本申請要求于2016年3月8日提交的第10-2016-0027524號韓國專利申請的優(yōu)先權和從該申請產(chǎn)生的所有權益，該申請的內容通過引用全部包含于此。

本公開涉及一種液晶顯示(lcd)裝置。

背景技術：

顯示裝置是用于可視化地顯示數(shù)據(jù)的裝置。隨著“信息社會”的不斷發(fā)展，對用于顯示圖像的顯示裝置的需求已經(jīng)增加并且多元化。顯示裝置的示例包括液晶顯示(lcd)裝置、等離子體顯示面板(pdp)和有機發(fā)光二極管(oled)顯示裝置等。

作為最廣泛使用的顯示裝置之一的lcd裝置包括顯示基底、對向顯示基底、設置在顯示基底與對向顯示基底之間的液晶層和背光單元。

由于lcd裝置的應用領域已經(jīng)擴大，所以對于提高lcd裝置的性能(諸如提高的響應速度、提高的對比度和降低的驅動電壓)的需求已經(jīng)日益增加。為了提高lcd裝置的性能，包含在液晶層的液晶組合物中的液晶化合物需要具有低的旋轉粘度、高的化學/物理穩(wěn)定性、高的液晶相-各向同性相轉變溫度、低的液晶相下限溫度和適當?shù)膹椥阅Ａ俊τ诟咚夙憫匦?，具體地，需要具有低旋轉粘度的液晶材料。

技術實現(xiàn)要素：

本公開的示例性實施例提供一種具有高電壓保持率(vhr)和高速響應特性的液晶顯示(lcd)裝置。

然而，本公開的示例性實施例不受限于在此所闡述的示例性實施例。對于本公開所屬領域的普通技術人員而言，通過參照以下給出的本公開的具體實施方式，本公開的上面和其它示例性實施例將變得更加明顯。

根據(jù)示例性實施例，提供一種液晶顯示裝置。

該液晶顯示裝置包括：顯示基底，包括第一基體基底、設置在第一基體基底上的開關器件、設置在開關器件上的濾色器層和設置在濾色器層上的第一電極；對向顯示基底，包括第二基體基底和設置在第二基體基底上并面向第一電極的第二電極，其中，對向顯示基底與顯示基底分開并面向顯示基底設置；液晶層，設置在顯示基底與對向顯示基底之間，其中，液晶層包括由式1表示的至少一種第一液晶化合物和由式2表示的至少一種第二液晶化合物；以及光屏蔽間隔件，設置在顯示基底與對向顯示基底之間并保持液晶層的厚度：

式1

式2

其中，在式1和式2中，

是1,4-亞苯基或1,4-亞環(huán)己基，

r11-*和r22-*中的每個獨立地為c1-10烷基-*，

其中，在式1中，

l11-*、l12-*、l13-*和l14-*中的每個獨立地為*-f、*-cf3或*-h，

r12-*是*-c1-5烷氧基、*-ocf3、*-cf3或*-f，

m和n中的每個獨立地為從1至2的整數(shù)，

其中，在式2中，

r21-*是c1-5烷基-*，

*-l21-*是*-(ch2)i-ch＝ch-(ch2)j-*，其中，i和j中的每個獨立地為從0至2的整數(shù)，

o為從1至2的整數(shù)。

液晶層可以不包括由式3表示的至少一種第三液晶化合物：

式3

ch2＝ch-(ch2)r-(cyc)s-(phef2)t-r31

其中，在式3中，

*-cyc-*是1,4-亞環(huán)己基，

*-phef2-*是2,3-二氟-1,4-亞苯基，

r是從0至5的整數(shù)，

s和t中的每個為從0至3的整數(shù)，

s和t的總和是從2至4的整數(shù)，以及

*-r31是*-c1-5烷基或*-c1-5烷氧基。

液晶層還可以包括由式rm表示的反應性液晶元：

式rm

p1-sp1-mg-sp2-p2

其中，在式rm中，

p1-*和p2-*中的每個獨立地為

*-sp1-*是其中，a是從0至2的整數(shù)，

*-sp2-*是其中，b是從0至2的整數(shù)，

*-l-*是*-(ch2)c-*、*-o(ch2)c-*、*-ch＝ch-*或*-c≡c-*，其中，c是從1至10的整數(shù)，

*-z-*是*-(ch2)d-*，其中，d是從0至12的整數(shù)，

*-ar-*是

*-mg-*是以及

a-*是h-*、c1-10烷基-*、f-*、br-*、i-*、*-oh、*-nh2或cn-*。

液晶顯示裝置還可以包括：第一液晶取向層，設置在第一電極與液晶層之間；第二液晶取向層，設置在第二電極與液晶層之間，其中，第一液晶取向層和第二液晶取向層中的至少一個可以包括所述反應性液晶元的聚合物。

