本實施方式涉及磁盤裝置及寫入控制方法。

背景技術(shù)：

近年來，為了實現(xiàn)記錄裝置的一例即磁盤裝置(以下也稱為硬盤驅(qū)動器(HDD))的高記錄容量化而開發(fā)了多種技術(shù)。在該磁盤裝置中，在作為寫入數(shù)據(jù)的對象的磁道(以下簡稱為寫入對象磁道)反復寫入數(shù)據(jù)的情況下，發(fā)生因頭的漏磁例如被稱為相鄰磁道干擾(ATI)的磁干擾等的影響而消除(擦除)目標磁道的周圍磁道的數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)劣化的現(xiàn)象。作為該現(xiàn)象的對策，在對某記錄區(qū)域所寫入的次數(shù)(寫入次數(shù))超過規(guī)定次數(shù)的情況下，進行重寫數(shù)據(jù)的處理(刷新處理)。到執(zhí)行刷新為止的寫入次數(shù)的閾值有時按每個記錄區(qū)域預先在制造工序內(nèi)確定。

此外，寫入工作時對于相鄰磁道的數(shù)據(jù)劣化的影響因?qū)懭霑r的頭的定位精度(偏離磁道(off track)或偏移量)而變化，偏離磁道量越大則對偏離磁道側(cè)的相鄰磁道的影響越大。作為該對策，已知有在寫入時超過預先確定的偏離磁道量的情況下進行禁止寫入的處理的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式提供能保護寫入對象磁道以外的其他磁道的數(shù)據(jù)的磁盤裝置及寫入控制方法。

實施方式的磁盤裝置具備：盤，其具有多個磁道；頭，其對所述盤進行寫入和讀取；和控制器，其將對所述多個磁道所包括的一個磁道寫入數(shù)據(jù)時的所述頭的偏離磁道，在基于與所述一個磁道不同的至少一個其他磁道的計數(shù)值而設定的、所述偏離磁道的大小的容許范圍內(nèi)，進行管理。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式涉及的磁盤裝置的構(gòu)成的框圖。

圖2是表示偏離磁道量的指標的一例的概念圖。

圖3是表示與寫入工作的控制相關(guān)的數(shù)據(jù)組的一例的圖。

圖4是第一實施方式的寫入工作的控制方法的流程圖。

圖5是表示變形例1的數(shù)據(jù)組的一例的圖。

圖6是變形例2的寫入工作的控制方法的流程圖。

具體實施方式

參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式。

(第一實施方式)

圖1是表示第一實施方式涉及的磁盤裝置1的構(gòu)成的框圖。

磁盤裝置1具備：后述的頭盤組件(head-disk assembly：HDA)；驅(qū)動IC20；頭放大器集成電路(以下稱為頭放大器IC)30；易失性存儲器70；非易失性存儲器80；緩沖存儲器(緩存)90；和包括一芯片的集成電路的系統(tǒng)控制器130。此外，磁盤裝置1與主機系統(tǒng)(主機)100連接。

HDA具有：磁盤(以下稱為盤)10；主軸馬達(SPM)12；搭載有頭15的臂13；和音圈馬達(VCM)14。盤10通過主軸馬達12而旋轉(zhuǎn)。臂13及VCM14構(gòu)成了致動器。致動器通過VCM14的驅(qū)動而使搭載于臂13的頭15移動控制到盤10上的指定位置。盤10及頭15設置有一個以上的數(shù)量。

頭15以滑塊為主體，并具備在該滑塊安裝的寫入頭15W和讀取頭15R。讀取頭15R讀取在盤10上的數(shù)據(jù)磁道記錄的數(shù)據(jù)。寫入頭15W在盤10上寫入數(shù)據(jù)。

驅(qū)動IC20按照系統(tǒng)控制器130(具體為后述的MPU60)的控制來控制SPM12及VCM14的驅(qū)動。

頭放大器IC30具有讀取放大器及寫入驅(qū)動器。讀取放大器使由讀取 頭15R讀取的讀取信號放大，并向讀取/寫入(R/W)信道40傳輸。另一方面，寫入驅(qū)動器將相應于從R/W信道40輸出的寫入數(shù)據(jù)的寫入電流向?qū)懭腩^15W傳輸。

