專利名稱：覆晶封裝制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝制程，特別是涉及一種覆晶封裝制程，用以避免線路基板的定位標(biāo)記(fiducial mark)氧化。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的積集度的增加，芯片的封裝技術(shù)也越來越多樣化，因?yàn)楦簿Ы雍霞夹g(shù)(Flip Chip Interconnect Technology，簡(jiǎn)稱FC)具有縮小芯片封裝體積及縮短訊號(hào)傳輸路徑等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域，其中諸如芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale Package，CSP)、芯片直接貼附封裝(Direct Chip Attached，DCA)以及多芯片模塊封裝(Multi-ChipModule，MCM)等型態(tài)的封裝體，均可以利用覆晶接合技術(shù)而達(dá)到封裝芯片的目的。
覆晶接合技術(shù)是利用面數(shù)組(area array)的方式，將多個(gè)焊墊配置于芯片(chip)的主動(dòng)表面(active surface)上，并在焊墊上形成凸塊(bump)。接著，將芯片翻覆(flip)，并使芯片上的多個(gè)凸塊與線路基板上的多個(gè)凸塊墊分別對(duì)應(yīng)接合，以使芯片與線路基板可通過這些凸塊來相互電性與機(jī)械性連接，而芯片更可間接地通過線路基板的內(nèi)部線路電性連接至外界的電子裝置。此外，為了使芯片與線路基板之間能夠準(zhǔn)確接合，線路基板與芯片相接合的表面上通常會(huì)配置多個(gè)定位標(biāo)記(fiducial mark)，以供芯片與線路基板之間的定位參考用。
請(qǐng)參閱圖1A與1B所示，其中，圖1A是現(xiàn)有習(xí)知的一種覆晶封裝體的上視圖，而圖1B是圖1A的A-A’線的剖面圖。芯片110，是以覆晶接合方式，藉由多個(gè)凸塊130(僅繪示其一)而配置于線路基板120的承載表面122上，其中線路基板120具有多個(gè)凸塊墊124(僅繪示其一)與多個(gè)定位標(biāo)記126，且這些凸塊墊124通常配置于承載表面122的中央，而這些定位標(biāo)記126通常配置于承載表面122的四個(gè)角落，且這些凸塊130是分別連接于芯片110的這些焊墊112與線路基板120的這些凸塊墊124之間。此外，焊罩層(solder mask)128是配置于線路基板120的承載表面122上，并且焊罩層128的多個(gè)開口128a與128b是分別將凸塊墊124與定位標(biāo)記126暴露于外。由于焊罩層128的這些開口128a與128b是分別將凸塊墊124及定位標(biāo)記126暴露于外界環(huán)境，為了避免凸塊墊124及定位標(biāo)記126在與空氣長(zhǎng)期接觸的情形下發(fā)生氧化現(xiàn)象，現(xiàn)有技術(shù)通常會(huì)在這些凸塊墊124與這些定位標(biāo)記126上形成一保護(hù)層152。
請(qǐng)參閱圖2所示，是現(xiàn)有習(xí)知的另一種線路基板的局部剖面圖。焊罩層128是藉由這些開口128a與128b而分別暴露出線路基板120上的這些凸塊墊124與這些定位標(biāo)記126，且這些焊料塊154是已分別形成于這些凸塊墊124與這些定位標(biāo)記126上。因此，藉由位于定位標(biāo)記126上的這些焊料塊154同樣可達(dá)到隔絕定位標(biāo)記126與外界環(huán)境的目的，且位于凸塊墊124上的其它焊料塊154在回焊(reflow)后，更可將這些凸塊(如圖1B的標(biāo)號(hào)130)分別連接至這些凸塊墊124。然而，由于位于定位標(biāo)記126上的這些焊料塊154具有球狀的外表面，因此，當(dāng)以影像監(jiān)測(cè)系統(tǒng)來進(jìn)行芯片(如圖1B的標(biāo)號(hào)110)與線路基板120的間的定位時(shí)，往往會(huì)因?yàn)橛跋癖O(jiān)測(cè)系統(tǒng)(如攝影機(jī)，CCD Camera)受到位于定位標(biāo)記126上的某個(gè)或某些突出狀的焊料塊154的影響，而無法精確測(cè)得某個(gè)或某些定位標(biāo)記126的位置，因而導(dǎo)致芯片(如圖1B的標(biāo)號(hào)110)與線路基板120之間無法藉由參考這些定位標(biāo)記126來精確地定位。
