技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種單層多晶硅非易失性存儲(chǔ)單元包括耦合電容器、單元晶體管和選擇晶體管。單元晶體管具有浮柵、第一源極和第一漏極。浮柵經(jīng)由耦合電容器耦接到陣列控制柵極/源極線。第一源極耦接到陣列控制柵極/源極線。選擇晶體管具有選擇柵極、第二源極和第二漏極。選擇柵極耦接到字線。第二源極耦接到第一漏極。第二漏極耦接到位線。

技術(shù)研發(fā)人員：崔光一;樸圣根;金南潤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.18
技術(shù)公布日：2017.08.25