易失性存儲器70是在切斷電力供給時所保存的數(shù)據(jù)丟失的半導體存儲器。易失性存儲器70存儲磁盤裝置1的各部的處理所需的數(shù)據(jù)等。易失性存儲器70是例如SDRAM(同步動態(tài)隨機存取存儲器(Synchronous Dynamic Random Access Memory))。

非易失性存儲器80是即使切斷電力供給也會保持所保存的數(shù)據(jù)的半導體存儲器。非易失性存儲器80是例如閃速ROM(Flash Read Only Memory:FROM，閃速只讀存儲器)。

緩沖存儲器90是臨時保持在盤10和主機系統(tǒng)100之間發(fā)送接收的數(shù)據(jù)等的半導體存儲器。再有，緩沖存儲器90可與易失性存儲器70一體配置。緩沖存儲器90是例如DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory))、SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory))、SDRAM、FeRAM(鐵電隨機存取存儲器(Ferroelectric Random Access memory))及MRAM(磁阻隨機存取存儲器(Magnetoresistive Random Access Memory))等。

系統(tǒng)控制器130使用例如將多個元件在單個芯片上集成的被稱為芯片上系統(tǒng)(SoC)的大規(guī)模集成電路(LSI)來實現(xiàn)。系統(tǒng)控制器130包括R/W信道40、硬盤控制器(HDC)50和微處理器(MPU)60。

R/W信道40執(zhí)行讀取數(shù)據(jù)及寫入數(shù)據(jù)的信號處理。

HDC50根據(jù)來自MPU60的指示而控制主機系統(tǒng)100和R/W信道40之間的數(shù)據(jù)傳輸。

MPU60是控制磁盤裝置1的各部分的主控制器。MPU60經(jīng)驅(qū)動IC20來控制VCM14，并執(zhí)行進行頭15的定位的伺服控制。此外，MPU60控制數(shù)據(jù)的讀取/寫入工作。

MPU60包括伺服控制部61、讀取/寫入控制部62和刷新控制部63。再有，MPU60在固件上執(zhí)行該各部的處理。

伺服控制部61伺服控制頭15。此外，伺服控制部61取得頭15的位置信息，并管理頭15相對于盤10的位置。在頭15的位置的管理中，伺服控制部61檢測頭15相對于寫入對象的磁道(以下稱為寫入對象磁道或?qū)ο蟠诺?的定位精度(偏離磁道量或偏移量)。伺服控制部61根據(jù)該檢測結(jié)果判定頭15的偏離磁道量是否超過容許量(容許范圍)。此處，容許量是對與寫入對象磁道不同的磁道(以下稱為其他磁道)不產(chǎn)生需要進行刷新處理程度的影響例如磁影響等的偏離磁道量的范圍。

讀取/寫入控制部62按照來自主機100的命令來控制數(shù)據(jù)的讀取/寫入。讀取/寫入控制部62針對對于特定磁道的寫入次數(shù)(具體地，為基于寫入次數(shù)的計數(shù)值)進行計數(shù)。當頭15在偏離磁道狀態(tài)下寫入數(shù)據(jù)(以下稱為偏離磁道寫入)的情況下，讀取/寫入控制部62將相應于表示偏離磁道的大小的偏離磁道量而加權(quán)的值(相加值)與計數(shù)值相加。此外，讀取/寫入控制部62按照伺服控制部61的判定結(jié)果來停止寫入工作。

刷新控制部63控制：臨時讀取在盤10的預定記錄區(qū)域?qū)懭氲臄?shù)據(jù)并在同一記錄區(qū)域?qū)懭氲闹貙懱幚?刷新處理)。例如，刷新控制部63在預定的磁道的計數(shù)值超過預先設定的邊界值(刷新閾值)的情況下，對該磁道執(zhí)行刷新處理。此外，刷新控制部63在預定的磁道的計數(shù)值接近刷新閾值的情況下也能在計數(shù)值超過刷新閾值前在該磁道執(zhí)行刷新處理。

