專利名稱：在內含電活性材料的無定形非聚合物有機基質上形成圖案的方法和材料的制作方法
背景技術：
從施主薄板到受主基底對材料進行成圖熱轉移具有廣泛應用。例如，材料可有選擇地進行熱轉移，形成可用于電子顯示器和其他裝置中的元件。具體說來，濾色片、黑色短陣、間隔器、偏振片、導電層、晶體管、磷光體和有機電致發(fā)光材料的選擇性熱轉移都已提出過。
發(fā)明概述本發(fā)明涉及在內含電活性材料的無定形非聚合物有機基質上形成圖案的方法和材料，以及用這些材料和方法形成的裝置。本發(fā)明一方面涉及制各有機電致發(fā)光裝置的方法。轉移層通過溶液涂敷的方法涂敷在施主基底上，所述轉移層包括內含發(fā)光材料的無定形非聚合物有機基質。然后將轉移層有選擇地熱轉移到受主上。熱轉移可包括激光熱轉移或熱頭轉移。
本發(fā)明另一方面涉及含有基底和轉移層的施主薄板。所述轉移層包含通過溶液涂敷的無定形非聚合物有機基質，該基質內含發(fā)光材料。此轉移層能夠有選擇地從施主薄板熱轉移到鄰近的受主上。施主薄板還可以包含位于基底上的光熱轉換層，用以將射入的成像輻射轉換成熱。
本發(fā)明另一方面涉及制備施主薄板的方法。所述方法包括以溶液涂敷方法將一層組合物涂敷在基底上，形成內含發(fā)光材料的無定形非聚合物有機基質，從而在基底上形成轉移層。該方法還可包括在基底上形成光熱轉換層。
本發(fā)明另一方面涉及電致發(fā)光裝置，它包括第一電極、第二電極和位于第一、第二電極之間的發(fā)光層。所述發(fā)光層是無定形非聚合物有機基質，該基質內含發(fā)光聚合物。舉例來說，這樣的裝置包括單OLE裝置，可用于照明和像素化裝置，如顯示器，這樣的裝置含有多個OEL裝置。
應當認識到，除了發(fā)光材料之外，電活性材料也可置于無定形非聚合物有機基質中。例如，可將導體或半導體材料置于無定形非聚合物有機基質中。應用例子包括通過將空穴傳輸材料或電子傳輸材料置于無定形非聚合物有機基質中，形成空穴傳輸層或電子傳輸層或其他電荷傳輸層。舉例來說，所述基質可用上述任何材料制備。這種結構特別適合導體或半導體聚合物材料用來形成內聚強度比聚合物本身小的層。
此外，這些材料和方法也適用于非熱印刷和轉移方法，例如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷和光刻成圖。
附圖簡述下面結合附圖對本發(fā)明一些實施方式進行詳細描述，可更加完整地理解本發(fā)明。


圖1是有機電致發(fā)光顯示器結構的側視簡圖；圖2是可用作本發(fā)明轉移材料的施主薄板的側視簡圖；圖3是本發(fā)明有機電致發(fā)光顯示器的側視簡圖；圖4A是有機電致發(fā)光裝置的第一種例子的側視簡圖；圖4B是有機電致發(fā)光裝置的第二種例子的側視簡圖；圖4C是有機電致發(fā)光裝置的第三種例子的側視簡圖；圖4D是有機電致發(fā)光裝置的第四種例子的側視簡圖；圖4E是有機電致發(fā)光裝置的第五種例子的側視簡圖；圖4F是有機電致發(fā)光裝置的第六種例子的側視簡圖。
雖然本發(fā)明可以有各種修改和替代形式，但其具體情況已例示在附圖中，下面將對其進行詳細描述。不過，應當理解，我們無意讓本發(fā)明受所述具體實施方式
的限制。相反，我們有意覆蓋所有符合本發(fā)明實質和范圍的修改、等價和替代的形式。
發(fā)明詳述本發(fā)明涉及對內含電活性材料的無定形非聚合物有機基質進行熱法成圖的材料和方法。這些方法和材料可用來形成包括有機電子裝置和顯示裝置在內的各種裝置，所述裝置包含電活性有機材料，特別是包含發(fā)光聚合物或其他發(fā)光分子的材料?？梢灾瞥傻挠袡C電子裝置的例子，有有機晶體管、光電裝置、有機電致發(fā)光(OEL)裝置(如有機發(fā)光二極管(OLED))等。此外，這些材料和方法也可用于非熱印刷、成圖和轉移方法，如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷到和光刻成圖。
術語“活性”或“電活性”用來描述有機電子裝置中的層或材料時，指在裝置工作時能發(fā)揮下述功能的層或材料，如產生、導通或半導通載荷子(例如電子或空穴)，發(fā)光，增進或調整所述裝置結構的電子性質，等等。術語“非活性”是描述這樣的材料或層，雖然它們對上述功能沒有直接作用，但對有機電子裝置的組裝或制備或功能可能具有一些非直接作用。
有機電致發(fā)光(OEL)顯示器或裝置是指含有有機發(fā)射材料的電致發(fā)光顯示器或裝置，所述發(fā)射材料可以包含小分子(SM)發(fā)射器、SM摻雜聚合物、發(fā)光聚合物(LEP)、摻雜LEP、混合LEP，也可以包含另一種有機發(fā)射材料，這種材料可以單獨存在，也可以與其他在OEL顯示器或裝置中有作用或沒有作用的有機或無機材料同時存在。
R.H.Friend等人(“共軛聚合物的電致發(fā)光性”，Nature，397，1999，21)闡述了一種電致發(fā)光機理，即“從一個電極注入電子，從另一個電極注入空穴，捕獲電性相反的載荷子(所謂的重組)，此重組過程產生的受激電子-空穴態(tài)(激子)的輻射衰變”。
用于OEL裝置的材料可以是天然小分子(SM)或聚合物。SM材料包括具有電荷傳輸、電荷阻斷、半導通和電致發(fā)光作用的有機和有機金屬化合物。 SM材料一般可以真空沉積或蒸發(fā)形成裝置中的薄層。在實際應用中，通常要用多個SM層產生足夠的OEL，因為給定的一種材料通常無法同時具有所需的電荷傳輸性質和電致發(fā)光性質。
LEP材料一般是共軛聚合物或低聚分子，它們較好具有足夠的成膜性，以便用于溶液涂敷過程。根據(jù)常規(guī)方法，使用LEP材料時，是將LEP材料在溶劑中形成的溶液澆注到一基底上，蒸發(fā)溶劑，從而形成聚合物膜。形成LEP膜的其他方法包括噴墨涂敷和擠出涂敷。LEP也可以通過其前體物質的反應原位形成在基底上。用一個、兩個或多個有機層已經制成了高效LEP燈。
OEL也可以用一種或多種分子玻璃制備。分子玻璃是用來描述低摩爾質量的有機無定形成膜化合物的。已知的空穴傳輸分子玻璃、電子傳輸分子玻璃和偶極分子玻璃，包括J.V.Grazulevicius和P.Strohriegl在“電荷傳輸聚合物和分子玻璃”(《高級電子與光子材料與裝置手冊》，H.S.Nalwa(ed.)，10，2001，233)中所介紹的那些。分子玻璃的溶解性可能會限制用常規(guī)方法制備多層電子結構。例如，如果發(fā)光聚合物層和空穴傳輸分子玻璃層上的材料能溶解于相同的溶劑，則可能無法通過溶液涂敷將前者涂敷在后者上面。此前用例如溶液涂敷的空穴傳輸層和氣相沉積發(fā)射和電子傳輸層已經制出了一些器件。
作為裝置結構的一個例子，圖1示出了OEL顯示器或裝置100，它包含裝置層110和基底120。顯示器100中也可以包含其他任何合適的顯示元件。在顯示器100和視位140之間還可以安裝其他光學元件或其他適合與電子顯示屏、裝置或燈配合使用的裝置，如可用的元件130所示。
在某些如上所示實施方式中，裝置110包含一個或多個能透過基底向視位140發(fā)光的OEL裝置。視位140通常用來指發(fā)射光的目標終點，不管它是實際觀察的人、屏幕、光學元件、電子裝置等。在其他實施方式中(未示出)，裝置層110位于基底120與視位140之間。當基底120可透過裝置層110發(fā)射的光，且當裝置中有一透明導電電極位于裝置的發(fā)射層和基底之間時，可以使用圖1所示的裝置結構(稱作“底部發(fā)射”)。如果位于裝置的發(fā)光層和基底之間的電極不能透過裝置發(fā)射的光，則不管基底120是否能透過裝置發(fā)射的光，都可以采用相反的結構(稱作“頂部發(fā)射”)。
裝置層110可以包含一個或多個以任何合適方式安裝的OLE裝置。例如，在燈光應用中[例如液晶顯示(LCD)組件的背后照明]，裝置層110可以僅由單個OEL裝置組成，該裝置橫跨整個欲進行背后照明的區(qū)域?；蛘?，在其他燈光應用中，裝置層110可由許多相距很近的裝置組成，這些裝置可同時被激發(fā)。例如，較小且彼此靠近的紅光、綠光和藍光發(fā)射極可按一定模式排列在普通的電極之間，使得當這些發(fā)射極被激發(fā)后，裝置層110就發(fā)射白光。也可以設想其他用于背后照明的組裝方式。
在直接觀察或其他顯示應用中，裝置層110也可能較好包含多個可獨立尋址的OEL裝置，這些裝置發(fā)射相同或不同顏色的光。每個裝置可代表像素化顯示器(例如高分辨率顯示器)中的一個獨立的像素或一個獨立的亞像素，分段顯示器(segmented display)(例如低信息量顯示器)中的一個獨立片段或亞片段，或者獨立的圖標、圖標的一部分或圖標燈(例如指示裝置)。