所述至少一種第一液晶化合物在液晶組合物中的含量可以是大約0.5重量百分數(shù)至大約15重量百分數(shù)。

所述至少一種第二液晶化合物在所述液晶組合物中的含量可以是大約1重量百分數(shù)至大約30重量百分數(shù)。

光屏蔽間隔件可以具有與開關器件疊置的區(qū)域。

光屏蔽間隔件可以具有在大約200納米至大約800納米的波長下每1微米的膜厚度1或更大的光密度。

光屏蔽間隔件可以包括光屏蔽材料和粘合劑。

根據(jù)示例性實施例，可以提供具有高vhr和高速響應特性的液晶顯示裝置。

通過下面的具體實施方式、附圖和權利要求，其它特征和方面將是明顯的。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述本公開的示例性實施例，本公開的以上和其它方面和特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的液晶顯示(lcd)裝置的顯示基底和對向顯示基底的示意性分解透視圖；

圖2是示出圖1的lcd裝置的顯示區(qū)的示意性局部剖視圖；以及

圖3和圖4是將根據(jù)本公開的示例性實施例的液晶組合物的電壓保持率(vhr)與根據(jù)對比示例的液晶組合物的vhr比較的圖。

具體實施方式

通過參照優(yōu)選實施例的以下詳細描述和附圖，可以更容易地理解本發(fā)明構思的特征和實現(xiàn)本發(fā)明構思的特征的方法。

然而，發(fā)明構思可以以許多不同的形式實施，并且不應該被解釋為局限于在此所闡述的實施例。相反地，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且這些實施例將把發(fā)明構思充分地傳達給本領域技術人員，并且發(fā)明構思將僅由權利要求限定。

在附圖中，為了清楚，夸大了層和區(qū)域的厚度。將理解的是，當元件或層被稱為“在”另一元件或層“上”、“連接到”或“結合到”另一元件或層時，該元件或層可以直接在所述另一元件或層上、直接連接或結合到所述另一元件或層，或者也可以在它們之間存在中間元件或層。相反，當元件或層被稱為“直接在”另一元件或層“上”、“直接連接到”或“直接結合到”另一元件或層時，不存在中間元件或層。如在此使用的，連接可以指元件彼此物理連接、電連接和/或流體連接。

同樣的標記始終指示同樣的元件。如在此使用的，術語“和/或”包括一個或更多個相關所列項的任何和全部組合。

將理解的是，盡管可以在此使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應被這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離公開的教導的情況下，以下討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。

為了易于描述，可以在此使用諸如“在……下方”、“下面的”、“在……下面”、“在……上方”和“上面的”等空間相對術語來描述如圖中示出的一個元件或特征與另一元件或特征的關系。將理解的是，空間相對術語意圖包含除了圖中描繪的方位之外裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果將圖中的裝置翻轉，那么被描述為相對于其它元件或特征而“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件將隨后被定位為相對于所述其它元件或特征而“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性術語“在……下方”可包含上方和下方兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉90度或在其它方位處)，并相應地解釋在此使用的空間相對描述語。

在此使用的術語僅用于描述具體實施例的目的，而不意圖限制公開。如在此使用的，除非上下文另外明確表明，否則單數(shù)形式“一個”、“一種(者)”和“該(所述)”也意圖包括復數(shù)形式。還將理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”及其變型和/或“包括”及其變型時，指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或附加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

如這里使用的“大約”或“近似”包括陳述的值，并意味著：考慮到正在被談及的測量以及與具體量的測量有關的誤差(即，測量系統(tǒng)的局限性)，在由本領域的普通技術人員確定的具體值的可接受偏差范圍之內。例如，“大約”可以表示在一個或更多個標準偏差內，或者在所陳述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之內。

除非另有定義，否則在此使用的全部術語(包括技術術語和科學術語)具有與本公開所屬領域的普通技術人員所通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，除非在此清楚地如此定義，否則術語(諸如通用字典中定義的術語)應該被解釋為具有與其在本公開及相關領域的環(huán)境中的含義一致的含義，并且將不以理想化的或過于形式化的含義來解釋。

