專利名稱：印刷電路布線板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及以極薄的硅晶片為基材的印刷電路布線板的制造方法。
背景技術(shù)：
對(duì)應(yīng)于電子零件的高密度安裝的要求，印刷電路布線板也采用多層化的電路板(多層印刷電路布線板)。但是，多層印刷電路布線板采陶瓷基板、疊層板、復(fù)合疊層板等作為其基板，基板的厚度并不符合電氣特性要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明以提供能制得可多級(jí)疊層的印刷線路板的極薄的印刷電路布線板的制造方法為目的。
亦即本發(fā)明是以包含以下步驟為特征的印刷電路布線板的制造方法。所述步驟是A.準(zhǔn)備厚度為50μm～300μm的硅晶片；B.將該硅晶片安裝在只能支持其邊緣部的夾具(jig)上，各夾具用薄膜覆蓋其整個(gè)面，將該硅晶片固定于該夾具上；C.使該薄膜形成圖案，并使硅晶片的正面和背面露出(該露出的部分是用以形成布線圖樣、通孔及凹凸區(qū)域用的工作領(lǐng)域)；D.在該露出的硅晶片的規(guī)定位置上形成通孔，同時(shí)在包含該通孔的該硅晶片的露出面上形成金屬薄膜；而且，E.使該金屬薄膜形成圖案，接著進(jìn)行蝕刻，獲得規(guī)定的導(dǎo)體圖案。


圖1是按照主要工序的流程表示本發(fā)明的印刷電路布線板的制造方法的方框圖。
圖2是將本發(fā)明的印刷電路布線板的制造方法中使用的夾具與其支持的基板材料一起表示的平面圖。
圖3是支持圖2所示的基板材料的夾具的一形態(tài)的部分放大剖面圖(沿A-A線)。
圖4是支持圖2所示的基板材料的夾具的其他形態(tài)的部分放大剖面圖(沿A-A線)。
圖5是支持圖2所示的基板材料的夾具的又一形態(tài)的部分放大剖面圖(沿A-A線)。
圖6是支持圖2所示的基板材料的夾具的再一形態(tài)的部分放大剖面圖(沿A-A線)。
圖7是支持圖3所示的基板材料的夾具用薄膜覆蓋，且使該基板材料的正面和背面露出的狀態(tài)的部分放大剖面圖。
這里，各符號(hào)分別表示10夾具10a夾具的主體部10b夾具的階梯部10c夾具的斜坡部(一方的斜坡部)10d夾具的斜坡部(另一方的斜坡部)11夾具的一方的構(gòu)成部件11a夾具的一方的構(gòu)成部件的階梯部11b夾具的一方的構(gòu)成部件(主體部)11c夾具的一方的構(gòu)成部件的斜坡部或主體部的斜坡部(一方的斜坡部)11d夾具的一方的構(gòu)成部件(主體部)的斜坡部(另一方的斜坡部)12夾具的另一方的構(gòu)成部件12a夾具的另一方的構(gòu)成部件的階梯部12b夾具的另一方的構(gòu)成部件(環(huán)形部件)12c夾具的另一方的構(gòu)成部件的斜坡部13夾具的槽14開口部15覆蓋薄膜20基板材料20a基板材料的邊緣部具體實(shí)施方式
下面參照表示一實(shí)施方式的附圖(除圖1外，用以表示各部件的相互關(guān)系及構(gòu)造，圖示的尺寸不是實(shí)際尺寸)對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)說明。
圖1表示的是本發(fā)明的標(biāo)準(zhǔn)的工藝流程圖。
A.基板的準(zhǔn)備在本發(fā)明中，基板材料20采用由錠子切割出來的硅晶片。其厚度為50～300μm(半導(dǎo)體用的硅晶片為8英寸，是735μm。芯片狀態(tài)的情況下最小為30μm左右的厚度，這是對(duì)從錠子切割下來的晶片用其他方法進(jìn)行研磨加工減薄而成的)。又，其表面的粗糙度為1000?！?000(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS B 0601上規(guī)定的十點(diǎn)平均粗糙度Rz)左右已足夠，不需要精加工到半導(dǎo)體用那樣的鏡面光潔度。