在至少某些情況下，OEL裝置包含一個薄層或多個層，所述層是一種或多種合適的有機材料夾在陰極和陽極之間。受到激發(fā)時，電子就從陰極注入有機層，而空穴從陽極注入有機層。當注入的電荷向電性相反的兩個電極遷移時，它們就可能重新組合形成電子-空穴對，通常稱作激子，裝置中通常形成激子的區(qū)域可以稱作重組區(qū)。這些激子，或者激發(fā)態(tài)物種在衰變回到基態(tài)時可以以光的形式釋放能量。
OEL裝置中也可以包含其他一些層，如空穴傳輸層，電子傳輸層，空穴注入層，電子注入層，空穴阻擋層，電子阻擋層，緩沖層等。此外，OEL裝置中的電致發(fā)光層或其他層里還可以包含光致發(fā)光材料，例如用來將電致發(fā)光材料發(fā)出的色光轉化為另一種色光。上述層及其他層和材料可用來改變或調整層疊OEL裝置的電子性質和行為，例如用來獲得所需的電流/電壓響應、裝置效率、顏色、亮度等。
圖4A-4F所示為不同OEL裝置結構的例子，每種結構包含基底250、陽極252和陰極254。圖4C-4F所示結構中還包含空穴傳遞層258，圖4B和4D-4F所示結構中包含電子傳遞層260。這些層可分別傳導來自從陽極的空穴和來自陰極的電子。根據(jù)本發(fā)明，每種結構還包含一個發(fā)光層256a、256b、256c，所述發(fā)光層包含位于無定形非聚合物有機基質中的一種或多種發(fā)光聚合物或其他發(fā)光分子(例如小分子發(fā)光化合物)。發(fā)光層256a包含一種空穴傳遞材料，發(fā)光層256b包含一種電子傳遞材料，發(fā)光層256c包含空穴和電子傳遞材料。某些實施方式中，空穴傳遞材料或電子傳遞材料是形成無定形非聚合物有機基質的材料，包含發(fā)光聚合物或其他發(fā)光分子。在其他實施方式中，可使用分開的形成基底的材料。此外，發(fā)光層256a、256b、256c中的空穴傳遞材料或電子傳遞材料分別與空穴傳遞層258或電子傳遞層260中所用的材料相同，也可以不同。
陽極252和陰極254一般用導電材料形成，如金屬、合金、金屬化合物、金屬氧化物、導電材料、導電分散體和導電聚合物，例如包括金、鉑、鈀、鋁、鈣、鈦、氮化鈦、氧化銦錫(ITO)、氧化氟錫(FTO)和聚苯胺。陽極252和陰極254可以是一個導電材料層，也可以包含多個層。例如，陽極或陰極可以包含一個鋁層和一個金層，一個鈣層和一個鋁層，一個鋁層和一個氟化鋰層，或者一個金屬層和一個導電有機層。
空穴傳遞層258有利于空穴從陽極注入裝置并遷移到重組區(qū)?？昭▊鬟f層258還可作為阻止電子向陽極252移動的屏障。舉例來說，空穴傳遞層258可以包含二胺衍生物，如N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二(苯基)聯(lián)苯胺(也稱作TPD)或N，N’-二(3-萘-2-基)-N，N’-二(苯基)聯(lián)苯胺(NPB)，或者三胺衍生物，如4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)或4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(mTDATA)。其他例子包括酞菁銅(CuPC)；1，3，5-三(4-二苯基氨基苯基)苯(TDAPB)；及其他化合物，見述于H.Fujikawa等的《合成金屬》，91，161(1997)和J.V.Grazulevicius，P.Strohriegl的“電荷傳遞聚合物和分子玻璃”，《高級電子材料和裝置與光子材料和裝置》，H.S.Nalwa(ed.)，10，233-274(2001)。
電子傳遞層260有利于電子的注入和向重組區(qū)的遷移。如果需要的話，電子傳遞層260還可作為阻止空穴向陰極254移動的屏障。舉例來說，電子傳遞層260可用有機金屬化合物三(8-羥基喹啉基)鋁(Alq3)形成。其他電子傳遞材料的例子包括1，3-二[5-(4-(1，1-二甲基乙基)苯基)-1，3，4-氧雜二唑-2-基]苯，2-(二苯-4-基)-5-(4-(1，1-二甲基乙基)苯基)-1，3，4-氧雜二唑-2-基]苯(tBuPBD)和其他化合物，見述于C.H.Chen等Macromol.Symp.125，1(1997)和J.V.Grazulevicius，P.Strohriegl“電荷傳遞聚合物和分子玻璃”，《高級電子材料和裝置與光子材料和裝置》，H.S.Nalwa(ed.)，10，233-274(2001)。
有許多方法已經用來或嘗試用來制造OEL裝置。例如，通過依次氣相沉積空穴傳遞分子、發(fā)光分子和電子傳遞分子形成了SM發(fā)光裝置。雖然所述各層在沉積時是無定形的，這些各層可慢慢結晶，其電荷傳遞和發(fā)光性質也隨之減小。一般情況下，通過溶液澆注SM材料比較困難，因為它們在溶劑干燥時或隨后的裝置使用期間容易形成結晶。
另一個例子，已經通過溶液涂敷一薄層聚合物制備了基于LEP材料的發(fā)光層。此方法可適合于制造單色顯示器或燈。在用溶液澆注步驟制備裝置時，很難通過多步溶液澆注形成多層裝置。多層裝置可通過用不同的溶劑澆注不同的層來制備，第一個不溶層原位形成，而第二層用溶劑澆注，或第一層用溶液澆注而第二層通過氣相沉積而成，或者一個或兩個層都交聯(lián)形成。
已經通過溶液澆注主聚合物(例如聚乙烯基咔唑)和一種或多種小分子摻雜劑的混合物，制備了用聚合物分散的小分子裝置。通常，這些裝置要求高電壓操作，不適合顯示方面的應用。此外，它們在形成圖案方面受到的限制與LEP一樣。
形成所述裝置的另一種方法，包括通過激光熱成圖轉移一個或多個轉移層，見述于美國專利6242152、6228555、6228543、6221553、6221543、6214520、6194119、6114088、5998085、5725989、5710097、5695907和5693446，以及共同轉讓的美國專利申請09/853062、09/844695、09/844100、09/662980、09/662845、09/473114和09/451984中。此成圖工藝依賴于轉移層的物理性質。一個參數(shù)是轉移層的內聚強度或膜強度。在成像過程中，轉移層宜沿著成像區(qū)和未成像區(qū)的邊線清晰地斷開，以形成圖案的邊緣。以伸長鏈結構存在的高共軛聚合物，如聚亞苯乙烯具有類似于芳族聚酰胺的高抗張強度和彈性模量。實際應用中，要在發(fā)光聚合物的激光熱成像過程中形成清晰的邊緣比較困難。形成邊緣較差的不良后果是引起轉移圖案的邊緣粗糙、破碎或不平。
作為前述方法的替代方法或改進方法，并且為了解決上述的某些困難，可以通過溶液涂敷發(fā)光材料，如一種或多種發(fā)光聚合物(LEP)或其他發(fā)光分子，作為涂層組合物的一部分，該組合物還包括能形成無定形非聚合物有機基質的材料，該基質能抵抗結晶化過程。與典型的聚合物轉移層相比，基質的無定形性質結合基質的非聚合物性質，在如下所述從施主介質轉移到受主的過程中，為基質提供了低內聚強度。形成基質的材料所具有的無定形性質還使它能與一種以上的電活性材料相容(例如兩種本不相容的LEP或LEP與磷光發(fā)射材料)。LEP將在下面的描述中作為例子，但應當理解，其他發(fā)光分子、半導體分子、孔穴傳輸分子、電子傳輸分子或電活性分子均可用來代替一種或多種LEP，或者在LEP的基礎上添加之。此外，激光熱轉移將作為形成發(fā)光層和其他層的方法的例子，但應當理解，其他轉移、成圖和印刷技術均可使用，如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、熱頭印刷和光刻成圖法。
任何非聚合物有機材料均可使用，只要它能通過溶液涂敷形成無定形基質，并且在預定操作和儲存條件下裝置的期望使用期限內，基本上能抵抗結晶過程。合適材料的例子見述于J.V.Grazulevicius，P.Strohriegl“電荷傳遞聚合物和分子玻璃”，《高級電子材料和裝置與光子材料和裝置》，H.S.Nalwa(ed.)，10，233-274(2001)；Shirota，《材料化學學報》，10，1(2001)；Kreger等，《合成金屬》，119，163(2001)；PCT專利申請WO 99/21935和WO 00/03565；Robinson等《高等材料》，2000，12(22)，1701中。這種非聚合物有機材料不宜太傾向于形成或不形成在預定操作和儲存條件下穩(wěn)定的結晶相。此外，所述非聚合物有機材料和發(fā)光材料較好與普通溶劑相容，或者溶解于該溶劑中，而且在溶液涂敷過程中基本上不發(fā)生相分離，更不能在除去溶劑后發(fā)生相分離。
