芯片封裝工藝及芯片封裝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種芯片封裝工藝及芯片封裝，芯片封裝工藝包括下列步驟：提供晶圓。晶圓具有主動(dòng)表面以及相對(duì)于主動(dòng)表面的背面。晶圓包括多個(gè)彼此連接且數(shù)組排列的芯片。設(shè)置可撓性重配置線路薄膜于晶圓的背面上?？蓳闲灾嘏渲镁€路薄膜包括多個(gè)數(shù)組排列且對(duì)應(yīng)于芯片的重配置線路圖案。切割晶圓及可撓性重配置線路薄膜以使芯片彼此分離，并使重配置線路圖案彼此分離。將其中一個(gè)芯片設(shè)置于承載器上，并使芯片的主動(dòng)表面朝向承載器。設(shè)置電子組件于重配置線路圖案上。通過多個(gè)連接端子電性連接電子組件與承載器。
【專利說(shuō)明】芯片封裝工藝及芯片封裝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝工藝及封裝結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種芯片封裝工藝及芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著數(shù)字信息時(shí)代(digital information age)的到來(lái)，多媒體商品、家用電器、個(gè)人數(shù)字商品等已快速發(fā)展。此等商品通常需要小型、高效能、多功能、高速、大容量、低價(jià)格等特征。因此，已發(fā)展了堆棧封裝(stacked package)或系統(tǒng)級(jí)封裝(system inpackage),其中多個(gè)芯片在單個(gè)半導(dǎo)體封裝(single semiconductor)中平行地堆?；蛞粋€(gè)在另一個(gè)的上面垂直地堆棧。
[0003]堆棧封裝或系統(tǒng)級(jí)封裝，包括在單個(gè)封裝中組裝的多個(gè)芯片，且具有以下優(yōu)勢(shì):可增加電效能，可縮小封裝的大小，以及可減小制造成本。然而，由于在堆棧封裝或系統(tǒng)級(jí)封裝中芯片墊的間距較小，因此在芯片墊與互連基板(interconnection substrate)的互連墊(interconnection pad)之間的連接較為困難。
[0004]為解決此問題，在堆棧封裝或系統(tǒng)級(jí)封裝中使用多層互連基板(mult1-layeredinterconnection substrate),或額外中介層(interposer)用于芯片墊與互連基板的互連墊之間的連接。意即，在已知堆棧封裝或系統(tǒng)級(jí)封裝中，在多層互連基板或額外中介層中形成重配置線路層(redistribution layer),且然后使用重配置線路層將芯片墊連接至互連基板的互連墊。
[0005]然而，由于在已知堆棧封裝或系統(tǒng)級(jí)封裝中使用多層互連基板或額外中介層芯片來(lái)執(zhí)行再分配，因此增加了封裝成本以及封裝厚度，如此將難以滿足現(xiàn)今對(duì)電子裝置的薄型化要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種芯片封裝工藝，其制作出的芯片封裝的厚度較薄且工藝較為簡(jiǎn)單。
[0007]本發(fā)明提供一種芯片封裝，其具有較薄的封裝厚度且其工藝較為簡(jiǎn)單。
[0008]本發(fā)明的芯片封裝工藝，其包括下列步驟。首先，提供晶圓。晶圓具有主動(dòng)表面以及相對(duì)于主動(dòng)表面的背面。晶圓包括多個(gè)彼此連接且數(shù)組排列的第一芯片。接著，設(shè)置可撓性重配置線路薄膜于晶圓的背面上。可撓性重配置線路薄膜包括多個(gè)數(shù)組排列且對(duì)應(yīng)于第一芯片的重配置線路圖案。接著，切割晶圓及可撓性重配置線路薄膜以使第一芯片彼此分離，并使重配置線路圖案彼此分離。接著，將其中一個(gè)第一芯片設(shè)置于承載器上，并使第一芯片的主動(dòng)表面朝向承載器。接著，設(shè)置電子組件于重配置線路圖案上。之后，通過多個(gè)連接端子電性連接電子組件與承載器。
