該發(fā)明的實施方式涉及具有高頻輔助元件的磁記錄頭及具備其的盤裝置。

背景技術(shù)：

近年來，作為盤裝置，為了謀求磁盤裝置的高記錄密度化、大容量化或小型化，提出垂直磁記錄用的磁頭。在這樣的磁頭中，記錄頭具有：產(chǎn)生垂直方向磁場的主磁極；夾著寫入間隙而配置于該主磁極的尾隨側(cè)的寫入屏蔽磁極；和用于使磁通在主磁極流通的線圈。進而，提出一種高頻輔助頭，其在寫入屏蔽磁極與主磁極之間的寫入間隙設(shè)置高頻振蕩器例如旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器，通過主磁極及寫入屏蔽磁極使電流在旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器流通。

在高頻輔助頭中，高頻振蕩器的旋轉(zhuǎn)注入層及振蕩層被配置于寫入間隙內(nèi)。在這樣的結(jié)構(gòu)的高頻輔助頭中，產(chǎn)生下述現(xiàn)象(旋轉(zhuǎn)波)：與振蕩層的面對置的寫入屏蔽件或主磁極的面附近的磁化，以與振蕩層處的磁化旋轉(zhuǎn)同步的方式搖晃。該旋轉(zhuǎn)波阻礙高頻振蕩器的磁化旋轉(zhuǎn)，有可能抑制輔助效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式提供實現(xiàn)穩(wěn)定的高頻輔助、能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度化的磁記錄頭及具備該磁記錄頭的盤裝置。

實施方式的磁記錄頭具備：空氣支撐面；具有延伸到所述空氣支撐面的前端部的、產(chǎn)生記錄磁場的主磁極；隔著寫入間隙而與所述主磁極的所述前端部對置的、與所述主磁極一起構(gòu)成磁芯的寫入屏蔽件；具有層疊的旋轉(zhuǎn)注入層及振蕩層的、在所述寫入間隙內(nèi)設(shè)置于所述主磁極與寫入屏蔽 件之間的高頻振蕩器，所述高頻振蕩器中，所述振蕩層及旋轉(zhuǎn)注入層分別具有沿與所述空氣支撐面交叉的方向延伸的層疊面；和設(shè)置于所述主磁極及寫入屏蔽件的至少一方的、與所述高頻振蕩器對置的、相對于與所述高頻振蕩器的層疊面交叉的方向具有負的磁各向異性的磁性體層。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式所涉及的硬盤驅(qū)動器(以下，記為HDD)的立體圖。

圖2是表示所述HDD中的磁頭及懸架的側(cè)視圖。

圖3是放大表示所述磁頭的頭部的剖視圖。

圖4是示意性地表示所述磁頭的記錄頭的立體圖。

圖5是放大表示所述記錄頭的ABS側(cè)端部的沿著磁道中心的剖視圖。

圖6是放大表示所述記錄頭的ABS側(cè)端部的從ABS側(cè)觀察的俯視圖。

圖7是放大表示所述記錄頭的ABS側(cè)端部的立體圖。

圖8是示意性地表示所述記錄頭的高頻振蕩器及各向異性磁性體的磁化旋轉(zhuǎn)的圖。

圖9是對與第1實施方式所涉及的記錄頭與比較例所涉及的記錄頭，比較而表示高頻振蕩器(STO)的電流密度與振蕩層的面內(nèi)平均磁化的方向(角度)的關(guān)系的圖。

圖10是放大表示第2實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的沿著磁道中心的剖視圖。

圖11是從ABS側(cè)觀察第2實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的俯視圖。

圖12是放大表示第3實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的沿著磁道中心的剖視圖。

圖13是放大表示第4實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的從ABS側(cè)觀察的俯視圖。

圖14是放大表示第5實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端 部的沿著磁道中心的剖視圖。

圖15是放大表示第6實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的從ABS側(cè)觀察的俯視圖。