通常，在形成無定形基質時，降低無定形基質/LEP混合物的內聚力的極限點是LEP變成不連續(xù)相(如果有兩個看得見的相)或者LEP鏈為無定形基質所溶解(如果只有一相)。一般地說，發(fā)光聚合物或其他發(fā)光分子的總量不超過涂敷組合物固體總量的50wt％，可以占固體的40wt％、25wt％或更少。一般情況下，非聚合物有機材料與發(fā)光材料(例如一種或多種發(fā)光聚合物)的重量比至少為1∶1，通常在1∶1-100∶1范圍內。適用于熱轉移的通常比例為至少1∶1，更典型的情況是至少2∶1或3∶1或更大。
在某些實施方式中，非聚合物有機材料也是空穴或電子傳遞材料。在某些上述實施方式中，空穴或電子傳遞層用非聚合物有機材料形成，并且用含有相同的非聚合物有機材料的發(fā)光層涂敷，或者涂敷到后者之上，作為發(fā)光材料的無定形基質。
在某些實施方式中，通過沉積數(shù)層濃度不同的發(fā)光材料，可以形成濃度梯度的發(fā)光材料，由此可獲得所需結構。下面描述的熱轉移方法可用來依次轉移每層，從而形成上述結構。此外，可用不同發(fā)光材料形成各層，以獲得不同的顏色，或者形成例如堆疊的紅、綠和藍的像素，而有中間電極位于各像素之間。
如果非聚合物有機材料不是空穴或電子傳遞材料，則較好含有一種空穴或電子傳遞材料，作為涂層組合物的一部分。所述涂層組合物中可以包含其他材料，例如小分子摻雜劑(例如三重發(fā)光分子)；其他非聚合物有機材料；涂敷助劑，表面活性劑；用來例如降低內聚力的顆粒材料；分散劑；穩(wěn)定劑；光敏劑。
在某些實施方式中，用來形成無定形基質的非聚合物有機材料也是發(fā)光分子。在這些實施方式中，對材料和操作條件的選擇較好有利于發(fā)光聚合物的發(fā)射，而不是形成無定形基質的非聚合物有機材料的發(fā)射。例如，非聚合物有機材料能在藍色光譜區(qū)發(fā)光，在此情況下，選擇的發(fā)光聚合物可以是在紅色或綠色光譜區(qū)發(fā)光的材料。材料的選擇取決于例如分子的能量轉移機理和材料的帶隙。
能溶液涂敷形成無定形基質的非聚合物有機材料的合適例子，包括具有四面體核心的分子，該分子帶電活性側基。這種分子的例子有四苯基甲烷1，四苯基硅烷2和四苯基金剛烷3，以及四苯基鍺烷，四苯基鉛烷和四苯基錫烷(即分別用Ge、Pb或Sn替換2中的Si)
每個R分別獨立為含有一個或多個共軛官能團(例如芳基、亞芳基、雜芳基、雜亞芳基、烯基、亞烯基)，它們的作用是穩(wěn)定空穴(例如陽離子基團)、電子(例如陰離子基團)，或作為發(fā)色團。每個R取代基可以與其他R取代基相同或不同。當所有R取代基相同時，該分子通常具有一定的對稱性。當至少有一個R取代基不同時，該分子則不具有對稱性，這可進一步促進無定形基質的形成和保持。在某些情況下，R是稠合到它所連接的苯基上的芳環(huán)，形成例如取代或未取代萘基或其他稠環(huán)結構。這種材料的例子和進一步描述可見例如PCT專利申請WO 00/03565和Robinson等人Adv.Mat.，2000，12(22)，1701。
在某些實施方式中，取代基R包含一個或多個共軛結構，該結構含有例如一個或多個烯基、亞烯基、芳基、亞芳基(例如亞苯基、亞萘基，或亞蒽基)、雜芳基或雜亞芳基官能團。這些取代基可以具有延伸的 共軛體系，它可包含諸如氮和氧的雜原子。這些共軛體系可以包含富電子物質(例如三芳胺)用以穩(wěn)定陽離子基(例如空穴)；貧電子物質用以穩(wěn)定陰離子基(例如電子)；或者能量范圍在紫外線至可見光區(qū)的HOMO-LUMO(最高已占分子軌道和最低未占分子軌道)能隙用作發(fā)色團。合適的R取代基的例子包括，但不限于以下所列
具有四面體核心的合適材料的具體例子包括化合物4-6
X是C、Si、Ge、Pb或Sn，R2是H或烷基?；衔?和6包含發(fā)色基團芴。這些特定的芴通常在藍光至紫外光范圍具有帶隙。這些材料可與在紅光或綠光區(qū)發(fā)射的LEP一起使用，使得光發(fā)射主要或完全來自LEP。
此類化合物還包括螺環(huán)化合物，如化合物7-9
其中每個R各自獨立地為共軛結構，該結構含有一個或多個烯基、亞烯基、芳基、亞芳基(例如亞苯基、亞萘基，或亞蒽基)、雜芳基或雜亞芳基官能團。這些取代基可以具有延伸的共軛體系，它可包含諸如氮和氧的雜原子。這些共軛體系可以包含富電子物質(例如三芳胺)用以穩(wěn)定陽離子基(例如空穴)；貧電子物質用以穩(wěn)定陰離子基(例如電子)，或者能量范圍在紫外線至可見光區(qū)的HOMO-LUMO(最高已占分子軌道和最低未占分子軌道)能隙用作發(fā)色團。
其他可用來形成無定形非聚合物有機基質的材料包括樹枝形化合物。樹枝形化合物有一個帶三個或更多樹枝形取代基的核心基團，所述取代基從核心基團延伸出來。合適核心基團的例子包括三苯胺、苯、吡啶、嘧啶和PCT專利申請WO 99/21935中所描述的其他基團。樹形取代基一般包含2個或更多的芳基、亞芳基(例如亞苯基)、雜芳基、雜亞芳、烯基或亞烯基。某些實施方式中，取代基可以是共軛結構，所述結構具有一個或多個烯基、亞烯基、芳基、亞芳基(例如亞苯基、亞萘基，或亞蒽基)、雜芳基或雜亞芳基基團。樹形取代基可以相同，也可以不同。樹形化合物的例子包括基于三苯胺的星暴式化合物，如化合物10-16

每個R1和R2各自獨立地為H、F、Cl、Br、I、-SH、-OH、烷基、芳基、雜芳基、氟代烷基、氟代烷基烷氧基、烯基、烷氧基、氨基或烷基-COOH。每個R3各自獨立地為H、F、Cl、Br、I、烷基、氟代烷基、烷氧基、芳基、氨基、氰基或硝基。每個X1各自獨立地為O、S、Se、NR3、BR3或PR3。這些取代基中的烷基、芳基和雜芳基部分可以被取代，也可以不被取代。每個R1、R2、R3和X1可以與作類似標記的取代基(即所有的R1取代基都彼此相同，或者一個或多個R1取代基相互不同)相同，也可以不同。
其他樹型化合物可以含有作為核心的芳基或雜芳基，如化合物17-26
每個Ar1和Ar2各自獨立地為取代或未取代芳基或雜芳基，例如包括取代或未取代的芳基、吡啶、吡咯、呋喃、噻吩或下述結構之一
每個R1和R2各自獨立地為H、F、Cl、Br、I、-SH、-OH、烷基、芳基、雜芳基、氟代烷基、氟代烷基烷氧基、烯基、烷氧基、氨基或烷基-COOH。每個R3各自獨立地為H、F、Cl、Br、I、烷基、氟代烷基、烷氧基、芳基、氨基、氰基或硝基。每個X1和X2各自獨立地為O、S、Se、NR3、BR3或PR3。這些取代基中的烷基、芳基和雜芳基部分可以被取代，也可以不被取代。每個R1、R2、R3、X1和X2可以與作類似標記的取代基(即所有的R1取代基都彼此相同，或者一個或多個R1取代基相互不同)相同，也可以不同。
其他無定形材料包括例如化合物27-32 每個Ar1和Ar2各自獨立地為取代或未取代芳基或雜芳基，n是1-16之間的整數(shù)，每個R1各自獨立地為H、F、Cl、Br、I、-SH、-OH、烷基、芳基、雜芳基、氟代烷基、氟代烷基烷氧基、烯基、烷氧基、氨基或烷基-COOH。每個R3各自獨立地為H、F、Cl、Br、I、烷基、氟代烷基、烷氧基、芳基、氨基、氰基或硝基。每個X、X1和X2各自獨立地為O、S、Se、NR3、BR3或PR3。這些取代基中的烷基、芳基和雜芳基部分可以被取代，也可以不被取代。每個R1、R2、R3、X、X1和X2可以與作類似標記的取代基(即所有的R1取代基都彼此相同，或者一個或多個R1取代基相互不同)相同，也可以不同。
除非另有說明，術語“烷基”包括直鏈、支鏈和環(huán)烷基，既包括取代烷基，也包括非取代烷基。除非另有說明，烷基一般為C1-C20。這里所用“烷基”的例子包括(但不限于)甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、異丁基和異丙基等。
除非另有說明，術語“亞烷基”包括直鏈、支鏈和環(huán)二價烴基，既包括取代亞烷基，也包括非取代亞烷基。除非另有說明，亞烷基一般為C1-C20。這里所用“亞烷基”的例子包括(但不限于)亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞異丙基等。
除非另有說明，術語“烯基”包括含有一個或多個雙鍵的直鏈、支鏈和環(huán)一價烴基，既包括取代烯基，也包括非取代烯基。除非另有說明，烯基一般為C2-C20。這里所用“烯基”的例子包括(但不限于)乙烯基、丙烯基等。
除非另有說明，術語“亞烯基”包括含有一個或多個雙鍵的直鏈、支鏈和環(huán)二價烴基，既包括取代亞烯基，也包括非取代亞烯基。除非另有說明，亞烯基一般為C2-C20。這里所用“亞烯基”的例子包括(但不限于)1，2-乙烯二基、1，3-丙烯二基等。
