專利名稱：微影對(duì)準(zhǔn)設(shè)計(jì)及cmp加工波紋表面覆蓋量測記號(hào)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本案是有關(guān)一般的半導(dǎo)體組件的微影程序，特別是，一種微影對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)與在一種牽涉非透明層半導(dǎo)體制程中產(chǎn)生上述結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置在其大小上越來越小并且需要可生產(chǎn)此等裝置的制造程序。對(duì)準(zhǔn)技術(shù)在制造程序中執(zhí)行，以確保在半導(dǎo)體裝置內(nèi)不同層的正確對(duì)準(zhǔn)。典型地，對(duì)準(zhǔn)記號(hào)被用在多數(shù)層中以幫助對(duì)準(zhǔn)不同的特征。
磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)裝置一般的處理是利用在被形成磁性金屬堆棧上的結(jié)構(gòu)，磁性堆棧是由許多不同金屬層與總厚度為幾十個(gè)奈米的一介電薄層，此磁性裝置系被建構(gòu)在嵌入在內(nèi)層介電層(ILD)材料中的銅質(zhì)信道(copper channel)頂部。因?yàn)榇硕褩＃瑢?duì)光而言是無法通透的，在此層進(jìn)行微影需要表面型態(tài)特征以對(duì)準(zhǔn)與覆蓋量測記號(hào)在該層上，一般此位于下面的層具有一化學(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanical polish，CMP)處理，形成此對(duì)準(zhǔn)記號(hào)通常系藉由額外的微影與反應(yīng)性離子蝕刻(reactive ion etch，RIE)步驟，在看的見銅與介電圖樣的該化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)完成的表面產(chǎn)生記號(hào)而完成。然而，附加的反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)與隨后的清潔步驟會(huì)提高費(fèi)用與增加在化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)處理層上產(chǎn)生粒子的機(jī)會(huì)。
發(fā)明概述藉由本案的揭露，通?？山鉀Q或是防止此等與其它的問題發(fā)生并且具有技術(shù)上的優(yōu)點(diǎn)。
在本案一較佳實(shí)施例之結(jié)構(gòu)中，用來對(duì)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)包含一第一金屬層，此第一金屬層具有一位于此結(jié)構(gòu)頂部下方且與頂部的距離為x的一頂部表面，以及一第二金屬層，系由此結(jié)構(gòu)的頂部往下延伸一距離y，其中距離y系小于距離x，一通孔(via)則被用來連接第一金屬層與第二金屬層。為了對(duì)準(zhǔn)的目的，亦包含由該結(jié)構(gòu)的頂部延伸至少一x深度的一個(gè)對(duì)準(zhǔn)記號(hào)。一非透明堆棧層被沉積在此結(jié)構(gòu)的頂部，隨著堆棧層符合對(duì)準(zhǔn)記號(hào)的形狀，藉以使該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)看得見而可辨識(shí)。
用來產(chǎn)生具有且使用對(duì)準(zhǔn)記號(hào)的半導(dǎo)體裝置的一種較佳的方法包含形成一第一介電層、蝕刻具有預(yù)先決定尺寸的一溝槽(trench)至介電層內(nèi)以及沉積一第一金屬層至該溝槽。在第一介電層上與在第一金屬層上形成一第二介電層且信道(channels)被蝕刻至第二介電層，而至少一個(gè)信道被用來當(dāng)作一通孔延伸至該第一金屬層。在信道被蝕刻至第二介電層的同時(shí)，一開口亦被蝕刻，以至于此開口延伸穿過第二介電層，藉以使此開口的底部表面與第一金屬層的頂部表面共面，此等信道與開口會(huì)填滿金屬且第二介電層表面的剩余部分則被鍍以金屬，此充填步驟被控制來填滿信道與未填滿的該開口。金屬板的化學(xué)機(jī)械研磨提供了一個(gè)平的表面，其上可用來沉積一層(layers)的非透明堆棧。在層的非透明堆棧之沉積期間，層的非透明堆棧符合在充填的開口下的表面，結(jié)果產(chǎn)生在層的非透明堆棧上的一對(duì)準(zhǔn)記號(hào)。