圖16是放大表示第7實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的沿著磁道中心的剖視圖。

圖17是放大表示第8實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的沿著磁道中心的剖視圖。

圖18是放大表示第9實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的沿著磁道中心的剖視圖。

圖19是放大表示第9實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的從ABS側(cè)觀察的俯視圖。

圖20是放大表示第10實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的從ABS側(cè)觀察的俯視圖。

圖21是放大表示第11實施方式所涉及的HDD的記錄頭的ABS側(cè)端部的沿著磁道中心的剖視圖。

具體實施方式

以下一邊參照附圖一邊對各種實施方式進行說明。

另外，公開的只不過是一例，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言在發(fā)明的宗旨內(nèi)的適當(dāng)變更的、能夠容易想到的內(nèi)容，當(dāng)然包含于本發(fā)明的范圍中。另外，為了使說明更明確，附圖與實際的方式相比，有時對各部分的寬度、厚度、形狀等進行示意性表示，但只不過是一例，并不對本發(fā)明的解釋進行限定。另外，在本說明書與各圖中，對于與關(guān)于已出現(xiàn)的圖已經(jīng)說明的要素同樣的要素，賦予相同的符號，有時將詳細的說明適當(dāng)省略。

(第1實施方式)

圖1作為盤裝置將第1實施方式所涉及的硬盤驅(qū)動器(HDD)的頂蓋取下而示出內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖2表示上浮狀態(tài)的磁頭。如圖1所示，HDD具備框體10?？蝮w10具有：頂面開口的矩形箱狀的基體12；和通過多個螺紋 件螺紋止動于基體12而閉塞基體12的上端開口的未圖示的頂蓋?；w12具有：矩形狀的底壁12a；和沿著底壁的周緣立起設(shè)置的側(cè)壁12b。頂蓋通過多個螺紋件螺紋止動于基體，閉塞基體的上端開口。

在框體10內(nèi)，作為記錄介質(zhì)，設(shè)置有例如2塊磁盤16及支撐磁盤16及使其旋轉(zhuǎn)的作為驅(qū)動部的主軸馬達18。主軸馬達18配設(shè)于底壁12a上。各磁盤16形成為例如直徑約2.5英寸(6.35cm)，在頂面及底面具有磁記錄層。磁盤16被互相同軸地嵌合于主軸馬達18的未圖示的輪轂(hub)并且由卡簧27夾緊，固定于輪轂。由此，磁盤16被支撐為位于與基體12的底壁12a平行的位置的狀態(tài)。而且，磁盤16通過主軸馬達18以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)。

在框體10內(nèi)，設(shè)置有對磁盤16進行信息的記錄、再現(xiàn)的多個磁頭17、將這些磁頭17支撐得相對于磁盤16移動自如的滑架組件22。另外，在框體10內(nèi)，設(shè)置有：使得滑架組件22進行轉(zhuǎn)動及定位的音圈馬達(以下稱為VCM)24；在磁頭17移動到磁盤16的最外周時將磁頭17保持在從磁盤16離開的卸載位置的斜坡加載機構(gòu)25；在沖擊等作用于HDD時將滑架組件22保持于退避位置的閂鎖機構(gòu)26；及安裝有轉(zhuǎn)換連接器等電子部件的柔性印刷電路基板(FPC)單元21。

在基體12的外側(cè)的面，螺紋止動有未圖示的控制電路基板，位于與底壁12a對置的位置?？刂齐娐坊褰?jīng)由FPC單元21控制主軸馬達18、VCM24及磁頭17的動作。

滑架組件22具備：被固定于基體12的底壁12a上的軸承部28；從軸承部28延伸的多個臂32；和能夠彈性變形的細長的板狀的懸架34。在各懸架34的延伸端支撐有磁頭17。這些懸架34及磁頭17在中間夾著磁盤16而互相相對。

