本申請(qǐng)要求于2015年8月19日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0116728的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全文通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的多種實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。

背景技術(shù)：

存儲(chǔ)器裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)單元例如DRAM包括作為開關(guān)的晶體管和用于儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)的電荷的電容器?？梢允歉?邏輯電平1)或低(邏輯電平0)的數(shù)據(jù)的邏輯電平可取決于儲(chǔ)存在電容器中的電荷量。

當(dāng)數(shù)據(jù)以電荷的形式儲(chǔ)存在存儲(chǔ)單元電容器中時(shí)，理論上沒有數(shù)據(jù)損失或電流消耗。然而，由于漏電流，電荷和因此的數(shù)據(jù)可能降低或丟失。為了阻止數(shù)據(jù)丟失，在儲(chǔ)存在電容器中的數(shù)據(jù)丟失之前，存儲(chǔ)單元應(yīng)周期性地讀取和再充電。對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取和再充電的操作通常被稱為刷新操作。

在典型的刷新操作中，存儲(chǔ)器控制器以預(yù)定周期反復(fù)地將刷新指令應(yīng)用到存儲(chǔ)器裝置，其中預(yù)定周期考慮存儲(chǔ)器裝置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。例如，當(dāng)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保留時(shí)間是64ms時(shí)，存儲(chǔ)器裝置中的全部存儲(chǔ)單元根據(jù)8000次刷新指令的應(yīng)用被刷新，換言之，存儲(chǔ)器控制器在64ms內(nèi)將8000個(gè)刷新指令應(yīng)用到存儲(chǔ)器裝置。此外，當(dāng)包括在存儲(chǔ)器裝置中的一些存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)保留時(shí)間在制造期間采用的測(cè)試過程中被確定為未達(dá)到預(yù)定的刷新周期時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可被看作有缺陷并可被廢棄。當(dāng)包括具有不足保留時(shí)間的存儲(chǔ)單元的所有存儲(chǔ)器裝置被廢棄時(shí)，制造產(chǎn)量必然會(huì)下降。

此外，存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)保留時(shí)間可能由于甚至制造后的許多因素而降低，使得即使存儲(chǔ)器裝置可能已經(jīng)通過了制造測(cè)試過程，存儲(chǔ)單元也可能導(dǎo)致錯(cuò)誤。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

多種實(shí)施例涉及一種能夠執(zhí)行刷新操作以正常地操作具有短的數(shù)據(jù)保留時(shí)間的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。

在實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置可包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元；至少一個(gè)地址儲(chǔ)存單元；失效檢測(cè)單元，其適用于比較從在多個(gè)存儲(chǔ)單元中選擇的至少一個(gè)存儲(chǔ)單元讀取的第一讀取數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)以檢測(cè)失效，以及當(dāng)失效被檢測(cè)到時(shí)，將選擇的存儲(chǔ)單元的地址儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元中；以及刷新控制單元，其適用于以高于其它儲(chǔ)存單元的頻率刷新對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元中的地址的存儲(chǔ)單元。

在實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置可包括：多個(gè)行，其聯(lián)接至多個(gè)存儲(chǔ)單元；至少一個(gè)地址儲(chǔ)存單元；刷新計(jì)數(shù)器，其適用于生成計(jì)數(shù)地址；失效檢測(cè)單元，其適用于比較從聯(lián)接至對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)地址的行的至少一個(gè)選擇的存儲(chǔ)單元讀取的第一讀取數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)以檢測(cè)失效，以及當(dāng)失效被檢測(cè)到時(shí)，將計(jì)數(shù)地址儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元中；以及刷新控制單元，其適用于以高于其它行的頻率刷新對(duì)應(yīng)于被儲(chǔ)存的計(jì)數(shù)地址的行。

在實(shí)施例中，提供了一種包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器裝置的操作方法。操作方法可包括：選擇至少一個(gè)存儲(chǔ)單元；第一次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)；預(yù)定時(shí)間過去后第二次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)；比較第一讀取數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)以檢測(cè)失效；當(dāng)失效被檢測(cè)到時(shí)，儲(chǔ)存選擇的存儲(chǔ)單元的地址；以及以高于其它儲(chǔ)存單元的頻率刷新對(duì)應(yīng)于被儲(chǔ)存的地址的存儲(chǔ)單元。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的簡(jiǎn)圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1中所示的地址儲(chǔ)存單元的詳圖。

圖3A是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖2中所示的IR啟用信號(hào)生成單元的操作的時(shí)序圖。

圖3B是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖2中所示的選擇信號(hào)生成單元的操作的時(shí)序圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖2中所示的儲(chǔ)存單元的詳圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1中所示的失效檢測(cè)單元的詳圖。

圖6是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1中所示的存儲(chǔ)器裝置的檢測(cè)操作的時(shí)序圖。

圖7是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1中所示的存儲(chǔ)器裝置的刷新操作的時(shí)序圖。

圖8A到圖8C是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1中所示的存儲(chǔ)器裝置的刷新操作的時(shí)序圖。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的簡(jiǎn)圖。

圖10到圖12是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1中所示的存儲(chǔ)器裝置的操作的流程圖。

圖13是用于描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖9中所示的存儲(chǔ)器裝置的操作的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖更詳細(xì)地描述各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以不同的形式呈現(xiàn)且不應(yīng)被解釋為限于在此提出的實(shí)施例。相反，這些實(shí)施例被提供使得本公開將是徹底且完整的，并將本發(fā)明完全地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。貫穿整個(gè)公開，在本發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中相似的參考數(shù)字指的是相似的部件。還需要注意的是，在本說明書中，“連接/聯(lián)接”不僅指一個(gè)組件直接聯(lián)接另一個(gè)組件而且指一個(gè)組件通 過中間的組件聯(lián)接另一個(gè)組件。另外，單數(shù)形式可包括復(fù)數(shù)形式，只要句子中沒有明確提到。

在下文中，第一刷新操作可表示正常的刷新操作，當(dāng)在存儲(chǔ)器裝置的說明書中規(guī)定的刷新周期(tRFC)期間時(shí)，正常的刷新操作順序地刷新包括在單元陣列(即，內(nèi)存條)中的所有字線，第二刷新操作可表示附加的刷新操作(IR操作)，其被附加地執(zhí)行使得被檢測(cè)為對(duì)應(yīng)于具有短的數(shù)據(jù)保留時(shí)間的存儲(chǔ)單元的字線的成列的字可以保留數(shù)據(jù)。