(寫入工作的控制方法)

參照附圖來說明寫入工作的控制方法。

圖2是表示偏離磁道量的指標的一例的概念圖。

在圖2中，縱向表示盤10的半徑方向，橫向表示盤10的周向。此外，outer表示盤10的半徑方向的外側(cè)的方向，inner表示盤10的半徑方向的內(nèi)側(cè)的方向。在下面，盤10的半徑方向的外側(cè)及內(nèi)側(cè)簡稱為外側(cè)及內(nèi)側(cè)。

在圖2中，由0～100％所示的指標表示以某一寫入對象磁道(Track N)的磁道中心為基準的頭15的搖擺量即頭15的偏離磁道量。例如，偏離磁道量：0％，表示頭15配置于寫入對象磁道的磁道中心上即處于在磁道上(on track)的狀態(tài)。偏離磁道量：100％，表示頭15配置于在寫入對象磁 道的兩側(cè)相鄰的磁道(以下稱為相鄰磁道)的范圍上。此外，實線L1表示頭15(具體為寫入頭15W)的軌跡。點P1表示實線L1上的一點。

例如，如圖2所示，MPU60將盤10的某一寫入對象磁道(Track N)的磁道寬度劃分為多個區(qū)間。MPU60以0～100％的指標表示從磁道中心到磁道寬度的最外周及最內(nèi)周的多個區(qū)間的各位置。MPU60(伺服控制部61)參照位置信息來判定頭15的位置以磁道中心為基準位于內(nèi)側(cè)還是外側(cè)，并以0～100％的指標取得頭15的偏離磁道量。例如，在圖2中，在判定為頭15位于點P1的情況下，MPU60將偏離磁道量取得為15％。

圖3是表示與寫入工作的控制相關(guān)的數(shù)據(jù)組T10的一例的圖。如圖3所示，數(shù)據(jù)組T10包括第一表T11、刷新閾值T13、第二表T15和計算式(計算式信息)T17。

第一表T11存儲各磁道的計數(shù)值。在第一表T11中，Track0、1、2、3及4分別表示盤10上的預定磁道。在第一表T11的附近所示的Inner及Outer分別與圖2所示的Inner及Outer對應。如圖3的從Outer到Inner的箭頭所示，從Track0向Track4表示從外側(cè)到內(nèi)側(cè)的磁道的序號。刷新閾值T13是與刷新處理相關(guān)的邊界值。第二表T15是表示偏離磁道量和相加值的關(guān)系的表。第二表T15中所示的偏離磁道量與圖2所示的0～100％的指標對應。再有，偏離磁道量可由其他單位表示。此處，偏離磁道量和相加值的關(guān)系基于對其他磁道造成的影響的試驗等的結(jié)果來預先設定。計算式T17是用于計算各磁道的剩余值的計算式。此處，剩余值表示計數(shù)值到達刷新閾值為止的剩余的計數(shù)值。

MPU60在寫入工作時將數(shù)據(jù)組T10保持于易失性存儲器70等。MPU60在預定的定時將數(shù)據(jù)組T10寫入盤10的系統(tǒng)區(qū)域或非易失性存儲器80。

MPU60在對寫入對象磁道寫入數(shù)據(jù)時參照第一表T11來取得各磁道的計數(shù)值。MPU60使用計數(shù)值、刷新閾值T13及計算式T17來算出各磁道的剩余值。MPU60參照算出的剩余值和第二表T15來設定偏離磁道的容許量。MPU60基于設定的容許量來控制頭的位置(偏離磁道量)。

MPU60在向?qū)懭雽ο蟠诺缹懭霐?shù)據(jù)時檢測頭15的偏離磁道量。MPU60參照第二表T15而取得與偏離磁道量對應的相加值。MPU60將在第一表T11的預定磁道例如相鄰磁道的計數(shù)值和與該偏離磁道量對應的相加值相加。