如圖2所示，各磁頭17構(gòu)成為上浮型的磁頭，具有大致長方體形狀的滑塊42和設(shè)置于該滑塊的流出端(尾隨端)的記錄再現(xiàn)用的頭部44。磁頭17被固定于設(shè)置于懸架34的前端部的萬向彈簧41。如圖1及圖2所示，各磁頭17經(jīng)由被固定于懸架34及臂32上的布線構(gòu)件35及中繼FPC37 電連接于FPC單元21。

接下來，對磁盤16及磁頭17的構(gòu)成詳細進行說明。圖3是放大表示磁頭17的頭部44及磁盤16的剖視圖。

如圖1至圖3所示，磁盤16具有例如形成為直徑約2.5英寸(6.35cm)的圓板狀、包含非磁性體的基板101。在基板101的各表面，按順序?qū)盈B有：作為基底層的包含顯現(xiàn)軟磁特性的材料的軟磁性層102；在其上層部的、在相對于盤面垂直方向上具有磁各向異性的磁記錄層103；在其上層部的保護膜層104。

如圖2及圖3所示，磁頭17的滑塊42由例如氧化鋁和碳化鈦的燒制體(AlTiC)形成，頭部44通過將薄膜層疊而形成?；瑝K42具有與磁盤16的表面對置的矩形狀的盤對置面(空氣支撐面(ABS))43?；瑝K42通過因磁盤16的旋轉(zhuǎn)而在盤表面與ABS43之間產(chǎn)生的空氣流C而上浮。空氣流C的方向與磁盤16的旋轉(zhuǎn)方向B一致。滑塊42被配置成，相對于磁盤16表面，ABS43的較長方向與空氣流C的方向大致一致。

滑塊42具有位于空氣流C的流入側(cè)的前導(dǎo)端42a及位于空氣流C的流出側(cè)的尾隨端42b。在滑塊42的ABS43，形成有未圖示的前導(dǎo)梯級、尾隨梯級、側(cè)梯級、負壓腔等。

如圖3所示，頭部44具有通過薄膜加工形成于滑塊42的尾隨端42b的讀取頭54及記錄頭(磁記錄頭)58，作為分離型的磁頭而形成。讀取頭54及記錄頭58除了露出于滑塊42的ABS43的部分，由保護絕緣膜76覆蓋。保護絕緣膜76構(gòu)成頭部44的外形。

讀取頭54由顯現(xiàn)磁阻效應(yīng)的磁性膜55和以夾著磁性膜55的方式配置于該磁性膜的尾隨側(cè)及前導(dǎo)側(cè)的屏蔽膜56、57構(gòu)成。這些磁性膜55、屏蔽膜56、57的下端露出于滑塊42的ABS43。

記錄頭58相對于讀取頭54設(shè)置于滑塊42的尾隨端42b側(cè)。圖4是示意性地表示記錄頭58及磁盤16的立體圖，圖5是放大表示記錄頭58的磁盤16側(cè)的端部的沿著磁道中心的剖視圖，圖6是放大表示記錄頭58的磁盤16側(cè)的端部的立體圖。

如圖3至圖5所示，記錄頭58具有：主磁極60，其產(chǎn)生相對于磁盤16的表面垂直的方向的記錄磁場，包含高飽和磁化材料；尾隨屏蔽件(寫入屏蔽件)62，其被配置于主磁極60的尾隨側(cè)，為了經(jīng)由主磁極60正下的軟磁性層102有效率地將磁路關(guān)閉而設(shè)置，包含軟磁性材料；記錄線圈64，其在向磁盤16寫入信號時，為了使磁通在主磁極60中流通而配置為卷繞于包括主磁極60及尾隨屏蔽件62的磁芯(磁回路)；和高頻振蕩器例如旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器(STO)65，其被配置于主磁極60的ABS43側(cè)的前端部60b與尾隨屏蔽件62之間且面向ABS43的部分，包含非磁性導(dǎo)電體。

