本發(fā)明涉及分子束外延及其原位表征，尤其是涉及一種矢量強(qiáng)磁場(chǎng)下分子束外延及其原位表征裝置。

背景技術(shù)：

隨著信息科學(xué)的飛速發(fā)展，人們對(duì)電子元器件的運(yùn)行速度、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度以及功耗等參數(shù)提出了更高的要求。現(xiàn)有以集成電路或超大規(guī)模集成電路為代表的電子元器件，都僅對(duì)電子電荷這一自由度進(jìn)行操控，而忽視了電子自旋這另一基本量子屬性，導(dǎo)致其尺寸大小、集成度等均已基本達(dá)到理論所決定的物理極限。對(duì)電子自旋的量子調(diào)控，有利于數(shù)據(jù)快速處理、減少功耗、提高集成度等，已成為半導(dǎo)體物理學(xué)科的新興重要分支。

對(duì)電子自旋的量子調(diào)控，其核心就是如何有效地控制自旋的朝向、自旋輸運(yùn)以及自旋檢測(cè)。然而在自旋電子材料生長(zhǎng)方面，仍然存在半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)歐姆注入阻抗不匹配、界面散射顯著，稀磁半導(dǎo)體居里溫度低，隧道注入鐵磁薄膜質(zhì)量低、界面不陡峭、隧穿勢(shì)壘高等難題(1.J.W.A.Robinson,J.D.S.Witt,M.G.Blamire,Science,329(2010),59；2.K.Sato,L.Bergqvist,J.Kudrnovsky,Rev.Mod.Phys.,82(2010),1633；3.G.Schmidt,D.Ferrand,L.W.Molenkamp,Phys.Rev.B,62(2000),R4790)，本質(zhì)上都與材料實(shí)際生長(zhǎng)過(guò)程中的質(zhì)量控制、磁性能調(diào)控密切相關(guān)。而在自旋輸運(yùn)方面，目前觀測(cè)到的自旋弛豫實(shí)踐、相干長(zhǎng)度均較短；對(duì)于自旋的檢測(cè)，通常在樣品制備室外進(jìn)行，樣品暴露于空氣過(guò)程中表面所吸附的各種原子將對(duì)自旋特性產(chǎn)生影響。另一方面，由于自旋半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的磁性材料薄膜其長(zhǎng)度、寬度與厚度尺寸差別較大，導(dǎo)致垂直于薄膜方向存在很強(qiáng)的退磁場(chǎng)，使得制備出來(lái)的材料磁矩基本與薄膜平面平行，且方向各異，不利于獲得高極化率自旋電流。為了改變磁結(jié)構(gòu)，通常在水平數(shù)千高斯磁場(chǎng)下退火。雖然這種方式取得了一定的成效，但由于材料的晶格結(jié)構(gòu)主要取決于制備過(guò)程的原子排列，生長(zhǎng)后引入磁場(chǎng)誘導(dǎo)難以從根本上改變材料的磁結(jié)構(gòu)。因此，在強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境下直接外延生長(zhǎng)材料有利于形成較為一致的磁疇結(jié)構(gòu)，從而獲得高極化率的自旋電流。此外，通過(guò)調(diào)節(jié)強(qiáng)磁場(chǎng)與薄膜材料生長(zhǎng)平面的夾角，或設(shè)計(jì)制備非對(duì)稱異質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)，減小或抵消垂直方向退磁場(chǎng)的作用，有望制備具有垂直磁結(jié)構(gòu)的磁性材料。磁性材料整齊排列的磁矩，在半導(dǎo)體異質(zhì)表面產(chǎn)生很強(qiáng)的等效磁場(chǎng)，增強(qiáng)自旋電子的Larmor進(jìn)動(dòng)，抑制其去相位過(guò)程，使自旋弛豫時(shí)間變長(zhǎng)。