[0009]本發(fā)明提出一種芯片封裝，其包括一承載器、一第一芯片、一可撓性重配置線路圖案、一電子組件以及多個(gè)連接端子。第一芯片設(shè)置于承載器上并具有一主動(dòng)表面以及相對(duì)主動(dòng)表面的一背面。主動(dòng)表面朝向承載器。可撓性重配置線路圖案設(shè)置于第一芯片的背面上?？蓳闲灾嘏渲镁€路圖案的邊緣與第一芯片的邊緣實(shí)質(zhì)上切齊。電子組件設(shè)置于可撓性重配置線路圖案上。連接端子分別電性連接電子組件與承載器。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可撓性重配置線路薄膜利用一黏著層貼附于晶圓的背面上。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的設(shè)置可撓性重配置線路薄膜于晶圓的背面上的步驟更包括下列步驟。首先，提供一重配置線路組件。重配置線路組件包括一基膜(basefilm)、一離型膜(release film)以及可撓性重配置線路薄膜。離型膜設(shè)置于基膜以及可撓性重配置線路薄膜之間?？蓳闲灾嘏渲镁€路薄膜包括一可撓性基材以及一圖案化金屬層。圖案化金屬層位于離型膜及可撓性基材之間。接著，使重配置線路組件的可撓性基材與晶圓的背面接合。接著，切割晶圓以及可撓性基材。之后，使離型膜與各第一芯片分離，以暴露出各第一芯片上的圖案化金屬層。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的使離型膜與各第一芯片分離的方法包括下列步驟。首先，通過一頂針推頂基膜，以減少其中一個(gè)第一芯片與離型膜的接合面積。拾取被頂針推頂?shù)牡谝恍酒?br> [0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一芯片通過倒裝焊的方式設(shè)置于承載器上。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電子組件更包括多個(gè)焊球，重配置線路圖案包括多個(gè)焊墊，以分別與焊球接合，而承載器更包括多個(gè)接墊。電子組件通過焊球、焊墊、連接端子以及接墊與承載器電性連接。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的通過連接端子電性連接電子組件與承載器的方法包括下列步驟:首先，分別形成多個(gè)第一端點(diǎn)于焊墊上。接著，分別形成多個(gè)第二端點(diǎn)于接墊上。以多個(gè)導(dǎo)電材由第一端點(diǎn)分別連接至第二端點(diǎn)而形成連接端子。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電子組件包括第二芯片。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電子組件包括內(nèi)存或被動(dòng)組件。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可撓性重配置線路薄膜的厚度介于25μπι至150 μ m之間。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的連接端子包括一第一端點(diǎn)、一第二端點(diǎn)以及一焊線。各第一端點(diǎn)設(shè)置于對(duì)應(yīng)的焊墊上。各第二端點(diǎn)設(shè)置于對(duì)應(yīng)的接墊上。各焊線由對(duì)應(yīng)的第一端點(diǎn)連接至對(duì)應(yīng)的第二端點(diǎn)。
[0020]基于上述，本發(fā)明將一可撓性重配置線路薄膜設(shè)置于晶圓的背面上，其中可撓性重配置薄膜包括多個(gè)數(shù)組排列且對(duì)應(yīng)晶圓的多個(gè)芯片而設(shè)置的重配置線路圖案。接著再執(zhí)行切割工藝以使芯片彼此分離并使重配置線路圖案彼此分離。如此，切割后的各芯片皆具有重配置線路圖案，而無(wú)須依照已知工藝在切割晶圓后，將單體化的多個(gè)芯片分別設(shè)置一具有重配置線路層的中介層，以進(jìn)行后續(xù)的組件堆棧工藝。此外，由此工藝所制作出的芯片封裝，由于重配置線路薄膜的厚度較已知的中介層薄，因此，本發(fā)明不但可大幅簡(jiǎn)化已知繁復(fù)的芯片封裝工藝，更可有效降低芯片封裝的厚度。
