1.一種電阻式記憶胞，其特征在于，包括：
第一位線開關(guān)，其第一端接收位線信號，受控于位線選擇信號以導(dǎo)通或斷開；
第一電阻，其第一端耦接至所述第一位線開關(guān)的第二端；
第一字線開關(guān)，串接在所述第一電阻的第二端與源極線間，受控于字線信號以導(dǎo)通或斷開；
第二位線開關(guān)，其第一端接收所述位線信號，受控于所述位線選擇信號以導(dǎo)通或斷開；
第二電阻，其第一端耦接至所述第二位線開關(guān)的第二端；及
第二字線開關(guān)，串接在所述第二電阻的第二端與所述源極線間，受控于所述字線信號以導(dǎo)通或斷開，
其中，當(dāng)所述電阻式記憶胞被程序化時(shí)，所述第一電阻、第二電阻的電阻值同時(shí)被程序化為高阻抗值或同時(shí)被程序化為低阻抗值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞，其特征在于，所述第一電阻與所述第一位線開關(guān)耦接的端點(diǎn)作為數(shù)據(jù)讀取端點(diǎn)，并且，在所述電阻式記憶胞被讀取時(shí)，所述第一位線開關(guān)、第二位線開關(guān)以及所述第一字線開關(guān)、第二字線開關(guān)被導(dǎo)通，而所述數(shù)據(jù)讀取端點(diǎn)提供第一阻抗至感測放大器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞，其特征在于，所述第一阻抗等于所述第一電阻與所述第二電阻并聯(lián)的電阻值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞，其特征在于，所述第一位線開關(guān)為一第一晶體管，所述第一晶體管的第一端接收所述位線信號，所述第一晶體管的第二端耦接所述第一電阻的第一端，所述第一晶體管的控制端接收所述位線選擇信號，所述第一字線開關(guān)為一第二晶體管，所述第二晶體管的第一端耦接至所述第一電阻的第二端，所述第二晶體管的第二端耦接至所述源極線，所述第二晶體管的控制端接收所述字線信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞，其特征在于，所述第二位線開關(guān)為第一晶體管，所述第一晶體管的第一端接收所述位線信號，所述第一晶體管的第二端耦接所述第二電阻的第一端，所述第一晶體管的控制端接收所述位線選擇信號，所述第二字線開關(guān)為第二晶體管，所述第二晶體管的第一 端耦接至所述第二電阻的第二端，所述第二晶體管的第二端耦接至所述源極線，所述第二晶體管的控制端接收所述字線信號。
6.一種電阻式內(nèi)存，其特征在于，包括：
至少一電阻式記憶胞，包括：
第一位線開關(guān)，其第一端接收一位線信號，受控于位線選擇信號以導(dǎo)通或斷開；
第一電阻，其第一端耦接至所述第一位線開關(guān)的第二端；
第一字線開關(guān)，串接在所述第一電阻的第二端與源極線間，受控于字線信號以導(dǎo)通或斷開；
第二位線開關(guān)，其第一端接收所述位線信號，受控于所述位線選擇信號以導(dǎo)通或斷開；
第二電阻，其第一端耦接至所述第二位線開關(guān)的第二端；及
第二字線開關(guān)，串接在所述第二電阻的第二端與所述源極線間，受控于所述字線信號以導(dǎo)通或斷開，
其中，當(dāng)所述電阻式記憶胞被程序化時(shí)，所述第一電阻、第二電阻的電阻值同時(shí)被程序化為高阻抗值或同時(shí)被程序化為低阻抗值；以及
感測放大器，具有第一輸入端耦接所述第一電阻的第一端，以及第二輸入端接收一參考信號，其中，所述感測放大器的輸出端產(chǎn)生一讀取數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式內(nèi)存，其特征在于，所述感測放大器為電流式感測放大器，以依據(jù)所述第一輸入端及所述第二輸入端上的信號分別產(chǎn)生第一電流及第二電流，并依據(jù)比較所述第一電流及所述第二電流來產(chǎn)生所述讀取數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式內(nèi)存，其特征在于，所述第一電阻與所述第一位線開關(guān)耦接的端點(diǎn)作為數(shù)據(jù)讀取端點(diǎn)，并且，在所述電阻式記憶胞被讀取時(shí)，所述第一位線開關(guān)、第二位線開關(guān)以及所述第一字線開關(guān)、第二字線開關(guān)被導(dǎo)通，而所述數(shù)據(jù)讀取端點(diǎn)提供第一阻抗至感測放大器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電阻式內(nèi)存，其特征在于，所述第一阻抗等于所述第一電阻與所述第二電阻并聯(lián)的電阻值。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式內(nèi)存，其特征在于，所述參考信號為參考電流。