參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種存儲(chǔ)器裝置。存儲(chǔ)器裝置可包括單元陣列110、地址儲(chǔ)存單元120、刷新計(jì)數(shù)器130、失效檢測(cè)單元140、刷新控制單元150、行電路160和列電路170。

單元陣列110可包括多個(gè)行(即，字線)WL0-WL63、多個(gè)列(即，位線)BL0-BL63和聯(lián)接在行和列之間的多個(gè)存儲(chǔ)單元MC。行、列和存儲(chǔ)單元的數(shù)量可以根據(jù)設(shè)計(jì)變化。

當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET被激活時(shí)，地址儲(chǔ)存單元120可以儲(chǔ)存第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>。地址儲(chǔ)存單元120可以當(dāng)儲(chǔ)存一個(gè)或多個(gè)地址時(shí)激活附加的刷新(IR)啟用信號(hào)IR_EN，并當(dāng)沒有儲(chǔ)存地址時(shí)使IR啟用信號(hào)IR_EN失活。

地址儲(chǔ)存單元120可以比較儲(chǔ)存地址的預(yù)定位SADD0<0:4>-SADD3<0:4>與計(jì)數(shù)地址的預(yù)定位CNT_ADD<0:4>、當(dāng)預(yù)定位SADD0<0:4>-SADD3<0:4>等于預(yù)定位CNT_ADD<0:4>時(shí)激活附加的刷新(IR)標(biāo)記信號(hào)IR_REF以及輸出儲(chǔ)存地址SADD0<0:5>-SADD3<0:5>中的等于計(jì)數(shù)地址的預(yù)定位的地址作為附件的刷新(IR)地址IR_ADD<0:5>。

刷新計(jì)數(shù)器130可以每當(dāng)?shù)谝凰⑿滦盘?hào)REF1被激活時(shí)通過執(zhí)行計(jì)數(shù)生成計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>。每當(dāng)?shù)谝凰⑿滦盘?hào)REF1被激活時(shí)，刷新計(jì)數(shù)器130可以使計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>的值增加1。當(dāng)計(jì)數(shù)地 址CNT_ADD<0:5>的值增加1時(shí)，其可表示在這次選擇第K字線的情況下，計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>被改變?yōu)橄乱淮芜x擇第(K+1)字線。當(dāng)?shù)谝换虻诙矙z刷洗信號(hào)(patrol scrubbing signal)PS1、PS2被激活時(shí)，刷新計(jì)數(shù)器130可不執(zhí)行計(jì)數(shù)，使得計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>的值保持相同。

失效檢測(cè)單元140可以比較來自從單元陣列110的存儲(chǔ)單元MC中選擇的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一讀取數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)，并確定選擇的存儲(chǔ)單元中是否已經(jīng)發(fā)生失效。第一讀取數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)可表示在以預(yù)定時(shí)間差隔開的兩個(gè)不同時(shí)間從相同存儲(chǔ)單元讀取的數(shù)據(jù)。

失效檢測(cè)單元140可以鎖存來自選擇的存儲(chǔ)單元的第一讀取數(shù)據(jù)，并比較來自相同存儲(chǔ)單元的第二讀取數(shù)據(jù)與鎖存的數(shù)據(jù)。然后，失效檢測(cè)單元140可以當(dāng)?shù)诙x取數(shù)據(jù)等于鎖存的數(shù)據(jù)時(shí)確定沒有失效發(fā)生(使檢測(cè)信號(hào)DET失活)，或者當(dāng)?shù)诙x取數(shù)據(jù)不同于鎖存的數(shù)據(jù)時(shí)確定失效發(fā)生(即，激活檢測(cè)信號(hào)DET)。當(dāng)失效被檢測(cè)到時(shí)，失效檢測(cè)單元140可以控制列電路170將鎖存的數(shù)據(jù)寫到選擇的存儲(chǔ)單元。

失效檢測(cè)單元140可以生成第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>和第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>。第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>可以表示行地址，第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>可以表示失效被檢測(cè)到的存儲(chǔ)單元的列地址。在實(shí)施例中，失效檢測(cè)單元140可以每當(dāng)選擇的存儲(chǔ)單元的失效檢測(cè)操作完成時(shí)使第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>增加1，并且當(dāng)?shù)诙z測(cè)地址PS_CADD<0:3>在到達(dá)最后的值后被重置時(shí)使第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>增加1?？蛇x地，在另一個(gè)實(shí)施例中，失效檢測(cè)單元140可以每當(dāng)選擇的存儲(chǔ)單元的失效檢測(cè)操作完成時(shí)使第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>增加1，并且當(dāng)?shù)谝粰z測(cè)地址PS_RADD<0:5>在到達(dá)最后的值后被重置時(shí)使第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>增加1。

失效檢測(cè)單元140的檢測(cè)操作可被分為兩個(gè)子操作。第一子操作可 以第一次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)并鎖存讀取的數(shù)據(jù)。第二子操作可以第二次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)、比較讀取的數(shù)據(jù)與在第一子操作期間鎖存的數(shù)據(jù)、檢測(cè)失效是否已經(jīng)發(fā)生以及當(dāng)失效已經(jīng)發(fā)生時(shí)將鎖存的數(shù)據(jù)寫到選擇的存儲(chǔ)單元。

失效檢測(cè)單元140可以使用通過計(jì)數(shù)刷新信號(hào)REF獲得的結(jié)果生成第一巡檢刷洗信號(hào)PS1和第二巡檢刷洗信號(hào)PS2。第一巡檢刷洗信號(hào)PS1可以為第一子操作被激活，第二巡檢刷洗信號(hào)PS2可以為第二子操作被激活。第一巡檢刷洗信號(hào)PS1和第二巡檢刷洗信號(hào)PS2之間的激活間隔可以被設(shè)定為考慮到刷新周期的預(yù)定時(shí)間。