本案的一個(gè)較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是，其并不需要會(huì)是昂貴的與增加在化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)處理層上產(chǎn)生粒子的機(jī)會(huì)之額外的反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)與隨后的清潔步驟。
本案較佳實(shí)施例的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，在非透明層上微影的對(duì)準(zhǔn)是直接在下面的金屬層進(jìn)行，此可降低引入中間對(duì)準(zhǔn)記號(hào)的覆蓋不精確性，此中間對(duì)準(zhǔn)記號(hào)是對(duì)準(zhǔn)金屬，然后被用來做為在非透明層頂部微影的對(duì)準(zhǔn)參考。
本案較佳實(shí)施例的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，對(duì)準(zhǔn)記號(hào)不會(huì)除去在該結(jié)構(gòu)上額外的空間，典型地，額外的微影與蝕刻步驟將需要產(chǎn)生一組新的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)，因而需要在芯片上額外的空間。
本案較佳實(shí)施例的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，其減少金屬暴露在額外的反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)步驟時(shí)被氧化的機(jī)會(huì)。
以上所述對(duì)本案的特征與技術(shù)上的優(yōu)點(diǎn)概括的描述，將可由以下本案的詳細(xì)說明而得到充分了解，接下來將對(duì)本案另外的特征與優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步說明，此特征與優(yōu)點(diǎn)則形成本案專利申請(qǐng)范圍之標(biāo)的。熟習(xí)此技藝之人士應(yīng)可了解，本案所揭露的概念與具體的實(shí)施例可容易地被當(dāng)成一個(gè)根據(jù)而可加以修飾或設(shè)計(jì)其它的結(jié)構(gòu)或制程，以實(shí)行與本案相同的目的。熟習(xí)此技藝之人士亦應(yīng)了解此類相等的建構(gòu)，得由熟悉此技藝之人任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請(qǐng)范圍所欲保護(hù)者。
圖標(biāo)簡單說明本案以上所述的特征將可由以下的實(shí)施例說明與參考圖標(biāo)之特征而得到充分了解。
第一圖A與第一圖B顯示根據(jù)本案結(jié)構(gòu)的一較佳實(shí)施例；第二圖A至K顯示根據(jù)本案方法的一較佳實(shí)施例；第三圖A與第三圖B顯示根據(jù)本案方法的另一較佳實(shí)施例；以及第四圖顯示根據(jù)本案方法的另一較佳實(shí)施例，在處理過程的俯視圖。
在不同的圖標(biāo)中，對(duì)應(yīng)的數(shù)字與符號(hào)系與對(duì)應(yīng)的部分相關(guān)聯(lián)，除非用別的方式來表示，所繪制的圖標(biāo)是用來清楚的說明本案較佳實(shí)施例有關(guān)的觀點(diǎn)且并非必須按比例來繪制。
較佳實(shí)施例說明以下將詳細(xì)討論本案較佳實(shí)施例的制造與利用。然而，應(yīng)可領(lǐng)會(huì)本案提供了許多可資應(yīng)用的創(chuàng)造性內(nèi)容，其可廣泛的應(yīng)用本案而被具體化，但并非用以限制本案的范圍。
例如，本案提供在制程期間，一半導(dǎo)體裝置的不同的層中有助于對(duì)準(zhǔn)特征的一個(gè)對(duì)準(zhǔn)記號(hào)的制造方法。本案較佳實(shí)施例中容許先前層的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)不用另外的制程步驟而直接的進(jìn)入磁性堆棧層中，雖然本案將在磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)的背景與金屬-絕緣體-金屬電容器(metal-insulator-metal capacitor，MIMCAP)應(yīng)用中來討論，但本案亦可在利用在其它應(yīng)用方面。