MPU60在寫入工作時在偏離磁道量超過容許量的情況下即在其他磁道內(nèi)的某一磁道的計數(shù)值超過刷新閾值的情況下，停止向?qū)懭雽ο蟠诺赖膶懭牍ぷ?，并對超過刷新閾值的磁道執(zhí)行刷新處理。MPU60在刷新處理完成后再次開始向?qū)懭雽ο蟠诺赖膶懭牍ぷ鳌?/p>

例如，在寫入工作時，MPU60參照圖3的數(shù)據(jù)組，來由刷新閾值：1000和在Track2的外側(cè)相鄰的Track1的計數(shù)值：950之差，算出剩余值：50。MPU60將剩余值：50和第二表T15的相加值進行比較，將與不超過剩余值：50的相加值：1及10對應的偏離磁道量0～15％設定為容許量。

同樣地，MPU60由刷新閾值：1000和在Track2的內(nèi)側(cè)相鄰的Track3的計數(shù)值：750之差，算出剩余值：250。MPU60將剩余值：250和第二表T15的相加值進行比較，將與不超過剩余值：250的相加值：1、10及100對應的偏離磁道量0～20％設定為容許量。

例如，MPU60在Track2寫入數(shù)據(jù)時檢測頭15的偏離磁道寫入。在頭15檢測到偏離磁道寫入的情況下，MPU60由Track2的范圍內(nèi)的頭15的位置信息取得偏離磁道量。在檢測到偏離磁道寫入的情況下，MPU60判定頭15的偏離磁道的方向相對于Track2為外側(cè)還是內(nèi)側(cè)。在判定為向外側(cè)偏離磁道的情況下，MPU60參照第二表T15而取得與向外側(cè)的偏離磁道量對應的相加值。MPU60將在第一表T11中的在Track2的外側(cè)相鄰的Track1的計數(shù)值和所取得的相加值相加。

例如，在偏離磁道量為10％的情況下，MPU60將Track1的計數(shù)值：950與相加值：1相加。在偏離磁道量為16％～20％的情況下，MPU60將Track1的計數(shù)值：950與相加值：100相加。再有，在偏離磁道量為0％的情況下即在以在磁道上狀態(tài)寫入(以下稱為在磁道上寫入)的情況下，MPU60可將Track1的計數(shù)值：950及Track3的計數(shù)值：750分別和相加 值：1相加。

例如，在Track2的外側(cè)以偏離磁道量：20％進行偏離磁道寫入的情況下，由于偏離磁道量：20％超過容許量：0～15％，因此MPU60停止對于Track2的寫入工作，并對在Track2的外側(cè)相鄰的Track1執(zhí)行刷新處理。在對Track1的刷新處理完成的情況下，MPU60將第一表T11的Track1的計數(shù)值更新為0。在將Track1的計數(shù)值更新為0后，MPU60再次開始對于Track2的寫入工作。

圖4是本實施方式的寫入工作的控制方法的流程圖。

MPU60在從主機100接收寫入命令時(B401)，按照該寫入命令從表取得其他磁道的計數(shù)值(B402)。例如，MPU60取得寫入對象磁道兩側(cè)相鄰的相鄰磁道的計數(shù)值。

MPU60由刷新閾值和其他磁道的各自的計數(shù)值之差算出各自的剩余值(B403)。例如，MPU60由刷新閾值和寫入對象磁道的兩側(cè)相鄰的相鄰磁道的各自的計數(shù)值之差算出寫入對象磁道的外側(cè)的相鄰磁道的剩余值和內(nèi)側(cè)的相鄰磁道的剩余值。

MPU60參照其他磁道的各自的剩余值和第二表T15來設定容許量(B404)。例如，MPU60參照內(nèi)側(cè)的相鄰磁道及外側(cè)的相鄰磁道各自的剩余值和第二表T15來分別設定內(nèi)側(cè)的相鄰磁道的容許量和外側(cè)的相鄰磁道的容許量。