刷新控制單元150可以響應(yīng)于當(dāng)刷新指令輸入時(shí)被激活的刷新信號(hào)REF激活第一刷新信號(hào)REF1。此外，刷新控制單元150可以當(dāng)IR啟用信號(hào)IR_EN和IR標(biāo)記信號(hào)IR_REF被激活時(shí)比較計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<5>與IR地址IR_ADD<5>。然后，只有當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<5>不同于IR地址IR_ADD<5>時(shí)，刷新控制單元150可以響應(yīng)于刷新信號(hào)REF激活第二刷新信號(hào)REF2。

行電路160可以控制由行地址RADD<0:5>、計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>、IR地址IR_ADD<0:5>或第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>選擇的字線的激活和預(yù)先充電操作。行電路160可以響應(yīng)于當(dāng)激活指令輸入時(shí)被激活的激活信號(hào)ACT激活對(duì)應(yīng)于行地址RADD<0:5>的字線。行電路160可以響應(yīng)于當(dāng)預(yù)先充電指令輸入時(shí)被激活的預(yù)先充電信號(hào)PRE預(yù)先充電激活的字線。

行電路160可以當(dāng)?shù)谝凰⑿滦盘?hào)REF1被激活且第一巡檢刷洗信號(hào)PS1和第二巡檢刷洗信號(hào)PS2失活時(shí)刷新對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>的字線。行電路160可以當(dāng)?shù)谝凰⑿滦盘?hào)REF1被激活且第一巡檢刷洗信號(hào)PS1或第二巡檢刷洗信號(hào)PS2失活時(shí)激活或預(yù)先充電對(duì)應(yīng)于第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>的字線。行電路160可以當(dāng)?shù)诙⑿滦盘?hào)REF2被激活時(shí)刷新對(duì)應(yīng)于IR地址IR_ADD<0:5>的字線。

列電路170可以響應(yīng)于當(dāng)讀取指令輸出時(shí)被激活的讀取信號(hào)RD讀取被聯(lián)接到由列地址CADD<0:3>選擇的位線的存儲(chǔ)單元MC的數(shù)據(jù)，并響應(yīng)于當(dāng)寫入指令輸入時(shí)被激活的寫入信號(hào)WT將數(shù)據(jù)寫到被聯(lián)接到由列地址CADD<0:3>選擇的位線的存儲(chǔ)單元MC。DATA代表通過列電路170輸入到單元陣列110或從單元陣列110輸出的數(shù)據(jù)。

當(dāng)?shù)谝谎矙z刷洗信號(hào)PS1或第二個(gè)巡檢刷洗信號(hào)PS2被激活時(shí)，列電路170可以讀取被聯(lián)接到由第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>選擇的位線的存儲(chǔ)單元MC的數(shù)據(jù)。當(dāng)?shù)诙矙z刷洗信號(hào)PS2和檢測(cè)信號(hào)DET被激活時(shí)，列電路170可以將失效檢測(cè)單元140的數(shù)據(jù)寫到被聯(lián)接到由第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>選擇的位線的存儲(chǔ)單元MC。

在圖1中，參考數(shù)字‘101’代表用于在失效檢測(cè)單元140和列電路170之間傳輸各種信號(hào)的多條線。例如，列電路170可以響應(yīng)于列地址CADD<0:3>或第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>一次選擇4條位線。

參照?qǐng)D2，提供了地址儲(chǔ)存單元120的實(shí)例。儲(chǔ)存單元120可包括IR啟用信號(hào)生成單元210、選擇信號(hào)生成單元220、第一到第四儲(chǔ)存單元230_0到230_3、第一到第四地址比較單元240_0到240_3、IR標(biāo)記信號(hào)生成單元250和地址輸出單元260。

IR啟用信號(hào)生成單元210可以響應(yīng)于檢測(cè)信號(hào)DET激活I(lǐng)R啟用信號(hào)IR_EN，并響應(yīng)于重置信號(hào)RST使IR啟用信號(hào)IR_EN失活。IR啟用信號(hào)IR_EN可以從當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET第一次被激活時(shí)到當(dāng)重置信號(hào)RST被激活時(shí)保持在激活狀態(tài)中，如圖3A的時(shí)序圖所示。

選擇信號(hào)生成單元220可以生成選擇信號(hào)SEL<0:3>，并當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET被激活時(shí)將選擇信號(hào)改變?yōu)榧せ?。例如，選擇信號(hào)生成單元220可以當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET第一次被激活時(shí)激活選擇信號(hào)SEL<0>，當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET第二次被激活時(shí)激活選擇信號(hào)SEL<1>，當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET第三次被激活時(shí)激活選擇信號(hào)SEL<2>，以及當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET第四次被激活時(shí)激活選擇信號(hào)SEL<3>。

選擇信號(hào)生成單元220可以激活啟用信號(hào)EN<0:3>中對(duì)應(yīng)于激活的選擇信號(hào)的啟用信號(hào)。選擇信號(hào)生成單元220可以當(dāng)重置信號(hào)RST被激活時(shí)被重置。因此，選擇信號(hào)SEL<0:3>和啟用信號(hào)EN<0:3>可被重置為它們的起始狀態(tài)，如圖3B的時(shí)序圖所示。

當(dāng)選擇信號(hào)SEL<0:3>中相應(yīng)的選擇信號(hào)被激活時(shí)，儲(chǔ)存單元230_0到230_3中的每個(gè)可以儲(chǔ)存第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>。例如，儲(chǔ)存單元230_0到230_3可分別對(duì)應(yīng)于選擇信號(hào)SEL<0>到SEL<3>。

當(dāng)啟用信號(hào)EN<0>到EN<3>被激活時(shí)，地址比較單元240_0到240_3可以分別比較儲(chǔ)存在相應(yīng)的儲(chǔ)存單元中的地址的預(yù)定位SADD0<0:4>到SADD3<0:4>與計(jì)數(shù)地址的預(yù)定位CNT_ADD<0:4>，并生成第一到第四沖擊信號(hào)HIT<0:3>。地址比較單元240_0到240_3可以當(dāng)預(yù)定位SADD0<0:4>到SADD3<0:4>等于預(yù)定位CNT_ADD<0:4>時(shí)激活沖擊信號(hào)HIT<0:3>，并當(dāng)預(yù)定位SADD0<0:4>到SADD3<0:4>不同于預(yù)定位CNT_ADD<0:4>時(shí)使沖擊信號(hào)HIT<0:3>失活。

