專利名稱：交叉點(diǎn)磁性內(nèi)存集成電路之自行對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明之較佳實(shí)施例系關(guān)于交叉點(diǎn)磁性內(nèi)存集成電路(ICs)，更特別的是，較佳實(shí)施例系相關(guān)于交叉點(diǎn)磁性內(nèi)存ICs之自行對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)線。
背景技術(shù)：
第一圖A系顯示磁性內(nèi)存IC 101之一剖面圖。該內(nèi)存IC包括復(fù)數(shù)個(gè)磁性內(nèi)存胞元，其系位于該IC之一數(shù)組區(qū)域103中，每一該胞元包括夾在上金屬線140及下金屬線150中之一磁性堆棧120，上下金屬線彼此以正交的方向嵌入一內(nèi)層介電(interlevel dielectric，ILD)層110中，而該上下金屬線系作為該內(nèi)存數(shù)組位線及字符線之用。一個(gè)胞元就位于一位線及字符線之一交叉點(diǎn)的位置。
當(dāng)基本之原則(ground rule)減少時(shí)，該內(nèi)存胞元之各層的對(duì)準(zhǔn)會(huì)變得更困難，例如，在各層間的錯(cuò)誤排列會(huì)造成線對(duì)線及/或面對(duì)面之電性短路。

發(fā)明內(nèi)容
從先前之討論可以明顯得知，急需要有一個(gè)可以避免或降低用于形成各胞元之各層間之錯(cuò)誤排列的形成磁性內(nèi)存制程。
在第一個(gè)觀點(diǎn)中，本發(fā)明系提供一形成一磁性內(nèi)存裝置之方法。一第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線(如位線或字符線)系形成于一半導(dǎo)體工作件上，復(fù)數(shù)個(gè)磁性材質(zhì)線系相對(duì)應(yīng)于該第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之每一個(gè)而形成于其上，一第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線系形成于該半導(dǎo)體部件上。該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線系與該第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線及該磁性材質(zhì)線交叉，且此些第二導(dǎo)線，可作為該位線或字符線，于該磁性材質(zhì)線被部分被移除時(shí)可作為一屏蔽。
在另一個(gè)觀點(diǎn)中，本發(fā)明系提供另一種形成一集成電路裝置之方法。此方法可以結(jié)合前述第一個(gè)方法，但并不一定需要。在此方法中，一磁性材質(zhì)層系形成于一工作件之上，以及一金屬硬罩幕系形成于該磁性材質(zhì)層之上，該金屬硬罩幕層系被圖案化，并被用作為一屏蔽以蝕刻該磁性材質(zhì)層之部分，一介電層系形成于該磁性材質(zhì)層之剩余部分之上，然后，一化學(xué)-機(jī)械研磨可以被執(zhí)行以平坦化該介電層。該金屬硬罩幕可作為該化學(xué)-機(jī)械研磨之一蝕刻停止。
在再另一個(gè)觀點(diǎn)中，本發(fā)明系提供另一種可以結(jié)合前述一個(gè)或兩個(gè)方法之技術(shù)，但也可以單獨(dú)使用。在此方法中，一絕緣層系形成于該磁性材質(zhì)層之上，數(shù)個(gè)溝槽系形成于該絕緣層中，并被一導(dǎo)電材質(zhì)充填以形成該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線，該絕緣層剩余之部分則接著被移除，再者，藉由利用該導(dǎo)線作為一屏蔽，該磁性材質(zhì)層之部分可被移除。
在各個(gè)觀點(diǎn)中，本發(fā)明相較于習(xí)知之方法，具有數(shù)個(gè)優(yōu)點(diǎn)。某些實(shí)施例之這些優(yōu)點(diǎn)中的一些包括避免第一導(dǎo)線140及第二導(dǎo)線150間的短路。此一被避免的問題系清楚的顯示于第一B圖中，在其中，第二導(dǎo)線150至磁性堆棧120之錯(cuò)誤對(duì)準(zhǔn)將會(huì)造成在第一及第二導(dǎo)線140及150間的一電性短路。
