專利名稱：等離子體處理法、等離子體蝕刻法、固體攝像元件的制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體處理方法、等離子體蝕刻方法以及采用等離子體蝕刻的固體攝像元件的制造方法，尤其涉及降低等離子體工藝中產(chǎn)生的界面狀態(tài)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在數(shù)字相機(jī)等中廣泛應(yīng)用CCD(電荷耦合器件)、MOS攝像元件等固體攝像元件。在這些固體攝像元件的制造工序中，在形成于硅基板上的絕緣膜的蝕刻工序或各種膜碼放工序中，采用等離子體工藝。
由于在這些等離子體工藝中利用的等離子體是通過(guò)真空中的氣體放電而生成的，因此伴隨有紫外線的產(chǎn)生。
一方面，如果在CCD等的固體元件上照射該紫外線，則半導(dǎo)體與絕緣膜的界面、例如Si-SiO2界面的界面狀態(tài)就會(huì)增加。而且，由通過(guò)該界面狀態(tài)而從帶電子帶而被傳導(dǎo)帶激勵(lì)的熱電子生成所謂的暗電流。這樣，該暗電流的影響將作為顯示畫面上的信號(hào)噪音而顯現(xiàn)，并產(chǎn)生使顯示質(zhì)量下降的問(wèn)題。
另外，在以下的文獻(xiàn)中記載有根據(jù)采用稀有氣體(Ar、He、O2)的等離子體工藝，會(huì)使CCD的暗電流增加的現(xiàn)象。
非專利文獻(xiàn)1日本應(yīng)用物理雜志第42卷、2003年2444頁(yè)(Japanese Journal Applied Physics 42(2003)pp.2444)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種抑制界面狀態(tài)的產(chǎn)生的等離子體處理方法，尤其是可以抑制由于界面狀態(tài)的降低而引起的固體攝像元件的暗電流增加的方法。
本申請(qǐng)所公布的發(fā)明可以舉出如下的主要特征。
本發(fā)明的等離子體處理方法，是向真空容器內(nèi)供給等離子體處理用氣體，并向配置于該容器內(nèi)的電極供給高頻電力，從而對(duì)被處理物體進(jìn)行等離子體處理等方法，其特征在于，作為等離子體處理用氣體采用碳氟化合物類氣體，并間歇地進(jìn)行高頻電力的供給。在該等離子體處理中包含等離子體蝕刻和等離子體CVD等膜碼放。
而且，本發(fā)明的等離子體蝕刻方法，是將形成于半導(dǎo)體晶片上的絕緣膜進(jìn)行等離子體蝕刻的方法，其特征在于，具有將半導(dǎo)體晶片導(dǎo)入真空容器中，向該容器內(nèi)供給蝕刻用氣體，向配置于該容器內(nèi)的電極供給高頻電力，以對(duì)絕緣膜進(jìn)行等離子體蝕刻的工序，作為蝕刻用氣體采用碳氟化合物類氣體，并且間歇地進(jìn)行高頻電力的供給。
本發(fā)明的固體攝像元件的制造方法，其特征在于，具有在半導(dǎo)體晶片的表面上形成固體攝像元件的工序；在形成了固體攝像元件的半導(dǎo)體晶片上形成絕緣膜的工序；在絕緣膜上有選擇地形成光致抗蝕劑層的工序；和通過(guò)將光致抗蝕劑作為掩膜而對(duì)絕緣膜進(jìn)行等離子體蝕刻，從而在固體攝像元件的各像素上形成由絕緣膜構(gòu)成的微透鏡的工序，等離子體蝕刻采用碳氟化合物類氣體作為蝕刻用氣體，并且間歇地供給等離子體產(chǎn)生用高頻電力。
根據(jù)本發(fā)明，在實(shí)施等離子體工藝時(shí)，可以抑制半導(dǎo)體一絕緣膜界面的界面狀態(tài)的增加。特別是將本發(fā)明適用于CCD或CMOS固體攝像元件等固體攝像元件的制造工序中，則可以抑制由界面狀態(tài)的降低而導(dǎo)致的固體攝像元件的暗電流增加，從而提高顯示質(zhì)量。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例的幀傳遞型CCD的攝像部的一部分的俯視圖。