當(dāng)在沖擊信號(hào)HIT<0>到HIT<3>中的一個(gè)或多個(gè)沖擊信號(hào)被激活時(shí)，IR標(biāo)記信號(hào)生成單元250可以激活I(lǐng)R標(biāo)記信號(hào)IR_REF。當(dāng)全部沖擊信號(hào)HIT<0>到HIT<3>都失活時(shí)。IR標(biāo)記信號(hào)生成單元250可以使IR標(biāo)記信號(hào)IR_REF失活。

地址輸出單元260可以輸出對(duì)應(yīng)于激活的沖擊信號(hào)HIT<0>到HIT<3>的地址儲(chǔ)存單元的地址作為IR地址IR_ADD<0:5>。IR地址IR_ADD<0:5>可以表示用于選擇字線以執(zhí)行第二刷新操作的地址。

圖4提供了圖2中所示的第一儲(chǔ)存單元230_0的實(shí)例。

參照?qǐng)D4，儲(chǔ)存單元230_0可以包括傳輸門PA0到PA5和鎖存器LATCH0到LATCH5。傳輸門PA0到PA5可以當(dāng)選擇信號(hào)SEL<0>被激時(shí)傳輸?shù)刂肺?，鎖存器LATCH0到LATCH5可以分別儲(chǔ)存通過對(duì)應(yīng)的傳輸門PA0到PA5傳輸?shù)膫鬏數(shù)牡刂肺?。其它?chǔ)存單元230_1到230_3可以與儲(chǔ)存單元230_0相同的方式配置和操作，除了傳輸門響應(yīng)于選擇信號(hào) SEL<1>到SEL<3>被打開。

圖5是圖1所示的失效檢測(cè)單元140的實(shí)例的詳圖。

參照?qǐng)D5，失效檢測(cè)單元140可包括PS信號(hào)生成單元510、第一到第四數(shù)據(jù)鎖存單元520_0到520_3、第一到第四數(shù)據(jù)比較單元530_0到530_3、檢測(cè)信號(hào)生成單元540、第一到第四寫入數(shù)據(jù)傳輸單元550_0到550_3和地址生成單元560。在圖5中，IN0到IN3代表被輸入到失效檢測(cè)單元140的數(shù)據(jù)傳輸?shù)木€，OUT0到OUT3代表從失效檢測(cè)單元140輸出的數(shù)據(jù)傳輸?shù)木€。以供參考，圖1所示的線101可包括輸入線IN0到IN3和輸出線OUT0到OUT3。

PS信號(hào)生成單元510可以當(dāng)通過計(jì)數(shù)刷新信號(hào)REF被激活的次數(shù)獲得的值對(duì)應(yīng)于第一值時(shí)激活第一巡檢刷洗信號(hào)PS1，并當(dāng)該值對(duì)應(yīng)于第二值時(shí)激活第二巡檢刷洗信號(hào)PS2。PS信號(hào)生成單元510可以首先激活第一巡檢刷洗信號(hào)PS1，然后在預(yù)定周期期間交替地激活第一巡檢刷洗信號(hào)PS1和第二個(gè)巡檢刷洗信號(hào)PS2。

數(shù)據(jù)鎖存單元520_0到520_3分別對(duì)應(yīng)于線IN0到IN3，并當(dāng)?shù)谝粋€(gè)巡檢刷洗信號(hào)PS1被激活時(shí)鎖存?zhèn)鬏數(shù)綄?duì)應(yīng)線IN0到IN3的數(shù)據(jù)。線IN0到IN3的數(shù)據(jù)可包括第一次從選擇的存儲(chǔ)單元MC讀取的數(shù)據(jù)或第一讀取數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)鎖存單元520_0到520_3可輸出鎖存的數(shù)據(jù)LD0到LD3。

數(shù)據(jù)比較單元530_0到530_3可以比較從對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)鎖存單元輸出的數(shù)據(jù)LD0到LD3與傳輸?shù)綄?duì)應(yīng)線IN0到IN3的數(shù)據(jù)，并輸出比較結(jié)果DC0到DC3。當(dāng)數(shù)據(jù)LD0到LD3等于線IN0到IN3的數(shù)據(jù)時(shí)，數(shù)據(jù)比較單元530_0到530_3可以激活比較結(jié)果DC0到DC3(例如，邏輯低電平)。當(dāng)數(shù)據(jù)LD0到LD3不同于線IN0到IN3的數(shù)據(jù)時(shí)，數(shù)據(jù)比較單元530_0到530_3可使比較結(jié)果DC0到DC3(例如，邏輯高電平)失活。

當(dāng)比較結(jié)果DC0到DC3停用時(shí)，換言之，當(dāng)?shù)谝蛔x取數(shù)據(jù)(即，鎖存在數(shù)據(jù)鎖存單元520_0到520_3中的數(shù)據(jù))等于第二讀取數(shù)據(jù)(即，線IN0到IN3的數(shù)據(jù))時(shí)，檢測(cè)信號(hào)生成單元540可使檢測(cè)信號(hào)DET失活。 當(dāng)比較結(jié)果DC0到DC3的一個(gè)或多個(gè)信號(hào)被激活時(shí)，換言之，當(dāng)?shù)谝蛔x取數(shù)據(jù)不同于第二讀取數(shù)據(jù)時(shí)，檢測(cè)信號(hào)生成單元540可以激活檢測(cè)信號(hào)DET。

當(dāng)寫入信號(hào)WT在第二巡檢刷洗信號(hào)PS2和檢測(cè)信號(hào)DET被激活的狀態(tài)下被激活時(shí)，寫入數(shù)據(jù)傳輸單元550_0到550_3可傳輸從對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)鎖存單元輸出的數(shù)據(jù)LD0到LD3到對(duì)應(yīng)的線OUT0到OUT3。傳輸?shù)骄€OUT0到OUT3的數(shù)據(jù)可以通過列電路170寫入到選擇的存儲(chǔ)單元MC。