本發(fā)明之許多方面亦具有優(yōu)點(diǎn)，即需要來避免M2至M3之短路之額外步驟，如在磁性堆棧120間形成隔離之一介電沉積及平坦化可以被避免。因此，可以達(dá)成節(jié)省成本，產(chǎn)率亦可增加。
圖式簡單說明上述本案之特征將可藉由如后之?dāng)⑹黾芭c其相關(guān)之圖式而獲得一更清楚的了解，其中第一圖其系顯示一習(xí)知磁性內(nèi)存裝置之剖面圖；以及第二A～二B圖至第九A～九B圖系顯示在制造一磁性內(nèi)存裝置時(shí)各階段之剖面圖。
實(shí)施方式在一CU波紋后段制程(back-end-line)結(jié)構(gòu)中，系嵌入一磁性金屬堆棧以制造該磁性隨機(jī)內(nèi)存(Magnetic Random Access Memory，MRAM)裝置。該磁性堆棧包括許多不同金屬層及一薄介電層，而僅有數(shù)十奈米之厚度。對(duì)交叉點(diǎn)MRAM結(jié)構(gòu)而言，該磁性堆棧系位于該兩金屬布線面，如互相以正交方向嵌入ILD之金屬2(M2)及金屬3(M3)，之交叉點(diǎn)的位置。
從各方面來看，本發(fā)明系提供改善形成一磁性內(nèi)存裝置之制程的各式技術(shù)，而這些技術(shù)將透過在第二至九圖中舉例之較佳制程實(shí)施例做為參考而進(jìn)行討論。
第二至九圖系顯示根據(jù)本發(fā)明之一較佳實(shí)施例，一磁性內(nèi)存集成電路(IC)101之制程。每一剖面圖系為垂直之剖面，并標(biāo)示a及b于圖號(hào)之后。
現(xiàn)在請(qǐng)參閱第二A及二B圖，其系顯示一準(zhǔn)備好并裝備有一ILC層110a之基板205，具有一第一方向之第一導(dǎo)線140系形成于該ILD層之中，而該第一導(dǎo)線140，舉例而言，系指內(nèi)存數(shù)組中之位線或字符線。一般，第一導(dǎo)線系位在該IC之一第二金屬或?qū)щ娒鍹2之上，而一下方金屬面(M1)及電路組件(圖中未顯示)則形成于該ILD層之下。
在一實(shí)施例中，每一導(dǎo)線140系包含銅或銅合金，其它形式的導(dǎo)電材料，如鎢及鋁，亦可被應(yīng)用以形成該導(dǎo)線，而導(dǎo)線可以很方便的利用波紋或活離子蝕刻(reactive ion etch，RIE)技術(shù)形成，這些技術(shù)系在如.Wolf及R.Tauber所著之VLSI Era之硅制程(SiliconProcessing for the VLSI Era，lattice press(2000))中有所討論，同時(shí)，于其中之參考用途亦于此并入文中做為所有目的之參考。該導(dǎo)線可包括一Ta，TaN，TiN，W liner，以促進(jìn)依附力，并避免在導(dǎo)線嵌入處，自金屬層至介電層之?dāng)U散。
一磁性層221位于于該介電層110a及導(dǎo)線140之上。在一實(shí)施例中，舉例而言，該磁性層221包含PtMn，CoFe，Ru，Al2O3及/或NiFe，其它形式之磁性材料，如鎳(Ni)，鈷(Co)，及前述化合物之各式比例，亦可使用。該磁性層則是藉由如物理氣相沉積法(PVD)、蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積法(CVD)或其它適合之技術(shù)而沉積。
根據(jù)本發(fā)明之較佳實(shí)施例，一硬罩幕層225系位于該磁性層221之上，而在一實(shí)施例中，該硬罩幕層包含鉭、鎢或鈦，包括它們之化合物，如氮化鉭或氮化鈦。而其它形式之硬罩幕材料，如PECVD氧化硅、氮化硅、氮化硅，也可使用于其中。
該硬罩幕層225系藉由如物理氣相沉積法(PVD)或化學(xué)氣相沉積法(CVD)，包括電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)，等技術(shù)而沉積。該硬罩幕層225之厚度則足夠以在蝕刻該磁性層221時(shí)作為硬罩幕。在一實(shí)施例中，該硬罩幕層225約為10~60nm，例如，約20~40nm。