請(qǐng)參閱圖3所示，是現(xiàn)有習(xí)知的又一種線路基板的局部剖面圖。為了改善現(xiàn)有技術(shù)因?yàn)橥怀鰻畹暮噶蠅K而無法將芯片精確定位至線路基板的問題，這些定位標(biāo)記126的表面是分別改為覆蓋一較為平坦的有機(jī)保護(hù)層(Organic Surface Protection layer，OSP layer)156，用以將定位標(biāo)記126隔絕于外界環(huán)境。然而，由于這些有機(jī)保護(hù)層156將會(huì)在回焊步驟或經(jīng)過其它固著處理之后消失，此時(shí)這些定位標(biāo)記126便會(huì)再度直接暴露于外界，因而發(fā)生氧化的現(xiàn)象。
值得注意的是，由于這些定位標(biāo)記是線路基板的外層線路層所構(gòu)成，故當(dāng)線路基板的線路層的材質(zhì)為銅時(shí)，在覆晶封裝制程完成之后，即芯片組裝至線路基板之后，線路基板的這些裸露出的定位標(biāo)記將氧化而生成綠色的氧化銅，因而破壞封裝體的外觀，并且外界的水氣亦可能由這些裸露出的定位標(biāo)記的氧化處進(jìn)入線路基板的內(nèi)部，因而導(dǎo)致線路基板的內(nèi)部發(fā)生短路而失效。
由此可見，上述現(xiàn)有的覆晶封裝制程在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決覆晶封裝制程存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但是長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般制造方法又沒有適切的方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的覆晶封裝制程存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的覆晶封裝制程，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的覆晶封裝制程，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的覆晶封裝制程存在的缺陷，而提供一種新的覆晶封裝制程，其所要解決的技術(shù)問題使其先是在芯片參考線路基板的多個(gè)定位標(biāo)記，定位于線路基板上之后，在這些定位標(biāo)記上分別形成一隔絕物，用以避免這些定位標(biāo)記暴露于外界空氣而氧化，而維持線路基板的美觀，并可防止外界水氣藉由這些定位標(biāo)記來進(jìn)入線路基板的內(nèi)部，以確保線路基板的正常使用，進(jìn)而可以提高覆晶封裝體的可靠度，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種覆晶封裝制程，其依序包括以覆晶接合方式連接一芯片與一線路基板，其中該線路基板具有一承載表面及多數(shù)個(gè)定位標(biāo)記，且該承載表面具有一芯片接合區(qū)，而該些定位標(biāo)記是配置于該承載表面上，并位于該芯片接合區(qū)之外；且該芯片是已參考該些定位標(biāo)記而接合至該芯片接合區(qū)；分別配置一隔絕材料塊于該些定位標(biāo)記上；以及進(jìn)行一固著處理，以使該些隔絕材料塊成為多個(gè)隔絕物，其分別覆蓋并固著于該些定位標(biāo)記上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的覆晶封裝制程，其中所述的該些隔絕材料塊是采用多數(shù)個(gè)焊料塊，且該固著處理是采用一回焊處理，并在進(jìn)行該回焊處理的同時(shí)，該芯片是固接至該線路基板。
前述的覆晶封裝制程，其中以覆晶接合方式連接該芯片與該線路基板的步驟包括藉由多數(shù)個(gè)凸塊來連接該芯片與該線路基板。
前述的覆晶封裝制程，其中在回焊該些焊料塊時(shí)，亦同時(shí)回焊該些凸塊，以使該些凸塊固著于該芯片與該線路基板之間。
前述的覆晶封裝制程，其中在形成該些隔絕物后，更包括形成一底膠于該芯片與該線路基板之間。
前述的覆晶封裝制程，其中在以覆晶接合方式，連接該芯片與該線路基板之后，更包括填入一底膠于該芯片與該線路基板之間，該些隔絕材料塊是采用多數(shù)個(gè)有機(jī)材料塊，且該固著處理是采用一固化處理，并在進(jìn)行該固化處理的同時(shí)，固著該底膠。