除非另有說明，術語“芳基”指單價不飽和芳香碳環(huán)基，包含1-15個環(huán)，如苯基或二苯基，或者多個稠環(huán)，如萘基或蒽基，或它們的組合。這里所用芳基的例子包括(但不限于)苯基、2-萘基、1-萘基、二苯基、2-羥基苯基、2-氨基苯基、2-甲氧基苯基等。
除非另有說明，術語“亞芳基”指雙鍵不飽和芳香碳環(huán)基，包含1-15個環(huán)，如亞苯基或多個稠環(huán)，如亞萘基或亞蒽基，或它們的組合。這里所用“亞芳基”的例子包括(但不限于)1，2-亞苯基、1，3-亞苯基、1，4-亞苯基、1，8-亞萘基、1，4-亞蒽基等。
除非另有說明，術語“雜芳基”指含有一個或多個雜原子和5-7元單價芳環(huán)的官能團，所述雜原子選自S、O或N。這樣的雜芳環(huán)也可以稠合到一個或多個別的雜環(huán)、雜芳環(huán)、芳環(huán)、烯環(huán)或烷環(huán)上。這里所用“雜芳基”的例子包括(但不限于)呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噻唑基、噁唑基、異噁唑基、二噁唑基、噻重氮基、異噻唑基、吡啶基、噠嗪基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、吲唑基等。
除非另有說明，術語“亞雜芳基”指含有一個或多個雜原子和5-7元單價芳環(huán)的官能團，所述雜原子選自S、O或N。這樣的亞雜芳環(huán)可以稠合到一個或多個別的雜環(huán)、雜芳環(huán)、芳環(huán)、烯環(huán)或烷環(huán)上。這里所用“亞雜芳基”的例子包括(但不限于)2，5-呋喃二基、2，4-噻吩二基、1，3，4-二噁唑-2，5-二基、1，3，4-二噻唑-2，5-二基、1，3-噻唑-2，4-二基、1，3-噻唑-2，5-二基、吡啶-2，4-二基、吡啶-2，3-二基、吡啶-2，5-二基、嘧啶-2，4-二基、喹啉-2，3-二基等。
取代烷基、亞烷基、烯基、亞烯基、芳基、亞芳基、雜芳基和雜亞芳基上的合適取代基包括(但不限于)烷基、亞烷基、烷氧基、芳基、亞芳基、雜芳基、雜亞芳基、烯基、亞烯基、氨基、F、Cl、Br、I、-OH、-SH、氰基、硝基、-COOH和-COO-烷基。
應當理解，除發(fā)光材料之外的電活性材料可置于無定形非聚合物有機基質中。例如，導體或半導體材料可置于無定形非聚合物有機基質中。應用例子包括通過將空穴傳遞材料或電子傳遞材料置于無定形非聚合物有機基質中，形成空穴傳遞層或電子傳遞層或其他電荷傳導層。所述基體可用例如上述任何材料制備。此結構特別適用于導體或半導體聚合物材料，形成內聚強度低于聚合物本身的層。
可以使用包括LEP和SM發(fā)光材料在內的各種發(fā)光材料。合適的LEP類材料的例子包括聚(亞苯基亞乙烯基)(PPV)、聚對亞苯基(PPP)、聚芴(PF)，其他已知和后來開發(fā)的LEP材料，以及它們的共聚物或混合物。合適的LEP也可以分子摻入，在其中分散熒光染料或其他PL材料，與活性或非活性材料混合，在其中摻入活性或非活性材料等。合適的LEP材料的例子見述于Kraft等Angew.Chem.Int.Ed.，37，402-428(1998)；美國專利5621131；5708130；5728801；5840217；5869350；5900327；5929194；6132641和6169163；PCT專利申請99/40655。
SM材料通常為可用于OEL顯示器和裝置的非聚合有機或有機金屬分子材料，作為發(fā)光材料、電荷傳遞材料，作為發(fā)光層(例如用來控制發(fā)光顏色)或電荷傳遞層等中的摻雜劑。常用的SM材料包括金屬螯合物，如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)和N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基對二氨基聯(lián)苯(TPD)。其他的SM材料見述于C.H.Chen等人，Macromol.Symp.，125，1(1997)，日本公開專利申請2000-195673，美國專利6030715，6150043和6242115，PCT專利申請WO 00/18851(二價鑭系金屬配合物)，WO 00/70655(環(huán)金屬化銥化合物等)，WO 98/55561。
再回過來看圖1，裝置層110位于基底120中。基底120可以是任何適用于OEL裝置和顯示用途的基底。例如，基底120可以是玻璃、透明塑料或其他能透過可見光的合適材料。基底120也可以是不透可見光的，例如不銹鋼、結晶硅、聚硅等。因為OEL裝置中的某些材料特別容易受到氧或水分的損害，所以基底120較好具有充分的環(huán)境屏障，或者其上面形成一個或多個層、涂層或層壓物，以便提供充分的環(huán)境屏障。
基底120也可包含任何數(shù)量的適用于OEL裝置和顯示器的裝置或組件，如晶體管陣列或其他電子裝置；濾色鏡、偏振片、波長片、漫射片和其他光學裝置；絕緣體、隔柵、黑色陣列、掩模和其他組件等。通常在形成裝置層110的OEL裝置上的其他層之前，先將一個或多個電極涂敷、沉積、成圖，或者以其他方式安裝在基底120上。當用透光基底120并且OEL裝置是底部發(fā)射時，位于基底120和發(fā)光材料之間的電極宜基本上透光，例如是透明導體電極，如氧化銥錫(ITO)或任何數(shù)量的其他透明導電氧化物。
元件130可以是任何適合與OEL顯示器或裝置100一起使用的元件或元件組合。例如，當裝置100是背后照明器時，元件130可以是LCD組件。在LCD組件和背射光裝置100之間可形成一個或多個偏振片或其他元件，例如吸光或反光清除偏振片。或者，當裝置100自身是信息顯示器時，元件130可包含一個或多個偏振片、波長片、觸摸板、反光涂層、防污涂層、投影屏、增亮膜或其他光學組件、涂層、用戶界面裝置等。
含有發(fā)光材料的有機電子裝置至少可部分地通過將發(fā)光材料從熱轉移施主薄板有選擇地熱轉移到目標受主基底上來制備。例如，將LEP和能形成無定形基質的非聚合物有機材料施涂在施主薄板上，然后有選擇地將LEP層單獨或與其他裝置層或材料一起轉移到顯示基底上，可以制備發(fā)光聚合物顯示器和燈。
含有發(fā)光材料的有機電子裝置層的選擇性熱轉移，可利用熱轉移施主進行。圖2所示為適用于本發(fā)明的熱轉移施主200的例子。施主元件200包含基底210、可用的襯層212、可用的光熱轉換層(LTCH層)214、可用的中間層216和轉移層218，轉移層是取向的或可取向的發(fā)光材料或功能排列層。每個這些元件將在隨后的討論中更詳細地描述。還可以有其他層。合適的施主或施主層的例子見述于美國專利6242152、6228555、6228543、6221553、6221543、6214520、6194119、6114088、5998085、5725989、5710097、5695907和5693446，以及共同轉讓的美國專利申請09/853062、09/844695、09/844100、09/662980、09/662845、09/473114和09/451984。
在本發(fā)明工藝中，包括LEP或其他材料在內的發(fā)光有機材料可以有選擇地從施主薄板上的轉移層轉移到受主基底上，方法是使施主元件的轉移層靠近受主，并有選擇地加熱施主元件。舉例來說，施主元件可用成像輻射對其照射，有選擇地加熱，該輻射能被位于施主，常常位于獨立的LTHC層中的光熱轉換材料吸收轉化成熱。在這些情況下，施主可透過施主基底，透過受主，或同時透過二者而受到成像輻射的照射。所述輻射包括一種或多種波長，包括可見光、紅外輻射或紫外輻射，例如來自激光、燈光或其他類似輻射源。其他選擇性加熱方法也可以使用，如利用熱印頭或用熱火印(例如，印花熱火印，如帶浮雕圖案的熱硅樹脂印，可用來有選擇地加熱施主)。利用這種方式，可有選擇地將熱轉移層上的材料轉移到受主上，從而在受主上形成轉移材料上的圖案。在許多情況下，熱轉移方法使用例如燈光或激光使施主按圖案曝光，這是很有利的，因為可得到所需的準確度和精度?？梢酝ㄟ^光束大小、光束照射方式、定向光束與施主薄板的接觸時間或施主薄板材料的選擇來控制。轉移方式也可以受到控制，方法是通過掩模輻照施主元件。
如前面所提到的，熱印頭或其他加熱元件(圖案形式或其他形式)也可以直接用來有選擇地加熱施主元件，從而將轉移層的各部分按圖案形式轉移。在這些情況下，施主薄板中的光熱轉換材料是可用或不必用的。熱轉印頭或其他加熱元件特別適合于在材料上形成低分辨率圖案或不需要精確控制位置的成圖元件。
