技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明是一種改善P型NVM存儲器NBTI效應的差分架構(gòu)存儲單元，該存儲單元由P型NVM存儲單元及NBTI恢復電路組成，所述P型NVM存儲單元為浮柵型架構(gòu)或者為基于標準CMOS工藝的邏輯結(jié)構(gòu)NVM存儲單元。本發(fā)明在傳統(tǒng)P型NVM存儲單元的基礎(chǔ)上，采用差分架構(gòu)，保證輸入差分放大器的位線信號的匹配性，增加了存儲單元的可靠性和穩(wěn)定性，同時增加了恢復電路來降低P型NVM在高壓工作之后的NBTI效應影響，可以有效地降低電路功耗，提高存儲器整體的穩(wěn)定性。所述存儲單元穩(wěn)定性得到明顯改進，具有很重要的研究意義和廣闊的市場前景。

技術(shù)研發(fā)人員：翁宇飛;李力南
受保護的技術(shù)使用者：蘇州寬溫電子科技有限公司
文檔號碼：201610884512
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.11
技術(shù)公布日：2017.03.22