請(qǐng)參閱第三A及三B圖，一阻抗層370系形成于該硬罩幕層221之上，并被圖案化以形成于其中之復(fù)數(shù)個(gè)開口。該阻抗之圖案化系包括透過一屏蔽(圖中未顯示)選擇性地使該阻抗層暴露于一暴露源(圖中未顯示)之下。該阻抗370接著被移除已暴露或?yàn)楸┞吨糠?根據(jù)所使用者為正阻抗或負(fù)阻抗)以形成復(fù)數(shù)開口。在一實(shí)施例中，該阻抗之圖案系與該導(dǎo)線140相符合。在正阻抗之應(yīng)用里，一活性裝置數(shù)組區(qū)域中系使用一反相M2圖案，而另一個(gè)選擇是，對(duì)負(fù)阻抗之應(yīng)用而言，則使用一M2屏蔽圖案。
接著，執(zhí)行一蝕刻以移除該硬罩幕層225未受該阻抗層保護(hù)之部分，該蝕刻，舉例而言，包含一活性離子蝕刻(RIE)，其它之技術(shù)，如濕式蝕刻或離子研磨(ion milling)，亦可被用以圖案化該金屬層。在該硬罩幕層被圖案化之后，該阻抗層即被移除。
在一些應(yīng)用中，一反反射涂層(ARC)(圖中未顯示)可以在沉積該阻抗層370之前形成于硬罩幕層225之上，因?yàn)榻鍦p少源自暴露源之輻射之反射，ARC之使用對(duì)加強(qiáng)平版印刷之分辨率很有用。如果有使用ARC，其與該阻抗層370會(huì)在該硬罩幕層225圖案化后一起被移除。
請(qǐng)參閱第四A至四B圖，該已被圖案化之硬罩幕層225系做為一蝕刻屏蔽，以圖案化該磁性層221。該磁性層221可藉由如RIE而被圖案化，以形成復(fù)數(shù)排或復(fù)數(shù)條420包含導(dǎo)線140之磁性堆棧。其它技術(shù)，如濕式蝕刻或離子研磨，亦可被使用以圖案化該硬罩幕層225。
請(qǐng)參閱第五A至五B圖，一介電層528系沉積于該基板之上，以填滿各磁性堆棧221之間之空間，而在一實(shí)施例中，該介電層528包含氮化硅(如Si3Ni4)，至于其它之介電層可兩者擇一地(或也可以)被使用。在較佳實(shí)施例中，具有厚度約介于30nm~150nm間，較佳者為介于50nm~70nm之間，之一電漿輔助CVD氮化硅膜系在低于350度C之溫度下被沉積。
該介電層528系以，如化學(xué)機(jī)械磨光(chemical machnical polish，CMP)之方式而被平坦化，如第六A～六B圖所示。該CMP法對(duì)該硬罩幕層225有選擇性(如蝕刻停止)，以創(chuàng)造出大致上與該磁性堆棧之頂部共平面之大體上平坦之表面。
在第七A～七B圖中，第二導(dǎo)線150系形成以覆蓋該基板并于該IDL層110a之上，并藉由如氧化硅之一介電層712而彼此隔離，其它對(duì)導(dǎo)線150可選擇地被移除之介電層，如絲，多孔絲，HSQ(hydrogensilsesquioxane)，含氟玻璃，或氟化氧化物，亦可被使用。
一般而言，該第二導(dǎo)線150系位于一第三金屬平面(M3)。該導(dǎo)線150可利用銅、銅合金、或其它形式之導(dǎo)線材料如鎢及鋁等而形成，在一實(shí)施例中，該導(dǎo)線包含銅或其合金。該第二導(dǎo)線150亦可以相同或不同于第一導(dǎo)線140之材料而形成。
該第二導(dǎo)線150與該第一導(dǎo)線140交叉，并被視為位線或字符線其中之一。在較佳實(shí)施例中，該第二導(dǎo)線150與該第一導(dǎo)線成正交，然，與第一導(dǎo)線140不是成90度交角之第二導(dǎo)線150亦可是有用的。
在一實(shí)施例中，該第二導(dǎo)線150系利用方便的波紋技術(shù)而形成，現(xiàn)在，將對(duì)此技術(shù)進(jìn)行討論。其制程包括藉由如CVD沉積一介電層712，如氧化硅(如二氧化硅)，在另一個(gè)實(shí)施例中，該介電層712包含氮化硅，以避免接著形成之銅線的氧化。其它形式之介電材質(zhì)亦可依根據(jù)應(yīng)用狀況而被使用，其它之沉積技術(shù)亦可被使用。
該介電層712系被平坦化，如果有需要的話，以提供一平坦之表面；接著，該介電層712藉由一阻抗屏蔽(圖中未顯示)而被圖案化，以形成復(fù)數(shù)個(gè)溝槽；在該溝槽被形成之后，該阻抗屏蔽即被移除。一導(dǎo)電材料，如銅，系被沉積以填滿該復(fù)數(shù)個(gè)溝槽；隨意地，導(dǎo)電襯墊(conductive liner)(圖中未顯示)，如鎢或鋁，可被沉積以排列該復(fù)數(shù)個(gè)溝槽。一CMP被使用以移除過多之導(dǎo)電材料及該介電層712，并形成一平坦平面。