地址生成單元560可生成第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>和第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>。第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>可表示行地址，第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>可表示失效被檢測(cè)到的存儲(chǔ)單元的列地址。在實(shí)施例中，地址生成單元560可以每當(dāng)用于選擇的存儲(chǔ)單元的失效檢測(cè)操作完成時(shí)(在巡檢刷洗信號(hào)PS2被激活后巡檢刷洗信號(hào)PS2失活的時(shí)間點(diǎn))使第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>增加1，并當(dāng)?shù)诙z測(cè)地址PS_CADD<0:3>到達(dá)最后的值后被重置時(shí)使第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>增加1。可選地，在另一個(gè)實(shí)施例中，地址生成單元560可以每當(dāng)用于選擇的存儲(chǔ)單元的失效檢測(cè)操作完成時(shí)(在巡檢刷洗信號(hào)PS2被激活后巡檢刷洗信號(hào)PS2失活的時(shí)間點(diǎn))使第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>增加1，并當(dāng)?shù)谝粰z測(cè)地址PS_RADD<0:5>到達(dá)最后的值后被重置時(shí)使第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>增加1。

圖6是用于描述圖1所示地存儲(chǔ)器裝置的檢測(cè)操作的時(shí)序圖。

參照?qǐng)D6，將描述如圖1所示的存儲(chǔ)器裝置的檢測(cè)操作。當(dāng)刷新信號(hào)REF在第一巡檢刷洗信號(hào)PS1被激活的狀態(tài)下被激活時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可以第一次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)并鎖存讀取的數(shù)據(jù)。當(dāng)刷新信號(hào)REF在第二巡檢刷洗信號(hào)PS2被激活的狀態(tài)下被激活時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可以第二次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，并比較第二讀取數(shù)據(jù)與第一讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)?shù)谝蛔x取數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)相等或基本上相等時(shí)，存 儲(chǔ)器裝置可以使檢測(cè)信號(hào)DET失活。當(dāng)?shù)谝蛔x取數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)兩個(gè)數(shù)據(jù)不相等或基本上不相等時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可激活檢測(cè)信號(hào)DET。每當(dāng)用于選擇的存儲(chǔ)單元的檢測(cè)操作完成時(shí)，第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>可被計(jì)數(shù)。每當(dāng)?shù)诙刂稰S_CADD<0:3>到達(dá)‘1111’后被重置為‘0000’時(shí)，第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>可被計(jì)數(shù)。

當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET被激活時(shí)，第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>可不被鎖定，但是下一個(gè)檢測(cè)操作可被執(zhí)行。當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET第一次被激活時(shí)，第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>‘000001’可被儲(chǔ)存在由選擇信號(hào)SEL<0>選擇的儲(chǔ)存單元230_0中。當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET被激活時(shí)，IR啟用信號(hào)IR_EN可被激活以啟用第二刷新操作。

來自選擇的存儲(chǔ)單元MC的第一讀取數(shù)據(jù)可被重新寫入到選擇的存儲(chǔ)單元MC。此種操作在下文中還被稱為寫回操作并在下文更詳細(xì)地被說明。

當(dāng)通過第一子操作獲得的第一讀取數(shù)據(jù)不同于通過第二子操作獲得的第二讀取數(shù)據(jù)時(shí)，這可能表示選擇的存儲(chǔ)單元MC的數(shù)據(jù)保留時(shí)間如此短以致于全部或部分儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)已經(jīng)丟失。在這種情況下，第一讀取數(shù)據(jù)可被寫回以恢復(fù)儲(chǔ)存在選擇的存儲(chǔ)單元MC中的數(shù)據(jù)。第一子操作和第二子操作之間的間隔可以短于刷新周期。這是因?yàn)闄z測(cè)操作被設(shè)計(jì)以檢測(cè)具有比刷新周期短的數(shù)據(jù)保留時(shí)間的存儲(chǔ)單元。

當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET第二次到第四次被激活時(shí)，第一地址PS_RADD<0:5>‘000110’、‘001101’和‘111111’可被儲(chǔ)存在由選擇信號(hào)SEL<1>到SEL<3>選擇的儲(chǔ)存單元230_1到230_3中。

當(dāng)由第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>‘111111’和第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>‘1111’選擇的存儲(chǔ)單元的檢測(cè)操作完成時(shí)，存儲(chǔ)單元從對(duì)應(yīng)于第一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>‘000000’和第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>‘0000’的存儲(chǔ)單元重新選擇，且檢測(cè)操作可被執(zhí)行。

圖7是描述圖1所示的存儲(chǔ)器裝置的刷新操作的時(shí)序圖。

參照?qǐng)D7，當(dāng)IR啟用信號(hào)IR_EN失活(IR停用)時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可僅執(zhí)行刷新被計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>順序地選擇的字線的第一刷新操作。檢測(cè)信號(hào)DET被激活以將地址儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元120中后，第二刷新操作和第一刷新操作一樣可對(duì)儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元120中的地址附加地執(zhí)行(IR啟用)。

例如，假設(shè)儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元120中的地址是‘001010’。當(dāng)刷新信號(hào)REF在計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>是‘001010’的情況被激活時(shí)，第一刷新信號(hào)REF1可被激活，且字線WL10可通過第一刷新操作被刷新。此外，因?yàn)轭A(yù)定位CNT_ADD<0:4>和SADD<0:4>是01010，所以儲(chǔ)存的地址SADD<0:5>‘001010’可被輸出作為IR地址IR_ADD<0:5>。因?yàn)槲籆NT_ADD<5>和位IR_ADD<5>等于0，所以第二刷新信號(hào)REF2可不被激活，且第二刷新操作可不被執(zhí)行。

當(dāng)刷新信號(hào)REF在計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>是‘101010’的情況下被激活時(shí)，第一刷新信號(hào)REF1可被激活，且字線WL42可通過第一刷新操作被刷新。此外，因?yàn)轭A(yù)定位CNT_ADD<0:4>和SADD<0:4>是‘01010’，所以儲(chǔ)存的地址SADD<0:5>‘001010’可被輸出作為IR地址IR_ADD<0:5>。因?yàn)槲籆NT_ADD<5>和位IR_ADD<5>不同于彼此，所以第二刷新信號(hào)REF2可被激活。因此，對(duì)應(yīng)于IR地址IR_ADD<0:5>‘001010’的字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。