第一圖A系顯示本案較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)10，結(jié)構(gòu)10包含一基質(zhì)11與在基質(zhì)11中形成的一第一金屬層12，第一金屬層12具有一頂部表面14且在結(jié)構(gòu)10頂部13以下距離為x處。一第二金屬層16也在基質(zhì)11中形成，由基質(zhì)10頂部往下延伸以距離y，其中距離y小于距離x，通孔(vias)18被形成以連接第一金屬層12與第二金屬層16。第一金屬層12與第二金屬層16可由銅、鎢、鋁或者是其某些組合。在結(jié)構(gòu)10中不同層的對(duì)準(zhǔn)是非常重要的，可確保在層與層間對(duì)準(zhǔn)的型式特征以形成一可操作的半導(dǎo)體裝置。因此，一非透明磁性堆棧層22包含一由結(jié)構(gòu)10的頂部13延伸至一個(gè)深度至少為x的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)20，而對(duì)準(zhǔn)記號(hào)20的寬度是由微影中使用的特定步進(jìn)機(jī)(stepper)或是掃描儀來決定，但是該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)20一般將至少有對(duì)準(zhǔn)記號(hào)20深度的2倍深度，此適當(dāng)?shù)厝菰S對(duì)準(zhǔn)記號(hào)20在以下所述之制程期間未完全充滿的填充。非透明磁性堆棧層22設(shè)置在對(duì)準(zhǔn)記號(hào)20、第二金屬層16、通孔18與基質(zhì)11表面21的暴露部分的上方，非透明磁性堆棧層22符合于對(duì)準(zhǔn)記號(hào)20的形狀，由此可清楚的辨識(shí)對(duì)準(zhǔn)記號(hào)20。熟習(xí)此技藝之人士應(yīng)可了解所顯示的結(jié)構(gòu)10是在加工完成的產(chǎn)品中的一個(gè)中間步驟。
第一圖B顯示本案較佳實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)19之平面圖，此記號(hào)包含兩組平行的信道形成一光衍射光柵(light diffractinggrating)，光柵可以具有周期為8μm，例如。對(duì)準(zhǔn)記號(hào)19可被用來將隨后的層對(duì)準(zhǔn)第二金屬層16與通孔18以形成在結(jié)構(gòu)10中之特征的適當(dāng)連接。光柵記號(hào)通常具有兩組互相垂直的信道，這些記號(hào)的類型，因?yàn)槠渚哂泄潭ǖ闹芷谇覍?duì)于因過程不穩(wěn)定所引起線寬的變化并不敏感，通常被用來做為微細(xì)的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)。因此，不管信道的真正寬度為何，其總是被用來作為對(duì)準(zhǔn)的參考。另一方面，其它的結(jié)構(gòu)類型，特別是盒對(duì)盒(box-to-box)結(jié)構(gòu)，在此等圖樣被暴露后，通常被用來檢查對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。
第二圖A至K系顯示本案方法的較佳實(shí)施例。第二圖A顯示制程開始于一半導(dǎo)體基層(未顯示)頂上形成第一介電層26之處，第一介電層26可包含，較佳為例如二氧化硅、絲(SILK)或者是摻氟的氧化物。然后，與金屬線結(jié)構(gòu)(metal wiring structure)一起的溝槽28被蝕刻至第一介電層里(顯示于第二圖B)且以第二圖C所顯示之一第一金屬層30來填滿，而可利用化學(xué)機(jī)械研磨來磨平第一介電層26與第一金屬層30的頂部表面31。如第二圖D所示，一旦第一金屬層30與介電層26共面(co-planned)，一第二介電層32會(huì)于第一介電層26之上與第一金屬層30之上形成。第二介電層32也可包含二氧化硅、絲(SILK)或者是摻氟的氧化物，例如。第一介電層26與第二介電層32較佳為大約9000埃(angstroms)。而后，信道34被蝕刻到第二介電層32中，其系利用，例如，一光阻層33做為已圖樣化的光罩，如第二圖E所示。信道34可以成線條特征，以一第二金屬層來運(yùn)作。