隨意地，一磷化鈷(CoP)或磷鎢化鈷(CoWP)層系藉由無電鍍(electroless plating)而沉積于該導(dǎo)電材料150之上，此一技術(shù)系于如Dubin等人之美國專利第5695810號(hào)中有敘述，其亦于此融入文中做為參考。該CoP或CoWP層可以在導(dǎo)線150于繼續(xù)之程序中作為蝕刻屏蔽時(shí)有利于降低侵蝕。
請(qǐng)參閱第八A～八B圖，該介電層712系藉由如RIE而被移除，僅剩導(dǎo)線150于基板上，該導(dǎo)線系做為一蝕刻罩幕，以移除因介電層712移除而暴露之磁性堆棧512的部分，結(jié)果，該蝕刻會(huì)再自行對(duì)準(zhǔn)之磁性堆棧上形成導(dǎo)線150，因此而減少錯(cuò)誤排列的問題。
在此，另一兩者擇一的方法是，在第七及第八圖中，使用鋁做為金屬線150，用以取代波紋程序，在第六圖中，鋁堆棧系沉積于表面225之上。在一實(shí)施例中，該鋁堆棧包括一鈦及氮化鈦?zhàn)枵蠈蛹?或一氮化鈦帽蓋層，而該堆棧之沉積可藉由PVD而完成。接著，該鋁堆棧被平版印刷地圖案化，然后再藉由RIE在同一步驟中將圖案轉(zhuǎn)移至鋁堆棧及一磁性堆棧，如第八圖所示。
請(qǐng)參閱第九A～九B圖，一介電襯墊952沉積于該基板上，作為導(dǎo)線150之襯里，而該襯墊952包含如氮化硅。在另外的實(shí)施例中，該介電質(zhì)可以是一低k介電質(zhì)，如HSQ、絲、多孔絲、或利用低間隙填充材料與空氣間隙一起形成。
在一實(shí)施例中，該襯墊層952系藉由PECVD而沉積，其它沉積襯墊之技術(shù)亦可以使用。該襯墊層避免銅線150因后續(xù)形成之氧化硅ILD層110b而氧化。一般而言，該襯墊層952約介于20nm30nm之間，較佳者是介于約5~15nm之間。如果使用一氮化硅ILD層或除了銅之外之導(dǎo)電材料，則可以避免氮化物襯墊。
雖未顯示，但本程序系繼續(xù)以完成MRAM IC之制程，而這些額外之步驟乃是為了簡化對(duì)本案實(shí)施例之?dāng)⑹龆贿z留下來。
當(dāng)本發(fā)明藉由所舉之實(shí)施例而加以說明時(shí)，此敘述并非要被理解為一受限的內(nèi)容。對(duì)熟習(xí)此技藝之人而言，依據(jù)本案做為參考而為之各式修飾及所舉實(shí)施例及其它實(shí)施例之結(jié)合將視為顯而易見。因此，所附加之申請(qǐng)專利范圍是為了要包含任何如此之修飾或?qū)嵤├?br> 權(quán)利要求
1.一種形成一磁性內(nèi)存裝置之方法，該方法包括形成一第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線于一半導(dǎo)體工作件上；相對(duì)應(yīng)于該第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之每一個(gè)形成復(fù)數(shù)個(gè)磁性材質(zhì)線；形成一第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線于該半導(dǎo)體部件上，該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線系與該第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線及該磁性材質(zhì)線交叉；以及將該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線作為一屏蔽，以移除該復(fù)數(shù)個(gè)磁性材質(zhì)線之部分。
2.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線包括復(fù)數(shù)個(gè)銅線。
3.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該復(fù)數(shù)個(gè)磁性材質(zhì)線系由選自錳鉑(PtMn)、鐵鈷(CoFe)、釕(Ru)、氧化鋁(Al2O3)、鐵鎳(NiFe)、鎳(Ni)、鈷(Co)及其組合其中之一之材質(zhì)所制成。