圖2是沿著圖1的X-X線的剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例的CCD的微透鏡形成工序的剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體蝕刻裝置的構(gòu)成的圖。
圖5是表示用于測(cè)定CCD的暗電流的測(cè)定系統(tǒng)的剖面圖。
圖6是表示利用圖5的測(cè)定系統(tǒng)測(cè)定的CCD的暗電流的圖。
圖7是表示等離子體蝕刻后的MOSFET的電荷泵電流的圖。
圖8是表示碳氟化合物類氣體的等離子體的發(fā)光光譜的圖。
圖9是表示對(duì)CCD造成的等離子體損傷與發(fā)光光譜的關(guān)系的圖。
圖10是表示將脈沖時(shí)間調(diào)制等離子體法的界面狀態(tài)降低效果與連續(xù)波等離子體法進(jìn)行比較的圖。
圖中1—n型硅基板，2—p型井，3—p+型分離區(qū)域，4—n型井，5—柵極絕緣膜，6—轉(zhuǎn)送柵電極，7—第一層間絕緣膜，8—轉(zhuǎn)送時(shí)鐘供給線，9—接觸孔，10—第二層間絕緣膜，11—微透鏡，12—n+層，13—放大器，20—真空腔室，21—硅晶片，22—一匝天線，23—高頻電源，24—脈沖時(shí)間控制用振蕩器，25—微波干涉儀，26—真空紫外線光譜測(cè)定器，27—光電倍增管，28—衍射光柵。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)接著，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D1以及圖2對(duì)適用本發(fā)明的CCD的攝像部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示幀傳遞(frametransfer)型CCD的攝像部的一部分的俯視圖，圖2是沿著圖1的X-X線的剖面圖。
在n型硅基板1的表面上形成p型井2，在該p型井2的表面上，相互離間地形成有高濃度地?fù)诫s了p型雜質(zhì)的p+型分離區(qū)域3。在這些p型分離區(qū)域3之間分別形成n型井4。這些n型井4形成作為信息電荷的轉(zhuǎn)送路徑的溝道區(qū)域。
在多個(gè)n型井4之上，隔著氧化硅膜(SiO2膜)或者由氧化硅膜與氮化硅膜(Si3N4)的層疊膜構(gòu)成的柵極絕緣膜5，形成有多個(gè)由摻雜磷的多晶硅構(gòu)成的轉(zhuǎn)送柵電極6。通過(guò)后述的轉(zhuǎn)送時(shí)鐘供給線8向這些轉(zhuǎn)送柵電極6施加3相幀轉(zhuǎn)送時(shí)鐘1、2、3，并根據(jù)這些時(shí)鐘來(lái)控制作為溝道區(qū)域的n型井4的電位狀態(tài)。
而且，隔著由氧化硅膜或者氮化硅膜構(gòu)成的第一層間絕緣膜7，在多個(gè)轉(zhuǎn)送柵電極6上，多條轉(zhuǎn)送時(shí)鐘供給線8形成為向與多個(gè)轉(zhuǎn)送柵電極6交叉的方向延伸。轉(zhuǎn)送時(shí)鐘供給線8具有在多晶硅上層疊了高熔點(diǎn)金屬(例如鎢)的結(jié)構(gòu)。
轉(zhuǎn)送時(shí)鐘供給線8隔著形成于第一層間絕緣膜7上的接觸孔9，連接有對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)送柵電極6。而且，形成第二層間絕緣膜10，以覆蓋多條轉(zhuǎn)送時(shí)鐘線8，利用后述的等離子體蝕刻加工該第二層間絕緣膜10，從而在其表面上形成有多個(gè)微透鏡11。在每個(gè)攝像部的各像素區(qū)域GS內(nèi)形成一個(gè)這樣的微透鏡11。