轉移層也可在對轉移層非選擇性轉移的情況下從施主薄板上轉移。例如，轉移層可在施主基底上形成，該基底實質上是作為臨時襯底，所述襯底在通過加熱或加壓貼到受主基底上后可以剝離。這種稱作層壓轉移的方法可用來將整個轉移層或大部分轉移層轉移到受主上。
熱質轉移方式可隨著所用選擇性加熱方法的類型、可用的LTHC層的材料類型和性質、轉移層中的材料、施主的整體結構、受主基底的類型等而變化。雖然不想受到任何理論解釋的限制，但可以認為，轉移一般以一種或多種機理發(fā)生，根據(jù)成像條件、施主結構等的不同，其中一種或幾種熱轉移機理在選擇性轉移過程中是主要的，其他是次要的。一種熱轉移機理包括熱熔粘轉移，通過這種機理，在熱轉移層和施主元件剩余部分之間的界面上進行局部加熱可降低熱轉移層與施主上選定位置之間的粘性。熱轉移層上的選定部分粘合到受主上的強度比原來粘合在施主上的強度高，所以在去除施主元件后，轉移層的選定部分就保留在受主上。熱轉移的另一個機理是燒蝕轉移，通過這種機理，局部加熱可用來將轉移層的某些部分從施主元件上燒蝕掉，而燒蝕下來的材料轉移到受主上。還有一個熱轉移機理是升華，通過這種機理，分散在熱轉移層中的材料可通過施主元件中產生的熱量發(fā)生升華。部分升華的材料可在受主上凝華。本發(fā)明設想了包含一種或多種機理及其他機理的轉移模式，可用來選擇性加熱施主薄片來將材料從轉移層轉移到受主表面上。
各種輻射源都可用來加熱施主薄片。對于模擬技術(例如，通過掩模照射)，高功率光源(例如氙閃光燈和激光器)非常有用。對于數(shù)字成像技術，紅外、可見和紫外激光尤其有用。合適的激光器包括例如高功率(≥100mW)單模激光二極管、光纖偶合二極管和二極管驅動固態(tài)激光器(例如Nd:YAG和Nd:YLF)。激光照射持續(xù)時間可以變化很大，例如數(shù)百分之一微秒至數(shù)十微秒或更長，激光能流可以在例如約0.01-5J/cm2或更大的范圍內。其他輻射源和輻照條件可根據(jù)施主元件結構、轉移層材料、熱質轉移模式及其他因素進行調節(jié)。
當大面積基底上的定位精度要求較高時(例如，當對高信息量顯示器和其他類似應用中的元件進行成圖時)，激光器是特別有用的輻射源。此外，激光源既能用于面積較大的剛性基底(例如1m×1m×1.1mm玻璃)，也能用于連續(xù)或片狀膜基底(例如100μm厚聚亞酰胺片)。
在成像時，施主薄板可與受主緊密接觸(對于熱熔粘轉移機理尤其如此)，也可與受主隔開一定距離(例如在燒蝕轉移機理或材料升華轉移機理時)。至少在某些情況下，可通過加壓或使用真空使施主薄板與受主緊密接觸。在某些情況下，可在施主薄板和受主之間加一個掩模。轉移之后，這種掩模可以除去，也可以留在受主上。如果施主中存在光熱轉換材料，則可用輻射源以成像方式(例如數(shù)字成像或通過掩模照射進行模擬曝光)加熱LTHC層(或其他含有輻射吸收劑的層)，在施主薄板和受主之間對轉移層進行成像轉移或成圖。
通常，只有轉移層上的選定部分轉移到受主上，而施主薄板上的其他層如可用的中間層或LTHC層，則沒有明顯的部分發(fā)生轉移?？捎玫闹虚g層的存在可消除或減少材料從LTHC層轉移到受主上，或減少轉移層的轉移部分發(fā)生變形。在成像條件下，可用的中間層與LTHC層之間的粘合較好強于中間層與轉移層之間的粘合。中間層可以透過、反射或吸收成像輻射，可用來減少或以其他方式控制穿過施主的成像輻射量，或者控制施主的溫度，例如在成像過程中減少對轉移層的熱損傷或輻射損傷?？梢源嬖诙鄠€中間層。
可以使用大的施主薄板，包括長寬尺寸不小于1米的施主薄板。在操作中，可以讓激光通過光柵或者在大施主薄板上移動，可選擇性地控制激光器，使施主薄板的某些部分根據(jù)所需圖案受到輻照?；蛘?，也可以激光器不動，讓施主薄板或受主基底在激光器下移動。
某些情況下，需要或者希望依次用兩個或多個不同施主薄板在受主上形成電子裝置，有時這樣做較為方便。例如，將不同施主薄板的轉移層或轉移層的堆疊進行轉移，可以形成多層裝置。多層堆疊也可以作為獨立轉移單位從單個施主元件上轉移。例如，空穴傳遞層和LEP層可從單個施主上共同轉移。
另一個例子，是將半導體聚合物和發(fā)射材料層從單個施主上工共同轉移。多個施主薄板也可用來在受主的同一層中轉移幾個組分。例如，三個不同的施主各有一個包含能發(fā)射不同顏色(例如紅，綠，藍)的LEP的轉移層，可用來形成金色發(fā)偏振光的電子顯示器用的RGB次像素器件。
另一個例子是，從一個施主上通過熱轉移得到導體或半導體聚合物的圖案，然后從一個或多個其他施主上選擇性熱轉移發(fā)射層，從而形成顯示器中的多個OEL裝置。作為又一個例子，通過選擇性熱轉移電活性有機材料(取向或未取向)，然后對一個或多個像素或次像素元件，如濾色鏡、發(fā)光層、電荷傳遞層、電極層等進行選擇性熱成圖，可以對用于有機晶體管的層形成圖案。
各個施主薄板上的材料可轉移接近受主上的其他材料，形成鄰近裝置、鄰近裝置某些部分或相同裝置的不同部分?；蛘撸鱾€施主薄板上的材料可直接轉移到其他層或材料的頂部，或與之部分重疊，所述其他層或材料事先通過熱轉移或其他方法(例如光刻法、陰影掩模沉積法等)在受主上形成了圖案?？梢詫蓚€或多個施主薄板進行其他多種組合，用來形成一種裝置，其中每個施主薄板形成裝置的一個或多個部分。不難理解，這些裝置的其他部分或受主上的其他裝置可以通過任何合適的方法整體或局部形成，所述方法包括光刻法、噴墨法，以及其他各種印刷或掩模法，不管是傳統(tǒng)的還是新近發(fā)展起來的。
再回過來看圖2，下面將介紹施主薄板200的各層。
施主基底210可以是聚合物膜。一類合適的聚合物膜是聚酯膜，例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二酯(PEN)膜。不過，也可以根據(jù)特定用途，使用其他具有足夠光學性質的膜，包括在特定波長上具有高透光性，或具有充分的熱機械和熱穩(wěn)定性。至少在某些情況下，施主基底是平的，以便在它上面形成均勻涂層。通常還可以選擇的施主基底是即便在加熱一個或多個施主層的情況下依然保持穩(wěn)定的材料。不過，如下面所述，可以在基底和LTHC層之間加一個襯層，使基底隔絕LTHC層在成像過程中產生的熱量。施主基底的典型厚度為0.025-0.15mm，宜為0.05-0.1mm，盡管也可以使用更厚或更薄的基底。
選擇用來形成施主基底和可用的相鄰襯層的材料時，要能夠提高施主基底和襯層之間的粘合力，以控制基底和襯層之間的熱傳遞，并控制向LTHC層的成像輻射傳遞，從而減少成像缺陷等。在將以后各層涂敷到基底上之前，可以用底涂料層增加均勻性，同時增加施主基底和相鄰各層之間的粘合力。
可用的襯層212可涂敷或以其它方式安置在施主基底和LTHC層之間，例如，用來在成像過程中控制基底和LTHC層之間的熱流動，或者為施主元件提供在存儲、搬運、施主加工或成像過程中的穩(wěn)定性。合適的襯層和形成襯層的方法的例子見述于共同轉讓的美國專利申請09/743114中。
襯層可包含能夠賦予施主元件以所需機械或熱穩(wěn)定性的材料。例如，襯層包含的材料具有比施主基底低的比熱×密度或導熱性。這樣的襯層可用來增加流動到轉移層的熱量，例如，用來提高施主的成像敏感性。
襯層也可以包含具有較好的機械性質或能使基底和LTHC較好粘合的材料。使用能提高基底與LTHC層之間粘合力的襯層可以減少轉印圖象的變形。例如，在某些情況下，可以用襯層來減少或消除LEHC層的脫層或分離，否則，就有可能在施主介質的成像過程中發(fā)生脫層或分離。這可以在一定程度上減少轉移層上的轉移部分發(fā)生物理變形。但在其他情況下，也許需要采用至少能在部分程度上加劇層與層之間在成像過程中分離的襯層，例如，用以在成像過程中在層與層之間產生氣隙，以提供熱絕緣性。在成像過程中分層還能提供釋放氣體的通道，所述氣體產生于在成像過程中對LTHC層的加熱。提供這樣的通道可減少成像缺陷。
襯層在成像波長范圍內可以基本上是透明的，也可以至少能部分吸收或反射成像輻射。襯層對成像輻射的弱化或反射可用來控制成像過程中熱的產生。
再看圖2，在本發(fā)明施主薄板中可以包含LTHC層214，用來將輻射能量耦合到施主薄板中。LTHC層較好包含輻射吸收劑，用以吸收射入的輻射(例如激光)并將至少一部分射入的輻射轉化成熱，以便將轉移層從施主薄板轉移到受主上。
LTHC層中的輻射吸收劑通常能吸收電磁波譜中的紅外光、可見光或紫外光，并將吸收的輻射轉化為熱。輻射吸收劑一般能很好地吸收選定的成像輻射，在成像輻射波長范圍內為LTHC層提供約0.2-3或更高的光學密度。一個層的光學密度定義為穿過層的光強與入射到層上的光強之比的對數(shù)(底為10)的絕對值。
輻射吸收材料可均勻地放置在整個LTHC層中，也可以不均勻分布。例如，非均勻LTHC層可以用來控制施主元件中的溫度分布，如共同轉讓的美國專利09/474002所述。這樣可以得到轉移性質有所得高的施主薄板(例如，提高了目標轉移圖案和實際轉移圖案之間的保真度)。