前述的覆晶封裝制程，其中所述的該些隔絕物的材質(zhì)是采用與該底膠相同的材質(zhì)。
前述的覆晶封裝制程，其中在以覆晶接合方式連接該芯片與該線路基板之前，該些定位標(biāo)記上是已分別配置有一有機(jī)保護(hù)層(Organic SurfaceProtection layer，OSP layer)。
前述的覆晶封裝制程，其中所述的線路基板是具有一焊罩層，其是配置于該承載表面上，并暴露出該些定位標(biāo)記，且該些隔絕物是凸出于該焊罩層的表面。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種覆晶封裝制程，首先，以覆晶接合方式連接一芯片與一線路基板，其中線路基板具有一承載表面及多個(gè)定位標(biāo)記，且此承載表面具有一芯片接合區(qū)，并且這些定位標(biāo)記是配置于此承載表面上，并位于此芯片接合區(qū)之外，而芯片是參考這些定位標(biāo)記來定位至此芯片接合區(qū)。接著，分別在這些定位標(biāo)記上配置一隔絕材料塊。之后，進(jìn)行一固著處理，以使這些隔絕材料塊成為多個(gè)隔絕物，其分別覆蓋并固著于這些定位標(biāo)記上。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的覆晶封裝制程，當(dāng)隔絕物的材質(zhì)是焊料時(shí)，此固著處理可以為一回焊處理，以使這些焊料塊成為這些隔絕物。此外，這些焊料塊的回焊處理亦可以與覆晶接合用的凸塊的回焊處理同時(shí)進(jìn)行，其中此處所提覆晶接合用的凸塊是指用以電性及結(jié)構(gòu)性地連接芯片與線路基板者。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的覆晶封裝制程，隔絕物的材質(zhì)是有機(jī)材料時(shí)，此固著處理可為一固化處理，以使這些有機(jī)材料塊成為這些隔絕物，其分別覆蓋并固著于這些定位標(biāo)記上。此外，這些有機(jī)材料塊的固化處理亦可與底膠的固化處理同時(shí)進(jìn)行。
基于上述，本發(fā)明為解決前述現(xiàn)有技術(shù)的問題，是在覆晶封裝制程中在線路基板的這些定位標(biāo)記上分別形成一隔絕物，其在經(jīng)歷覆晶封裝制程之后，包括經(jīng)歷回焊處理或固化處理之后，這些隔絕物仍覆蓋并固著于其所對(duì)應(yīng)的定位標(biāo)記上，以避免覆晶封裝完成之后，線路基板上的這些定位標(biāo)記直接暴露于外界。因此，藉由這些隔絕物可有效將這些定位標(biāo)記隔絕于空氣，以避免這些定位標(biāo)記發(fā)生氧化，故可提高覆晶封裝體的線路基板的可靠度，亦可保持覆晶封裝體的線路基板的美觀。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種覆晶封裝制程，其是先在芯片參考線路基板的多個(gè)定位標(biāo)記定位于線路基板上之后，在這些定位標(biāo)記上配置一隔絕材料塊，并對(duì)這些隔絕材料塊進(jìn)行一固著處理，例如回焊或固化，以使這些隔絕材料塊分別形成一隔絕物于這些定位標(biāo)記上。藉由這些隔絕物可有效隔絕這些定位標(biāo)記與空氣，以避免這些定位標(biāo)記的表面氧化。如此一來，可提高覆晶封裝體的線路基板的可靠度，亦可保持覆晶封裝體的線路基板的美觀。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明覆晶封裝制程至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明可在芯片參考線路基板的多個(gè)定位標(biāo)記，定位至線路基板的芯片接合區(qū)之后，再在這些定位標(biāo)記上分別配置一焊料塊，并可進(jìn)行一固著處理(即回焊處理)，以固著這些凸塊，并同時(shí)使得這些焊料塊成為這些隔絕物，其分別覆蓋并固著于這些定位標(biāo)記上，故可簡(jiǎn)化制程步驟。
2.本發(fā)明可在形成底膠在芯片與線路基板之間的同時(shí)，亦在這些定位標(biāo)記上分別配置一有機(jī)材料，并可進(jìn)行一固著處理(即固化處理)，以固著底膠，并同時(shí)使得這些有機(jī)材料成為這些隔絕物，其分別覆蓋并固著于這些定位標(biāo)記上，故可簡(jiǎn)化制程步驟。