包含軟磁性材料而形成的主磁極60相對于磁盤16的表面及ABS43大致垂直地延伸。主磁極60的ABS43側(cè)的下端部具有：前端向ABS43變細且在磁道寬度方向上收縮為漏斗狀的收縮部60a；和從該收縮部60a延伸到ABS43的預(yù)定寬度的前端部60b。前端部60b的前端即下端露出于磁頭的ABS43。前端部60b的磁道寬度方向T1的寬度與磁盤16中的磁道的寬度TW大致對應(yīng)。另外，主磁極60具有相對于ABS43大致垂直地延伸、朝向尾隨側(cè)的屏蔽件側(cè)端面60c。

包含軟磁性材料而形成的尾隨屏蔽件62大致形成為L形狀，具有：隔著寫入間隙而與主磁極60的前端部60b對置的前端部62a；和從ABS43離開并且連接于主磁極60的連接部(后間隙部)50。連接部50經(jīng)由非導(dǎo)電體52連接于主磁極60的上部即從ABS43向進深側(cè)或上方離開的上部。

尾隨屏蔽件62的前端部62a形成為細長的矩形狀。尾隨屏蔽件62的下端面露出于滑塊42的ABS43。前端部62a的前導(dǎo)側(cè)端面(主磁極側(cè)端面)62b相對于ABS43大致垂直地延伸，并且沿著磁盤16的磁道的寬度方向延伸。該前導(dǎo)側(cè)端面62b，在主磁極60的下端部(前端部60b及收縮部60a的一部分)，隔著寫入間隙WG而與主磁極60的屏蔽件側(cè)端面60c大致平行地對置。

如圖5、圖6及圖7所示，STO65在寫入間隙WG內(nèi)，被設(shè)置于主磁極60的前端部60b與尾隨屏蔽件62之間，其一部分露出于ABS43。STO65具有旋轉(zhuǎn)注入層65a、中間層(非磁性導(dǎo)電層)65b、振蕩層65c，通過將 這些層從主磁極60側(cè)向尾隨屏蔽件62側(cè)按順序?qū)盈B即沿著磁頭的移動方向D按順序?qū)盈B而構(gòu)成。旋轉(zhuǎn)注入層65a經(jīng)由非磁性導(dǎo)電層(基底層)67a接合于主磁極60的屏蔽件側(cè)端面60c。振蕩層65c經(jīng)由非磁性導(dǎo)電層(覆蓋層)67b接合于尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b。另外，旋轉(zhuǎn)注入層65a、中間層65b、振蕩層65c的層疊順序也可以與上述相反，即，也可以從尾隨屏蔽件62側(cè)向主磁極60側(cè)按順序?qū)盈B。

旋轉(zhuǎn)注入層65a、中間層65b、振蕩層65c分別具有向與ABS43交叉的方向例如正交的方向延伸的層疊面或膜面。STO65的下端面露出于ABS43，與該ABS43形成為同一面。STO65的寬度SW設(shè)定為與磁道寬度TW大致相等或比磁道寬度TW小。STO65的高度(相對于ABS43垂直的方向的高度)SH形成為與尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b的高度大致相等或為其以下。

在與STO65對置的尾隨屏蔽件62及主磁極60的至少一方，設(shè)置有磁性體層(磁各向異性磁性體)82，與STO65對置。在本實施方式中，磁性體層82被設(shè)置于尾隨屏蔽件62的前端部內(nèi)。磁性體層82被形成為例如矩形狀，露出于前導(dǎo)側(cè)端面62b及ABS43。即，磁性體層82的側(cè)面及底面構(gòu)成前導(dǎo)側(cè)端面62b的一部分及ABS43的一部分。

磁性體層82為相對于與STO65的振蕩層65c的膜面(層疊面)交叉的方向例如正交的方向具有負的磁各向異性的磁性體。換而言之，磁性體層82包含與振蕩層65c的膜面正交的方向為難磁化軸方向的磁性體而形成。作為具有這樣的負的磁各向異性的磁性體，能夠使用例如hcp－CoIr合金。