B.在夾具上安裝在前道工序準(zhǔn)備的基板材料20由于厚度薄，考慮到此后加工中的操作性及加工精度，將該基板用特殊的夾具10支持。具體地說，如圖2所示，將該基板的邊緣部20a載置于在該夾具的主體部10a內(nèi)的邊緣部設(shè)置的階梯部10b上(如圖示中成為形成于全周的形態(tài)，但也可沿圓周方向以規(guī)定間隔形成零散的爪狀。在這種情況下，從確保支持的穩(wěn)定性考慮，至少應(yīng)設(shè)置3處)上(如后所述，在下一道工序用薄膜使該夾具與該基板形成一體，因此通常只要載置于其上即可)。又，圖3所示的夾具10由一個(gè)部件10a(以下稱為“夾具的主體部”)構(gòu)成，但為了將該基板更可靠地支持于該夾具上，也可將該部件分割成二個(gè)部件11與12，在兩部件的內(nèi)邊緣部分別設(shè)置階梯部11a，12a(梯級(jí)部的高度分別為該基板的厚度的1/2)，成為用兩部件將該基板的邊緣部20a夾住的形態(tài)(參照?qǐng)D4)，也可以形成僅在一部件11的內(nèi)邊緣部設(shè)置階梯部11a(其高度與該基板的厚度相同)，另一部件12其下表面是平坦的，可用該下表面的前端部緊壓載置于該階梯部的該基板的邊緣部20a的上表面的形態(tài)(參照?qǐng)D5)，還可以是將該夾具作成由具有階梯部的主體部11b(實(shí)際是使構(gòu)成如圖4及圖5所示的夾具的兩個(gè)部件11，12成一體化的形態(tài)，形成該階梯部，使其底部形成于比該主體部厚度的中心低該基板厚度的1/2處)、以及將該階梯部的進(jìn)深作為其寬度，將其外周邊緣部接于該夾具的階梯部的最深部的，實(shí)際上呈環(huán)狀的圓板12b(圖5示的另一方的部件12僅成為其前端部的形態(tài))構(gòu)成的形態(tài)(參照?qǐng)D6)。圖中，符號(hào)14是該夾具的開口部(圖2被描繪成在該夾具上安裝該基板的狀態(tài)，因此，符號(hào)20和14、以及20a、10b、11a、12a和12b，分別標(biāo)于同一處。符號(hào)10a、11、11b和12，由于是在它們所表示的部件的上表面與下表面相接的狀態(tài)下從上面看，所以也標(biāo)于同一處)。又，構(gòu)成該夾具的部件的斜坡部10c，10d，11c，11d，12c，11d都是為了實(shí)現(xiàn)由下述的薄膜進(jìn)行的覆蓋工序中的該夾具及該基板的均勻的覆蓋、以及在金屬薄膜的形成工序(1)及/或(2)及導(dǎo)體圖案的形成工序中使被涂覆的抗蝕劑的厚度均勻化而這樣構(gòu)成的(在徑向配置·使用槽涂覆涂覆器—；旋轉(zhuǎn)涂覆—剩余抗蝕劑的順利排出)。其角度可根據(jù)能支持于該夾具的該基板的直徑、從而還有該夾具的直徑、還有涂覆的抗蝕劑的性質(zhì)進(jìn)行適當(dāng)設(shè)定。通?？蛇x定在3～10°的范圍。此外，該夾具的角部，為了對(duì)例如從外周面向上下表面過渡的部分及角落部在下道工序用某種薄膜進(jìn)行可靠的覆蓋，可預(yù)先進(jìn)行適當(dāng)?shù)菇切纬蒖。
這里，該夾具為有某種程度的剛性，而且有優(yōu)異的導(dǎo)電性及耐化學(xué)藥劑性，采用鋁、銅、黃銅等金屬材料制作(夾具由兩個(gè)部件構(gòu)成，其一部件為呈環(huán)狀的圓板的形態(tài)中，其重量也有助于對(duì)該基板的支持，因此，最好采用金屬制作)。此外，該夾具的階梯部如下所述設(shè)定，即在其上載置該基板的狀態(tài)下，該夾具的上表面與該基板的上表面間的距離H(在圖4及圖5所示的狀態(tài)下，是該夾具另一部件的上表面與該基板的上表面間的距離；在圖6所示的狀態(tài)下，是該夾具的主體部的上表面與該基板的上表面的距離)等于該夾具的下表面與該基板的下表面間的距離H(在圖4及圖5所示的狀態(tài)下，是該夾具一部件的下表面與該基板的下表面間的距離；在圖6所示的狀態(tài)下，是該夾具的主體部的下表面與該基板的下表面的距離)。