如在此使用的術語“ca-b”可以指a至b的碳的數(shù)量。另外，如在此使用的符號“*”指結合位。

如在此使用的，術語“烷基”指的是具有特定個數(shù)的碳原子并且具有一的價態(tài)的從直鏈或支鏈飽和脂肪族烴衍生的基團。

如在此使用的，術語“烷氧基”指的是“烷基-o-”，其中，術語“烷基”具有與如上描述的含義相同的含義。

如在此使用的，術語“亞烷基”指的是具有至少二的價態(tài)的直鏈或支鏈飽和脂肪族烴基團，可選地取代有一個或更多個取代基(如果指明的話)，只要沒有超出亞烷基的價態(tài)。

圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的液晶顯示(lcd)裝置500的顯示基底sub1和對向顯示基底sub2的示意性分解透視圖，圖2是示出圖1的lcd裝置500的顯示區(qū)i的示意性局部剖視圖。

參照圖1，lcd裝置500包括顯示基底sub1、對向顯示基底sub2和液晶層300，對向顯示基底sub2與顯示基底sub1隔離并面向顯示基底sub1同時與顯示基底sub1保持預定間隔，液晶層300置于顯示基底sub1與對向顯示基底sub2之間。液晶層300包括液晶化合物301并具有負介電各向異性。

lcd裝置500具有顯示區(qū)i和非顯示區(qū)ii。顯示區(qū)i是觀看圖像的區(qū)域，非顯示區(qū)ii是作為圍繞顯示區(qū)i的顯示區(qū)i的外圍并且無法觀看圖像的區(qū)域。

顯示基底sub1可以包括在第一方向d1上延伸的多條柵極線gl和在與第一方向d1垂直的第二方向d2上延伸的多條數(shù)據(jù)線dl。盡管在圖1和圖2中沒有具體地示出，但是柵極線gl可以不必僅設置在顯示區(qū)i中，甚至可以延伸到非顯示區(qū)ii中，在這種情況下，顯示基底sub1可以包括柵極墊(或稱為“柵極焊盤”)(未示出)。換句話說，顯示基底sub1可以在非顯示區(qū)ii中包括柵極墊。盡管在圖1和圖2中沒有具體地示出，但是數(shù)據(jù)線dl可以不必僅設置在顯示區(qū)i中，甚至可以延伸到非顯示區(qū)ii中，在這種情況下，顯示基底sub1可以包括數(shù)據(jù)墊(或稱為“數(shù)據(jù)焊盤”)(未示出)。換句話說，顯示基底sub1可以在非顯示區(qū)ii中包括數(shù)據(jù)墊。

在顯示區(qū)i中，可以設置通過柵極線gl和數(shù)據(jù)線dl限定的多個像素px。像素px可以以矩陣的形式布置，像素電極180可以分別設置在像素px中。換句話說，在顯示區(qū)i中，顯示基底sub1可以包括以矩陣形式布置的像素px和也以矩陣形式布置的像素電極180。

在非顯示區(qū)ii中，可以設置向像素px提供柵極驅動信號和數(shù)據(jù)驅動信號的驅動單元(未示出)。換句話說，顯示基底sub1可以在非顯示區(qū)ii中包括驅動單元。驅動單元可以產(chǎn)生與120hz或更高的驅動頻率對應的柵極驅動信號和數(shù)據(jù)驅動信號。

顯示基底sub1可以包括開關器件陣列基底(未示出)和像素電極180，對向顯示基底sub2可以包括第二基體基底(未示出)和共電極(未示出)。將在下文中參照圖1和圖2進一步詳細描述顯示基底sub1、對向顯示基底sub2和液晶層300。

參照圖1和圖2，顯示基底sub1可以包括開關器件陣列基底100和像素電極180。例如，開關器件陣列基底100可以包括第一基體基底110、設置在第一基體基底110上的開關器件tft、設置在開關器件tft上的濾色器層160和設置在濾色器層160上的有機層170。