與STO65對置的磁性體層82的對置面的面積即露出于前導(dǎo)側(cè)端面62b的磁性體層82的面積，形成為比振蕩層65c的對置面(膜面)的面積大。例如，在前導(dǎo)側(cè)端面62b，磁性體層82的高度(從ABS43朝向進深方向的高度)MH形成得比STO65的高度SH大。在前導(dǎo)側(cè)端面62b，磁性體層82的寬度(沿著磁道寬度方向T1的寬度)MW形成得比STO65的寬度SW大。由此，磁性體層82與STO65的層疊面整個面對置，并且 越過STO65的側(cè)緣而向上方及寬度方向兩側(cè)延伸。

另外，磁性體層82的厚度即與STO65的膜面正交的方向的厚度，能夠任意地調(diào)整。

另一方面，如圖3所示，主磁極60及尾隨屏蔽件62經(jīng)由布線66、連接端子70、72連接于電源74，構(gòu)成從該電源74通過布線66、主磁極60、STO65、尾隨屏蔽件62串聯(lián)地通入電流Iop的電流回路。

記錄線圈64例如在主磁極60與尾隨屏蔽件62之間繞連接部50地卷繞。記錄線圈64經(jīng)由布線77連接于端子78，在該端子78連接有第2電源80。從第2電源80向記錄線圈64供給的記錄電流Iw通過HDD的控制部控制。在向磁盤16寫入信號時，從第2電源80向記錄線圈64供給預(yù)定的記錄電流Iw，使磁通在主磁極60中流通，產(chǎn)生記錄磁場。

根據(jù)如以上那樣構(gòu)成的HDD，通過驅(qū)動VCM24，滑架組件22轉(zhuǎn)動，磁頭17移動到磁盤16的所希望的磁道上，并被定位。另外，如圖2所示，磁頭17通過因磁盤16的旋轉(zhuǎn)而在盤表面與ABS43之間產(chǎn)生的空氣流C而上浮。HDD動作時，滑塊42的ABS43相對于盤表面確保間隙地對置。在該狀態(tài)下，相對于磁盤16，通過讀取頭54進行記錄信息的讀取，并且通過記錄頭58進行信息的寫入。

在信息的寫入中，如圖3所示，從電源74向主磁極60、STO65、尾隨屏蔽件62通入直流電流，從STO65產(chǎn)生高頻磁場，將該高頻磁場向磁盤16的磁記錄層103施加。另外，通過使交流電流從電源80向記錄線圈64流通，通過記錄線圈64對主磁極60勵磁，從該主磁極60向正下的磁盤16的記錄層103施加垂直方向的記錄磁場。由此，在磁記錄層103以所希望的磁道寬度記錄信息。通過使高頻磁場與記錄磁場重疊，能夠促進磁記錄層103的磁化反轉(zhuǎn)，進行高磁各向異性能量的磁記錄。另外，通過使電流從主磁極60到尾隨屏蔽件62流通，能夠消除主磁極60內(nèi)的磁區(qū)的紊亂，能引導(dǎo)效率較好的磁路，從主磁極60的前端產(chǎn)生的磁場變強。

進而，根據(jù)上述的實施方式，在記錄頭58，在與STO65的振蕩層65c對置的尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b設(shè)置有具有負的磁各向異性的磁 性體層82。如圖8中示意性地表示地，磁性體層82的難磁化軸方向D1變?yōu)榕cSTO65的膜面垂直的方向。因此，對于高頻響應(yīng)，磁性體層82的難磁化軸方向D1變?yōu)榕c振蕩層65c的磁化膜面旋轉(zhuǎn)R1正交的方向，尾隨屏蔽件62內(nèi)的磁化不會與振蕩層65c的磁化聯(lián)動而變動。即，尾隨屏蔽件62內(nèi)的STO對置面處的磁化旋轉(zhuǎn)(旋轉(zhuǎn)波)得到抑制。因此，不會被這樣的旋轉(zhuǎn)波阻礙，振蕩層65c的磁化旋轉(zhuǎn)變得良好，STO65的振蕩磁場增大。結(jié)果，從STO65向磁盤施加的磁場輔助效果增大，記錄能力增大，由此能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度。