為謀求導(dǎo)體圖案的高密度化，將該基板的上下表面作為其形成場(chǎng)所靈活應(yīng)用，作為其形成操作的圖案形成中的曝光可通過上下表面顛倒簡單地完成。又，在圖中表示出相對(duì)于作為該基板材料的1片硅晶片用1個(gè)這種夾具的形態(tài)，但是當(dāng)然可得到相對(duì)于多片硅晶片用一個(gè)這種夾具的形態(tài)(從確保曝光工作區(qū)域的靈活性考慮，一一對(duì)應(yīng)為好，另一方面，從下述金屬薄膜的形成效率考慮，宜采用多對(duì)1的對(duì)應(yīng)為好，因此，可根據(jù)情況作適當(dāng)選定)。還有，圖中的夾具實(shí)質(zhì)上是方形的，但是當(dāng)然其外形也可以取圓形或多邊形。還考慮該夾具的合成分布，在該夾具的上表面和下表面以及與它們相連的斜坡上設(shè)置放射狀的多條(其數(shù)目只要根據(jù)能夠在該夾具上支持的該基板的直徑，從而還有該夾具的直徑進(jìn)行適當(dāng)選定即可)排出空氣用的槽13(其始點(diǎn)或終點(diǎn)，是該夾具的外周端部；其終點(diǎn)或始點(diǎn)，是該夾具的斜坡的內(nèi)周端部)。這是為了能夠可靠地進(jìn)行下述薄膜覆蓋工作。在這里，該槽的形狀(斷面)只要是半圓、半橢圓、方形、三角形等薄膜覆蓋時(shí)該夾具及該基板與薄膜間存在的空氣能順利地抽出，什么形狀都可以。但是，從該槽壁的上端向包含該夾具的斜坡部的上下表面的過渡的過渡部分為確保薄膜的密封性最好預(yù)先形成R。
C.用薄膜進(jìn)行覆蓋為了確保其后的加工精度，用薄膜14對(duì)支持于該夾具的該基板材料連同該夾具一起覆蓋·固定。作為該薄膜，從處理的方便考慮可采用干抗蝕劑、例如可將例如負(fù)型的干抗蝕劑作為候補(bǔ)列舉出。又，用該薄膜進(jìn)行的覆蓋時(shí)，采用例如真空層壓法等使該薄膜緊貼于支持該基板材料的該夾具整體，且通過使該薄膜形成圖案，使該基板的邊緣部20a的內(nèi)側(cè)近旁部分以外的該基板材料的正面和背面露出(參照?qǐng)D7，該基板材料在使其正面和背面的大半(圖中箭頭指出的范圍)露出的狀態(tài)下被緊密地支持在該夾具上。還有，由于圖7是剖面圖，該覆蓋薄膜本來也應(yīng)當(dāng)打斜線表示，但是為簡化起見、斜線省略)。
D.通孔的形成為進(jìn)行印刷線路板的多層疊層，在該基板材料的規(guī)定位置上形成通孔。該基板材料的厚度薄，所以作為該通孔的形成方法，適于采用激光、諸如二氧化碳?xì)怏w激光或YAG激光穿孔法、等離子體蝕刻法、影印石版法等。
E.金屬薄膜-1的形成為確保下述金屬薄膜-2緊貼，在該基板材料的露出部分的表面上形成金屬薄膜-1，例如ITO或銅等的薄膜(厚度至少為50)。作為其方法，可舉出蒸鍍法。另一方面，對(duì)于所得的金屬薄膜的厚度不一定那么厚也可以的用途，該金屬薄膜-1也可用無電解鍍法(形成鎳的薄膜后，用金置換該鎳薄膜的一部分)形成(此時(shí)所形成的薄膜為下層或基底層是鎳，上層或表層是金的復(fù)合膜)。還有，該金屬薄膜-1不僅在該基板材料的表面形成，也形成于預(yù)先形成的通孔的壁面上。
F.金屬薄膜-2的形成在其上形成金屬薄膜-1的該基板材料的表面上形成作為導(dǎo)體圖案的主體的金屬薄膜-2、例如Cu等。作為其方法，可列舉出無電解鍍法(在工序E使用無電解鍍法的情況下，不用這道工序)。在希望得到更厚的金屬薄膜(厚度在3μm以上)的情況下，更適于使用電鍍法。此外，這種金屬薄膜不僅在該基板材料的表面，也形成于預(yù)先形成的通孔的壁面上。
