技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于相變納米線(xiàn)的集成型全光存儲(chǔ)器件及其制備方法，特點(diǎn)是包括波導(dǎo)、與波導(dǎo)兩端相連的布拉格光柵垂直耦合器以及、波導(dǎo)上且與波導(dǎo)平行的相變納米線(xiàn)，其制備方法步驟包括在硅基底上利用曝光刻蝕工藝制備出波導(dǎo)及其兩端的布拉格光柵耦合器，將納米線(xiàn)轉(zhuǎn)移至波導(dǎo)上，并且與波導(dǎo)平行，采用擦/寫(xiě)光脈沖從波導(dǎo)一端的布拉格光柵耦合器耦合至波導(dǎo)，通過(guò)波導(dǎo)上的倏逝場(chǎng)使相變納米線(xiàn)發(fā)生相變，探測(cè)光通過(guò)波導(dǎo)另一端布拉格光柵耦合器耦合至波導(dǎo)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)器件透過(guò)率的變化來(lái)讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，優(yōu)點(diǎn)是本器件可以用于高速、高密度、低功耗的全光網(wǎng)絡(luò)集成存儲(chǔ)芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：呂業(yè)剛;徐培鵬;沈祥;戴世勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：寧波大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611137819
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.12
技術(shù)公布日：2017.06.13