[0021]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1A至IG是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種芯片封裝工藝的流程剖面示意圖。
[0023]圖2是圖1G的可撓性重配置線路薄膜的上視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]圖1A至IG是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種芯片封裝工藝的流程剖面示意圖。在本實(shí)施例中，芯片封裝工藝包括下列步驟:首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供晶圓100。晶圓100具有一主動(dòng)表面Iio以及相對(duì)于主動(dòng)表面110的一背面120。晶圓100包括多個(gè)彼此連接且數(shù)組排列的第一芯片130，各第一芯片130上設(shè)置有多個(gè)焊墊132 ;于其一較佳的實(shí)施例中，第一芯片130的焊墊132上也可預(yù)先形成凸塊134，其中，預(yù)先形成的凸塊134可為錫球(solderball)、結(jié)線凸塊(stud bump)、金凸塊(gold bump)或銅凸塊(copper pillar)等。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，設(shè)置一可撓性重配置線路薄膜230于晶圓100的背面120上?？蓳闲灾嘏渲镁€路薄膜230包括多個(gè)對(duì)應(yīng)于第一芯片130的焊墊132而設(shè)置的重配置線路圖案234a。
[0025]具體而言，在本實(shí)施例中，設(shè)置可撓性重配置線路薄膜230于晶圓100的背面120上的方法更包括下列步驟:首先，提供如圖1B所示的一重配置線路組件200。重配置線路組件200包括一基膜210 (base film)、一離型膜220 (release film)以及可撓性重配置線路薄膜230，其中，離型膜220設(shè)置于基膜210以及可撓性重配置線路薄膜230之間。一般而言，離型膜220為表面具有分離性的薄膜，其與特定的材料在特定的條件下接觸后不具有黏性或僅具有輕微的黏性?？蓳闲灾嘏渲镁€路薄膜230包括一可撓性基材232以及一圖案化金屬層234，其中，圖案化金屬層234位于離型膜220及可撓性基材232之間，且具有上述的多個(gè)數(shù)組排列且對(duì)應(yīng)于第一芯片130的焊墊132而設(shè)置的重配置線路圖案234a。
[0026]接著，將重配置線路組件200的可撓性基材232與晶圓100的背面120接合。詳細(xì)而言，重配置線路組件200更包括一黏著層240，重配置線路組件200即通過黏著層240將其可撓性基材232貼附于晶圓100的背面120上。在本實(shí)施例中，黏著層240可例如為一膠帶、B階(B-Stage)黏膠或黏晶膠(DAF)等。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1C，切割晶圓100以及可撓性重配置線路薄膜230，以使第一芯片130彼此分離，并使重配置線路圖案234a彼此分離。接著，再利用離型膜220易于剝離的特性，使離型膜220與各第一芯片130分離，以暴露出各第一芯片130上的圖案化金屬層234。值得注意的是，本實(shí)施例的切割步驟并未切斷重配置線路組件200的離型膜220與基膜210。
[0027]舉例而言，將離型膜220與各第一芯片130分離的方法可包括下列步驟:如圖1D所示，通過一頂針20往上推頂基膜210，以減少其中一個(gè)第一芯片130與離型膜220的接合面積。換句話說(shuō)，由于受到頂針20的推頂，基膜210以及離型膜220往一推頂方向Dl撓曲，因而使離型膜220與第一芯片130上的圖案化金屬層234的接觸面積減小至約等于頂針20截面積的大小。此時(shí)。再利用例如一拾取治具30由上方拾取被頂針20推頂?shù)牡谝恍酒?30，即可使第一芯片130與離型膜220分離。本實(shí)施例中，拾取治具30可為一真空吸嘴(圖示僅為示意)。