由各自施加的幀轉(zhuǎn)送時(shí)鐘1、2、3的三個(gè)轉(zhuǎn)送柵電極6和鄰接的兩個(gè)P+型分離區(qū)域3所包圍的區(qū)域構(gòu)成一個(gè)像素區(qū)域GS。再有，在受光中控制為只接通施加了2的轉(zhuǎn)送柵電極6，而將剩下的施加了1、3的兩個(gè)轉(zhuǎn)送柵電極6截止，以使像素間的信息電荷不會(huì)混合。因此，由于在受光中，使光線集中到施加了2的轉(zhuǎn)送柵電極6上，因此形成了微透鏡11。
接著，參照附圖，對(duì)利用等離子體蝕刻來(lái)形成上述的CCD微透鏡11的方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖3是表示CCD的微透鏡11的形成工序的剖面圖。本圖3僅示意性地示出微透鏡11的形成部分，而省略了圖2所示的其他構(gòu)成部分。
如圖3(a)所示，利用等離子體CVD法在硅基板1上形成由氮化硅膜構(gòu)成的層間絕緣膜10，并選擇性地在該層間絕緣膜10上形成光致抗蝕劑層PR。另外，雖然圖中未示出，但在硅基板1上形成作為圖2所示柵極絕緣膜5的氧化硅膜，存在一個(gè)硅基板—氧化硅膜界面。
然后，如圖3(b)所示，利用加熱處理使光致抗蝕劑層PR的形態(tài)變圓。接著，將該光致抗蝕劑層PR作為掩膜，將碳氟化合物類氣體作為蝕刻氣體使用，進(jìn)行層間絕緣膜10的等離子體蝕刻，以形成微透鏡11。
在該等離子體蝕刻中，通過(guò)將向?qū)娱g絕緣膜10的垂直下方的各向異性蝕刻和碳氟化合物類氣體等離子體化而生成的CF2原子團(tuán)(radical)的碼放效果進(jìn)行平衡，從而可以得到所希望形狀的微透鏡11。作為蝕刻氣體，適于采用碳氟化合物類氣體，例如在C4F8氣體、C2F4氣體、CF4、CF3I氣體的任何一種內(nèi)添加了O2氣體的氣體。O2氣體是為了使光致抗蝕劑層PR灰化，并使其逐漸退回而添加的。在這些氣體中，特別是C4F8氣體由于會(huì)產(chǎn)生大量CF2原子團(tuán)，故微透鏡11的形狀控制性優(yōu)良。另外，CF3I氣體，與其它例示的氣體一樣，是電子及CF類分子離子或CF2原子團(tuán)有助于蝕刻的氣體。
另外，由于該等離子體蝕刻中產(chǎn)生的紫外線的影響，可以抑制硅基板—硅氧化膜界面的界面狀態(tài)的增加，因此采用脈沖時(shí)間調(diào)制法(Pulse-time-modulated plasma)。這是間歇地供給用于產(chǎn)生等離子體的高頻電力的方法，參照?qǐng)D4對(duì)其詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明。
圖4是表示能實(shí)施脈沖時(shí)間調(diào)制等離子體法的等離子體蝕刻裝置的構(gòu)成的圖。在圖4中，20是作為真空容器的腔室，21是載置于腔室底部的平臺(tái)上的蝕刻對(duì)象物-CCD、界面狀態(tài)監(jiān)視器用的MOSFET所形成的硅晶片，22是安裝在腔室20上部的電感耦合等離子體(Inductively coupledplasma)用的一匝天線22。
從高頻電源23向該一匝天線22間歇地供給13.56MHz的高頻電力。由來(lái)自脈沖時(shí)間控制用振蕩器24的振蕩輸出控制來(lái)自高頻電源23的高頻電力的供給。若來(lái)自高頻電源23的高頻電力的供給被停止，則腔室20內(nèi)的等離子體的產(chǎn)生也停止，若再次開(kāi)始來(lái)自高頻電源23的高頻電力的供給，則等離子體的產(chǎn)生又開(kāi)始進(jìn)行，并反復(fù)進(jìn)行該開(kāi)始和停止的循環(huán)。在本實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)條件下，等離子體照射時(shí)間為180秒，高頻電力接通的時(shí)間為50μ秒(等離子體發(fā)生的時(shí)間)，高頻電力斷開(kāi)的期間為50μ秒(等離子體停止時(shí)間)，但是當(dāng)然并未限于此。