G.導(dǎo)體圖案的形成與優(yōu)異的導(dǎo)體圖案的形成一樣，進(jìn)行抗蝕劑涂覆(按照通常方法進(jìn)行即可。但是，使用只用槽涂覆器的方法或用槽涂覆器涂覆后使該夾具旋轉(zhuǎn)的槽涂覆與旋轉(zhuǎn)涂覆結(jié)合的方法可使抗蝕劑的消費(fèi)量少，同時(shí)凹部也能涂到，是理想的方法。還有，槽涂覆器配置在夾具10及基板20的徑向上，也可以使該槽涂覆器以該夾具及該基板的中心為旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn))、曝光·顯像(使所期望的導(dǎo)體圖案以外的部分的金屬薄膜露出)、蝕刻去除露出的金屬薄膜，進(jìn)行抗蝕劑的剝離·去除。此外，作為將該基板材料固定于該夾具用的薄膜，采用負(fù)型的干膜的情況下，在這里使用的抗蝕劑采用正型的。這是為了防止該薄膜溶解于在這一工序使用的顯像液里。
H.其他首先，通過此前的工序制造具有作為印刷電路布線板的功能的電路板，然后按照希望的大小切斷，得到印刷電路布線板，如果還需要進(jìn)一步在該印刷電路布線板上形成凸層，可在切斷前進(jìn)行抗蝕劑的涂覆、曝光·顯像(使導(dǎo)體圖案中的凸層形成處露出)、凸層的形成(可采用含金離子的溶液的電鍍。此外，由于凸層需有某程度的高度，可首先形成由銅或鎳等構(gòu)成的底層，僅在該底層的表層鍍金即可)、抗蝕劑的剝離·去除等一系列的操作，或按照通常方法在規(guī)定位置用焊料覆蓋。
迄今為止，對(duì)在基板上新形成導(dǎo)體圖案的情況作了說明，但采用本發(fā)明的夾具的制法的特征在于，即使是前無先例的極薄的基板(硅晶片)，也能消除因太薄引起的問題，所以對(duì)于基板上已經(jīng)形成導(dǎo)體圖案的情況，例如在已形成電路的IC上僅形成凸層的情況也適用。順便提及，在已有的IC制造中，使用保持原來的厚度的基板(硅晶片)的背面用物理研磨方法研磨至所期望厚度后形成凸層的方法(形成凸層的基板薄，因此操作不方便)，或在保持原來厚度的基板(硅晶片)上形成凸層后再通過干蝕刻等方法將該基板的背面研磨至所期望的厚度的方法(由于需要設(shè)置干蝕刻設(shè)備，需要相當(dāng)?shù)馁M(fèi)用)。
實(shí)施例采用8英寸的硅晶片(厚度200μm；公稱直徑200mm)，通過以下要領(lǐng)制造印刷電路布線板20件。
1.基板材料支持用夾具使用以下規(guī)格的夾具(具體形態(tài)見圖3)·縱230mm·橫230mm·厚度1mm·開口部直徑196mm·階梯部寬度2mm·階梯部的形成范圍整個(gè)圓周·上部斜坡的傾斜度約7.6°·下部斜坡的傾斜度約4.6°2.薄膜覆蓋用真空層壓機(jī)(ニチゴ-モ-トン公司制，CVA MODEL 725)、將載置于上述夾具的階梯部的硅晶片的兩面對(duì)每一所述夾具用干膜(ニチゴ-モ-トン公司制，NIT315；厚度15μm)覆蓋，將該硅晶片密著固定于該夾具上，接著，按通常方法對(duì)該覆蓋的干膜進(jìn)行曝光·顯像，在該硅晶片上確保直徑為190mm的工作區(qū)域(兩面)。
3.通孔的形成用濕蝕刻法在該工作區(qū)域內(nèi)的每一硅晶片上形成10個(gè)通孔(直徑100μm)。
4.金屬薄膜-1的形成使用噴涂裝置(日本真空公司制SH-450)，在該工作區(qū)域內(nèi)的硅晶片(兩面。包括通孔的內(nèi)壁)上形成金屬薄膜-1(ITO；厚度100)(對(duì)象晶片數(shù)1片)。
又，用無電解鍍法(使用メルテツクス公司制メルプレ-トNi-867M1～M2及Au-601)，形成金屬薄膜-1(Ni+Au；厚度0.5μm)(對(duì)象晶片數(shù)1片)。