[0028]承上述，如圖1E所示，將上述被拾取的第一芯片130設(shè)置于承載器300上，并使第一芯片130的主動(dòng)表面110朝向承載器300。在本實(shí)施例中，第一芯片130通過倒裝焊封裝的方式設(shè)置于承載器300上。于其它較佳的實(shí)施例中，承載器300可為導(dǎo)線架、基板、軟板(如薄膜)、或印刷電路板等。接著，再如圖1F所示，設(shè)置電子組件400于重配置線路圖案234a上。在本實(shí)施例中，電子組件400可為堆棧于第一芯片130上的一第二芯片。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，電子組件400也可為內(nèi)存、被動(dòng)組件或散熱片等其它電子組件，本發(fā)明并不限定電子組件400的種類。電子組件400包括多個(gè)焊球410，電子組件400通過焊球410分別與重配置線路圖案234a上的多個(gè)焊墊234b接合。
[0029]圖2是圖1G的可撓性重配置線路薄膜的上視示意圖。接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1G以及圖2，通過多個(gè)連接端子500電性連接電子組件400與承載器300。在本實(shí)施例中，承載器300包括多個(gè)第一接墊310，而重配置線路圖案234a如圖1G以及圖2所示包括多個(gè)焊墊234b以及多個(gè)第二接墊234c，焊墊234b用以與焊球410接合。第二接墊234c則用以與連接端子500接合。電子組件400通過焊球410、焊墊234b、第二接墊234c、連接端子500以及第一接墊310所形成的電連接路徑而與承載器300電性連接。具體而言，連接端子500是以反向焊線接合(reverse wire-bonding)的方式電性連接電子組件400與承載器300,更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例可例如通過一打線機(jī)在承載器300的第一接墊310上形成多個(gè)第一端點(diǎn)510，再以打線機(jī)在第二接墊234c上形成多個(gè)第二端點(diǎn)520，再將打線機(jī)由第一端點(diǎn)510移動(dòng)至第二端點(diǎn)520，且打線機(jī)在移動(dòng)的過程中穩(wěn)定地釋放出一導(dǎo)電材質(zhì)，以形成連接第一端點(diǎn)510及第二端點(diǎn)520的焊線530，連接端子500即由第一端點(diǎn)510、第二端點(diǎn)520及焊線530所組成，較佳地，焊線530材質(zhì)可選自于銅、銀、金或其合金。如此，即可以反向焊線接合的方式電性連接電子組件400與承載器300。此種反向焊線接合的方式可降低焊線高度對(duì)于芯片封裝10的厚度的影響，因而可進(jìn)一步降低芯片封裝10的厚度。
[0030]如此，本實(shí)施例將一可撓性重配置線路薄膜230設(shè)置于晶圓100的背面120上，可撓性重配置薄膜包括多個(gè)數(shù)組排列且對(duì)應(yīng)晶圓100的多個(gè)芯片130而設(shè)置的重配置線路圖案234a，接著再執(zhí)行切割工藝以使芯片130彼此分離以及使重配置線路圖案234a彼此分離。如此，切割后的各獨(dú)立的芯片130皆已具有重配置線路圖案234a，而無(wú)須依照已知工藝，在切割晶圓程序后，再將單體化的多個(gè)芯片逐一設(shè)置具有重配置線路層的中介層，以進(jìn)行后續(xù)的組件堆棧工藝。因此，本實(shí)施例可省略已知的中介層工藝，更可大幅簡(jiǎn)化已知繁復(fù)的芯片封裝10工藝。此外，由于可撓性重配置線路薄膜230的厚度較已知的中介層為薄，因此本實(shí)施例以可撓性重配置線路薄膜230取代中介層，可有效降低芯片封裝10的厚度。
[0031]如上述的芯片封裝工藝可制作出如圖1G所示的芯片封裝10。在本實(shí)施例中，芯片封裝10包括一承載器300、一第一芯片130、一可撓性重配置線路圖案234a、一電子組件400以及多個(gè)連接端子500。值得注意的是，本實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的組件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的組件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，本實(shí)施例不再重復(fù)贅述。