MPU60基于容許量來執(zhí)行頭15的位置控制(B405)，并向?qū)懭雽ο蟠诺缹懭霐?shù)據(jù)(B406)。

此時，MPU60取得頭15的偏離磁道量(B407)。在檢測為處于在磁道上寫入的情況下，MPU60檢測為偏離磁道量為0％的偏離磁道寫入。此時，MPU60可參照第二表T15而將內(nèi)側(cè)及外側(cè)的兩方的相鄰磁道的計數(shù)值和與0％的偏離磁道量對應的相加值相加。

MPU60在檢測到偏離磁道寫入時判定頭15偏離磁道的方向(B408)。在判定為偏離磁道的方向以磁道中心為基準而為外側(cè)的情況下(B408的外側(cè))，MPU60判定偏離磁道量是否超過寫入對象磁道的外側(cè)的偏離磁道的 容許量(B409)。在判定為偏離磁道量超過寫入對象磁道的內(nèi)側(cè)的偏離磁道的容許量的情況下(B409的“是”)，MPU60停止對于寫入對象磁道的寫入工作(B410)，并對寫入對象磁道的外側(cè)的磁道執(zhí)行刷新處理(B411)。例如，MPU60對在寫入對象磁道的外側(cè)相鄰的一個磁道執(zhí)行刷新處理。

MPU60相應于刷新處理的執(zhí)行來更新外側(cè)的磁道的計數(shù)值(B412)。例如，MPU60將寫入對象磁道的外側(cè)的相鄰磁道的計數(shù)值更新為0。

MPU60對寫入對象磁道再次開始寫入工作(B413)。

在B409中，在判定為頭15的偏離磁道量沒有超過外側(cè)的容許量的情況下(B409的“否”)，MPU60將外側(cè)的磁道的計數(shù)值和與從磁道中心向外側(cè)的偏離磁道量對應的相加值相加(B414)。例如，MPU60將外側(cè)的相鄰磁道的計數(shù)值和與從磁道中心向外側(cè)的偏離磁道量對應的相加值相加。

此外，在B408中，在判定為偏離磁道的方向以磁道中心為基準而為內(nèi)側(cè)的情況下(B408的內(nèi)側(cè))，MPU60判定偏離磁道量是否超過寫入對象磁道的內(nèi)側(cè)的偏離磁道的容許量(B415)。

在判定為偏離磁道量超過寫入對象磁道的內(nèi)側(cè)的偏離磁道的容許量的情況下(B415的“是”)，MPU60停止對于寫入對象磁道的寫入工作(B416)，并對寫入對象磁道的內(nèi)側(cè)的磁道執(zhí)行刷新處理(B417)。例如，MPU60對在寫入對象磁道的內(nèi)側(cè)相鄰的一個磁道執(zhí)行刷新處理。

MPU60相應于刷新處理的執(zhí)行來更新內(nèi)側(cè)的磁道的計數(shù)值(B418)。例如，MPU60將寫入對象磁道的內(nèi)側(cè)的相鄰磁道的計數(shù)值更新為0。

MPU60對寫入對象磁道再次開始寫入工作(B419)。

另外，在B415中，在判定為頭15的偏離磁道量沒有超過內(nèi)側(cè)的偏離磁道的容許量的情況下(B415的“否”)，MPU60將內(nèi)側(cè)的磁道的計數(shù)值和與從磁道中心向內(nèi)側(cè)的偏離磁道量對應的相加值相加(B420)。例如，MPU60將內(nèi)側(cè)的相鄰磁道的計數(shù)值和與從磁道中心向內(nèi)側(cè)的偏離磁道量對應的相加值相加。

MPU60判定是否存在從主機100傳輸?shù)膶懭朊?B421)。在判定為存在從主機100傳輸?shù)膶懭朊畹那闆r下(B421的“是”)，MPU60返回B401的處理。在判定為沒有從主機100傳輸?shù)膶懭朊畹那闆r下(B421的“否”)，MPU60結(jié)束寫入工作的控制。