然而，現(xiàn)有強(qiáng)磁體室溫腔尺寸較小(通常內(nèi)徑小于10cm)，要同時(shí)實(shí)現(xiàn)磁性薄膜材料的精細(xì)生長(zhǎng)(需多種蒸發(fā)源或和離子體源)與原位表征，需要在腔體中安裝多個(gè)部件，系統(tǒng)功能多、結(jié)構(gòu)復(fù)雜。因此，若能在室溫腔體中實(shí)現(xiàn)超高真空，可極大增加分子的空間自由程(在10^-4Pa真空下，分子平均自由程即可達(dá)到幾十米)，使得多生長(zhǎng)束源能夠移出強(qiáng)磁場(chǎng)腔體，實(shí)現(xiàn)薄膜材料的分子束外延生長(zhǎng)；進(jìn)而在原子尺度范圍內(nèi)精確地控制材料生長(zhǎng)速率、組分以及結(jié)晶結(jié)構(gòu)，解決目前制備高質(zhì)量自旋半導(dǎo)體及陡峭界面存在的技術(shù)難題。同時(shí)，在超高真空強(qiáng)磁場(chǎng)中對(duì)樣品進(jìn)行原位輸運(yùn)表征，能夠有效地避免了樣品生長(zhǎng)與表征過(guò)程中表面吸附的各種原子對(duì)自旋特性產(chǎn)生的影響，并且具有靈敏度高、分辨率好等優(yōu)點(diǎn)，便于更直觀、精確地研究自旋相關(guān)的物理機(jī)制。有利于更準(zhǔn)確了解半導(dǎo)體電子自旋量子特性，發(fā)現(xiàn)新現(xiàn)象、掌握新規(guī)律、提出新調(diào)控方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對(duì)原有生長(zhǎng)與表征設(shè)備在自旋電子材料生長(zhǎng)以及表征方面存在的上述不足，提供一種矢量強(qiáng)磁場(chǎng)下分子束外延及其原位表征裝置。

本發(fā)明設(shè)有強(qiáng)磁體、倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體、外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)與聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)、原位表征與控制裝置、分子束爐源、抽真空系統(tǒng)；

所述強(qiáng)磁體為具有室溫腔的無(wú)外加液氦螺線型強(qiáng)磁體；

所述倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)的部分采用厚度為5mm、雙層、多通道冷卻結(jié)構(gòu)；所述倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體置于強(qiáng)磁體下方的部分的真空腔體空間大于置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)的部分；

所述外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)與聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)，外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)的旋轉(zhuǎn)經(jīng)聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)控制，用于生長(zhǎng)平面與磁場(chǎng)夾角從0°～90°大角度變化；

所述原位表征與控制裝置置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)，原位表征與控制裝置設(shè)有斜面制冷機(jī)構(gòu)、探針探測(cè)裝置、上下移動(dòng)與旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和多功能操縱桿，所述斜面制冷機(jī)構(gòu)為與外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)的結(jié)構(gòu)匹配、可操作獨(dú)立的制冷裝置；所述斜面制冷機(jī)構(gòu)配有液氮池；所述探針探測(cè)裝置可上下移動(dòng)及旋轉(zhuǎn)，用于外延生長(zhǎng)和測(cè)試切換；

所述分子束爐源設(shè)有位于強(qiáng)磁體下方并可放置多個(gè)蒸發(fā)源和射頻氣體等離子體源的分子束生長(zhǎng)源部件；

所述抽真空系統(tǒng)設(shè)有機(jī)械泵、分子泵、離子泵和鈦泵，所述抽真空系統(tǒng)位于強(qiáng)磁體下方，用于提供真空度高于10^-8Pa的超高真空。

所述室溫腔的內(nèi)徑小于10cm，所述強(qiáng)磁體可提供磁感強(qiáng)度高達(dá)15T、均勻性達(dá)到0.1％的磁場(chǎng)。

所述外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)可采用雙股反向通電的輻射加熱方式，使導(dǎo)線總體洛倫茲力基本為零，避免了通有大電流的導(dǎo)線在強(qiáng)磁場(chǎng)下受到強(qiáng)洛倫茲力導(dǎo)致的部件損壞，可實(shí)現(xiàn)從室溫升至1300K以上溫區(qū)的材料外延生長(zhǎng)。

所述探針探測(cè)裝置可安裝多于6根探針；所述原位表征主要以原位霍爾效應(yīng)與磁阻測(cè)試為主，采用pA乃至fA量級(jí)靈敏度的電流表、nV量級(jí)靈敏度的電壓表，并采用橋路設(shè)計(jì)方式進(jìn)行接線。

所述蒸發(fā)源可采用鐵磁(Fe、Co、Ni等)、金屬(Pt、Pd等)，為半導(dǎo)體基底上(MgO、Al₂O₃、GaN等)多種材料的外延生長(zhǎng)提供源材料；所述射頻氣體等離子體源為氧氣、氮?dú)饣蚱渌鼩庠?；所述蒸發(fā)源可從室溫加熱至1600K高溫，由精確程序化的PID(Proportional Integral Differential,PID)溫度控制單元操控。