3.這些隔絕物可以在覆晶封裝制程完成之后繼續(xù)存在，并確實(shí)將這些定位標(biāo)記隔絕于外界環(huán)境，因此可以避免這些定位標(biāo)記發(fā)生氧化，以維持線路基板覆的美觀，并可以防止外界水氣藉由這些定位標(biāo)記來進(jìn)入線路基板的內(nèi)部，以確保線路基板能正常使用，因而可以提高覆晶封裝體的可靠度。
綜上所述，本發(fā)明特殊的覆晶封裝制程，其先是在芯片參考線路基板的多個(gè)定位標(biāo)記，定位于線路基板上之后，在這些定位標(biāo)記上分別形成一隔絕物，用以避免這些定位標(biāo)記暴露于外界空氣而氧化，而可維持線路基板的美觀，并可以防止外界水氣藉由這些定位標(biāo)記來進(jìn)入線路基板的內(nèi)部，以確保線路基板的正常使用，因而可以提高覆晶封裝體的可靠度。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類方法中未見有類似的設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的覆晶封裝制程具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。


圖1A是現(xiàn)有習(xí)知的一種覆晶封裝體的上視圖。
圖1B是圖1A中A-A’線的剖面圖。
圖2是現(xiàn)有習(xí)知的另一種線路基板的局部剖面圖。
圖3是現(xiàn)有習(xí)知的又一種線路基板的局部剖面圖。
圖4A是本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種覆晶封裝體的上視圖。
圖4B是圖4A中B-B’線的剖面圖。
圖5是本發(fā)明較佳實(shí)施例的第一種覆晶封裝制程的流程圖。
圖6是本發(fā)明較佳實(shí)施例的第二種覆晶封裝制程的流程圖。
110芯片(晶片)112焊墊120線路基板 122承載表面
124凸塊墊 126定位標(biāo)記128焊罩層 128a、128b開口130凸塊 152保護(hù)層154焊料塊 156有機(jī)保護(hù)層210芯片(晶片) 212焊墊220線路基板 222承載表面222a芯片接合區(qū)(晶片接合區(qū))224凸塊墊226定位標(biāo)記 228焊罩層228a、228b開口230凸塊240底膠 250隔絕物具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及達(dá)成的功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的覆晶封裝制程其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖4A、圖4B與圖5所示，其中，圖4A是本發(fā)明的較佳實(shí)施例的一種覆晶封裝體的上視圖，而圖4B是圖4A的B-B’線的剖面圖，且圖5是本發(fā)明的較佳實(shí)施例的第一種覆晶封裝制程的流程圖。
本發(fā)明提出的覆晶封裝制程，包括以下步驟首先，如步驟510所示，以覆晶接合方式連接一芯片210與一線路基板220。該線路基板220具有一承載表面222、多個(gè)凸塊墊224(僅繪示其一)以及多個(gè)定位標(biāo)記226，且承載表面222具有一芯片接合區(qū)222a，其中這些凸塊墊224是配置于芯片接合區(qū)222a上，而這些定位標(biāo)記226則配置于承載表面222，并位于芯片接合區(qū)222a之外。此外，線路基板220具有有一焊罩層228，其配置于承載表面222上，且此焊罩層228例如具有多個(gè)開口228a與228b，其是分別暴露出這些凸塊墊224與這些定位標(biāo)記226。
承接上述，上述這些定位標(biāo)記226例如是線路基板220的最表層線路層中的一擬接墊(dummy pad)，并可以連接至線路基板220的電源平面(power plane)、接地平面(ground plane)或訊號(hào)輸出入端(signal IOterminal)。此外，在芯片210尚未與線路基板220接合之前，相似于現(xiàn)有習(xí)知所述的線路基板，這些凸塊墊224上例如可分別形成有一焊料塊(如現(xiàn)有習(xí)知的圖3的標(biāo)號(hào)154)，而這些定位標(biāo)記226上例如可分別覆蓋有一有機(jī)保護(hù)層(如現(xiàn)有習(xí)知的圖3的標(biāo)號(hào)156)。另外，芯片210是位于芯片接合區(qū)222a，且芯片210的多個(gè)焊墊212是分別藉由這些凸塊230，而分別與線路基板220的這些凸塊墊224相互電性與機(jī)械性連接。