作為與顯示基底sub1相對的基底的對向顯示基底sub2包括第二基體基底210和共電極250。

lcd裝置500還可以包括光屏蔽間隔件195、第一液晶取向層190和第二液晶取向層270。光屏蔽間隔件195可以用作用于保持液晶層300的厚度的間隔件以及用作黑矩陣二者。光屏蔽間隔件195可以設置在顯示基底sub1上。光屏蔽間隔件195可以具有與開關器件tft疊置的區(qū)域。第一液晶取向層190可以設置在光屏蔽間隔件195上和顯示基底sub1上。第二液晶取向層270可以設置在對向顯示基底sub2上。例如，第一液晶取向層190可以設置在光屏蔽間隔件195上、有機層170上和像素電極180上，第二液晶取向層270可以設置在共電極250上。液晶層300可以置于第一液晶取向層190與第二液晶取向層270之間。

lcd裝置500可以實現(xiàn)為聚合物穩(wěn)定-垂直取向(ps-va)模式lcd。ps-va模式是通過包括反應性液晶元聚合物的聚合物網(wǎng)絡使液晶化合物301的預傾斜取向穩(wěn)定的技術，它可以通過第一種方法或第二種方法來實現(xiàn)：在第一種方法中，使用包括反應性液晶元的液晶組合物形成液晶層300，并且通過暴露于紫外(uv)光來形成包括反應性液晶元的聚合物的聚合物網(wǎng)絡；在第二種方法中，將包括反應性液晶元的液晶取向劑施用到像素電極180和/或共電極250上以形成層，使反應性液晶元洗脫到液晶層300，并且通過暴露于uv光來形成包括反應性液晶元的聚合物的聚合物網(wǎng)絡。

反應性液晶元(reactivemesogen)是具有用于表現(xiàn)液晶性的液晶元結構和可聚合端基的化合物，它可以由下面的式rm表示：

式rm

p1-sp1-mg-sp2-p2

其中，在式rm中，p1-*和p2-*中的每個獨立地為p1-*和p2-*可以彼此相同或彼此不同。

在式rm中，

*-sp1-*可以是其中，a可以是從0至2的整數(shù)，

*-sp2-*可以是其中，b可以是從0至2的整數(shù)。

另外，在式rm中，

*-l-*可以是*-(ch2)c-*、*-o(ch2)c-*、*-ch＝ch-*或*-c≡c-*，其中，c可以是從1至10的整數(shù)，以及

*-z-*可以是*–(ch2)d-*，其中，d可以是從0至12的整數(shù)。

另外，在式rm中，

*-ar-*可以是

*-mg-*可以是以及

a-*可以是h-*、c1-10烷基-*、f-*、br-*、i-*、*-oh、*-nh2或cn-*。

反應性液晶元可以包括由式rm1表示的化合物和由式rm2表示的化合物中的至少一種：

式rm1

式rm2

其中，在式rm1和式rm2中，

pm1-*和pm2-*中的每個為

pm1-*和pm2-*可以彼此相同或不同，a1-*和a2-*中的每個為*-h、*-f、*-br、*-i、*-oh、*-nh2或*-cn。

在式rm2中，*-z1-*可以是*–(ch2)e-*或*–o(ch2)e-*，其中，n可以是1或2，e可以是從1至10的整數(shù)。

由式rm1表示的化合物與由式rm2表示的化合物相比具有相對較差的熱穩(wěn)定性，因此在用于形成第一液晶取向層190和第二液晶取向層270的高溫熱處理工藝期間會容易劣化。因此，優(yōu)選地，在制造lcd裝置500期間可以將由式rm1表示的化合物添加到液晶組合物，優(yōu)選地，在制造lcd裝置500期間可以將由式rm1表示的化合物添加到液晶取向劑。

第一種方法和第二種方法均需要用于使反應性液晶元聚合的uv曝光工藝。因此，可以使用具有優(yōu)異的光穩(wěn)定性的液晶化合物301來形成液晶層300。

與在其端部處具有烷基的液晶化合物(例如，在式3中，具有烷基而不是乙烯基(ch2＝ch-)的液晶化合物)相比，由式3表示的化合物是在旋轉粘度、彈性模量或相變溫度(tni)方面具有優(yōu)異性能的低粘度液晶化合物，因此通?？梢杂糜谔岣遧cd裝置500的高速響應特性。然而，由式3表示的化合物由于在其端部處存在雙鍵而具有高度脆弱的光穩(wěn)定性：