本發(fā)明提供超高真空強(qiáng)磁場(chǎng)下，樣品生長(zhǎng)平面與磁場(chǎng)夾角可調(diào)節(jié)的分子束外延生長(zhǎng)，及以霍爾效應(yīng)與磁阻測(cè)試為主的原位表征裝置。該裝置主要由結(jié)構(gòu)緊致的倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體和具有較小室溫腔的強(qiáng)磁體構(gòu)成。其中置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)的倒T型真空腔部分，包含緊致的外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)、可調(diào)節(jié)磁場(chǎng)與樣品臺(tái)夾角和原位表征裝置；置于強(qiáng)磁體下方部分包含蒸發(fā)源、等離子體源等分子束源部件以及抽真空系統(tǒng)，利用超高真空中分子束流自由程長(zhǎng)的特點(diǎn)，使多束源能移出強(qiáng)磁場(chǎng)腔體。本發(fā)明有效克服了強(qiáng)磁場(chǎng)腔體積小與生長(zhǎng)測(cè)試系統(tǒng)部件多的技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)磁場(chǎng)下分子束外延生長(zhǎng)及原位表征。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖1中，各標(biāo)記為：1表示強(qiáng)磁體，2表示倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體，3表示外延樣品臺(tái)與聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)和原位表征與控制裝置，4表示分子束爐源，5表示不銹鋼支架，6表示固定支架，7表示減震空氣柱支腳，8表示機(jī)械泵與分子泵，9表示離子泵，10表示鈦泵。

圖2為倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體結(jié)構(gòu)示意圖。在圖2中，各標(biāo)記為：2-1表示腔體上半部分，置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)，具有超薄、雙層、多冷卻水通道結(jié)構(gòu)，2-2表示置于強(qiáng)磁體下半部分腔體，2-3為觀察窗口。

圖3為外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)與聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)和原位表征與控制裝置示意圖。在圖3中，各標(biāo)記為：3-1表示外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)，3-2表示樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，3-3表示活動(dòng)擋板，3-4表示斜面制冷機(jī)構(gòu)，3-5表示原位探針臺(tái)，3-6表示上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，3-7表示上密封法蘭。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明保護(hù)的范圍不僅限于下述實(shí)施例。

本發(fā)明設(shè)有強(qiáng)磁體、倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體、外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)與聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)、原位表征與控制裝置、分子束爐源、抽真空系統(tǒng)、探針探測(cè)裝置。

所述強(qiáng)磁體為具有室溫腔的無(wú)外加液氦螺線型強(qiáng)磁體，所述室溫腔的內(nèi)徑小于10cm，所述強(qiáng)磁體可提供磁感強(qiáng)度高達(dá)15T、均勻性達(dá)到0.1％的磁場(chǎng)。

所述倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)的部分采用厚度為5mm、雙層、多通道冷卻結(jié)構(gòu)，具有較好的隔熱和冷卻功能，保證磁體的正常工作；所述倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體置于強(qiáng)磁體下方的部分的真空腔體空間大于置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)的部分，便于放置多個(gè)生長(zhǎng)源。

所述外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)與聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)，外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)的旋轉(zhuǎn)經(jīng)聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)控制，用于生長(zhǎng)平面與磁場(chǎng)夾角從0°～90°大角度變化，且生長(zhǎng)起止可由外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)前活動(dòng)擋板控制的分子束外延；所述外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)采用雙股反向通電的輻射加熱方式，使導(dǎo)線總體洛倫茲力基本為零，避免了通有大電流的導(dǎo)線在強(qiáng)磁場(chǎng)下受到強(qiáng)洛倫茲力導(dǎo)致的部件損壞，可實(shí)現(xiàn)從室溫升至1300K以上溫區(qū)的材料外延生長(zhǎng)。

所述原位表征與控制裝置置于強(qiáng)磁體室溫腔內(nèi)，原位表征與控制裝置設(shè)有斜面制冷機(jī)構(gòu)、探針探測(cè)裝置、上下移動(dòng)與旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和多功能操縱桿，所述斜面制冷機(jī)構(gòu)為與外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)的結(jié)構(gòu)匹配、可操作獨(dú)立的制冷裝置；所述斜面制冷機(jī)構(gòu)的熱傳導(dǎo)系數(shù)高、接觸面積大，且配有小體積的液氮池，可實(shí)現(xiàn)樣品從液氮溫度到高溫的溫度變化。