除了在計(jì)數(shù)地址CNT_ADD和IR地址IR_ADD中互相比較的位外的位的數(shù)量可對(duì)應(yīng)于與IR地址IR_ADD對(duì)應(yīng)的字線在刷新周期內(nèi)被刷新的次數(shù)。更具體地說，當(dāng)除了在計(jì)數(shù)地址CNT_ADD和IR地址IR_ADD中互相比較的位外的位的數(shù)量是K時(shí)，對(duì)應(yīng)于IR地址IR_ADD的字線可在刷新周期內(nèi)被刷新2^K次。在參照?qǐng)D1到圖7描述的存儲(chǔ)器裝置的情況下，除了互相比較的位外的位的數(shù)量是1(IR_ADD<5>)。因此，對(duì)應(yīng)于IR地址IR_ADD的字線可在刷新周期內(nèi)被刷新2¹次。‘K’可根據(jù)設(shè)計(jì)變化。

圖8A到圖8C是描述用于圖1所示的存儲(chǔ)器裝置的通過相同的方法執(zhí)行的刷新操作的簡(jiǎn)圖。在下文中，假設(shè)存儲(chǔ)器裝置可包括8196個(gè)字線WL0到WL8195。因此，行地址RADD可包括13-位信號(hào)。此外，假設(shè)在檢測(cè)操作期間字線WL10的地址被檢測(cè)為‘0000000001010’且被儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元中。

圖8A是描述在刷新周期期間包括第一刷新操作和第二刷新操作的檢測(cè)的位線的刷新操作的簡(jiǎn)圖。

參照?qǐng)D8A，當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是10(即，二進(jìn)制代碼0000000001010)時(shí)，字線WL10可通過第一刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是4106(即，二進(jìn)制代碼1000000001010)時(shí)，字線WL4106可通過第一刷新操作被刷新且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。

圖8B是描述在刷新周期期間包括一個(gè)第一刷新操作和3個(gè)第二刷新操作的檢測(cè)的字線的刷新操作的簡(jiǎn)圖。

參照?qǐng)D8B，當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是10(即，二進(jìn)制代碼0000000001010)時(shí)，字線WL10可通過第一刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是2058(即，二進(jìn)制代碼0100000001010)時(shí)，字線WL2058可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是4106(即，二進(jìn)制代碼1000000001010)時(shí)，字線WL4106可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是6154(即，二進(jìn)制代碼1100000001010)時(shí)，字線WL6154可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。

圖8C是描述在刷新周期期間包括一個(gè)第一刷新操作和七個(gè)第二刷新操作的檢測(cè)的字線的刷新操作的簡(jiǎn)圖。

參照?qǐng)D8C，當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是10(即，二進(jìn)制代碼0000000001010)時(shí)，字線WL10可通過第一刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù) 地址CNT_ADD是1034(即，二進(jìn)制代碼0010000001010)時(shí)，字線WL1034可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是2058(即，二進(jìn)制代碼0100000001010)時(shí)，字線WL2058可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是3082(即，二進(jìn)制代碼0110000001010)時(shí)，字線WL3082可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是4106(即，二進(jìn)制代碼1000000001010)時(shí)，字線WL4106可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是5130(即，二進(jìn)制代碼1010000001010)時(shí)，字線WL5130可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是6154(即，二進(jìn)制代碼1100000001010)時(shí)，字線WL6154可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是7178(即，二進(jìn)制代碼1110000001010)時(shí)，字線WL7178可通過第一刷新操作被刷新，且字線WL10可通過第二刷新操作被刷新。

參照?qǐng)D1到圖8描述的存儲(chǔ)器裝置可檢測(cè)其數(shù)據(jù)保留時(shí)間沒有達(dá)到參照時(shí)間的存儲(chǔ)單元、儲(chǔ)存存儲(chǔ)單元的地址以及增加刷新頻率。因此，包括其數(shù)據(jù)保留時(shí)間沒有達(dá)到參考時(shí)間的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器裝置可以被正常操作。

現(xiàn)在參照?qǐng)D9，存儲(chǔ)器裝置的另一個(gè)實(shí)施例可包括單元陣列910、地址儲(chǔ)存單單元920、刷新計(jì)數(shù)器930、失效檢測(cè)單元940、刷新控制單元950、行電路960和列電路970。圖9所示的存儲(chǔ)器裝置可使用計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>選擇待執(zhí)行檢測(cè)操作的存儲(chǔ)單元的行。因此，不像圖1所示的存儲(chǔ)器裝置，圖9所示的存儲(chǔ)器裝置可只生成用于控制失效檢測(cè)單元940以選擇列的第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>。換言之，圖9所示的存儲(chǔ)器裝置可不生成用于控制失效檢測(cè)單元940以選擇行的第 一檢測(cè)地址PS_RADD<0:5>。除了上述的差異，圖9所示的存儲(chǔ)器裝置的刷新操作可以與早前所述的圖1所示的存儲(chǔ)器裝置的刷新操作相同的方式執(zhí)行。

地址儲(chǔ)存單元920可以與圖1所示的地址儲(chǔ)存單元120相同的方式被操作，除了地址儲(chǔ)存單元920可當(dāng)檢測(cè)信號(hào)DET被激活時(shí)儲(chǔ)存計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>。

失效檢測(cè)單元940可生成第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>作為列地址。失效檢測(cè)單元可每當(dāng)用于選擇的存儲(chǔ)單元的失效檢測(cè)操作完成時(shí)使第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>增加1，且第二檢測(cè)地址PS_CADD<0:3>可在到達(dá)最后的值后被重置。失效檢測(cè)單元940可生成第一巡檢刷洗信號(hào)PS1和第二巡檢刷洗信號(hào)PS2使得檢測(cè)操作根據(jù)下列順序執(zhí)行。