舉例來說，合適的輻射吸收材料包括染料(例如，可見光染料、紫外光染料、紅外光染料、熒光染料和輻射-極化染料)、顏料、金屬、金屬化合物、金屬膜和其他合適的吸收材料。合適的輻射吸收劑的例子有碳黑、金屬氧化物和金屬硫化物。合適的LTHC層一個例子包含顏料(如碳黑)和粘合劑(如有機聚合物)。另一個合適的LTHC層包含作為薄膜形成的金屬或金屬/金屬氧化物，例如黑鋁(即因部分氧化而呈黑色的鋁)。金屬膜和金屬化合物膜可通過各種技術形成，如濺射沉積和蒸發(fā)沉積。利用粘合劑，用任何合適的干涂或濕涂技術可以形成微粒涂層。LTHC層也可以通過結合兩個或多個含有類似或不同材料的LTHC層來形成。例如，LTHC層可通過在粘合劑中含有碳黑的涂層上氣相沉積一薄層黑鋁來形成。
適合在LTHC層中用作輻射吸收劑的染料可以微粒形式存在，溶解于粘合劑材料中，或者至少部分分散在粘合劑材料中。使用分散的微粒輻射吸收劑時，微粒尺寸至少在某些情況下約為10μm或更小，也可以約為1μm或更小。合適的染料包括那些吸收IR區(qū)輻射的染料。具體的染料可根據(jù)多種因素綜合選擇，如它們在具體的粘合劑或涂敷溶劑中的溶解性，與它們的相容性，以及吸收波長范圍。
LTHC層中也可以使用顏料作為輻射吸收劑。合適的顏料的例子，包括炭黑和石墨以及酞菁顏料、二硫雜環(huán)戊二烯鎳和美國專利5166024和5351617中所述的其他顏料。此外，也可以使用基于銅或鉻的黑色含氮顏料，例如配合物吡唑啉酮黃、聯(lián)茴香胺紅，或者鎳偶氮黃。也可以使用無機顏料，例如金屬如鋁、鉍、錫、銦、鋅、鈦、鉻、鉬、鎢、鈷、銥、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、鋯、鐵、鉛和锝的氧化物和硫化物。還可以使用金屬硼化物、碳化物、氮化物、碳氮化物、黃銅結構氧化物以及結構與黃銅族(例如WO2.9)相關的氧化物。
金屬輻射吸收劑可以微粒形式(例如見述于美國專利4252671)或膜的形式(見述于美國5256506)使用。合適的金屬包括例如鋁、鉍、錫、銦、锝和鋅。
用于LTHC層的合適的粘合劑包括成膜聚合物，如酚醛樹脂(例如清漆酚醛清漆樹脂和甲階酚醛樹脂)、聚乙烯縮丁醛樹脂、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇縮乙醛、聚偏二氯乙烯、聚丙烯酸酯、纖維素醚和酯、硝基纖維素和聚碳酸酯。合適的粘合劑可以包含已經或可以聚合或交聯(lián)的單體、低聚物或聚合物。還可以加入添加劑，如光引發(fā)劑，以幫助LTHC粘合劑的交聯(lián)。在某些實施方式中，粘合劑主要用單體或低聚物與可用的聚合物交聯(lián)形成的涂層形成。
加入熱塑性樹脂(例如聚合物)可提高(至少在某些情況下)LTHC層的性能(例如轉移性質或可涂敷性)。據(jù)認為，熱塑性樹脂可改善LTHC層與施主基底的粘合性。在一種實施方式中，粘合劑包含25-50wt％(不算溶劑，以重量百分數(shù)計)熱塑性樹脂，宜包含30-45wt％熱塑性樹脂，雖然也可以使用較少量的熱塑性樹脂(例如1-15wt％)。選擇的熱塑性樹脂通常要與粘合劑中的其他材料相容(即形成單相組合物)。至少在某些實施方式中，選擇溶解參數(shù)在9-13(cal/cm3)1/2范圍之內，宜在9.5-12(cal/cm3)1/2范圍之內的熱塑性樹脂作為粘合劑。合適的熱塑性樹脂的例子包括聚丙烯酸酯、苯乙烯-丙烯酸聚合物和樹脂，及聚乙烯縮丁醛。
可加入常規(guī)涂敷助劑，如表面活性劑和分散劑，以利于涂敷過程。可用本領域已知的各種涂敷方法將LTHC層涂敷到施主基底上。至少在某些情況下，聚合物或有機LTHC層的厚度可以為0.05-20μm，宜為0.5-10μm，更宜為1-7μm。至少在某些情況下，無機LTHC層的厚度可以為0.0005-10μm，宜為0.001-1μm。
再看圖2，可用的中間層216可置于LTHC層214和轉移層218之間。中間層可用來例如最大程度地減少轉移層上轉移部分的損傷和沾污，同時減少轉移層上轉移部分的變形。中間層還可影響轉移層與施主薄板剩余部分的粘合。一般地，中間層具有高熱阻性。中間層在成像條件下不宜變形，也不發(fā)生化學分解，特別是不能達到使轉移圖像失去功能的程度。中間層在轉移過程中通常保持與LTHC層接觸，并且基本上不與轉移層一起轉移。
合適的中間層包括例如聚合物膜、金屬層(例如氣相沉積金屬層)、無機層(例如無機氧化物(例如氧化硅、氧化鈦和其他金屬氧化物)的溶膠沉積層和蒸氣沉積層)和有機/無機復合層。適合用作中間層材料的有機材料包括熱固性材料和熱塑性材料。合適的熱固性材料包括可通過熱、輻射或化學處理交聯(lián)的樹脂，包括(但不限于)交聯(lián)或非交聯(lián)的聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、環(huán)氧化物和聚氨酯。熱固性材料可施涂到LTHC層上作為例如熱塑性前體，然后交聯(lián)形成交聯(lián)中間層。
合適的熱塑性材料包括例如聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚砜、聚酯和聚亞酰胺。這些熱塑性有機材料可通過常規(guī)施涂技術(例如溶劑施涂、噴涂或擠出涂敷)施涂。一般地，適用于中間層的熱塑性材料的玻璃轉變溫度(Tg)為25℃或更高，宜為50℃或更高。某些實施方式中，中間層所用的熱塑性材料的Tg高于轉移層在成像過程中達到的溫度。中間層可以對成像輻射透射、吸收、反射，或者兼具這些作用。
適合用作中間層材料的無機材料，包括例如金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和無機碳涂層，包括那些在成像光波長范圍內具有高度透光性或反光性的材料。這些材料可通過常規(guī)技術(例如真空濺射、真空蒸發(fā)或等離子流沉積)施涂到光熱轉化層上。
中間層可提供許多好處。中間層可以是一道屏障，防止材料從光熱轉化層轉移。它還可以調節(jié)轉移層中的溫度，使得熱不穩(wěn)定材料能夠被轉移。例如，中間層可以作為散熱層，用以依據(jù)LTHC層中的溫度，控制中間層和轉移層之間界面的溫度。這可以提高轉移層的質量(即表面粗糙度、邊緣粗糙度等)。中間層的存在也可以提高轉移材料中的塑料記憶性。
中間層可包含添加劑，包括例如光引發(fā)劑、表面活性劑、顏料、增塑劑和涂敷助劑。中間層厚度取決于這樣一些因素，例如中間層所用材料、LTHC層所用材料及其性質、轉移層所用材料及其性質、成像輻射的波長和施主受到成像輻射的時間。若是聚合物中間層，其厚度通常為0.05-10μm。若是無機中間層(例如金屬或金屬化合物中間層)，其厚度通常為0.005-10μm。
再看圖2，施主薄板200中包含熱轉移層218。轉移層218可包含任何合適的材料位于一個或多個層中，單獨使用或與其他材料一起使用。當施主元件直接受到加熱或成像輻射照射后，轉移層218可通過任何合適的轉移機理有選擇地整體或部分轉移，此時成像輻射可被光熱轉化層材料所吸收轉化為熱。
本發(fā)明所用的一個轉移層，它包含發(fā)光材料、電荷傳遞材料、電荷阻擋材料或半導體材料，位于非聚合物有機材料形成的無定形基質中，成為轉移層的一部分。本發(fā)明還使用一個包含LEP或其他發(fā)光分子作為發(fā)光材料的轉移層。形成該轉移層的一種方法，是通過溶液將發(fā)光材料和非聚合物有機材料涂敷到施主上，形成包含發(fā)光材料的無定形基質。在此方法中，發(fā)光材料和非聚合物有機材料溶解于合適的相容溶劑中，然后通過旋涂、凹輥涂敷、邁耶棒涂、刮涂等方法涂敷到一排列層上。所選溶劑不應與施主薄板中已經存在的任何層發(fā)生不利的作用(例如膨脹或溶解)。然后可對涂層退火，蒸發(fā)掉溶劑，將轉移層留在無定形基質上。
然后可有選擇地將轉移層從施主元件熱轉移到靠近的受主基底上。如果需要，可以有一個以上的轉移層，從而用單施主薄板轉移多層結構。這些額外的轉移層可包含無定形非聚合物有機基質或其他材料。受主基底可以是任何適于具體用途的物質，包括(但不限于)玻璃、透明膜、反射膜、金屬、半導體和塑料。例如，受主基底可以是任何類型的適合于顯示用途的基底或顯示元件。適用于顯示器，如液晶顯示器或發(fā)射顯示器的受主基底包括剛性或柔性基底，它們對可見光大體是透明的。合適的剛性受主的例子包括玻璃和剛性塑料，它們用氧化銦錫施涂或成圖，或者用低溫聚多晶硅(LTPS)或其他晶體管結構(包括有機晶體管)形成電路圖。