另外，在圖4中，25是用于測(cè)定腔室20內(nèi)產(chǎn)生的等離子體中的電子密度的微波干涉儀。26是真空紫外線光譜測(cè)定器(VUV Spectrometer)，其包括光電倍增管(Photo-multiplier)27和衍射光柵(grating)28。
硅晶片21載置于真空腔室20內(nèi)，向真空腔室20內(nèi)供給上述碳氟化合物類氣體。另外，通過(guò)從高頻電源23向一匝天線22間歇地供給13.56MHz的高頻電力，從而間歇地產(chǎn)生等離子體，以進(jìn)行等離子體蝕刻。
圖5是表示用于測(cè)定等離子體蝕刻后的CCD的暗電流的測(cè)定系統(tǒng)的剖面圖。該圖5對(duì)應(yīng)于與圖1所示的俯視圖的X-X線直角方向的剖面圖。如圖5所示，在本實(shí)施例中，柵極絕緣膜5由膜厚62nm的氧化硅膜(SiO2膜)與膜厚75nm的氮化硅膜(Si3N4膜)形成。而且，形成與作為溝道區(qū)域的n型井4接觸的n+層12，且層間絕緣膜n+層12上連接有放大器13。而且，通過(guò)測(cè)定放大器13的輸出，從而可以測(cè)定CCD的暗電流。
以下參照附圖，對(duì)等離子體蝕刻后的CCD暗電流特性、界面狀態(tài)特性進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
圖6是等離子體蝕刻后采用圖5的測(cè)定系統(tǒng)測(cè)定的CCD的暗電流的圖。該等離子體蝕刻不是利用脈沖時(shí)間調(diào)制等離子體法的時(shí)刻，而是連續(xù)地供給高頻電力的連續(xù)波等離子體蝕刻(continuous wave plasma-eching)。橫軸以任意單位表示暗電流的增加，縱軸表示硅晶片21上的CCD臺(tái)數(shù)的累計(jì)度數(shù)。
在本實(shí)驗(yàn)中，采用C4F8與O2的混合氣體、C2F4與O2的混合氣體、CF4與O2的混合氣體，等離子體的電子密度為5.5×1010cm-3，壓力為20mTorr、C4F8氣體、C2F4氣體、CF4氣體的流量為50sccm、O2氣體的流量為15sccm。而且，為了使等離子體的電子密度達(dá)到5.5×1010cm-3，高頻功率在采用C4F8和O2的混合氣體時(shí)為1.1kW，在采用C2F4與O2的混合氣體時(shí)為850W，在采用CF4與O2混合氣體時(shí)為1.2kW。而且，暗電流的測(cè)定溫度為60℃。由此圖可以看出暗電流的增加量依照C4F8+O2、C2F4+O2、CF4+O2的順序增多。如前所述，C4F8氣體雖然在微透鏡11的形狀控制性上優(yōu)越，但是卻感生了CF4氣體的7倍的大暗電流。
圖7是表示等離子體蝕刻后的MOSFET的電荷泵電流的圖。該等離子體蝕刻，也沒(méi)有采用脈沖時(shí)間調(diào)制等離子體法，而是采用連續(xù)供給高頻電力的連續(xù)波等離子體蝕刻。圖7(a)的橫軸表示MOSFET的柵極偏壓，縱軸表示電荷泵電流。該電荷泵電流反映由C4F8、C2F4、CF4等離子體感生的硅基板—氧化硅膜界面的界面狀態(tài)密度。圖7(b)表示用于測(cè)定以電荷泵法反映了界面狀態(tài)密度的電荷泵電流的MOSFET的電路圖。從圖7(b)可以看出，界面狀態(tài)的增加表示與圖6的暗電流的增加同樣的動(dòng)作。即，界面狀態(tài)的增加，以C4F8+O2、C2F4+O2、CF4+O2的順序增多。而且，雖然沒(méi)有圖示，但是也評(píng)價(jià)了CF3I+O2，是與CF4+O2同等程度的值。
圖8是表示碳氟化合物類氣體的等離子體的發(fā)光光譜的圖。這些等離子體的電子密度為5.5×1010cm-3。從該圖可以看出發(fā)光光譜依存于氣體的種類而進(jìn)行變化。140nm以下的真空紫外光的強(qiáng)度以CF4、C2F4、C4F8的順序增強(qiáng)。這意味著若氣體分子的重量變小，則140nm以下的真空紫外光的強(qiáng)度變強(qiáng)。另一方面，關(guān)于以CF2分子為主要起源的200nm～350nm的紫外光，表示C4F8為最強(qiáng)的強(qiáng)度，CF4的強(qiáng)度最弱。