式3

ch2＝ch-(ch2)r-(cyc)s-(phef2)t-r31

其中，在式3中，

*-cyc-*可以是1,4-亞環(huán)己基，

*-phef2-*可以是2,3-二氟-1,4-亞苯基，

r可以是從0至5的整數(shù)，

s和t可以是從0至3的整數(shù)，

s和t的總和可以是從2至4的整數(shù)，以及

*-r31可以是*-c1-5烷基或*-c1-5烷氧基。

如上所提及的，作為與顯示基底sub1相對的基底的對向顯示基底sub2包括第二基體基底210和設置在第二基體基底210上的共電極250。共電極250可以直接設置在第二基體基底210上。lcd裝置500的顯示基底sub1包括濾色器層160和光屏蔽間隔件195，但是對向顯示基底sub2可以不包括濾色器層和黑矩陣。在這種情況下，與對向顯示基底sub2包括濾色器層和黑矩陣的情況相比，uv曝光工藝期間入射到液晶層300上的光的量增多。因此，在液晶層300包括由式3表示的化合物的情況下，由式3表示的化合物會容易劣化，結果，lcd裝置500的電壓保持率(vhr)會減小。

例如，由式3表示的化合物可以是由式3-1至式3-3表示的化合物中的至少一種：

式3-1

式3-2

式3-3

其中，在式3-1至式3-3中，x-*和r'-*中的每個可以獨立地為c1-5烷基-8。

可以使用包括光屏蔽材料、粘合劑、多官能單體、光引發(fā)劑和溶劑的光敏劑制造光屏蔽間隔件195。例如，光屏蔽材料可以是黑色顏料。例如，黑色顏料可以是藍色顏料、紅色顏料和黃色顏料的組合，或者可以是包含內酰胺的黑色顏料。例如，藍色顏料可以是由式b表示的化合物，紅色顏料可以是由式r表示的化合物，黃色顏料可以是由式y(tǒng)表示的化合物，包含內酰胺的黑色顏料可以是由式l表示的化合物：

式b

式r

式y(tǒng)

式l

在式l中，r-*可以是c1-10烴基或c1-10烴衍生物的殘基，例如，羧酸基、環(huán)氧基或苯乙烯基。

在根據(jù)本公開的示例性實施例中，光屏蔽間隔件195具有在200納米至800納米的波長下每1微米的膜厚度大約1或更大的光密度。

例如，粘合劑可以是由式bd1表示的化合物或者由式bd2表示的化合物：

式bd1

式bd2

在式bd1中，

r1-*和r2-*中的每個可以獨立地為c1-10烴基或c1-10烴衍生物，例如，羧酸基、環(huán)氧基或苯乙烯基，以及

*-r3-*可以是c1-10亞烷基。

在式bd2中，

*-r4-*可以是c1-10亞烷基，

r5-*可以是c1-10烴基或c1-10烴衍生物的殘基，例如，羧酸基、環(huán)氧基或苯乙烯基，以及

n可以是從1至100的整數(shù)。

例如，光屏蔽間隔件195可以通過將光敏劑施用在顯示基底sub1或對向顯示基底sub2上并使光敏劑經(jīng)受曝光和顯影工藝來形成。在這種情況下，任何未反應的組分會滲入到第一液晶取向層190和第二液晶取向層270中，在uv曝光工藝期間會損壞液晶化合物301，因此會導致余像。具體地，由式3表示的化合物易受到未反應的組分的影響。例如，未反應的組分可以是光屏蔽材料和粘合劑中的至少一種的殘留物。

由于未反應的組分無法通過清洗工藝完全地去除，所以優(yōu)選地可以使液晶層300中的由式3表示的化合物的含量最小化。在實施例中，液晶層300可以在液晶層300中完全不包括由式3表示的化合物。

液晶層300可以包含液晶組合物，液晶組合物包括由式1表示的第一液晶化合物和由式2表示的第二液晶化合物，而不是由式3表示的化合物：

式1

式2

其中，在式1和式2中，

是1,4-亞苯基或1,4-亞環(huán)己基，

r11-*和r22-*中的每個獨立地為c1-10烷基-*，

式1的l11-*、l12-*、l13-*和l14-*中的每個獨立地為*-f、*-cf3或*-h，

式1的r12-*為*-c1-5烷氧基、*-ocf3、*-cf3或*-f，

式1的m和n中的每個獨立地為從1至2的整數(shù)，

式2的r21-*是c1-5烷基-*，

式2的*-l21-*是*-(ch2)i-ch＝ch-(ch2)j-*，其中，式2的i和j中的每個獨立地為從0至2的整數(shù)，以及

式2的o是從1至2的整數(shù)。

因為由式1表示的化合物的端基(即，r11-*和r12-*)不包含任何雙鍵并且其核心基團包括環(huán)己烯基，所以由式1表示的化合物與由式3表示的化合物相比具有相對優(yōu)異的光穩(wěn)定性。因此，由式1表示的化合物可以提高lcd裝置500的vhr。另外，由式1表示的化合物具有低的粘度特性，因此可以提高lcd裝置500的高速響應特性。

