。
7.一種印刷電路板的制造方法，所述方法包括提供一金屬箔；在所述金屬箔上形成電容器電介質(zhì)；在一部分的所述電容器電介質(zhì)上形成第一電極，由此形成所述金屬箔的元件面；將所述金屬箔的元件面層壓到至少一個層壓箔對上，由此形成內(nèi)層板結(jié)構(gòu)；蝕刻所述電容器電介質(zhì)邊界外的所述金屬箔，形成第二電極，所述第一電極、所述電容器電介質(zhì)以及所述第二電極形成電容器；蝕刻所述層壓箔對，在所述內(nèi)層板結(jié)構(gòu)上形成表面電路；形成微通孔，所述微通孔將第一電極連接到所述內(nèi)層板結(jié)構(gòu)的表面電路上；和將所述內(nèi)層板結(jié)構(gòu)層壓到至少一個附加層壓材料上。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，所述方法還包括在所述第一電極上形成第二電容器電介質(zhì)層，并在所述第二電容器電介質(zhì)層上形成第三電極，所述第三電極導(dǎo)電耦合到所述第二電極上。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述層壓箔對包括銅箔。
10.一種印刷電路板，它由權(quán)利要求7所述方法制得。
全文摘要
一種嵌入厚膜電容器的方法包括在電容器介電材料邊界外蝕刻箔電極，防止蝕刻液接觸并損壞電容器介電層。
文檔編號H01G13/00GK1790570SQ200510128818
公開日2006年6月21日 申請日期2005年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月2日
發(fā)明者W·J·博蘭 申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司