接著，如步驟520所示，在這些定位標(biāo)記226上分別分別配置一隔絕材料塊，其例如是一焊料塊。
然后，如步驟530所示，進(jìn)行一回焊處理或是其它固著處理，用以將這些焊料塊成為多個(gè)隔絕物250，其分別覆蓋并固著于這些定位標(biāo)記226上。此時(shí)亦可同時(shí)對(duì)這些凸塊230與上述的這些焊料塊進(jìn)行回焊處理，其中上述的這些焊料塊在回焊處理后將會(huì)分別將這些凸塊230連接至這些凸塊墊224，而原先覆蓋于這些定位標(biāo)記226上的有機(jī)保護(hù)層(未繪示)在回焊處理的后將會(huì)消失。同時(shí)，這些焊料塊在回焊處理后將成為多個(gè)隔絕物250，其將會(huì)凸出于焊罩層228的表面。
接著，如步驟540所示，填入一底膠240于芯片210與線路基板220之間，其中底膠240是包覆這些凸塊230。
之后，如步驟550所示，進(jìn)行一固化處理(curing)，以固化底膠240。
如上所述，本發(fā)明的第一種覆晶封裝制程，是在芯片定位至線路基板上之后，再在線路基板的這些定位標(biāo)記上分別配置一焊料塊，并同時(shí)對(duì)這些凸塊及這些焊料塊進(jìn)行一固著處理(即回焊處理)，用以讓這些焊料塊成為多個(gè)隔絕物，其分別覆蓋并固著于這些定位標(biāo)記上。值得一提的是，上述的步驟520與步驟530的次序可相互顛倒，亦即可先對(duì)這些凸塊進(jìn)行一回焊處理，然后再分別填入一焊料塊至這些定位標(biāo)記上。當(dāng)然，之后仍需再對(duì)這些焊料塊進(jìn)行另一回焊處理。值得注意的是，在毋須填入底膠至芯片及線路基板間的其它類型的覆晶封裝制程時(shí)，上述的步驟540及步驟550可省略。此外，在其它較佳實(shí)施例中，亦可藉由其它類型的導(dǎo)電膠接合芯片與線路基板，舉例而言，當(dāng)以異方性導(dǎo)電膠(ACF)接合芯片與線路基板時(shí)，則上述的步驟530便需改為對(duì)異方性導(dǎo)電膠進(jìn)行一固化處理。
除上述的以焊料作為隔絕物的材質(zhì)的覆晶封裝制程以外，本發(fā)明更提出以另一方式來形成以有機(jī)材料作為隔絕物的材質(zhì)的覆晶封裝制程。請(qǐng)同時(shí)參閱圖4與圖6所示，其中圖6是本發(fā)明的較佳實(shí)施例的第二種覆晶封裝制程的流程圖。
本發(fā)明的較佳實(shí)施例的第二種覆晶封裝制程，包括以下步驟首先，如步驟610所示，以覆晶接合方式連接芯片210與線路基板220。當(dāng)以多個(gè)凸塊230來連接芯片210與線路基板220時(shí)，在經(jīng)過一回焊處理之后，這些凸塊230已經(jīng)固接于芯片210與線路基板220之間。
然后，如步驟620所示，填入底膠240于芯片210與線路基板220之間，其中底膠240是包覆這些凸塊230。
接著，如步驟630所示，在這些定位標(biāo)記226上分別配置一隔絕材料塊，其例如為一有機(jī)材料塊，而這些有機(jī)材料塊的材質(zhì)例如是與底膠240相同或不同的有機(jī)材料。當(dāng)這些有機(jī)材料塊的材質(zhì)與底膠240相同時(shí)，可藉由填充底膠240時(shí)所使用的設(shè)備來將這些有機(jī)材料塊分別配置于這些定位標(biāo)記226上。
之后，如步驟640所示，進(jìn)行一固化處理或其它固著處理，以固著底膠240，并同時(shí)使得這些有機(jī)材料塊成為多個(gè)隔絕物250，其分別覆蓋并固著于這些定位標(biāo)記226上。
如上所述，本發(fā)明的第二種覆晶封裝制程是在芯片與線路基板完成覆晶接合之后，再依序在芯片與線路基板之間填入底膠，并且在這些定位標(biāo)記上分別配置一有機(jī)材料塊，之后同時(shí)對(duì)底膠及這些有機(jī)材料塊進(jìn)行一固著處理(即固化處理)。值得注意的是，上述的本發(fā)明的第二種覆晶封裝制程亦可先在這些定位標(biāo)記上分別配置一有機(jī)材料塊，再在芯片與線路基板之間填入底膠，亦即先進(jìn)行步驟630，再進(jìn)行步驟620。此外，本發(fā)明的第二種覆晶封裝制程亦可選擇同時(shí)對(duì)底膠與這些有機(jī)材料塊進(jìn)行一固化處理，或分別地對(duì)底膠與這些有機(jī)材料塊進(jìn)行一固化處理。另外，本發(fā)明的第二種覆晶封裝制程可選用與底膠不同材質(zhì)的有機(jī)材料塊，甚至可選用不需作固化處理的有機(jī)材料。
