專利名稱：晶片入料裝置及晶片入料方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種工藝設(shè)備，特別涉及一種晶片入料裝置及晶片入料方法。
背景技術(shù)：
在一晶片例如多層陶瓷電容器上通常需要鍍上外電極。而傳統(tǒng)上，上述外電極通常形成于上述晶片的長(zhǎng)邊，而藉由圖1的晶片入料裝置20的輔助來(lái)完成。
請(qǐng)參考圖1，為一剖面圖，顯示一現(xiàn)有的晶片入料裝置20。傳統(tǒng)上，欲在晶片10的長(zhǎng)邊鍍上外電極時(shí)，先將晶片10置于晶片入料裝置20上，晶片入料裝置20具有多個(gè)間隔排列的模孔22，其寬度略大于晶片10的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度。之后以水平方向震動(dòng)晶片入料裝置20，使晶片10以長(zhǎng)邊向下的方式進(jìn)入?？?2。然后移除未進(jìn)入?？?2的多余的晶片10，可使用一固定裝置(未繪示)由晶片入料裝置20的上方或下方固定?？?2內(nèi)的晶片10，而進(jìn)行鍍外電極的工藝。
然而，欲在晶片10的短邊鍍上外電極時(shí)，因?yàn)榧词箍s小?？?2的寬度，必須先提高晶片10的重心高度，才能使晶片10以短邊向下的方式進(jìn)入?？?2。因此，藉由上述方法，就難以使使晶片10以短邊向下的方式進(jìn)入?？?2。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供晶片入料裝置及晶片入料方法，可順利地將晶片導(dǎo)正為短邊向下。
為達(dá)成本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供一種晶片入料裝置，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，包含一下模具，具有多個(gè)間隔排列的漏斗型的第一?？祝鲜龈鞯谝荒？追謩e具有寬度R11的一上開(kāi)口與寬度R12的一下開(kāi)口，且R11＞L＞R12＞W(wǎng)；以及一上模具于上述下模具上，具有對(duì)應(yīng)于上述第一?？椎亩鄠€(gè)第二模孔，上述各第二?？追謩e具有寬度R2的一第二開(kāi)口，且R2＞L。
本發(fā)明又提供一種晶片入料裝置，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，包含一下模具，具有多個(gè)間隔排列的漏斗型的第一?？?，上述各第一?？追謩e具有寬度R11的一上開(kāi)口與寬度R12的一下開(kāi)口，且R11＞L＞R12＞W(wǎng)；一上模具于上述下模具上，具有對(duì)應(yīng)于上述第一模孔的多個(gè)第二?？?，上述各第二?？追謩e具有寬度R2的一第二開(kāi)口，且R2＞L；以及一底模具于上述下模具下，具有對(duì)應(yīng)于上述第一模孔的多個(gè)第三?？?，上述各第三模孔分別具有寬度R3的一第三開(kāi)口，且L＞R3＞W(wǎng)。
本發(fā)明又提供一種晶片入料的方法，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，包含提供一晶片入料裝置，具有一下模具，具有多個(gè)間隔排列的漏斗型的第一?？?，上述各第一?？追謩e具有寬度R11的一上開(kāi)口與寬度R12的一下開(kāi)口，且R11＞L＞R12＞W(wǎng)；及一上模具于上述下模具上，具有對(duì)應(yīng)于上述第一模孔的多個(gè)第二?？祝鲜龈鞯诙？追謩e具有寬度R2的一第二開(kāi)口，且R2＞L；其中上述第一?？着c上述第二?？谆ゲ恢睾?；提供多個(gè)長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片于上述上模具上，并震動(dòng)上述晶片入料裝置，使上述各第二?？變?nèi)分別以長(zhǎng)邊向下的方式容納一個(gè)上述晶片；移除上述上模具上多余的上述晶片；以及使上述上模具與上述下模具產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，使上述第一?？着c上述第二?？紫嗷ブ睾?，而使上述第二模孔內(nèi)的上述晶片分別向下傾斜，而藉由重力以短邊向下的方式進(jìn)入對(duì)應(yīng)的上述第一?？?。
本發(fā)明又提供一種晶片入料裝置，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，包含一板狀模具，具有一?？棕灤┯谄渲?，上述?？拙哂袑挾萊u的一上開(kāi)口、與寬度Rb的一下開(kāi)口，滿足Rb＞L＞Ru＞W(wǎng)，且上述?？赘谝粋?cè)壁，具有第一邊與第二邊，上述第一邊自該上開(kāi)口向下傾斜，與水平面夾有一既定角度，上述第二邊自上述下開(kāi)口向上延伸，與上述第一邊相交而形成一凸角；以及第二側(cè)壁與上述第一側(cè)壁相對(duì)，具有第三邊、第四邊、與第五邊，上述第三邊自上述上開(kāi)口向下傾斜，大體平行于上述第一邊，上述第五邊自上述下開(kāi)口向上延伸，上述第四邊連接上述第三邊與上述第五邊，而與上述第五邊形成一擋塊，上述擋塊與上述凸角的直線距離為X，滿足X2≥L2+W2。