類似地，因為由式2表示的化合物在其端部處不包含任何雙鍵，所以由式2表示的化合物與由式3表示的化合物相比具有優(yōu)異的光穩(wěn)定性。因此，由式2表示的化合物可以提高lcd裝置500的vhr。另外，由式2表示的化合物具有低的粘度特性，因此可以提高lcd裝置500的高速響應特性。

根據(jù)本公開的示例性實施例，由式1表示的第一液晶化合物在液晶組合物中的含量可以是大約0.5重量百分數(shù)至大約15重量百分數(shù)，由式2表示的第二液晶化合物在液晶組合物中的含量可以是大約1重量百分數(shù)至大約30重量百分數(shù)。

下面的表1將可以由式1表示的第一液晶化合物p-4和可以由式2表示的第二液晶化合物n-3的物理性質與對比化合物p-1、p-2、p-3、n-1和n-2的物理性質進行比較。

表1

下面的表2示出了根據(jù)本公開的示例性液晶組合物ex和對比液晶組合物ca、cb和cc的組成比，圖3和圖4是將示例性液晶組合物ex的vhr與對比液晶組合物ca、cb和cc的vhr進行比較的圖。

表2

圖3示出了通過分別使用對比液晶組合物ca、cb和cc以及示例性液晶組合物ex制造的不具有光屏蔽間隔件195的lcd面板獲得的vhr測量值。圖4示出了通過向分別使用對比液晶組合物ca、cb和cc以及示例性液晶組合物ex制造的具有光屏蔽間隔件195的lcd面板施加熱量來獲得的vhr測量值。

參照圖3和圖4，在不具有光屏蔽間隔件195的lcd面板中，示例性液晶組合物ex以及對比液晶組合物ca、cb和cc均展現(xiàn)出高達大約95％或更高的vhr。另一方面，在具有光屏蔽間隔件195的lcd面板中，對比液晶組合物ca、cb和cc僅展現(xiàn)出大約85％或更低的vhr，但是示例性液晶組合物ex展現(xiàn)出大約95％或更高的vhr。

下面的表3將通過分別使用對比液晶組合物ca和cb制造的48英寸lcd面板獲得的高速響應測量值與通過使用示例性液晶組合物ex制造的48英寸lcd面板獲得的高速響應測量值進行比較。

表3

參照表3，示例性液晶組合物ex展示出高速響應特性(toff：3.5ms)，因此可以用于高速響應lcd面板，例如，用于120赫茲(hz)高速響應lcd面板。

再次參照圖1和圖2，第一基體基底110是開關器件陣列基底100的基體基底，并可以設置為由玻璃或透明塑料材料形成的透明絕緣基底。

例如，開關器件tft可以是薄膜晶體管(tft)，每個tft可以包括柵電極125、柵極絕緣層130、半導體層140、源電極152和漏電極155。作為tft的控制端子的柵電極125可以設置在第一基體基底110上，并可以由導電材料形成。柵電極125可從柵極線gl分支。柵極絕緣層130可以設置在柵電極125與半導體層140之間，并可以使柵電極125和半導體層140彼此絕緣，并可以形成為范圍在從顯示區(qū)i到非顯示區(qū)ii。作為tft的溝道層的半導體層140可以設置在柵極絕緣層130上。源電極152和漏電極155可以設置在半導體層140上方以彼此分開，并可以由導電材料形成。源電極152是tft的輸入端子，漏電極155是tft的輸出端子。源電極152和漏電極155可以從數(shù)據(jù)線dl分支?？梢栽谠措姌O152與半導體層140之間和漏電極155與半導體層140之間形成歐姆接觸層(未示出)。

柵極線gl可以設置在第一基體基底110與像素電極180之間，數(shù)據(jù)線dl可以設置在柵極線gl與像素電極180之間。

濾色器層160可以設置在源電極152上和漏電極155上。濾色器層160可以設置在開關器件tft上，例如，開關器件tft與像素電極180之間。濾色器層160可以形成在與顯示區(qū)i中的每個像素px對應的區(qū)域中，并可以包括第一濾色器160-1和第二濾色器160-2。例如，第一濾色器160-1和第二濾色器160-2可以是實現(xiàn)不同顏色的濾色器。例如，第一濾色器160-1和第二濾色器160-2中的每個可以獨立地為紅色濾色器r、綠色濾色器g和藍色濾色器b中的一種。第一濾色器160-1和第二濾色器160-2可以交替地布置。