圖9是對于第1實施方式所涉及的記錄頭與不具有磁各向異性磁性體層的比較例所涉及的記錄頭，比較按與STO的振蕩層的膜面大致垂直的方向施加的直流電流的STO電流密度和相對于與膜面垂直的方向的振蕩層的磁化的磁化角度的關(guān)系而表示的圖。從該圖可知，如果磁化角度朝向從與膜面垂直的方向旋轉(zhuǎn)90°方向而在振蕩層的膜面內(nèi)旋轉(zhuǎn)時，可得到STO的振蕩層的良好的振蕩，即，可通過較低的電流密度得到振蕩。在比較例中，即使電流密度升高，磁化角度也沒有達到90°，停留在70°左右。與此相對，可知，在本實施方式的記錄頭中，以較低的電流密度，磁化角度朝向90°而進行良好的振蕩。

從以上情況可知，根據(jù)本實施方式，能夠提供實現(xiàn)穩(wěn)定的高頻輔助、能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度化的磁記錄頭及具備該磁記錄頭的盤裝置。

接下來，對其他的實施方式所涉及的HDD的磁記錄頭進行說明。另外，在以下說明的其他的實施方式中，對于與前述的第1實施方式相同的部分，賦予相同的參照符號而將其詳細的說明省略，以與第1實施方式不同的部分為中心詳細進行說明。

(第2實施方式)

圖10是放大表示第2實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的沿著磁道中心的剖視圖，圖11是從ABS側(cè)觀察磁記錄頭的前端部的俯視圖。根據(jù)本實施方式，在尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b設(shè)置有磁性體層82，與STO65對置。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的 膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的高度MH比振蕩層65c的高度SH高，且磁性體層82的磁道寬度方向的寬度MW比振蕩層65c的寬度SW大。進而，磁性體層82的磁道寬度方向的兩端部的厚度形成得比磁道寬度方向的中央部的厚度厚。即，在前導(dǎo)側(cè)端面62b，與STO65相接的部分形成為凹處84。在第2實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

(第3實施方式)

圖12是放大表示第3實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的沿著磁道中心的剖視圖。根據(jù)本實施方式，在尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b設(shè)置有磁性體層82，與STO65對置。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的高度MH比振蕩層65c的高度SH高，且磁性體層82的磁道寬度方向的寬度比振蕩層65c的寬度大。進而，磁性體層82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比下部的厚度厚。即，在前導(dǎo)側(cè)端面62b，與STO65相接的部分形成為凹處，位于比STO65靠上部的位置的部分向STO側(cè)突出。在第3實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

(第4實施方式)

圖13是從ABS側(cè)觀察第4實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的俯視圖。根據(jù)本實施方式，在尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b設(shè)置有磁性體層82，與STO65對置。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的高度比振蕩層65c的高度高，且磁性體層82的磁道寬度方向的寬度MW比振蕩層65c的寬度SW大。進而，磁性體層82的磁道寬度方向的兩端部的厚度形成得比磁道寬度方向的中央部(與STO65對置的區(qū)域)的厚度厚。根據(jù)本實施方式，磁性體層82露出的前導(dǎo)側(cè)端面62b形成為平坦，位于與該前導(dǎo)側(cè)端面62b相反側(cè)的磁性體層82的端面的寬度方向中央部向前導(dǎo)側(cè)端面62b凹陷。在第4實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

(第5實施方式)

圖14是放大表示第5實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的沿著磁道中心的剖視圖。根據(jù)本實施方式，在尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b設(shè)置有磁性體層82，與STO65對置。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的高度MH比振蕩層65c的高度SH高，且磁性體層82的磁道寬度方向的寬度比振蕩層65c的寬度大。進而，磁性體層82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比下部的厚度厚。根據(jù)本實施方式，磁性體層82露出的前導(dǎo)側(cè)端面62b形成為平坦，位于與該前導(dǎo)側(cè)端面62b相反側(cè)的磁性體層82的端面的下半部(ABS43側(cè)的下半部，與STO65對置的區(qū)域)向前導(dǎo)側(cè)端面62b凹陷。在第5實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