圖9是表示對(duì)CCD造成的等離子體損傷與發(fā)光光譜的關(guān)系的圖。圖9是由圖7圖8的結(jié)果導(dǎo)出的。橫軸表示200nm～350nm的紫外光強(qiáng)度，縱軸表示電荷泵電流的增加。在對(duì)CCD造成的等離子體損傷，也就是CCD暗電流的增加以及界面狀態(tài)的增加和200nm～350nm的紫外光強(qiáng)度之間存在正的相關(guān)值。這明確地表示由CF2分子發(fā)光的200nm～350nm紫外光感生硅基板—氧化硅膜界面的界面狀態(tài)，從而引起CCD暗電流的增加。
圖10是表示將脈沖時(shí)間調(diào)制等離子體法的界面狀態(tài)降低效果與連續(xù)波等離子體法進(jìn)行比較的圖。圖10(a)是在每個(gè)氣體條件下，比較調(diào)制時(shí)間調(diào)制等離子體法(TM)與連續(xù)波等離子體法(CW)的電荷泵電流的圖。從該圖可以看出對(duì)于CF3I、CF4、C2F4、C4F8的任何一種氣體，通過(guò)采用脈沖時(shí)間調(diào)制法(TM)而使電荷泵電流減少，但是C4F8氣體的降低效果為1/4，最為顯著。
而且，圖10(b)是表示C4F8氣體的暗電流降低效果的圖。從該圖可以看出通過(guò)采用脈沖時(shí)間調(diào)制法，從而與采用連續(xù)波等離子體法的情況相比，暗電流可以減少到1/8。
有助于暗電流發(fā)產(chǎn)生的紫外光的發(fā)光現(xiàn)象可以認(rèn)為是由于等離子體中的電子與分子的沖突作用而以來(lái)自分子的激勵(lì)狀態(tài)的去激活作用產(chǎn)生的。根據(jù)脈沖時(shí)間調(diào)制法，由于間歇地供給高頻電力，故在高頻電力供給停止期間，這種電子—分子之間的沖突也就沒(méi)有了，故可以認(rèn)為也抑制了紫外光的產(chǎn)生。另一方面，在高頻電力的供給停止期間，由于電子以及CF系分子離子殘留在等離子體中，有助于蝕刻，而且CF2分子作為原子團(tuán)，保持活性地保留下來(lái)，其也有助于蝕刻，故蝕刻效果不會(huì)降低很多。因此，根據(jù)本發(fā)明，既可以維持C4F8氣體的蝕刻效果，又可以抑制界面狀態(tài)的增加、CCD暗電流的增加。
在本實(shí)施例中，雖然以CCD微透鏡11的等離子體蝕刻的形成為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于此，也可以廣泛適用于采用碳氟化合物類蝕刻氣體的蝕刻工藝的其他工序，例如圖2的接觸孔9、MOSFET的井壁隔墊、波紋鑲嵌工藝(damascene process)中的絕緣膜的蝕刻等。而且，本發(fā)明不僅適用于CCD，也可以適用于MOS攝像元件，期望可以得到降低界面狀態(tài)與暗電流的效果。
而且，在本實(shí)施例中，雖然以等離子體蝕刻為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以適用于將碳氟化合物類氣體作為沉積用氣體(deposition gas)使用的等離子體CVD法。在等離子體CVD法中，由于與等離子體蝕刻工藝同樣，產(chǎn)生紫外光，故通過(guò)采用脈沖時(shí)間調(diào)制等離子體法，從而期待得到抑制界面狀態(tài)和暗電流的效果。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理方法，是向真空容器內(nèi)供給等離子體處理用氣體，并向配置于該容器內(nèi)的電極供給高頻電力，以對(duì)被處理物體進(jìn)行等離子體處理的方法，其特征在于，作為所述等離子體處理用氣體，采用碳氟化合物類氣體，并間歇地進(jìn)行所述高頻電力的供給。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述碳氟化合物類氣體，包含C4F8氣體、C2F4氣體、CF4氣體、CF3I氣體中的任何一種氣體。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述被處理物體是在表面上形成了固體攝像元件的硅晶片。