有機層170可以形成在濾色器層160上，并可以包括有機材料。有機層170也可以形成在非顯示區(qū)ii中。

像素電極180可以分別針對像素px形成在有機層170上，并可以包括導電材料。像素電極180可以經(jīng)由穿過濾色器層160和有機層170的接觸孔172電連接到漏電極155。開關器件tft電連接到柵極線gl和像素電極180。像素電極180可以由氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化鈦、鋁(al)、銀(ag)、鉑(pt)、鉻(cr)、鉬(mo)、鉭(ta)、鈮(nb)、鋅(zn)、鎂(mg)或者它們的合金或層疊膜來形成。像素電極180可以設置在濾色器層160與液晶層300之間。

像素電極180可以與共電極250一起形成電場，因此可以控制液晶化合物301的取向方向。像素電極180可以是具有突出圖案和裂縫圖案中的至少一種的圖案電極或者可以是無圖案電極。

光屏蔽間隔件195可以設置在顯示基底sub1上。光屏蔽間隔件195可以設置在顯示基底sub1與對向顯示基底sub2之間。例如，光屏蔽間隔件195可以設置在有機層170上和像素電極180上。光屏蔽間隔件195可以具有設置在有機層170與液晶層300之間的部分和設置在像素電極180與液晶層300之間的部分。光屏蔽間隔件195可以具有與開關器件tft疊置的區(qū)域。

光屏蔽間隔件195可以由彈性材料形成。例如，光屏蔽間隔件195可以包括主間隔件195m和次間隔件195s。主間隔件195m形成為比次間隔件195s高，并且即使在外力施加到lcd裝置500的情況下也可以保持液晶層300的厚度。次間隔件195s可以吸收施加到主間隔件195m的外力，因此可以防止主間隔件195m的彈性被外力損壞。例如，主間隔件195m的厚度t1與次間隔件195s的厚度t2之間的差(即，t1-t2)可以是0.25微米(μm)至0.8μm。例如，如果主間隔件195m的厚度t1是3μm，那么次間隔件195s的厚度t2可以是2.5μm。

第一液晶取向層190可以設置在顯示基底sub1上和光屏蔽間隔件195上。第一液晶取向層190可以具有設置在像素電極180與液晶層300之間的部分、設置在光屏蔽間隔件195與液晶層300之間的部分和設置在光屏蔽間隔件195與第二液晶取向層270之間的部分。第一液晶取向層190不僅可以形成在顯示區(qū)i中，而且還可以形成在非顯示區(qū)ii中。第一液晶取向層190可以包括包含反應性液晶元的聚合物的聚合物網(wǎng)絡，例如，包括由式rm1表示的反應性液晶元的聚合物和/或由式rm2表示的反應性液晶元的聚合物的聚合物網(wǎng)絡。

第一液晶取向層190的聚合物網(wǎng)絡可以使液晶化合物301相對于顯示基底sub1和對向顯示基底sub2以預定的預傾角取向，即使在lcd裝置500中不存在電場。如在此使用的術語“預傾角”表示液晶化合物301相對于顯示基底sub1的指向的角度，或者液晶化合物301相對于對向顯示基底sub2的指向的角度。

盡管附圖中未示出，但是第一液晶取向層190可以包括包含聚酰亞胺的取向基體層和包括反應性液晶元的聚合物的聚合物網(wǎng)絡，并且還可以包括形成在包含聚酰亞胺的取向基體層上的取向穩(wěn)定層?？梢圆惶峁┌埘啺返娜∠蚧w層，第一液晶取向層190不具體局限于包括包含聚酰亞胺的取向基體層和取向穩(wěn)定層兩者。

第二基體基底210是對向顯示基底sub2的基體基底，并可以設置為由玻璃或透明塑料材料形成的透明絕緣基底。

共電極250可以直接設置在第二基體基底210上。共電極250可以是具有突出圖案和裂縫圖案中的至少一種的圖案電極，或者可以是無圖案電極。共電極250可以由ito、izo、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化鈦、al、ag、pt、cr、mo、ta、nb、zn、mg或者它們的合金或層疊膜來形成。