圖1為一剖面圖，顯示一現(xiàn)有的晶片入料裝置20；圖2為一剖面圖，顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片入料裝置及晶片入料方法的第一步驟；圖3為一剖面圖，顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片入料方法的步驟；圖4為一剖面圖，顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片入料方法的步驟；圖5為一剖面圖，顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片入料方法的步驟；圖6為一剖面圖，顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片入料裝置及晶片入料步驟；圖7為一剖面圖，顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片入料步驟；圖8為一剖面圖，顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片入料步驟；圖9為一俯視圖，顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片入料裝置。
附圖標(biāo)記說(shuō)明10～晶片 20～晶片入料裝置22～?？?30～晶片110～下模具 111～上開(kāi)口112～下開(kāi)口 113～第一?？?20～上模具 122～第二?？?30～底模具 132～第三?？?00～板狀模具301～上開(kāi)口302～下開(kāi)口 301a～導(dǎo)角310～?？?10a～凸角310b～檔塊 22～?？?0～晶片 311～第一邊312～第二邊 313～第三邊314～第四邊 315～第五邊具體實(shí)施方式
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下請(qǐng)參考圖2，為一剖面圖，顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片入料裝置及晶片入料方法的第一步驟。
本發(fā)明的晶片入料裝置，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片10，包含一下模具110與一上模具120。
下模具110具有多個(gè)間隔排列的漏斗型的第一模孔113，各第一模孔113分別具有寬度R11的一上開(kāi)口111與寬度R12的一下開(kāi)口112，且R11＞L＞R12＞W(wǎng)。
上模具120則置于下模具110上，具有對(duì)應(yīng)于各第一模孔113的多個(gè)第二?？?22，各該第二?？?22分別具有寬度R2的開(kāi)口，且R2＞L。在圖1中，第一?？?13與第二膜孔122互不重合；而在本發(fā)明的晶片入料方法的后續(xù)步驟中，會(huì)使第一?？?13與第二模孔122相互重合。
本發(fā)明的晶片入料裝置，可選擇性地更包含一底模具130，置于下模具110下。底模具130具有對(duì)應(yīng)于第一模孔113的多個(gè)第三?？?32，各第三?？?32分別具有寬度R3的開(kāi)口，且L＞R3＞W(wǎng)。此時(shí)，第三?？?32較好為與相對(duì)應(yīng)的第一?？?13重合。
如圖2所示，在本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片入料方法中，首先將晶片10置于本發(fā)明的晶片入料裝置的上模具120上，然后震動(dòng)本發(fā)明的晶片入料裝置，較好為呈水平方向的震動(dòng)，使晶片10以長(zhǎng)邊向下的方式進(jìn)入第二模孔122。
然后請(qǐng)參考圖3，移除上模具120上多余的晶片10，亦即是未進(jìn)入第二?？?22的晶片10，例如可使本發(fā)明的晶片入料裝置傾斜一既定角度，而藉由重力移除圖2所示的未進(jìn)入第二模孔122的晶片10。
接下來(lái)，請(qǐng)參考圖4，使上模具120與下模具110產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，例如沿著圖中的A方向或其相反方向，使第一模孔113與第二?？?22相互重合，而使第二?？?22內(nèi)的晶片10分別向下傾斜，而藉由重力以短邊向下的方式進(jìn)入對(duì)應(yīng)的第一?？?13。