一較佳實(shí)施例中，在一兩個(gè)步驟程序的雙重波紋結(jié)構(gòu)形成之處系顯示于第二圖F與第二圖G。如第二圖F所示，利用一第一光阻層41蝕刻一第一信道40與一開口46，由第二介電層32的頂部表面43往下延伸至一預(yù)先決定的深度d，此深度d小于至第一介電層26的頂部表面31共面的深度(由虛線顯示)，深度d代表將被形成在第一信道40內(nèi)的第二金屬層的厚度。第二步驟中，如第二圖G所示，第二信道44與一開口46藉由一第二光阻層45同時(shí)被蝕刻做為蝕刻光罩。第二光阻層45容許被用來做為通孔的第一信道40之部分得以被延伸，如虛線47所示，但防止被用來做為第二金屬層的第一信道之部分被延伸。第二信道44由第二介電層32的頂部表面43往下延伸至在第一介電層26中的第一金屬層30。第四圖為一俯視圖，其中第二信道44系以圓形的信道顯示，再者，開口46穿越第二介電層32而延伸，藉以使開口46的底部表面48與第一金屬層30的頂部表面28共面，或者是使開口46的底部表面48比第一金屬層30的頂部表面28為深。此兩個(gè)步驟程序結(jié)果產(chǎn)生如第二圖H所示的裝置。
一旦第一信道40、第二信道44與開口46已被蝕刻，如上所述，由具有想要的周期之開口46系列所構(gòu)成的一對(duì)準(zhǔn)記號(hào)可于第二金屬層中形成。第一信道40、第二信道44與開口46的填滿導(dǎo)致一第二介電層32頂部表面43的剩余部分在一區(qū)域R被鍍上金屬50，如第二圖I所示。而金屬50可以是鋁或是鎢，但較佳是銅且其厚度大約從7500至大約8500埃。該填滿步驟可包含分別沉積一線性層(未顯示)至第一信道40、第二信道44，開口46而后在線性層上沉積金屬層50。
開口46具有預(yù)先決定的尺寸與圖樣，如上所述，其系依據(jù)所使用的微影設(shè)備類型而導(dǎo)出。然而，開口46的寬度通常大于開口46深度的兩倍，并且其范圍一般是在大約2至大約6微米(micron meter)之間。第一信道40與第二信道44的尺寸依據(jù)應(yīng)用而有所變化，通常大約在0.2至2微米。當(dāng)開口46填充比后續(xù)的層為低時(shí)，第一信道40與第二信道44應(yīng)被填滿，在此實(shí)例中一非透明堆棧層58在開口46之處有可見的縮格(indention)，此可見的縮格將成為光柵19的形狀，如第一圖B所示。
然而，在后續(xù)的層可被沉積之前，先執(zhí)行一化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)以磨平分別填滿第一信道40、第二信道44與開口46的金屬50與頂部表面43的剩余部分，化學(xué)機(jī)械研磨結(jié)果產(chǎn)生如第二圖J所示之裝置。化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)移除存在于區(qū)域R的金屬50的部分(顯示于第二圖I)，須注意的是因?yàn)殚_口46的寬度與所產(chǎn)生較低的填充，甚至在化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)之后，此特征仍然是非平面的。如第二圖K所示，一但完成研磨，一非透明堆棧層58被沉積在剩余的金屬50與第二介電層32頂部表面43剩余部分之上，藉此非透明堆棧層58符合該未填滿的開口46的形狀，結(jié)果產(chǎn)生在非透明堆棧層58上可見的一對(duì)準(zhǔn)記號(hào)。
在仍然是方法的較佳實(shí)施例中，藉由微影圖樣與蝕刻形成雙重波紋結(jié)構(gòu)之處，當(dāng)作通孔的第二信道44接在當(dāng)作第二金屬層的第一信道40之微影圖樣與蝕刻之后形成，此顯示于第三圖A。第二信道44與開口46被蝕刻至層32總厚度的深度，亦即，達(dá)到第一金屬層30的表面。將做為第二金屬層的第一信道40接著被微影圖樣化，以致于第二信道44由光阻所保護(hù)且在制程的第二步驟中被蝕刻，如第三圖B所示，在此微影圖樣中暴露開口46或是保護(hù)該開口是可隨意的。在高的金屬電鍍厚度之處的狀況中，為了具有表面型態(tài)，開口46深度之需求會(huì)較大。此實(shí)例中，第一信道40的微影將使開口不被光阻所保護(hù)，因此，在線蝕刻后開口46的最終深度是深度d加上通孔深度的總計(jì)，如第三圖B所示。
另一方面，第一信道40的微影圖樣化制程可使開口46受到保護(hù)并因此使開口46的深度相同于第二圖H中的深度。在任一個(gè)實(shí)施例中形成通孔的方法，第二金屬層與開口46是一種兩個(gè)步驟的方法。然而，應(yīng)可領(lǐng)會(huì)形成通孔、第二金屬層與開口46的方法可包含任何數(shù)目的步驟。