根據(jù)本實施方式，磁盤裝置1由相鄰磁道的計數(shù)值和刷新閾值之差算出在相鄰磁道直到需要進行刷新處理為止的剩余值，并參照剩余值和第二表T15來設定容許量。磁盤裝置1在頭15的偏移量超過最大容許量的情況下停止對于寫入對象磁道的寫入工作，并對相鄰磁道執(zhí)行刷新處理。因此，磁盤裝置1能抑制大幅超過刷新閾值的寫入工作。其結(jié)果，磁盤裝置1能保護其他磁道的數(shù)據(jù)。

接下來，對第一實施方式涉及的磁盤裝置的幾個變形例進行說明。在第一實施方式的變形例中，對與上述第一實施方式相同的部分標注相同參照標記并省略其詳細說明。

(變形例1)

變形例1的磁盤裝置1中，計數(shù)值的計數(shù)方法不同。

圖5是表示變形例1的數(shù)據(jù)組的一例的圖。

MPU60對受到寫入對象磁道中的偏離磁道寫入的影響例如磁影響的多個磁道的計數(shù)值進行計數(shù)。

在圖5中，MPU60將其他磁道內(nèi)的預定數(shù)量的磁道作為一個組來計數(shù)計數(shù)值。

例如，MPU60將寫入對象磁道的外側(cè)及內(nèi)側(cè)的多個磁道內(nèi)的兩個磁道作為一個組來計數(shù)計數(shù)值。

在圖5中，MPU60選擇Track2來作為寫入對象磁道。MPU60將Track2的外側(cè)的Track0及Track1作為一個組，并將該Track0及Track1的計數(shù)值作為一個組的計數(shù)值來計數(shù)。此外，MPU60將Track2的內(nèi)側(cè)的Track3及Track4作為一個組，并將該Track3及Track4的計數(shù)值作為一個組的計數(shù)值來計數(shù)。

MPU60在以Track2的磁道中心為基準而向外側(cè)偏離磁道的情況下， 在Track0及Track1的各自的計數(shù)值加上相同的相加值。在圖5中，加上了相同的計數(shù)值950。同樣地，MPU60在以Track2的磁道中心為基準而向內(nèi)側(cè)偏離磁道的情況下，在Track3及Track4的各自的計數(shù)值加上相同的相加值。在圖5中，加上了相同的計數(shù)值750。

MPU60在偏離磁道量超過外側(cè)或內(nèi)側(cè)的偏離磁道的容許量的情況下停止向Track2的寫入工作，并對Track0及Track1、或者Track3及Track4執(zhí)行刷新處理。在刷新處理完成后，MPU60將第一表T11的計數(shù)值更新為0，并再次開始向Track2的寫入工作。

再有，MPU60也可單獨計數(shù)寫入對象磁道的外側(cè)及內(nèi)側(cè)的多個磁道的各自的計數(shù)值。此時，MPU60根據(jù)偏離磁道寫入所產(chǎn)生的影響來計數(shù)計數(shù)值。例如，MPU60可將寫入對象磁道的相鄰磁道(以下稱為第一相鄰磁道)的計數(shù)值和次相鄰的磁道(以下稱為第二相鄰磁道)的計數(shù)值作為不同的值來計數(shù)。在該情況下，第一相鄰磁道的計數(shù)值可以是比第二相鄰磁道的計數(shù)值大的值。

MPU60在偏離磁道量超過外側(cè)或內(nèi)側(cè)的偏離磁道的容許量的情況下停止向Track2的寫入工作，并向Track0、Track1、Track3或Track4執(zhí)行刷新處理。在刷新處理完成后，MPU60將第一表T11的計數(shù)值更新為0，并再次開始向Track2的寫入工作。

根據(jù)變形例1，磁盤裝置1能計數(shù)受到寫入對象磁道中的偏離磁道寫入的影響的多個磁道的計數(shù)值。因此，磁盤裝置1能基于受到寫入對象磁道中的偏離磁道寫入的影響的多個磁道的計數(shù)值來抑制寫入工作。其結(jié)果，磁盤裝置1能保護受到寫入對象磁道中的偏移寫入的影響的多個磁道的數(shù)據(jù)。