合適的柔性基底包括清晰、透光的聚合物膜、反射膜、透射反射膜、偏振膜、多層光學膜等。柔性基底還可以用電極材料或晶體管涂敷或成圖，所述晶體管是直接在柔性基底上形成，或先在臨時載體基底上形成，然后轉移到柔性基底上的晶體管陣列。合適的聚合物基底包括聚酯基(例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二酸乙酯)、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚乙烯基樹脂(例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯縮乙醛等)、纖維素酯(例如纖維素三乙酸酯、纖維素乙酸酯)基和其他用作載體的常規(guī)聚合物膜。對于塑料基底上OEL的制備，常常需要在塑料基底的一個或兩個表面上有個阻擋膜，以保護有機發(fā)光裝置及其電極免受水份、氧氣等的影響。
受主基底可用任何一個或多個電極、晶體管、電容器、絕緣肋、間隔片、濾色鏡、黑色陣列、空穴傳遞層、電子傳遞層和其他可用于電子顯示器或其他裝置的元件。
本發(fā)明構建了發(fā)射偏振光OEL顯示器和裝置。在一種實施方式中，OEL顯示器可制成能發(fā)光，包含相鄰的、發(fā)射不同色光的裝置。例如，圖3所示為OEL顯示器300，它包含許多位于基底320之上的OEL裝置310。相鄰的裝置310可以發(fā)射不同的色光。
裝置310之間的分隔只是為了說明。這些相鄰裝置可以分隔、接觸、重疊等，或者在顯示基底上沿一個以上的方向組合這些方式。例如，可在基底上形成一排平行條紋分布的透明導電陽極，然后形成空穴傳遞材料的條紋分布和紅、綠、藍光發(fā)射LEP層的條紋重復分布，再形成陰極的條紋分布，陰極條紋與陽極條紋相互垂直。這樣的結構適合于形成無源陣列顯示器。在其他實施方式中，可在基底上形成二維透明導電陽極墊，并與尋址電子裝置如一個或多個晶體管、電容器等相連，例如適合用來制備有源陣列顯示器。包括發(fā)光層在內的其他層可接著在陽極或電子裝置上以單層涂敷或沉積，或形成圖案(例如平行條紋、與陽極相適應的二維圖案，等等)。本發(fā)明還構建了其他合適的結構。
一種實施方式中，顯示器300可以是多色顯示器。這就可能需要在發(fā)光裝置和視位之間放置一個可用的偏振片330，例如用來提高顯示器的對比度。在此示例性實施方式中，每個裝置310都發(fā)光。圖3所示通用結構涵蓋了許多顯示器和裝置結構，其中部分結構將在下面討論。
OEL背光燈可包含一些發(fā)光層。這些結構可包含空白基底或布有電路的基底、陽極、陰極、空穴傳遞層、電子傳遞層、空穴注入層、電子注入層、發(fā)射層、變色層和其他適用于OEL裝置的層與材料。這些結構還可包含偏振片、漫射片、光導、透鏡、光控膜、增亮膜等。其用途包括白色或單色大面積單像素燈，其中發(fā)射材料通過熱印轉移、層壓轉移、電阻頭熱印等形成；白色或單色大面積單電極對燈，它們具有大量相互靠近的發(fā)射層，所述發(fā)射層是通過激光誘導熱轉移形成圖案；可調色多電極大面積燈。
低分辨率OEL顯示器可包含發(fā)射層。這些結構可包含空白基底或布有電路的基底、陽極、陰極、空穴傳遞層、電子傳遞層、空穴注入層、電子注入層、發(fā)射層、變色層和其他適用于OEL裝置的層與材料。這些結構還可包含偏振片、漫射片、光導、透鏡、光控膜、增亮膜等。其用途包括圖形指示燈(例如圖標)；分段文字數(shù)字顯示器(例如家用時間指示器)；小型單色無源或有源陣列顯示器；小型單色無源或有源陣列顯示器加上構成整個顯示器一部分的圖形指示燈(例如蜂窩電話顯示器)；大面積像素顯示片(例如許多模塊或片，每個具有數(shù)目較少的像素)，如適用于室外的顯示器；保密顯示用途。
高分辨OEL顯示器可包含一些發(fā)光層。這些結構可包含空白基底或布有電路的基底、陽極、陰極、空穴傳遞層、電子傳遞層、空穴注入層、電子注入層、發(fā)射層、變色層和其他適用于OEL裝置的層與材料。這些結構還可包含偏振片、漫射片、光導、透鏡、光控膜、增亮膜等。其用途包括有源或無源陣列多色或全色顯示器；有源或無源陣列多色或全色顯示器加上分段或圖形指示燈(例如在同一基底上激光誘導轉移的高分辨率裝置加上熱火印的圖標)；保密顯示用途。
實施例實施例1受主的制備制備了三種不同類型的受主(A)只有氧化銦錫(ITO)；(B)在ITO上形成PDOT(聚(3，4-亞乙基二氧噻吩))；(C)在PDOT/ITO上形成mTDATA(4，4’，4”-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯基氨基)。為了得到受主表面(A)，在Deconex 12NS(Borer Chemie AG，Zuchwil Switzerland)的3％熱溶液中超聲清潔ITO玻璃(Delta Technologies，Stillwater，NM，片層電阻小于100Ω/平方，1.1mm厚)。然后將此基底放到Plasma Science ModelPS0500等離子體處理器(4thState Inc.，Belmont，CA)中進行表面處理，條件如下時間2分鐘功率500瓦(165W/cm2)氧氣流100sccm為了獲得受主表面(B)，像制備受主表面(A)中所描述的那樣對ITO進行清潔和等離子體處理。等離子體處理之后，立即過濾PDOT溶液(購于BayerAG，Leverkusen，Germany的CH-8000，用1∶1去離子水稀釋)，并通過WhatmanPuradiscTM0.45μm聚丙烯(PP)注射過濾器注射到ITO基底上。然后以2000rpm的速度使此基底旋轉(Headway Research旋涂器)30秒，產生厚40nm的PDOT膜。將所有這些基底在氮氣中200℃加熱5分鐘。
為得到受主表面(C)，如受主表面(B)的制備方法所述將PDOT膜沉積到ITO上?；桌鋮s之后，過濾mTDATA(OSA 3939，H.W.SandsCorp.，Jupiter，F(xiàn)L)在甲苯中的2.5％(w/w)溶液，并通過Whatman PuradiscTM0.45μm聚丙烯(PP)注射過濾器注射到涂敷了PDOT的ITO基底上。以3000rpm的速度使此基底旋轉(Headway Research旋涂器)30秒，產生厚40nm的TDATA膜。
實施例2不含轉移層的施主薄板的制備用下述方法制備熱轉移施主薄板。
將表I所列LTHC溶液施涂到0.1mm厚的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜基底(購于Teijin，Osaka，Japan)上。涂敷用CAG-150型Yasui Seiki實驗涂布器進行，采用每英寸有150個螺旋單元(helical cell)的微凹輥。LTHC涂層在80℃在線干燥，并在紫外線(UV)輻射下固化。
表ILTHC涂層溶液
(1) 可購于Columbian Chemicals Co.，Atlanta，GA(2) 可購于Solutia Inc.，St.Louis，MO(3) 可購于S.C.Johnson & Son.，In.，Racine，WI(4) 可購于Byk-Chemie USA，Wallingford，CT(5) 可購于Minnesota Mining & Manufacturing Co.，St.Paul，MN(6) 可購于UCB Radcure Inc.，N.Augusta，SC(7) 可購于ICI Acrylics Inc.，Memphis，TN(8) 可購于Ciba-Geigy Corp.，Tarrytown，NY接著，通過輪轉凹印涂布法將表II所列的中間層涂敷到固化的LTHC層上，所用設備為CAG-150型Yasui Seiki實驗涂布器，采用每英寸有150個螺旋單元的微凹輥。此涂層在60℃在線干燥，然后用UV固化。
表II中間層涂敷溶液
實施例3用于涂敷轉移層的溶液的制備制備下述溶液(a)Covion綠稱取100mg Covion綠PPV聚合物HB 1270(購于CovionOrganic Semiconductor GmbH，F(xiàn)rankfurt，Germany)，置入帶PTFE蓋子的琥珀小瓶中，然后加入9.9g甲苯(HPLC級，購于AldrichChemical，Milwaukee，WI)。將裝有此溶液的小瓶置于75℃硅油浴中60分鐘。熱溶液通過0.45μm聚丙烯(PP)注射過濾器進行過濾。
(b)Covion超級黃稱取75mg Covion PDY132“超級黃”，置入帶PTFE蓋子的琥珀小瓶中，然后加入9.925g甲苯(HPLC級，購于AldrichChemical，Milwaukee，WI)。用攪棒攪拌此溶液過夜。將此溶液通過0.45μm聚丙烯(PP)注射過濾器過濾。