本案已經(jīng)以說明性的實(shí)施例來說明，然此說明并非打算被建構(gòu)在一限制的型態(tài)，本案得由熟悉此技藝之人任施匠思而為諸般修飾，再者，本案中的程序步驟次序可由熟悉此技藝之人加以重新排列，但仍然在本案的范圍之內(nèi)，因而任何的修飾或?qū)嵤├圆幻撊绺缴暾?qǐng)范圍所欲保護(hù)者。此外，本案的保護(hù)范圍并不被限定在說明書中所述之程序、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法與步驟等的特定實(shí)施例。同樣地，所附之申請(qǐng)專利范圍打算包含此等的程序、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法與步驟的范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其具有并使用一對(duì)準(zhǔn)記號(hào)，該方法系包含形成一第一介電層；蝕刻具有預(yù)先決定尺寸的一溝槽進(jìn)入該介電層內(nèi)；沉積一第一金屬層進(jìn)入該溝槽內(nèi)；形成一第二介電層在該第一介電層之上方且在該第一金屬層之上方；同時(shí)蝕刻一信道與一開口進(jìn)入該第二介電層內(nèi)，至少一信道被用來當(dāng)作延伸至第一金屬層的一通孔且該開口系穿越該第二介電層而延伸，藉以使該開口的一底部表面與該第一金屬層的一頂部表面共面；以一金屬填充該信道與該開口，并在該第二介電層表面剩余的部分電鍍一金屬，控制該填充步驟以填滿該信道與未填滿該開口；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨該金屬；以及沉積一非透明堆棧層在該金屬與該第二介電層的該表面的該剩余部分上，藉以使該非透明堆棧層符合未填滿的該開口的該表面，產(chǎn)生在該非透明堆棧層上的該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)。
2.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該半導(dǎo)體裝置系為一磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存。
3.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該半導(dǎo)體裝置系為金屬-絕緣體-金屬電容器(Metal-Insulator-Metal capacitor)。
4.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該第一與該第二介電層的形成系藉由一化學(xué)氣相沉積來完成。
5.如申請(qǐng)專利范圍第4項(xiàng)所述之方法，其中該化學(xué)氣相沉積系為一電漿強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
6.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該溝槽、該信道與該開口的該蝕刻系藉由一反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)來完成。
7.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該第一與該第二介電層系由一低介電常數(shù)材料所構(gòu)成。
8.如申請(qǐng)專利范圍第7項(xiàng)所述之方法，其中該低介電常數(shù)材料系選自包含絲、摻氟氧化物與二氧化硅所組成的一群組。
9.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中用以填充與電鍍的該金屬系由一銅所組成。
10.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該填充的步驟系包含(1)沉積一線性層進(jìn)入該信道與該開口；以及(2)沉積一金屬至該線性層上。
11.如申請(qǐng)專利范圍第10項(xiàng)所述之方法，其中該線性層系包含一鉭(tantelum)。
12.如申請(qǐng)專利范圍第10項(xiàng)所述之方法，其中該線性層系包含一氮化鎢。
13.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該電鍍金屬的厚度為大約7500至大約8500埃。