(變形例2)

變形例2的磁盤裝置1能在向?qū)懭雽ο蟠诺缹懭霐?shù)據(jù)前執(zhí)行向其他磁道的刷新處理。

圖6是變形例2的寫入工作的控制方法的流程圖。在圖6的流程圖中，在與圖4的流程圖相同的處理中，標注相同的參照標記，并省略其詳細說 明。

B405的處理后，MPU60判定在下次寫入中各磁道的計數(shù)值是否會超過刷新閾值(B601)。例如，MPU60根據(jù)計數(shù)值是否達到預定的計數(shù)值來判定在下次寫入中計數(shù)值是否會超過刷新閾值。此外，MPU60也可根據(jù)來自主機100的命令數(shù)量的多少來判定在下次寫入中計數(shù)值是否會超過刷新閾值。

在判定為在下次寫入中其他磁道的計數(shù)值不會超過刷新閾值的情況下(B601的“否”)，MPU60向?qū)懭雽ο蟠诺缹懭霐?shù)據(jù)(B602)。在判定為在下次寫入中其他磁道的計數(shù)值將超過刷新閾值的情況下(B601的“是”)，MPU60向后述的B605處理前進。例如，MPU60在計數(shù)值為999的情況下判定為在下次寫入中計數(shù)值將超過刷新閾值：1000。此外，例如，MPU60從主機100接收到在執(zhí)行了寫入時會超過刷新閾值的命令數(shù)量的情況下，判定為在下次寫入中計數(shù)值將超過刷新閾值：1000。

MPU60取得頭15的偏離磁道量(B603)。此處，MPU60在進行在磁道上寫入的情況下將偏離磁道量檢測為0％的偏離磁道寫入。

MPU60判定向?qū)懭雽ο蟠诺赖膬?nèi)側(cè)或外側(cè)的偏離磁道量是否超過容許量(B604)。

在判定為偏離磁道量超過寫入對象磁道的內(nèi)側(cè)或外側(cè)的容許量的情況下(B604的“是”)，MPU60停止對于寫入對象磁道的寫入工作(B605)。

MPU60在其他磁道內(nèi)的預定磁道執(zhí)行刷新處理(B606)。此處，預定的磁道，是在B601中判定為在下次寫入中將超過刷新閾值的磁道，或者，是在B605中偏離磁道量超過了寫入對象磁道的內(nèi)側(cè)或外側(cè)的容許量的磁道。

MPU60相應于刷新處理的執(zhí)行來更新執(zhí)行了刷新處理的磁道的計數(shù)值(B607)。例如，MPU60將執(zhí)行了刷新處理的磁道的計數(shù)值更新為0。

MPU60對寫入對象磁道再次開始寫入工作(B608)。

在B604中，在判定為頭15的偏離磁道量沒有超過容許量的情況下(B604的“否”)，MPU60將其他磁道的計數(shù)值和與偏離磁道量相應的 相加值相加(B609)。

MPU60在B608的處理或B609的處理后執(zhí)行預定的處理，并結(jié)束寫入工作的控制。

根據(jù)變形例2，磁盤裝置1能基于計數(shù)值，而在向?qū)懭雽ο蟠诺缹懭霐?shù)據(jù)前即在因向?qū)懭雽ο蟠诺缹懭霐?shù)據(jù)而使計數(shù)值超過刷新閾值前，執(zhí)行刷新處理。其結(jié)果，磁盤裝置1與上述實施方式相比，能減輕寫入對象磁道中的偏離磁道寫入所產(chǎn)生的對于其他磁道的數(shù)據(jù)的影響。

雖然說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但是這些實施方式只是例示，而不是用于限定發(fā)明的范圍。這些新實施方式可以以其他各種方式實施，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍，可以進行各種省略、置換、變更。這些實施方式和/或其變形包括于發(fā)明的范圍和/或要旨中，也包括于技術(shù)方案記載的發(fā)明及與其均等的范圍中。