4.一種等離子體蝕刻方法，是將形成于半導(dǎo)體晶片上的絕緣膜進(jìn)行等離子體蝕刻的方法，其特征在于，其中具有將所述半導(dǎo)體晶片導(dǎo)入真空容器中，向所述容器內(nèi)供給蝕刻用氣體，并向配置于所述容器內(nèi)的電極提供高頻電力，以對(duì)所述絕緣膜進(jìn)行等離子體蝕刻的工序，作為蝕刻用氣體采用碳氟化合物類氣體，并且間歇地進(jìn)行所述高頻電力的供給。
5.一種等離子體蝕刻方法，其特征在于，所述碳氟化合物類氣體包含C4F8氣體、C2F4氣體、CF4氣體、CF3I氣體中的任何一種氣體。
6.如權(quán)利要求4所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于，所述碳氟化合物類氣體是在C4F8氣體、C2F4氣體、CF4氣體、CF3I氣體中的任何一種氣體內(nèi)添加了O2氣體的氣體。
7.如權(quán)利要求4、5或6中任一項(xiàng)所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于所述半導(dǎo)體晶片，在其表面上形成有固體攝像元件。
8.一種固體攝像元件的制造方法，其特征在于，具有在半導(dǎo)體晶片的表面上形成固體攝像元件的工序；在已形成所述固體攝像元件的半導(dǎo)體晶片上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上有選擇地形成光致抗蝕劑層的工序；和將所述光致抗蝕劑作為掩膜，通過(guò)對(duì)所述絕緣膜進(jìn)行等離子體蝕刻，從而在所述固體攝像元件的各像素上形成由絕緣膜構(gòu)成的微透鏡的工序，所述等離子體蝕刻，采用碳氟化合物類氣體作為蝕刻用氣體，并且間歇地供給等離子體產(chǎn)生用高頻電力。
9.如權(quán)利要求8所述的固體攝像元件的制造方法，其特征在于，所述碳氟化合物類氣體包含C4F8氣體、C2F4氣體、CF4氣體、CF3I氣體中的任何一種氣體。
10.如權(quán)利要求8所述的固體攝像元件的制造方法，其特征在于所述碳氟化合物類氣體是在C4F8氣體、C2F4氣體、CF4氣體、CF3I氣體中的任何一種氣體內(nèi)添加了O2氣體的氣體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種抑制界面狀態(tài)產(chǎn)生的等離子體處理方法，尤其抑制由于界面狀態(tài)的降低而導(dǎo)致固體攝像元件的暗電流的增加。利用等離子體CVD法在硅基板(1)上形成由氮化硅膜(10)構(gòu)成的層間絕緣膜(10)，并且在這個(gè)層間絕緣膜(10)上，有選擇地形成光致抗蝕劑層PR。利用加熱處理使得光致抗蝕劑層PR的形狀變圓。接著，將該光致抗蝕劑層PR作為掩膜，將碳氟化合物類氣體作為蝕刻氣體使用，對(duì)層間絕緣膜(10)進(jìn)行等離子體蝕刻處理，從而形成微透鏡(11)。為了抑制由在該等離子體蝕刻中產(chǎn)生的紫外線的影響而造成的硅—氧化硅膜界面的界面狀態(tài)的增加，采用間歇地供給高頻電力的脈沖時(shí)間調(diào)制等離子體法。
文檔編號(hào)H01L21/84GK1591791SQ200410071658
公開(kāi)日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月25日
發(fā)明者沖川滿, 寒川誠(chéng)二 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社, 寒川誠(chéng)二