根據(jù)上述的第2至第5實施方式，代替通過減薄磁性體層82的與STO65相接的部分來抑制由磁性體層82引起的間隙磁場的降低，而通過加厚位于從STO65偏離的位置的寬度方向兩端部或上端部來能夠有效地抑制旋轉(zhuǎn)波的產(chǎn)生。此外，在第2至第5實施方式，也可得到與前述的第1實施方式同樣的作用效果。

(第6實施方式)

圖15是從ABS側(cè)觀察第6實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的俯視圖。根據(jù)本實施方式，在尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b設(shè)置有磁性體層82，與STO65對置。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的磁道寬度方向的寬度MW比振蕩層65c的寬度SW大。在形成前導(dǎo)側(cè)端面62b的磁性體層82，與STO65相接的部分形成為凹處84。換而言之，磁性體層82的磁道寬度方向的兩端部向STO65側(cè)彎曲。另外，磁性體層82的厚度(膜厚)在磁道寬度方向的整個寬度的范圍形成為一定。在第6實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

(第7實施方式)

圖16是放大表示第7實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的沿著磁道中心的剖視圖。根據(jù)本實施方式，磁性體層82被設(shè)置于主磁極60側(cè)。即，磁性體層82被設(shè)置于主磁極60的前端部60b，與STO65對置，并且露出于屏蔽件側(cè)端面60c及ABS43。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的高度MH比振蕩層65c的高度SH高，另外，磁性體層82的磁道寬度方向的寬度比振蕩層65c的寬度大。由磁性體層82構(gòu)成的屏蔽件側(cè)端面60c形成為平坦，另外，磁性體層82的膜厚形成為一定。在第7實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

(第8實施方式)

圖17是放大表示第8實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的沿著磁道中心的剖視圖。根據(jù)本實施方式，磁性體層82被設(shè)置于主磁極60的前端部60b，與STO65對置，并且露出于屏蔽件側(cè)端面60c及ABS43。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的高度MH比振蕩層65c的高度SH高，另外，磁性體層82的磁道寬度方向的寬度比振蕩層65c的寬度大。進而，磁性體層82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比與STO65對置的下半部的厚度厚。根據(jù)本實施方式，磁性體層82露出的屏蔽件側(cè)端面60c形成為平坦，位于與該屏蔽件側(cè)端面60c相反側(cè)的磁性體層82的端面的下半部(ABS43側(cè)的下半部，與STO65對置的區(qū)域)向屏蔽件側(cè)端面60c凹陷。在第8實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

(第9實施方式)

圖18是放大表示第9實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的沿著磁道中心的剖視圖，圖19是從ABS側(cè)觀察磁記錄頭的前端部的俯視圖。根據(jù)本實施方式，與STO65對置的主磁極60的屏蔽件側(cè)端面60c的ABS側(cè)端部以及與STO65對置的尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b的下半部，相對于與ABS43垂直的平面向尾隨側(cè)傾斜。與此相應(yīng)，在寫入間隙WG內(nèi)設(shè)置于主磁極60的屏蔽件側(cè)端面60c與尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端 面62b之間的STO65的各層的膜面(層疊面)也相對于與ABS43垂直的平面向尾隨側(cè)傾斜。

在尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b設(shè)置有磁性體層82，露出于前導(dǎo)側(cè)端面62b及ABS43，并且與STO65對置。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的高度MH比振蕩層65c的高度SH高，另外，磁性體層82的磁道寬度方向的寬度MW形成為振蕩層65c的寬度SW以上。磁性體層82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比與STO65對置的下半部的厚度厚。進而，形成前導(dǎo)側(cè)端面62b的磁性體層82以與STO65相接的部分成為凹處84的方式彎曲。另外，磁性體層82的磁道寬度方向的兩端部的厚度也可以形成得比磁道寬度方向的中央部的厚度厚。在第9實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