例如，假設(shè)用于聯(lián)接至字線WL0的存儲(chǔ)單元的第一子操作在第K個(gè)刷新周期的第一刷新操作期間啟用，其中K是自然數(shù)。此外，用于聯(lián)接至字線WL0的存儲(chǔ)單元的第二子操作可在第(K+1)個(gè)刷新周期的第一刷新操作期間執(zhí)行。同樣地，當(dāng)用于聯(lián)接至字線WL0的存儲(chǔ)單元的檢測(cè)操作執(zhí)行時(shí)，第一子操作或第二子操作可在每個(gè)刷新周期的第一刷新操作期間或在計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>是‘000000’的情況下執(zhí)行。當(dāng)用于聯(lián)接至字線WL1的存儲(chǔ)單元的檢測(cè)操作在用于聯(lián)接至字線WL0的存儲(chǔ)單元的檢測(cè)操作完成后執(zhí)行時(shí)，第一子操作或第二子操作可在每個(gè)刷新周期的第二刷新操作期間執(zhí)行。類似地，當(dāng)用于聯(lián)接至字線WLX的存儲(chǔ)單元的檢測(cè)操作執(zhí)行其中X是自然數(shù)時(shí)，第一子操作或第二子操作可在每個(gè)刷新周期的第X個(gè)刷新操作期間或在計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>具有對(duì)應(yīng)于字線WLX的值的刷新操作期間被執(zhí)行。

圖9所示的存儲(chǔ)器裝置的檢測(cè)操作可以與圖1所示的存儲(chǔ)器裝置的檢測(cè)操作相同的方式執(zhí)行，除了第一子操作和第二子操作根據(jù)上面描 述的順序執(zhí)行。

行電路960可控制由行地址RADD<0:5>、計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>或IR地址IR_ADD<0:5>選擇的字線的激活和預(yù)先充電操作。行電路960可當(dāng)?shù)谝凰⑿滦盘?hào)REF1被激活時(shí)刷新對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)地址CNT_ADD<0:5>的字線，并當(dāng)?shù)诙⑿滦盘?hào)REF2被激活時(shí)刷新對(duì)應(yīng)于IR地址IR_ADD<0:5>的字線。

圖10是描述根據(jù)發(fā)明的實(shí)施例的圖1所示的存儲(chǔ)器裝置的操作的流程圖。

在步驟S1010中，存儲(chǔ)器裝置可在多個(gè)存儲(chǔ)單元中選擇對(duì)應(yīng)于第一檢測(cè)地址PS_RADD和第二檢測(cè)地址PS_CADD的存儲(chǔ)單元。在步驟S1020中，存儲(chǔ)器裝置可第一次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。在步驟S1030中，存儲(chǔ)器裝置可將第一讀取數(shù)據(jù)鎖存在失效檢測(cè)單元140中。

預(yù)定時(shí)間過去后，在步驟S1040中，存儲(chǔ)器裝置可第二次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。在步驟S1050中，存儲(chǔ)器裝置可比較鎖存的數(shù)據(jù)與第二讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)鎖存的數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)不同(即，不同或大體不同)時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可確定失效已經(jīng)發(fā)生(失效)。當(dāng)鎖存的數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)相等或大體相等時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可確定沒有失效發(fā)生(通過)。

當(dāng)在步驟S1050中確定失效已經(jīng)發(fā)生時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1051中檢測(cè)失效是否是第一次失效。當(dāng)失效是第一次失效時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1052中啟用第二刷新操作(是)，并繼續(xù)進(jìn)行步驟S1060。當(dāng)在步驟S1051中確定失效不是第一次失效時(shí)，程序可繼續(xù)進(jìn)行步驟S1060(否)。當(dāng)?shù)诙⑿虏僮鞅粏⒂脮r(shí)，其可表示IR啟用信號(hào)IR_EN被激活。在步驟S1060中，存儲(chǔ)器裝置可將第一檢測(cè)地址PS_RADD儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元120中。在步驟S1070中，存儲(chǔ)器裝置可將第一讀取數(shù)據(jù)寫回到選擇的存儲(chǔ)單元。

當(dāng)沒有失效被檢測(cè)到或?qū)懟夭僮魍瓿蓵r(shí)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟 S1080中確定第二檢測(cè)地址PS_CADD是否已經(jīng)達(dá)到最大值。當(dāng)?shù)诙z測(cè)地址PS_CADD不具有最大值時(shí)(否)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1081中使第二檢測(cè)地址PS_CADD的值增加1，并繼續(xù)進(jìn)行步驟S1010。當(dāng)?shù)诙z測(cè)地址PS_CADD已經(jīng)達(dá)到最大值時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1082中重置第二檢測(cè)地址PS_CADD。在步驟S1090中，存儲(chǔ)器裝置可確定第一檢測(cè)地址PS_RADD是否已經(jīng)達(dá)到最大值。當(dāng)?shù)谝粰z測(cè)地址PS_RADD不具有最大值時(shí)(否)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1091中使第一檢測(cè)地址PS_RADD的值增加1，并繼續(xù)進(jìn)行步驟S1010。當(dāng)?shù)谝粰z測(cè)地址PS_RADD具有最大值時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1092中重置第一檢測(cè)地址PS_RADD，并繼續(xù)進(jìn)行步驟S1010。

圖11是描述根據(jù)發(fā)明的實(shí)施例的圖1所示的存儲(chǔ)器裝置的另一個(gè)操作的流程圖。

在步驟S1110中，存儲(chǔ)器裝置可在多個(gè)存儲(chǔ)單元中選擇對(duì)應(yīng)于第一地址PS_RADD和第二地址PS_CADD的存儲(chǔ)單元。在步驟S1120中，存儲(chǔ)單元可第一次讀取被選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。在步驟S1130中，存儲(chǔ)器裝置可將第一讀取數(shù)據(jù)鎖存在失效檢測(cè)單元140中。

預(yù)定時(shí)間過去后，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1140中第二次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。在步驟S1150中，存儲(chǔ)器裝置可比較鎖存的數(shù)據(jù)與第二讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)鎖存的數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)不同時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可確定失效已經(jīng)發(fā)生(失效)。當(dāng)鎖存的數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)彼此相等或大體相等時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可確定沒有失效發(fā)生(通過)。

當(dāng)失效被檢測(cè)到時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1151中確定失效是否是第一次失效。當(dāng)失效是第一次失效時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1152中啟用第二刷新操作，并繼續(xù)進(jìn)行步驟S1160。當(dāng)失效不是第一次失效時(shí)(否)，存儲(chǔ)器裝置可繼續(xù)進(jìn)行步驟S1160。當(dāng)?shù)诙⑿虏僮鞅粏⒂脮r(shí)，其可表示IR啟用信號(hào)IR_EN被激活。當(dāng)失效被檢測(cè)到時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可將第一檢測(cè)地址PS_RADD儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元120中。在步驟 S1170中，存儲(chǔ)器裝置可將第一讀取數(shù)據(jù)寫回到選擇的存儲(chǔ)單元。