(c)mTDATA。稱取100mg mTDATA(OSA 3939，購于H.W.SandsCorp.，Jupiter，F(xiàn)L)，置入一容器中，然后加入3.9g甲苯(HPLC級，購于AldrichChemical，Milwaukee，WI)。在75℃硅油浴中攪拌加熱該溶液25分鐘。熱溶液通過0.45μm聚丙烯(PP)注射過濾器過濾。
(d)叔丁基PBD。稱取100mg叔丁基PBD(2-(二苯-4-基)-5-(4-(1，1-二甲基乙基)苯基)-1，3，4-二噁唑，購于Aldrich Chemical，Milwaukee，WI)，置入一容器中，然后加入3.9g甲苯(HPLC級，購于Aldrich Chemical)。攪拌該溶液25分鐘，通過0.45μm聚丙烯(PP)注射過濾器過濾。
實施例4-8在施主薄板上制備轉移層以及轉移層的轉移根據(jù)表III混合實施例3中制備的各溶液，用此混合溶液在實施例2的施主薄板上形成轉移層。為得到混合溶液，以適當比例混合上述各溶液，所得混合溶液在室溫下攪拌20分鐘。
用旋涂法(Headway Research旋涂器)以約2000rpm的速度旋涂30秒，將轉移層旋涂在施主薄板上，得到厚度約為100nm的膜。
表III轉移層組合物的重量百分數(shù)
使實施例4-8中制備的施主薄板與實施例1中制備的受主基底接觸，然后用兩個單模Nd:YAG激光器對施主成像。具體是用線型檢流計系統(tǒng)掃描，用作為近-遠心結構一部分的f-θ掃描透鏡將合并的激光束聚焦到成像表面上。激光能量密度為0.4-0.8J/cm2。在1/e2強度下測定的激光斑尺寸為30微米×350微米。線性光斑速度可在10-30米/秒范圍內調整，該速度在成像平面上測定。光斑沿垂直于主位移方向的方向顫動，顫幅為100μm。轉移層以線條形式轉移到受主基底上，目標線寬約為100μm。
轉移層以一系列線條形式轉移，這些線條與受主基底上的ITO條紋重疊。成像結果列于表IV。
表IV
實施例9OEL裝置的制備將實施例4-6的三個轉移層組合物用來制備具有ITO/PDOT/mTDATA/轉移層/Ca/Ag結構的發(fā)光二極管。如實施例4-6所述轉移了轉移層之后，用下述條件真空蒸氣沉積Ca/Ag陰極
在所有情況下，觀測了二極管的性能和綠光發(fā)射情況。
本發(fā)明不應理解為受上述具體實施例的限制，而應當理解為涵蓋了本發(fā)明的所有方面，如附屬權利要求所清楚表明的。對于本領域的技術人員來說，他們是本發(fā)明說明書的直接閱讀者，他們不難理解對本發(fā)明的各種修改、等價方法以及適用于本發(fā)明的各種各樣結構。
上面引用的每項專利、專利文件和出版物都結合進入本文件，如同全文復制了一樣。
權利要求
1.制備有機電致發(fā)光裝置的方法，該方法包括在施主基底上通過溶液涂敷一轉移層，所述轉移層包含無定形非聚合物有機基質，基體中含有發(fā)光材料；將轉移層有選擇地熱轉移到受主上。
2.權利要求1所述方法，其特征在于，它還包括在施主基底上形成光熱轉換層，其中將轉移層有選擇地熱轉移到受主上包括用成像輻射有選擇地照射光熱轉換層，并將成像輻射轉化為熱。
3.權利要求1所述方法，其特征在于，它還包括在基底上形成至少一個額外的轉移層，其中將轉移層有選擇地熱轉移到受主上包括有選擇地將轉移層和至少一個額外轉移層熱轉移至受主上。
4.權利要求1所述方法，其特征在于，其中的發(fā)光材料包含發(fā)光聚合物。
5.權利要求1所述方法，其特征在于，其中的基質包含至少一種無定形非聚合有機化合物，選自 其中每個R各自獨立為一個取代基，包含選自烯基、亞烯基、芳基、亞芳基、雜芳基、雜亞芳基的至少一個官能團。
6.權利要求1所述方法，其特征在于，其中所述基質至少包含一種無定形非聚合有機樹形化合物。
7.權利要求6所述方法，其特征在于，所述樹枝形化合物選自 其中每個R1和R2各自獨立地為H、F、Cl、Br、I、-SH、-OH、烷基、芳基、雜芳基、氟代烷基、氟代烷基烷氧基、烯基、烷氧基、氨基或烷基-COOH，每個R3各自獨立地為H、F、Cl、Br、I、烷基、氟代烷基、烷氧基、芳基、氨基、氰基或硝基，每個X1各自獨立地為O、S、Se、NR3、BR3或PR3，每個Ar1和Ar2各自獨立地為取代或未取代的芳基或雜芳基。
8.權利要求1所述方法，其特征在于，其中所述基質包含無定形非聚合有機螺環(huán)化合物。
9.權利要求1所述方法，其特征在于，所述無定形非聚合有機基質包含空穴傳遞材料。
10.權利要求1所述方法，其特征在于，所述無定形非聚合有機基質包含電子傳遞材料。
11.權利要求1所述方法，其特征在于，所述空穴傳遞材料或電子傳遞材料也位于無定形非聚合有機基質之內。
12.權利要求1所述方法，其特征在于，所述無定形非聚合有機基質與發(fā)光材料的重量比至少為1∶1。
13.權利要求1所述方法，其特征在于，將轉移層有選擇地熱轉移到受主上包括有選擇地將轉移層熱轉移到含有一個受主基底和多個位于受主基底上的電極的受主上。
14.權利要求13所述方法，其特征在于，將轉移層有選擇地熱轉移到受主上包括有選擇地將轉移層熱轉移到含有一個受主基底、多個位于受主基底上的電極和位于多個電極之中的空穴傳遞材料的受主上。
15.權利要求13所述方法，其特征在于，它還包括將多個電極置于有選擇地熱轉移到受主上的轉移層部分中。
16.施主薄板，它包含基底；位于基底上的光熱轉換層，用來將入射成像輻射轉化成熱；位于光熱轉換層上的轉移層，所述轉移層包含溶液涂敷的無定形非聚合有機基質，基體中內置發(fā)光材料，其中轉移層能夠有選擇地從施主薄板熱轉移到靠近的受主上。
17.權利要求16所述施主薄板，其特征在于，它還包括在光熱轉換層上形成至少一個額外的轉移層，其中所述至少一個額外轉移層能有選擇地同轉移層一起從施主薄板熱轉移到靠近的受主上。
18.權利要求16所述施主薄板，其特征在于，其中的發(fā)光材料是發(fā)光聚合物。
19.權利要求16所述施主薄板，其特征在于，其中的基質包含至少一種無定形非聚合有機化合物，選自 其中每個R各自獨立為一個取代基，包含選自烯基、亞烯基、芳基、亞芳基、雜芳基、雜亞芳基的至少一個官能團。
20.權利要求16所述方法，其特征在于，其中所述基質至少包含一種無定形非聚合有機樹形化合物。
21.權利要求16所述方法，其特征在于，其中所述基質包含無定形非聚合有機螺環(huán)化合物。
22.權利要求16所述方法，其特征在于，所述無定形非聚合有機基質包含空穴傳遞材料。
23.權利要求16所述方法，其特征在于，所述無定形非聚合有機基質包含電子傳遞材料。
24.權利要求16所述方法，其特征在于，所述空穴傳遞材料或電子傳遞材料也位于無定形非聚合有機基質之內。
25.制備施主薄板的方法，其特征在于，所述方法包括在基底上形成光熱轉換層；在基底上形成轉移層，形成轉移層的步驟包括在基底上通過溶液涂敷涂層組合物，形成內置發(fā)光材料的無定形非聚合有機基質。
26.電致發(fā)光裝置，它包括第一電極；第二電極；位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層，所述發(fā)光層包含內置發(fā)光材料的無定形非聚合有機基質。
27.權利要求26所述電致發(fā)光裝置，其特征在于，其中的基體包含至少一種無定形非聚合有機化合物，選自 其中每個R各自獨立為一個取代基，包含選自烯基、亞烯基、芳基、亞芳基、雜芳基、雜亞芳基的至少一個官能團。
28.權利要求26所述電致發(fā)光裝置，其特征在于，其中所述基質至少包含一種無定形非聚合有機樹形化合物。
29.權利要求26所述方法，其特征在于，其中所述基質包含無定形非聚合有機螺環(huán)化合物。
30.權利要求26所述方法，其特征在于，所述無定形非聚合有機基質包含空穴傳遞材料。
31.權利要求26所述方法，其特征在于，所述無定形非聚合有機基質包含電子傳遞材料。
32.權利要求26所述方法，其特征在于，所述空穴傳遞材料或電子傳遞材料也位于無定形非聚合有機基質之內。
全文摘要
在制備有機電致發(fā)光裝置的一種方法中，轉移層通過溶液涂敷在施主基地上。所述轉移層包含內置發(fā)光材料的無定形非聚合有機基質。所述轉移層然后有選擇地轉移到受主上。成圖方法的例子包括激光熱轉移或熱頭轉移。所述方法及相關材料可用來形成例如有機電致發(fā)光裝置。
文檔編號H01L51/40GK1557113SQ02818503
公開日2004年12月22日 申請日期2002年4月19日 優(yōu)先權日2001年8月16日
發(fā)明者E·貝爾曼, E 貝爾曼, J·G·本特森, 本特森, 徐勇, 范 , M·那梅爾, 沃爾克, M·B·沃爾克 申請人:3M創(chuàng)新有限公司