綜上所述，本發(fā)明是在覆晶封裝制程中，以焊料、底膠材料或其它有機(jī)材料來形成線路基板的這些定位標(biāo)記上的這些隔絕物，用以將這些定位標(biāo)記隔絕于外界環(huán)境來避免這些定位標(biāo)記發(fā)生氧化。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種覆晶封裝制程，其特征在于其依序包括以下步驟以覆晶接合方式連接一芯片與一線路基板，其中該線路基板具有一承載表面及多數(shù)個(gè)定位標(biāo)記，且該承載表面具有一芯片接合區(qū)，而該些定位標(biāo)記是配置于該承載表面上，并位于該芯片接合區(qū)之外，且該芯片是已參考該些定位標(biāo)記而接合至該芯片接合區(qū)；分別配置一隔絕材料塊于該些定位標(biāo)記上；以及進(jìn)行一固著處理，以使該些隔絕材料塊成為多個(gè)隔絕物，其分別覆蓋并固著于該些定位標(biāo)記上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝制程，其特征在于其中所述的該些隔絕材料塊是采用多數(shù)個(gè)焊料塊，且該固著處理是采用一回焊處理，并在進(jìn)行該回焊處理的同時(shí)，該芯片是固接至該線路基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶封裝制程，其特征在于其中所述的以覆晶接合方式連接該芯片與該線路基板的步驟包括藉由多數(shù)個(gè)凸塊來連接該芯片與該線路基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶封裝制程，其特征在于其中在回焊該些焊料塊時(shí)，亦同時(shí)回焊該些凸塊，以使該些凸塊固著于該芯片與該線路基板之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶封裝制程，其特征在于其中在形成該些隔絕物之后，更包括形成一底膠于該芯片與該線路基板之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝制程，其特征在于其中在以覆晶接合方式連接該芯片與該線路基板之后，更包括填入一底膠于該芯片與該線路基板之間，該些隔絕材料塊是采用多數(shù)個(gè)有機(jī)材料塊，且該固著處理是采用一固化處理，并在進(jìn)行該固化處理的同時(shí)，固著該底膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶封裝制程，其特征在于其中所述的該些隔絕物的材質(zhì)是采用與該底膠相同的材質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝制程，其特征在于其中在以覆晶接合方式連接該芯片與該線路基板之前，該些定位標(biāo)記上是已分別配置有一有機(jī)保護(hù)層(Organic Surface Protection layer，OSP layer)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝制程，其特征在于其中所述的線路基板具有一焊罩層，其是配置于該承載表面上，并暴露出該些定位標(biāo)記，且該些隔絕物是凸出于該焊罩層的表面。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種覆晶封裝制程，其是先在芯片參考線路基板的多個(gè)定位標(biāo)記定位于線路基板上之后，在這些定位標(biāo)記上配置一隔絕材料塊，并對(duì)這些隔絕材料塊進(jìn)行一固著處理，例如回焊或固化，以使這些隔絕材料塊分別形成一隔絕物于這些定位標(biāo)記上。藉由這些隔絕物可有效隔絕這些定位標(biāo)記與空氣，以避免這些定位標(biāo)記的表面氧化。如此一來，可提高覆晶封裝體的線路基板的可靠度，亦可保持覆晶封裝體的線路基板的美觀。
文檔編號(hào)H01L21/58GK1581452SQ20041004233
公開日2005年2月16日 申請(qǐng)日期2004年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月20日
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