5.金屬薄膜-2的形成利用無電解鍍(使用シプレイフア一イ一スト公司制Cu Posit 251)，在先前用噴涂法形成的金屬薄膜-1上再形成金屬薄膜-2(Cu；厚度20μm)6.導(dǎo)體圖案的形成在上述的金屬薄膜-2上及僅用無電解鍍法形成的金屬薄膜-1上分別涂覆抗蝕劑(シプレイフア一イ一スト公司制正型抗蝕劑SPR-6800)，接著進(jìn)行曝光·顯像·蝕刻·抗蝕劑剝離，在該硅晶片(兩面)上形成布線圖樣。還有，詳細(xì)要領(lǐng)如下所述。
·使用的涂覆機(jī)平田機(jī)工株式會(huì)社制槽涂覆機(jī)(α涂覆機(jī))·抗蝕劑涂覆厚度10μm(干燥后3μm)·掩膜圖案采用3μm的L/S·曝光光源使用目白インベストメント株式會(huì)社制200φPROJ-2001·蝕刻液使用シプレイフア一イ一スト公司制V Posit Etch746·剝離液使用シプレイフア一イ一スト公司制リム一バ一1177A7.凸層的形成涂覆抗蝕劑(シプレイフア一イ一スト公司制正型抗蝕劑SPR-6800)，接著進(jìn)行曝光·顯像·電鍍·抗蝕劑剝離，在該布線圖案的凸起處形成金凸層。此外，詳細(xì)要領(lǐng)如下所述。
·使用的涂覆機(jī)平田機(jī)工株式會(huì)社制槽涂覆機(jī)(α涂覆機(jī))。槽的方向是該基板的半徑方向。
·抗蝕劑涂覆厚度10μm·掩膜圖案凸起出直徑為100μmφ及200μmφ·曝光光源使用目白インベストメント株式會(huì)社制200φPROJ-2001·電鍍液分別使用リロナ一ル公司制的エバロンNi BM-2(底用)及オ一ロレプトロレスSMT250(鍍金)·剝離液使用シプレイフア一イ一スト公司制リム一バ一1177A8.切割根據(jù)已有的IC片切割方法將已完成的印刷電路布線板(20mm×20mm)在上下方向疊層5層，通電確認(rèn)全布線板導(dǎo)通。
工業(yè)應(yīng)用性如上所述，采用本發(fā)明，可提供能制得基板的厚度及電氣特性上的要求能夠兼顧的可多層疊層的極薄的印刷電路布線板的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種印刷電路布線板的制造方法，其特征在于，包含以下步驟，即A.準(zhǔn)備厚度為50μm～300μm的硅晶片；B.將該硅晶片安裝在只能支持其邊緣部的夾具上，用薄膜覆蓋其整個(gè)面，將該硅晶片固定于該夾具上；C.使該薄膜形成圖案，并使硅晶片的正面和背面露出；D.在該被露出的硅晶片的規(guī)定位置上形成通孔，同時(shí)在包含該通孔的該硅晶片的露出面上形成金屬薄膜；E.使該金屬薄膜形成圖案，接著進(jìn)行蝕刻，以獲得規(guī)定的導(dǎo)體圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)體圖案形成后，再進(jìn)行抗蝕劑的涂覆，形成圖案，接著在該導(dǎo)體圖案上的規(guī)定位置上實(shí)施以銅或鎳作為底層的鍍金，形成凸層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的硅晶片具有1000?！?000的表面粗糙度。
4.如權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述薄膜是負(fù)型的干膜，用于所述金屬薄膜形成圖案的抗蝕劑是正型的。
5.如權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述的金屬薄膜的形成是利用蒸鍍和無電解鍍銅、或無電解鍍鎳-金的方法進(jìn)行的。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在無電解鍍銅后，再進(jìn)行電鍍。
7.如權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)記載的方法，其特征在于，所述通孔的形成利用激光穿孔法、等離子體蝕刻法、或影印石版法進(jìn)行。