所述探針探測(cè)裝置可上下移動(dòng)及旋轉(zhuǎn)，用于外延生長(zhǎng)和測(cè)試切換，探針探測(cè)裝置可安裝多于6根探針，并可根據(jù)樣品形狀和測(cè)試類型排列探針，并最終實(shí)現(xiàn)不同溫度下的原位自旋電子輸運(yùn)特性表征；所述原位表征主要以原位霍爾效應(yīng)與磁阻測(cè)試為主，采用pA乃至fA量級(jí)靈敏度的電流表、nV量級(jí)靈敏度的電壓表，并采用橋路設(shè)計(jì)方式進(jìn)行接線；采用目前工業(yè)界常用的圖形化編程工具LabVIEW軟件，可實(shí)現(xiàn)對(duì)電流表、電壓表、強(qiáng)磁體的控制及數(shù)據(jù)采集，整套系統(tǒng)可測(cè)量高達(dá)1GΩ以上的磁阻及高達(dá)10^-9量級(jí)的霍爾測(cè)試精度，實(shí)現(xiàn)原位下超過(guò)鐵磁金屬、半導(dǎo)體材料及其異質(zhì)結(jié)的磁阻和霍爾測(cè)試。

所述分子束爐源設(shè)有位于強(qiáng)磁體下方并可小角度放置多個(gè)蒸發(fā)源和射頻氣體等離子體源的分子束生長(zhǎng)源部件，保證了材料外延生長(zhǎng)過(guò)程中蒸發(fā)源材料能夠直射至樣品基底；所述蒸發(fā)源可采用鐵磁(Fe、Co、Ni等)、金屬(Pt、Pd等)，為半導(dǎo)體基底上(MgO、Al₂O₃、GaN等)多種材料的外延生長(zhǎng)提供源材料；所述射頻氣體等離子體源為氧氣、氮?dú)饣蚱渌鼩庠?；所述蒸發(fā)源可從室溫加熱至1600K高溫，由精確程序化的PID(Proportional Integral Differential,PID)溫度控制單元操控。

所述抽真空系統(tǒng)設(shè)有機(jī)械泵、分子泵、離子泵和鈦泵，所述抽真空系統(tǒng)位于強(qiáng)磁體下方，用于提供真空度高于10^-8Pa的超高真空；避免了樣品生長(zhǎng)與表征過(guò)程中表面吸附的各種原子對(duì)自旋特性產(chǎn)生的影響，以便于更直觀、精確地研究自旋相關(guān)的物理機(jī)制。

以下給出具體實(shí)施例，參見(jiàn)圖1～3。

本發(fā)明所述矢量強(qiáng)磁場(chǎng)下分子束外延及其原位表征裝置實(shí)施例由強(qiáng)磁體1、倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體2、外延樣品臺(tái)與聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)和原位表征與控制裝置3、分子束爐源4、不銹鋼支架5、固定支架6、減震空氣柱支腳7、分子泵8、離子泵9、鈦泵10構(gòu)成。強(qiáng)磁體1設(shè)置于不銹鋼支架5上，倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體2由固定支架6支撐，其上半部分2-1置于強(qiáng)磁體1之中，下半部分2-2位于強(qiáng)磁體1下方，固定支架通過(guò)不銹鋼板與減震空氣支腳7相連，外延樣品臺(tái)及其聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)與原位表征及其控制裝置3置于倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體的上半部分2-1，通過(guò)上密封法蘭3-7與外部控制系統(tǒng)相連，分子束爐源、機(jī)械泵與分子泵8、離子泵9、鈦泵10通過(guò)密封法蘭與倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體的下半部分2-2相連。

下面以MgO襯底上外延生長(zhǎng)鐵磁金屬Co薄膜及其原位表征為實(shí)施例：

(1)首先將倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體2與連接外界大氣的閥門(mén)緩慢打開(kāi)，保持真空腔體與外界大氣壓強(qiáng)相同。

(2)操控聯(lián)動(dòng)裝置將外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)3-1從倒T型超高真空生長(zhǎng)與表征腔體2中取出，然后將MgO襯底(5×12mm²)置于外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)3-1上，再放回倒T型真空腔2中。