當(dāng)沒有失效被檢測(cè)到或?qū)懟夭僮魍瓿蓵r(shí)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1180中確定第一檢測(cè)地址PS_RADD是否具有最大值。當(dāng)?shù)谝粰z測(cè)地址PS_RADD不具有最大值時(shí)(否)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1181中使第一檢測(cè)地址PS_RADD的值增加1，然后繼續(xù)進(jìn)行步驟S1110。當(dāng)?shù)谝粰z測(cè)地址PS_RADD具有最大值時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1182中重置第一檢測(cè)地址PS_RADD。在步驟S1190中，存儲(chǔ)器裝置可確定第二檢測(cè)地址PS_CADD是否具有最大值。當(dāng)?shù)诙z測(cè)地址PS_CADD不具有最大值時(shí)(否)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1191中使第二檢測(cè)地址PS_CADD的值增加1，然后繼續(xù)進(jìn)行步驟S1110。當(dāng)?shù)诙z測(cè)地址PS_CADD具有最大值時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1192中重置第二檢測(cè)地址PS_CADD，然后繼續(xù)進(jìn)行步驟S1110。

圖12是描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖1所示的存儲(chǔ)器裝置的另一個(gè)操作的流程圖。

在步驟S1210中，刷新指令可被輸入。在步驟S1220中，存儲(chǔ)器裝置可選擇對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的字線。在步驟S1230中，存儲(chǔ)器裝置可通過第一刷新操作刷新字線。在步驟S1240中，存儲(chǔ)器裝置可確定第二刷新操作是否被啟用。當(dāng)?shù)诙⑿虏僮鳑]有被啟用時(shí)(否)，存儲(chǔ)器裝置可繼續(xù)進(jìn)行步驟S1250。在步驟S1250中，存儲(chǔ)器裝置可確定計(jì)數(shù)地址CNT_ADD是否具有最大值。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD不具有最大值時(shí)(否)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1251中使計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值增加1，然后繼續(xù)進(jìn)行步驟S1210。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD具有最大值時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1252中重置計(jì)數(shù)地址CNT_ADD，然后繼續(xù)進(jìn)行步驟S1210。

當(dāng)在步驟S1240中確定第二刷新操作被啟用時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1260中比較計(jì)數(shù)地址CNT_ADD和IR地址IR_ADD。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD和IR地址IR_ADD的所有位彼此相等或在預(yù)定位 CNT_ADD<0:4>和IR_ADD<0:4>中的一個(gè)或多個(gè)位彼此不同時(shí)(A)，存儲(chǔ)器裝置可繼續(xù)進(jìn)行步驟S1250。當(dāng)預(yù)定位CNT_ADD<0:4>和IR_ADD<0:4>彼此相等且只有位CNT_ADD<5>和IR_ADD<5>彼此不同時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可繼續(xù)進(jìn)行S1270以選擇對(duì)應(yīng)于IR地址IR_ADD的字線。在步驟S1280中，存儲(chǔ)器裝置可通過第二刷新操作刷新選擇的字線，然后繼續(xù)進(jìn)行步驟S1250。

圖13是描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖9所示的存儲(chǔ)器裝置的另一個(gè)操作的流程圖。

在步驟S1310中，存儲(chǔ)器裝置可在多個(gè)存儲(chǔ)單元中選擇對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)地址CNT_ADD和第二檢測(cè)地址PS_CADD的存儲(chǔ)單元。在步驟S1320中，存儲(chǔ)器裝置可第一次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。在步驟S1330中，存儲(chǔ)器裝置可將第一讀取數(shù)據(jù)鎖存在失效檢測(cè)單元940中。

預(yù)定時(shí)間過去后，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1340中第二次讀取選擇的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。在步驟S1350中，存儲(chǔ)器裝置可比較鎖存的數(shù)據(jù)與第二讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)鎖存的數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)相等或大體相等時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可確定失效已經(jīng)發(fā)生(失效)。當(dāng)鎖存的數(shù)據(jù)和第二讀取數(shù)據(jù)不同時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可確定沒有失效發(fā)生(通過)。

當(dāng)失效被檢測(cè)到時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1351中確定失效是否是第一次失效。當(dāng)失效是第一次失效時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1352中啟用第二刷新操作，并繼續(xù)進(jìn)行步驟S1360。當(dāng)失效不是第一次失效時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可繼續(xù)進(jìn)行步驟S1360(否)。當(dāng)?shù)诙⑿虏僮鞅粏⒂脮r(shí)，其可表示IR啟用信號(hào)IR_EN被激活。在步驟S1360中，計(jì)數(shù)地址CNT_RADD可被儲(chǔ)存在地址儲(chǔ)存單元920中。在步驟S1370中，第一讀取數(shù)據(jù)可被寫回至選擇的存儲(chǔ)單元。

當(dāng)沒有失效被檢測(cè)到或?qū)懟夭僮魍瓿蓵r(shí)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1380中確定第二檢測(cè)地址PS_CADD是否具有最大值。當(dāng)?shù)诙z測(cè)地址PS_CADD不具有最大值時(shí)(否)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1381中使第 二檢測(cè)地址PS_CADD的值增加1，然后繼續(xù)進(jìn)行步驟1310。當(dāng)?shù)诙z測(cè)地址PS_CADD具有最大值時(shí)(是)，存儲(chǔ)器裝置可在步驟S1382中重置第二檢測(cè)地址PS_CADD，然后繼續(xù)進(jìn)行步驟S1310。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置的刷新操作獨(dú)立于檢測(cè)操作執(zhí)行時(shí)，計(jì)數(shù)地址CNT_ADD可被計(jì)數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，存儲(chǔ)器裝置的刷新操作可被控制以正常地操作其數(shù)據(jù)保留時(shí)間沒有達(dá)到預(yù)定的參考時(shí)間的存儲(chǔ)單元。

雖然為了說明的目已經(jīng)描述了多種實(shí)施例，但對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，在不脫離權(quán)利要求限定的發(fā)明的精神和范圍的情況下可做出多種變化和修改。