接下來(lái)，請(qǐng)參考圖5，在晶片10由第二?？?22進(jìn)入第一模孔113的過(guò)程中，可以震動(dòng)本發(fā)明的晶片入料裝置，例如沿著圖中的雙箭號(hào)B的方向震動(dòng)，以使晶片10進(jìn)入第一?？?13的過(guò)程更加順暢。另外，當(dāng)本發(fā)明的晶片入料裝置選擇性地配置有底模具130時(shí)，其第三?？?32在此時(shí)重合于對(duì)應(yīng)的第一?？?13，而使以短邊向下的方式進(jìn)入第一模孔113的晶片10容納于第三?？?32。此時(shí)，可以將底模具130自本發(fā)明的晶片入料裝置卸下，將承裝晶片10的底模具130移去而執(zhí)行后續(xù)的步驟例如形成外電極的步驟，而使本發(fā)明的晶片入料裝置得以立即執(zhí)行下一梯次的作業(yè)。
如上所述，藉由本發(fā)明的晶片入料裝置及晶片入料方法，可順利地將晶片10導(dǎo)正為短邊向下，達(dá)成上述本發(fā)明的目的。
在第一實(shí)施例中，使晶片10以長(zhǎng)邊向下的方式進(jìn)入第二?？?22時(shí)，如果進(jìn)入的方向、角度未受控制時(shí)，晶片10有可能未完全進(jìn)入第二?？?22，而降低第二模孔122的填充率。因此，為了更佳提升本發(fā)明的晶片入料裝置的填充率進(jìn)而提升產(chǎn)能，以下本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片入料裝置，針對(duì)上模具120作改良。
請(qǐng)參考圖6，為一剖面圖，顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片入料裝置及晶片入料方法的第一步驟。
本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片入料裝置，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片30，其包含一板狀模具300，具有一?？?10貫穿于其中，?？?10具有寬度Ru的一上開(kāi)口301、與寬度Rb的一下開(kāi)口302，滿足Rb＞L＞Ru＞W(wǎng)，且模孔310更包含第一側(cè)壁與第二側(cè)壁。
上述的第一側(cè)壁具有第一邊311與第二邊312，第一邊311自上開(kāi)口301向下傾斜，與水平面夾有一既定角度，較好為小于或等于45；而第二邊312自下開(kāi)口302向上延伸，與第一邊311相交而形成一凸角310a。
上述的第二側(cè)壁則與上述第一側(cè)壁相對(duì)，具有第三邊313、第四邊314、與第五邊315，第三邊313自上開(kāi)口301向下傾斜，大體平行于第一邊311，第五邊315自下開(kāi)口302向上延伸，第四邊314則連接第三邊313與第五邊315，而與第五邊315形成一擋塊310b，擋決310b與凸角310a的直線距離為X，并滿足X2≥L2+W2。
本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片入料裝置的俯視圖，繪示于圖9。?？?10的上開(kāi)口301具有斜面向下的導(dǎo)角301a，可幫助圖6所示的晶片30由各個(gè)方向進(jìn)入?？?10。
請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D6，晶片30進(jìn)入模孔310之后，由于上開(kāi)口301的寬度介于晶片30的長(zhǎng)、短邊的長(zhǎng)度之間，因此晶片30以短邊進(jìn)入模孔310，而其長(zhǎng)邊沿著第一邊311滑下。
接下來(lái)請(qǐng)參考圖7，晶片30的一部分會(huì)接觸到檔塊310b。而請(qǐng)參考圖8，晶片30因受到文件塊310b的阻擋，其與檔塊310b接觸的部分，就成為一支點(diǎn)；并由于擋塊310b與凸角310a的直線距離為X，并滿足X2≥L2+W2，亦即擋塊310b與凸角310a的直線距離大于或等于晶片30的對(duì)角線長(zhǎng)度，此時(shí)作用在晶片30重力藉由上述支點(diǎn)使得晶片30旋轉(zhuǎn)而可確保晶片30以長(zhǎng)邊向下的方式落入?？?10內(nèi)，提升晶片30的填充率。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以所附權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片入料裝置，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，包含一下模具，具有多個(gè)間隔排列的漏斗型的第一?？祝髟摰谝荒？追謩e具有寬度R11的一上開(kāi)口與寬度R12的一下開(kāi)口，且R11＞L＞R12＞W(wǎng)；以及一上模具于該下模具上，具有對(duì)應(yīng)于該些第一?？椎亩鄠€(gè)第二模孔，各該第二?？追謩e具有寬度R2的一第二開(kāi)口，且R2＞L。