技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種電阻式內(nèi)存及其記憶胞。電阻式記憶胞包括第一位線開關(guān)、第一電阻、第一字線開關(guān)、第二位線開關(guān)、第二電阻以及第二字線開關(guān)。第一位線開關(guān)及第二位線開關(guān)接收位線信號，并受控于位線選擇信號以導(dǎo)通或斷開。第一電阻耦接在第一位線開關(guān)與第一字線開關(guān)間。第一字線開關(guān)受控于字線信號以導(dǎo)通或斷開。第二電阻耦接在第二位線開關(guān)與第二字線開關(guān)間。第二字線開關(guān)受控于字線信號以導(dǎo)通或斷開。其中，當(dāng)電阻式記憶胞被程序化時(shí)，第一、第二電阻的電阻值同時(shí)被程序化為高阻抗值或同時(shí)被程序化為低阻抗值。本發(fā)明可調(diào)整其讀取邊界并減低記憶胞因設(shè)定-重置循環(huán)所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)態(tài)現(xiàn)象而造成的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的現(xiàn)象。

技術(shù)研發(fā)人員：陳建隆
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
文檔號碼：201510895267
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.08
技術(shù)公布日：2017.06.16