技術(shù)編號：12678588
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于光存儲的納米器件領(lǐng)域，尤其是涉及一種基于相變納米線的集成型全光存儲器件及其制備方法。背景技術(shù)電子芯片在通信電子線路中消耗的能量日益遞增，使得在通信領(lǐng)域基于CMOS處理器的發(fā)展面臨瓶頸。光通信因具有較低的能耗、更快的傳輸速率而備受關(guān)注。光位存儲器的提出對光通信至關(guān)重要，因為電子存儲器和處理器之間的通信難以實現(xiàn)片內(nèi)集成。然而，光存儲器被認(rèn)為是芯片內(nèi)光電器件中最難實現(xiàn)的光部件之一，因為我們需要同時實現(xiàn)高位速率操作、大規(guī)模集成及低功耗性能。目前，國際上已有研究組報道了集成光位存儲芯片。絕大...
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