4.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該形成復(fù)數(shù)個(gè)磁性材質(zhì)線之步驟系包括形成一磁性材質(zhì)層，并圖案化及蝕刻該磁性材質(zhì)層，該方法更包括形成一硬罩幕層于該磁性材質(zhì)之上，并于圖案化及蝕刻該磁性材質(zhì)時(shí)，將該硬罩幕層作為一屏蔽。
5.如申請(qǐng)專利范圍第4項(xiàng)所述之方法，其中該硬罩幕層更包括一金屬層。
6.如申請(qǐng)專利范圍第5項(xiàng)所述之方法，其中該硬罩幕層系由包括選自鉭(Ta)、鎢(W)及鈦(Ti)其中之一之金屬的一材質(zhì)所形成。
7.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法更包括在形成該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之前，形成一介電層于該工作件之上，并介于該復(fù)數(shù)個(gè)磁性材質(zhì)線之各層之間。
8.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線系利用一波紋程序而形成。
9.如申請(qǐng)專利范圍第8項(xiàng)所述之方法，其中該方法包括形成一非導(dǎo)線層于該復(fù)數(shù)個(gè)磁性材質(zhì)線之上；于該非導(dǎo)線層中蝕刻出溝槽；形成該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線于該溝槽之中；以及移除該非導(dǎo)電層之部分，而留下該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之各層之間的部分。
10.如申請(qǐng)專利范圍第9項(xiàng)所述之方法，更包括以一非導(dǎo)電材質(zhì)重新充填位于該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線間之區(qū)域，該重新充填系于該移除該復(fù)數(shù)非導(dǎo)電層之部分的步驟之后完成。
11.如申請(qǐng)專利范圍第10項(xiàng)所述之方法，更包括于該重新充填之前，沉積一襯墊于該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之上。
12.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該形成一第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之步驟包括形成與該第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線正交之一第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線。
13.一種形成一集成電路裝置之方法，該方法包括形成一磁性材質(zhì)層于一工作件之上；形成一金屬硬罩幕于該磁性材質(zhì)層之上；圖案化該金屬硬罩幕層；利用該磁性硬罩幕作為一屏蔽而蝕刻該磁性材質(zhì)層之部分；形成一介電層于該磁性材質(zhì)層之剩余部分之上；以及執(zhí)行一化學(xué)-機(jī)械研磨以平坦化該介電層，其中該金屬硬罩幕系作為該化學(xué)-機(jī)械研磨之一蝕刻停止。
14.如申請(qǐng)專利范圍第13項(xiàng)所述之方法，其中該金屬硬罩幕系被圖案化以暴露該磁性材質(zhì)層覆蓋復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之部分。
15.如申請(qǐng)專利范圍第13項(xiàng)所述之方法，更包括形成復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線于該平坦化之介電層之上。
16.如申請(qǐng)專利范圍第13項(xiàng)所述之方法，更包括利用復(fù)數(shù)個(gè)銅線作為一屏蔽而蝕刻該磁性材質(zhì)層。
17.如申請(qǐng)專利范圍第13項(xiàng)所述之方法，其中該磁性材質(zhì)系包含選自錳鉑(PtMn)、鐵鈷(CoFe)、釕(Ru)、氧化鋁(Al2O3)、鐵鎳(NiFe)、鎳(Ni)、鈷(Co)及其組合其中之一之材質(zhì)。