第二液晶取向層270可以直接設置在共電極250上。第二液晶取向層270可以具有設置在共電極250與液晶層300之間的部分和設置在共電極250與第一液晶取向層190之間的部分。第二液晶取向層270不僅可以形成在顯示區(qū)i中，而且還可以形成在非顯示區(qū)ii中。第二液晶取向層270可以包括包含反應性液晶元的聚合物的聚合物網(wǎng)絡，例如，包括由式rm1表示的反應性液晶元的聚合物和/或由式rm2表示的反應性液晶元的聚合物的聚合物網(wǎng)絡。

第二液晶取向層270的聚合物網(wǎng)絡可以使液晶化合物301相對于顯示基底sub1和對向顯示基底sub2以預定的預傾角取向，即使在lcd裝置500中不存在電場。如在此使用的術語“預傾角”表示液晶化合物301相對于顯示基底sub1的指向的角度，或者液晶化合物301相對于對向顯示基底sub2的指向的角度。

盡管附圖中未示出，但是第二液晶取向層270可以包括包含聚酰亞胺的取向基體層和包括反應性液晶元的聚合物的聚合物網(wǎng)絡，并且還可以包括形成在包含聚酰亞胺的取向基體層上的取向穩(wěn)定層?？梢圆惶峁┌埘啺返娜∠蚧w層，第二液晶取向層270不具體局限于包括包含聚酰亞胺的取向基體層和取向穩(wěn)定層兩者。

盡管附圖中未示出，但是lcd裝置500還可以包括設置在顯示基底sub1的背面上的背光組件(未示出)，背光組件將光提供到液晶層300。

例如，背光組件可以包括導光板(lgp)、光源單元、反射構件和一個或更多個光學片。

改變由光源單元產(chǎn)生的光的路徑以使光朝向液晶層300行進的lgp可以包括設置為接收由光源單元產(chǎn)生的光的入射表面和面向液晶層300的發(fā)射表面。lgp可以由具有均一折射率的材料(諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚碳酸酯(pc))形成，但是本公開不限于此。

入射到lgp的一側或兩側上的光可以具有比lgp的臨界角小的入射角，因此可以射入lgp。另一方面，入射到lgp的頂表面或底表面上的光可以具有比lgp的臨界角大的入射角，因此可以均勻地分布在整個lgp上，而不是被發(fā)射到lgp的外部。

漫射圖案可以形成在lgp的頂表面和底表面中的一個(例如，lgp的與lgp的發(fā)射表面相對的底表面)上，以使被引導的光向上發(fā)射。例如，為了使在lgp內傳輸?shù)墓庀蛏习l(fā)射，可以使用墨將漫射圖案印刷在lgp的一個表面上，但是本公開不限于此。即，可以在lgp上形成作為漫射圖案的細凹槽或突起的陣列，或者在不脫離本公開的范圍的情況下，可以對漫射圖案做出各種其它的修改。

可以在lgp與下容納構件(未示出)之間額外地設置反射構件(未示出)。反射構件對從lgp的與lgp的發(fā)射表面相反并面向lgp的發(fā)射表面的底表面發(fā)射的光進行反射，因此將光施加回到lgp。反射構件可以形成為膜，但是本公開不限于此。

光源單元可以設置為面向lgp的入射表面。光源單元設置的數(shù)量可以根據(jù)需要改變。例如，僅一個光源單元可以設置在lgp的一側。可選擇地，三個或更多個光源單元可以設置為與lgp的三側或更多側對應。還可選擇地，多個光源單元可以設置為與lgp的僅一側對應。上面已經(jīng)描述了背光組件，以一個或更多個光源單元設置在lgp的一側或更多側上的側光式背光組件為例，但是本公開不限于此。即，本公開也可適用于直下式背光組件或諸如表面式光源器件的其它光源器件。

光源單元可以包括發(fā)射白光的白色發(fā)光二極管(led)或發(fā)射紅光、綠光和藍光的多個led。對于包括發(fā)射紅光、綠光和藍光的多個led的光源單元，可以通過導通全部led以將紅光、綠光和藍光混合在一起來實現(xiàn)白光。

盡管上面已經(jīng)描述并示出了示例性實施例，但是，對于本領域技術人員而言將明顯的是，在不脫離如由權利要求限定的公開的精神和范圍的情況下，可以做出修改和變化。應該僅以描述性的含義來考慮示例性實施例，而不是用于限制的目的。