14.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中蝕刻該信道與該開口進(jìn)入該第二介電層系包含(1)于該第二介電層中蝕刻一第一線至一深度，該深度系小于該第一金屬層的該頂部表面的一深度；以及(2)于該第二介電層中蝕刻一第二線至一深度，當(dāng)同時(shí)蝕刻該開口時(shí)，該深度系與該第一金屬層的該頂部表面共面。
15.如申請(qǐng)專利范圍第14項(xiàng)所述之方法，其中蝕刻該第二線的步驟系包含在該第一線相同的位置中蝕刻該第二線，藉以使該第二線有效地延伸該第一線以做為一通孔而使用。
16.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述之方法，其中該開口的一寬度系大于兩倍的該開口的該深度。
17.一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，系包含一基質(zhì)；一第一金屬層，系形成在該基質(zhì)中，該第一金屬層具有位于該結(jié)構(gòu)的一頂部下方且與該頂部的距離為x的一頂部表面；一第二金屬層，系形成在該基質(zhì)中，該第二金屬層由該結(jié)構(gòu)的該頂部往下延伸一距離y，其中該距離y小于該距離x；一通孔，系形成在該基質(zhì)中以連接該第一金屬層與該第二金屬層；一對(duì)準(zhǔn)記號(hào)，系形成在該基質(zhì)中，由該結(jié)構(gòu)的該頂部延伸至少一x深度；以及一非透明堆棧層，系位于該第二金屬層、該通孔與該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)之上方，該堆棧層符合該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)的一形狀，藉以使該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)看得見而可辨識(shí)。
18.如申請(qǐng)專利范圍第17項(xiàng)所述之結(jié)構(gòu)，其中該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)的一寬度系大于兩倍的該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)的該深度。
19.如申請(qǐng)專利范圍第17項(xiàng)所述之結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬層、該第二金屬層與該通孔系由一銅所組成。
20.如申請(qǐng)專利范圍第19項(xiàng)所述之結(jié)構(gòu)，其中一線性層系在該基質(zhì)與該第一金屬層之間以及該第二金屬層、該通孔及該對(duì)準(zhǔn)記號(hào)之間。
21.如申請(qǐng)專利范圍第20項(xiàng)所述之結(jié)構(gòu)，其中該線層系由選自包含鉭、氮化鉭、鎢、鈦與氮化鈦所組成的一群組。
全文摘要
一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其具有一對(duì)準(zhǔn)記號(hào)，該方法系包含形成一第一介電層，其中具有預(yù)先決定尺寸的一溝槽被蝕刻進(jìn)入該介電層內(nèi)并且沉積一第一金屬層進(jìn)入該溝槽內(nèi)；形成一第二介電層在第一介電層之上方且在第一金屬層之上方；同時(shí)蝕刻多數(shù)線與一開口進(jìn)入第二介電層內(nèi)，至少一線被用來當(dāng)作延伸至第一金屬層的一通孔；填充該等線與開口，控制該填充步驟以填滿該線與未填滿開口；進(jìn)行電鍍金屬的化學(xué)機(jī)械研磨；以及沉積一非透明堆棧層在該金屬上藉以使該非透明堆棧層符合未填滿的開口表面，產(chǎn)生在非透明堆棧層上的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)以對(duì)準(zhǔn)后續(xù)的層。
文檔編號(hào)H01L21/3205GK1541415SQ02804076
公開日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2002年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月24日
發(fā)明者寧嵐, 嵐 寧 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司