(3)鎖緊連接倒T型真空腔2與外界的密封法蘭3-7，并關(guān)閉如(1)中所述閥門(mén)。依次開(kāi)啟機(jī)械泵與分子泵8及離子泵9，以進(jìn)行抽真空操作，間斷性地開(kāi)啟鈦泵10，使系統(tǒng)的真空度由一個(gè)大氣壓降低至本底超高真空。

(4)開(kāi)啟冷卻水和樣品臺(tái)的加熱電源，根據(jù)實(shí)際需要對(duì)MgO襯底進(jìn)行必要的熱退火處理，以獲得更加平整的襯底表面。在外延生長(zhǎng)的過(guò)程中，樣品臺(tái)的溫度最高可升至1300K。

(5)開(kāi)啟無(wú)液氦強(qiáng)磁體1，經(jīng)過(guò)壓縮機(jī)大約48個(gè)小時(shí)的不間斷工作，將氦氣最終壓縮至液氦狀態(tài)(約4.2K)，此時(shí)通過(guò)給超導(dǎo)線圈施加不同的電流，獲得不同磁感強(qiáng)度的磁場(chǎng)；本發(fā)明系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)高達(dá)15T的變磁場(chǎng)外延樣品生長(zhǎng)。

(6)通過(guò)PID溫度控制單元精確控制金屬Co源(純度為99.9999％)的加熱溫度，樣品生長(zhǎng)的起止過(guò)程由位于樣品臺(tái)前的活動(dòng)擋板3-3控制。外延生長(zhǎng)開(kāi)始時(shí)，打開(kāi)位于樣品臺(tái)下方的活動(dòng)擋板3-3，通過(guò)外部聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)及樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)3-2，調(diào)整樣品臺(tái)的轉(zhuǎn)動(dòng)角度，從而獲得不同生長(zhǎng)平面與磁場(chǎng)夾角(0°～90°)的獨(dú)立調(diào)節(jié)。整個(gè)外延生長(zhǎng)過(guò)程中磁場(chǎng)強(qiáng)度保持不變；分子束爐源4與倒T型真空腔2由循環(huán)水冷卻。選擇合適的源爐溫度可將沉積速度嚴(yán)格控制在0.1～1nm/min的單原子層精度，通過(guò)精確控制蒸發(fā)源的溫度與外延生長(zhǎng)時(shí)間，則可獲得原子量級(jí)精度的外延Co薄膜。

(7)生長(zhǎng)結(jié)束時(shí)，關(guān)閉樣品臺(tái)前的活動(dòng)擋板3-3，緩慢降低直至關(guān)閉控制生長(zhǎng)源加熱的電流。結(jié)合實(shí)際需要，對(duì)所外延生長(zhǎng)的樣品進(jìn)行必要的熱退火處理，以獲得更好的晶體質(zhì)量。此后逐漸減小樣品臺(tái)的加熱電流至零，在后續(xù)熱退火及樣品降溫過(guò)程中，仍保持磁場(chǎng)強(qiáng)度不變；直到外延生長(zhǎng)樣品的溫度降至其居里溫度以下，再將磁場(chǎng)強(qiáng)度減小到零，保證了材料外延生長(zhǎng)過(guò)程中磁結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

(8)對(duì)所外延生長(zhǎng)的Co薄膜進(jìn)行原位自旋電子輸運(yùn)表征過(guò)程中，通過(guò)上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)3-6，先將斜面制冷裝置3-4與外延生長(zhǎng)樣品臺(tái)3-1接觸，在斜面制冷機(jī)構(gòu)的液氮池中通入液氮，可實(shí)現(xiàn)樣品從液氮制冷，并通過(guò)外部控溫裝置控制樣品臺(tái)溫度。選擇合適的溫度，通過(guò)上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)3-6控制并移動(dòng)原位探針臺(tái)3-5，使原位探針臺(tái)3-5上的探針與所生長(zhǎng)的Co薄膜形成良好的電接觸，并與外部控制測(cè)量裝置相連。通過(guò)對(duì)所生長(zhǎng)Co薄膜分別施加pA量級(jí)的電流與nV量級(jí)的電壓，同時(shí)利用LabVIEW軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，則可完成原位霍爾效應(yīng)與磁阻測(cè)試。整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，保持腔體處于超高真空狀態(tài)，可有效避免Co薄膜暴露于空氣中表面吸附的各種原子對(duì)自旋特性產(chǎn)生的影響，從而便于更精確、深入地表征及研究外延Co薄膜的自旋相關(guān)性質(zhì)。