第一芯片130設(shè)置于承載器300上并具有主動(dòng)表面110以及相對(duì)主動(dòng)表面110的背面120。主動(dòng)表面110朝向承載器300?？蓳闲灾嘏渲镁€路圖案234a設(shè)置于第一芯片130的背面120上，且可撓性重配置線路圖案234a的邊緣與第一芯片130的邊緣實(shí)質(zhì)上切齊。而可撓性重配置線路薄膜230的厚度介于25 μ m至150 μ m之間。電子組件400設(shè)置于可撓性重配置線路圖案234a上。連接端子500分別電性連接電子組件400與承載器300。在本實(shí)施例中，連接端子500是以反向焊線接合的方式電性連接電子組件400與承載器300，更詳細(xì)而言，連接端子500包括一第一端點(diǎn)510、一第二端點(diǎn)520以及一焊線530。各第一端點(diǎn)510設(shè)置于對(duì)應(yīng)的第二接墊234c上。各第二端點(diǎn)520設(shè)置于對(duì)應(yīng)的第一接墊310上。各焊線530由對(duì)應(yīng)的第一端點(diǎn)510連接至對(duì)應(yīng)的第二端點(diǎn)520。此種反向焊線接合的方式可降低焊線高度對(duì)于芯片封裝10的厚度的影響，因而可進(jìn)一步降低芯片封裝10的厚度。
[0032]綜上所述，本發(fā)明將一可撓性重配置線路薄膜設(shè)置于晶圓的背面上，其中可撓性重配置薄膜包括多個(gè)數(shù)組排列且對(duì)應(yīng)晶圓的多個(gè)芯片而設(shè)置的重配置線路圖案。接著再執(zhí)行切割工藝以使芯片彼此分離并使重配置線路圖案彼此分離。如此，切割后的各芯片皆具有重配置線路圖案，而無(wú)須依照已知工藝在切割晶圓后，將單體化的多個(gè)芯片分別設(shè)置一具有重配置線路層的中介層，以進(jìn)行后續(xù)的組件堆棧工藝。因此，本發(fā)明可省略中介層的工藝，更可大幅簡(jiǎn)化已知的芯片封裝的繁復(fù)工藝。此外，由此工藝所制作出的芯片封裝，由于重配置線路薄膜的厚度較已知的中介層為薄，因此，本發(fā)明以可撓性重配置線路薄膜取代中介層，可有效降低芯片封裝的厚度。
[0033]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
[0034]【符號(hào)說(shuō)明】
[0035]10:芯片封裝
[0036]20:頂針
[0037]30:拾取治具
[0038]100:晶圓
[0039]110:主動(dòng)表面
[0040]120:背面
[0041]130:第一芯片
[0042]134:凸塊
[0043]200:重配置線路組件
[0044]210:基膜
[0045]220:離型膜
[0046]230:可撓性重配置線路薄膜
[0047]232:可撓性基材
[0048] 234:圖案化金屬層
[0049]234a:重配置線路圖案
[0050]234b、132:焊墊
[0051]234c:第二接墊
[0052]240:黏著層
[0053]300:7承載器
[0054]310:第一接墊
[0055]400:電子組件
[0056]410:焊球
[0057]500:連接端子
[0058]510:第一端點(diǎn)[0059]520:第二端點(diǎn)
[0060]530:焊線
[0061]Dl:推頂方向
【權(quán)利要求】
1.一種芯片封裝工藝，其特征在于，包括: 提供晶圓，該晶圓具有主動(dòng)表面以及相對(duì)于該主動(dòng)表面的背面，其中該晶圓包括多個(gè)彼此連接且數(shù)組排列的第一芯片； 設(shè)置可撓性重配置線路薄膜于該晶圓的該背面上，其中該可撓性重配置線路薄膜包括多個(gè)數(shù)組排列且對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)第一芯片的重配置線路圖案； 切割該晶圓以及該可撓性重配置線路薄膜以使所述多個(gè)第一芯片彼此分離，并且使所述多個(gè)重配置線路圖案彼此分離； 將其中一個(gè)第一芯片設(shè)置于承載器上，并使該第一芯片的該主動(dòng)表面朝向該承載器； 設(shè)置電子組件于該第一芯片上的該重配置線路圖案上；以及 通過多個(gè)連接端子電性連接該電子組件與該承載器。