18.如申請(qǐng)專利范圍第13項(xiàng)所述之方法，其中該金屬硬罩幕系由包括選自鉭(Ta)、鎢(W)及鈦(Ti)其中之一之金屬的一材質(zhì)所形成。
19.一種形成一集成電路裝置之方法，該方法包括形成一磁性材質(zhì)層于一工作件之上；形成一絕緣層于該磁性材質(zhì)層之上；于該絕緣層中形成復(fù)數(shù)個(gè)溝槽；藉由于該復(fù)數(shù)個(gè)溝槽中充填一導(dǎo)電材質(zhì)而形成該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線；移除該絕緣層剩余之部分；以及利用該導(dǎo)線作為一屏蔽而移除該磁性材質(zhì)層之部分。
20.如申請(qǐng)專利范圍第19項(xiàng)所述之方法，更包括以一介電材質(zhì)重新充填該導(dǎo)線間之區(qū)域。
21.如申請(qǐng)專利范圍第20項(xiàng)所述之方法，更包括于重新充填該導(dǎo)線間之區(qū)域之前，形成一襯墊于該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之上。
22.如申請(qǐng)專利范圍第21項(xiàng)所述之方法，其中該導(dǎo)電材質(zhì)包含銅，且其中該重新充填該導(dǎo)線間之區(qū)域的步驟包括沉積一氧化物。
23.如申請(qǐng)專利范圍第19項(xiàng)所述之方法，更包括于形成一絕緣層之前，圖案化該磁性材質(zhì)層。
24.如申請(qǐng)專利范圍第23項(xiàng)所述之方法，其中該磁性材質(zhì)層系被圖案化以覆蓋復(fù)數(shù)個(gè)下部導(dǎo)線。
25.如申請(qǐng)專利范圍第23項(xiàng)所述之方法，其中該圖案化該磁性材質(zhì)層之步驟包括沉積該磁性材質(zhì)層；形成一金屬硬罩幕于該磁性材質(zhì)層之上；圖案化該金屬硬罩幕；利用該金屬硬罩幕作為一屏蔽，以移除該磁性材質(zhì)層之部分。
26.如申請(qǐng)專利范圍第25項(xiàng)所述之方法，更包括形成一介電層于該磁性材質(zhì)層之剩余部分之上；以及執(zhí)行一化學(xué)-機(jī)械研磨以平坦化該介電層，其中該金屬硬罩幕系作為該化學(xué)-機(jī)械研磨之一蝕刻停止。
27.如申請(qǐng)專利范圍第23項(xiàng)所述之方法，其中該磁性材質(zhì)系包含選自錳鉑PtMn、鐵鈷CoFe、釕(Ru)、氧化鋁(Al2O3)、鐵鎳(NiFe)、鎳(Ni)、鈷(Co)及其組合其中之一之材質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明系揭示一形成一磁性內(nèi)存裝置之方法。在一實(shí)施例中，一第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線系形成于一半導(dǎo)體工作件上，復(fù)數(shù)個(gè)磁性材質(zhì)線系相對(duì)應(yīng)于該第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之每一個(gè)而形成于其上，以及一第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線系形成于該半導(dǎo)體工作部件上。該第二復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線系與該第一復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線及該磁性材質(zhì)線交叉，且此些第二導(dǎo)線于該磁性材質(zhì)線被圖案化時(shí)可作為一屏蔽。
文檔編號(hào)H01L27/105GK1488168SQ02804077
公開日2004年4月7日 申請(qǐng)日期2002年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月24日
發(fā)明者寧香, 香 寧 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司