8.一種硅制印刷電路布線板制造用的夾具，是在其中心部有開口，在該開口近旁具有可載置硅晶片的周邊部的階梯部的硅制印刷電路布線板制造用的，實(shí)際上呈方形或圓形的夾具；其特征在于，使該夾具的厚度方向的中心軸與該硅晶片的厚度方向的中心軸同軸地形成所述階梯部；該夾具具備有水平的上表面及下表面，從該下表面向該階梯部的水平面的內(nèi)圓周端上升的直線狀的下方斜坡、以及從該上面向該階梯部的壁面上端或以與該下方斜坡同樣傾斜度下降的直線狀的上方斜坡以及具有在該上·下表面、以及該上·下斜坡上向著該開口的徑向的，其始終端是該上·下表面的外圓周端與該階梯部的壁的上端或該上部斜坡的終端以及該階梯部的水平面的前端的多條槽。
9.如權(quán)利要求8所述的夾具，其特征在于，所述夾具由一個(gè)部件構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求8所述的夾具，其特征在于，所述夾具由以其下·上表面對(duì)接的上·下兩個(gè)部件構(gòu)成，所述階梯部分別形成于各部件，所述硅晶片的周邊部的載置由兩個(gè)階梯部的水平面對(duì)其進(jìn)行夾持實(shí)現(xiàn)，所述夾具的厚度方向的中心軸是這些部件的對(duì)接面，該上方的部件的斜坡向著該上方的部件的階梯部的水平面的前端下降。
11.如權(quán)利要求8所述的夾具，其特征在于，所述夾具由以其下·上表面對(duì)接的上·下兩個(gè)部件構(gòu)成，所述階梯部僅在下方的部件形成，所述硅晶片的周邊部的載置由階梯部的水平面與作為上方部件的下表面的水平面對(duì)其進(jìn)行夾持實(shí)現(xiàn)，所述夾具的厚度方向的中心軸處在比這些部件的對(duì)接面低該基板的厚度的1/2的部件側(cè)的位置，該上方的部件的斜坡以與該下方的部件的斜坡同樣的傾斜度下降。
12.如權(quán)利要求9所述的夾具，其特征在于，所述上方斜坡的傾斜度與所述下方斜坡的傾斜度相同，但其前端在所述階梯部的壁部的上端終止，該階梯部的壁部的深度比所述的硅晶片的厚度大，還具備有與該差值相當(dāng)?shù)耐庵芎穸?，而且上面有與該上方斜坡的傾斜度相同的斜坡，在下面具有與該階梯部的水平面對(duì)向的水平面的壓緊部件，所述的硅晶片的周邊部的載置由該階梯部的水平面與該壓緊部件的水平面對(duì)其進(jìn)行夾持實(shí)現(xiàn)。
13.如權(quán)利要求1～7中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求8～12中的任一項(xiàng)所述的夾具。
全文摘要
本發(fā)明涉及能制得可多級(jí)疊層的印刷線路板的極薄的印刷電路布線板的制造方法，其特征在于，包含以下步驟即A.準(zhǔn)備厚度為50μm～300μm的硅晶片(20)；B.將該硅晶片(20)安裝在只能保持硅晶片(20)的邊緣部的夾具(10)上，用薄膜覆蓋該硅晶片(20)的整個(gè)表面，并將該硅晶片(20)固定于該夾具(10)上；C.使該薄膜形成圖案，并使硅晶片(20)的正面和背面露出；D.在該露出的硅晶片(20)的規(guī)定位置上形成通孔，同時(shí)在具有該通孔的硅晶片(20)的露出面上形成金屬薄膜；和E.使該金屬薄膜形成圖案，接著進(jìn)行蝕刻，獲得規(guī)定的導(dǎo)體圖案。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1522557SQ02813200
公開日2004年8月18日 申請(qǐng)日期2002年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月5日
發(fā)明者上原誠 申請(qǐng)人:目白精準(zhǔn)股份有限公司, 目白精 股份有限公司