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片入料裝置，其中該些第一?？着c該些第二?？谆ゲ恢睾?。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片入料裝置，其中該些第一?？着c該些第二?？紫嗷ブ睾稀?br> 4.一種晶片入料裝置，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，包含一下模具，具有多個(gè)間隔排列的漏斗型的第一?？祝髟摰谝荒？追謩e具有寬度R11的一上開(kāi)口與寬度R12的一下開(kāi)口，且R11＞L＞R12＞W(wǎng)；一上模具于該下模具上，具有對(duì)應(yīng)于該些第一?？椎亩鄠€(gè)第二模孔，各該第二?？追謩e具有寬度R2的一第二開(kāi)口，且R2＞L；以及一底模具于該下模具下，具有對(duì)應(yīng)于該些第一?？椎亩鄠€(gè)第三?？?，各該第三?？追謩e具有寬度R3的一第三開(kāi)口，且L＞R3＞W(wǎng)。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片入料裝置，其中該些第一?？着c該些第二?？谆ゲ恢睾?。
6.如權(quán)利要求4所述的晶片入料裝置，其中該些第一?？着c該些第二?？紫嗷ブ睾?。
7.如權(quán)利要求4所述的晶片入料裝置，其中該些第三?？字睾嫌谠撔┑谝荒？?。
8.一種晶片入料的方法，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，包含提供一晶片入料裝置，具有一下模具，具有多個(gè)間隔排列的漏斗型的第一?？祝髟摰谝荒？追謩e具有寬度R11的一上開(kāi)口與寬度R12的一下開(kāi)口，且R11＞L＞R12＞W(wǎng)；及一上模具于該下模具上，具有對(duì)應(yīng)于該些第一?？椎亩鄠€(gè)第二?？祝髟摰诙？追謩e具有寬度R2的一第二開(kāi)口，且R2＞L；其中該些第一?？着c該些第二?？谆ゲ恢睾?；提供多個(gè)長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片于該上模具上，并震動(dòng)該晶片入料裝置，使各該第二?？變?nèi)分別以長(zhǎng)邊向下的方式容納一個(gè)上述晶片；移除該上模具上多余的上述晶片；以及使該上模具與該下模具產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，使該些第一?？着c該些第二?？紫嗷ブ睾希乖撔┑诙？變?nèi)的該些晶片分別向下傾斜，而藉由重力以短邊向下的方式進(jìn)入對(duì)應(yīng)的該些第一?？?。
9.如權(quán)利要求8所述的晶片入料的方法，更包含將該晶片入料裝置傾斜一既定角度，以移除該上模具上多余的上述晶片。
10.如權(quán)利要求8所述的晶片入料的方法，其中該晶片入料裝置更包含一底模具于該下模具下，具有對(duì)應(yīng)于該些第一?？椎亩鄠€(gè)第三?？?，各該第三?？追謩e具有寬度R3的一第三開(kāi)口，滿足L＞R3＞W(wǎng)，且該些第三模孔重合于該些第一?？祝挂远踢呄蛳碌姆绞竭M(jìn)入該些第一?？椎脑撔┚菁{于該些第三模孔。
11.一種晶片入料裝置，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，包含一板狀模具，具有一模孔貫穿于其中，該?？拙哂袑挾萊u的一上開(kāi)口、與寬度Rb的一下開(kāi)口，滿足Rb＞L＞Ru＞W(wǎng)，且該?？赘谝粋?cè)壁，具有第一邊與第二邊，該第一邊自該上開(kāi)口向下傾斜，與水平面夾有一既定角度，該第二邊自該下開(kāi)口向上延伸，與該第一邊相交而形成一凸角；以及第二側(cè)壁與該第一側(cè)壁相對(duì)，具有第三邊、第四邊、與第五邊，該第三邊自該上開(kāi)口向下傾斜，大體平行于該第一邊，該第五邊自該下開(kāi)口向上延伸，該第四邊連接該第三邊與該第五邊，而與該第五邊形成一擋塊，該擋塊與該凸角的直線距離為X，滿足X2≥L2+W2。
12.如權(quán)利要求11所述的晶片入料裝置，其中該既定角度小于或等于45。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種晶片入料裝置及晶片入料方法，適用于長(zhǎng)邊長(zhǎng)L、短邊長(zhǎng)W、且L＞W(wǎng)的晶片，可順利地將晶片導(dǎo)正為短邊向下，上述晶片入料裝置包含一下模具，具有多個(gè)間隔排列的漏斗型的第一?？祝鲜龈鞯谝荒？追謩e具有寬度R
文檔編號(hào)H01G4/00GK1779875SQ20041009528
公開(kāi)日2006年5月31日 申請(qǐng)日期2004年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月22日
發(fā)明者吳旻修 申請(qǐng)人:達(dá)方電子股份有限公司