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝工藝，其特征在于，設(shè)置該可撓性重配置線路薄膜于該晶圓的該背面上的步驟更包括: 提供重配置線路組件，該重配置線路組件包括基膜、離型膜以及該可撓性重配置線路薄膜，該離型膜設(shè)置于該基膜以及該可撓性重配置線路薄膜之間，該可撓性重配置線路薄膜包括可撓性基材以及圖案化金屬層，該圖案化金屬層位于該離型膜及該可撓性基材之間； 使該重配置線路組件的該可撓性基材與該晶圓的該背面接合； 切割該晶圓以及該可撓性基材；以及 將該離型膜與各該第一芯片分離，以暴露出各該第一芯片上的該圖案化金屬層。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝工藝，其特征在于，將該離型膜與各該第一芯片分離的步驟包括: 通過頂針推頂該基膜，以減少其中一個(gè)第一芯片與該離型膜的接合面積；以及 拾取被該頂針推頂?shù)牡谝恍酒?br> 4.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝工藝，其特征在于，該第一芯片通過倒裝焊的方式設(shè)置于該承載器上。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝工藝，其特征在于，該電子組件包括多個(gè)焊球，重配置線路圖案包括多個(gè)焊墊，以分別與所述多個(gè)焊球接合，而該承載器包括多個(gè)接墊，該電子組件通過所述多個(gè)焊球、所述多個(gè)焊墊、所述多個(gè)連接端子以及所述多個(gè)接墊與該承載器電性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片封裝工藝，其特征在于，通過多個(gè)連接端子電性連接該電子組件與該承載器的步驟包括: 分別形成多個(gè)第一端點(diǎn)于所述多個(gè)接墊上； 分別形成多個(gè)第二端點(diǎn)于所述多個(gè)焊墊上；以及 以多個(gè)導(dǎo)電材由所述多個(gè)第一端點(diǎn)分別連接至所述多個(gè)第二端點(diǎn)而形成所述多個(gè)連接端子。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝工藝，其特征在于，該電子組件包括第二芯片、內(nèi)存或被動(dòng)組件。
8.—種芯片封裝，其特征在于，包括: 承載器；第一芯片，設(shè)置于該承載器上并具有主動(dòng)表面以及相對(duì)該主動(dòng)表面的背面，該主動(dòng)表面朝向該承載器； 可撓性重配置線路圖案，設(shè)置于該第一芯片的該背面上，該可撓性重配置線路圖案的邊緣與該第一芯片的邊緣實(shí)質(zhì)上切齊； 電子組件，設(shè)置于該可撓性重配置線路圖案上；以及 多個(gè)連接端子，分別電性連接該電子組件與該承載器。
9.如權(quán)利要求8所述的芯片封裝，其特征在于，該可撓性重配置線路圖案包括可撓性基材以及圖案化金屬層，該可撓性基材配置于該圖案化金屬層以及該第一芯片之間。
10.如權(quán)利要求8所述的芯片封裝，其特征在于，該電子組件更包括多個(gè)焊球，重配置線路圖案包括多個(gè)焊墊，分別與所述多個(gè)焊球接合，該承載器更包括多個(gè)接墊，該電子組件通過所述多個(gè)焊球、所述多個(gè)焊墊、所述多個(gè)連接端子以及所述多個(gè)接墊與該承載器電性連接。
11.如權(quán)利要求10項(xiàng)所述的芯片封裝，其特征在于，各該連接端子包括第一端點(diǎn)、第二端點(diǎn)以及焊線，各該第一端點(diǎn)設(shè)置于對(duì)應(yīng)的接墊上，各該第二端點(diǎn)設(shè)置于對(duì)應(yīng)的焊墊上，各該焊線由對(duì)應(yīng)的第一端點(diǎn)連接至對(duì)應(yīng)的第二端點(diǎn)。
12.如權(quán)利要求8所述的芯片封裝，其特征在于，該電子組件包括第二芯片、內(nèi)存或被動(dòng)組件。
【文檔編號(hào)】H01L23/48GK104008982SQ201310335386
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月23日
【發(fā)明者】周世文 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司