(第10實施方式)

圖20是從ABS側(cè)觀察第10實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的俯視圖。根據(jù)本實施方式，磁記錄頭58進而具備隔著間隙而配置于主磁極60的前導(dǎo)側(cè)的前導(dǎo)屏蔽件90及隔著間隙而配置于主磁極60的寬度方向兩側(cè)的一對側(cè)屏蔽件92。前導(dǎo)屏蔽件90及側(cè)屏蔽件92與尾隨屏蔽件62形成為一體，通過它們，包圍主磁極60的前端部60b及寫入間隙WG。

在尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b及位于STO65的寬度方向兩側(cè)的側(cè)屏蔽件92的與STO65對置的對置面92a，連續(xù)設(shè)置有磁性體層82，與STO65對置。磁性體層82相對于與STO65的振蕩層65c的膜面(層疊面)垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82的磁道寬度方向的寬度MW比振蕩層65c的寬度SW大。磁性體層82的與STO65對置的對置面的面積比振蕩層65c的對置面(層疊面)的面積大。磁性體層82的厚度(膜厚)可以在磁道寬度方向的整個寬度的范圍形成為一定，或者也可以將磁道寬度方向的兩端部或高度方向的上端部形成得較厚。在第10實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

(第11實施方式)

圖21是放大表示第11實施方式所涉及的HDD中的磁記錄頭的前端部的沿著磁道中心的剖視圖。根據(jù)本實施方式，在尾隨屏蔽件62的前導(dǎo)側(cè)端面62b設(shè)置有磁性體層82，與STO65對置。另外，磁性體層(磁各向異性磁性體)82b被設(shè)置于主磁極60的前端部60b，與STO65對置，并且露出于屏蔽件側(cè)端面60c及ABS43。磁性體層82、82b相對于與STO65的振蕩層65c的膜面垂直的方向具有負的磁各向異性。磁性體層82、82b的高度MH1、MH2比振蕩層65c的高度SH高，另外，磁性體層82、82b的磁道寬度方向的寬度分別被形成為振蕩層65c的寬度以上的大小。

磁性體層82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比與STO65對置的下半部的厚度厚。磁性體層82b在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比與STO65對置的下半部的厚度厚。在第11實施方式中，HDD的其他的構(gòu)成與前述的第1實施方式相同。

根據(jù)上述的第6至第11實施方式，與第1實施方式同樣，通過具有負的磁各向異性的磁性體層82、82b，能夠抑制尾隨屏蔽件及/或主磁極的STO對置面處的磁化旋轉(zhuǎn)(旋轉(zhuǎn)波)，能夠使STO的磁化旋轉(zhuǎn)良好。結(jié)果，從STO向磁盤施加的磁場輔助效果增大，記錄能力增大，由此能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度。

本發(fā)明并不限定于上述實施方式原樣不變，在實施階段在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)能夠?qū)?gòu)成要素進行變形而具體化。另外，通過上述實施方式所公開的多個構(gòu)成要素的適當(dāng)?shù)慕M合，能夠形成各種發(fā)明。例如，也可以從實施方式所示的所有構(gòu)成要素中刪除幾個構(gòu)成要素。進而，也可以將不同的實施方式中的構(gòu)成要素適當(dāng)組合。

例如構(gòu)成頭部的要素的材料、形狀、大小等能夠根據(jù)需要而變更。記錄頭的磁各向異性的磁性體，只要與高頻振蕩器對置的對置面的面積為高頻振蕩層的膜面(層疊面)的面積以上即可，其形狀并不限定于矩形狀，能夠為任意的形狀。在磁盤裝置中，磁盤及磁頭的數(shù)目能夠根據(jù)需要而增加，磁盤的尺寸也能夠進行各種選擇。