帶有可變驗(yàn)證操作的非易失性存儲(chǔ)器(nvm)的制作方法
【專利摘要】公開了帶有可變驗(yàn)證操作的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)。一種編程/擦除(204,206)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)陣列(104)的方法，包括：基于所述NVM陣列的溫度(112)確定第一數(shù)目(NREG)。所述第一數(shù)目的編程/擦除脈沖被施加(308)于所述NVM陣列。在開始施加之后已達(dá)到所述第一數(shù)目之后，首次執(zhí)行所述NVM的第一驗(yàn)證(304)。
【專利說(shuō)明】帶有可變驗(yàn)證操作的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開通常涉及非易失性存儲(chǔ)器(NVM)，更具體地說(shuō)，涉及執(zhí)行可變數(shù)目驗(yàn)證操作的附M。

【背景技術(shù)】
[0002]典型的非易失性存儲(chǔ)器(NVMS)使用電荷泵來(lái)生成在編程和擦除操作期間施加于存儲(chǔ)器單元的擦除電壓。選擇用于編程和擦除操作的電壓是基于存儲(chǔ)器單元閾值電壓分布的期望特性和被編程或擦除的單元的編程或擦除性能的。對(duì)于給定NVM，對(duì)于每一個(gè)相關(guān)節(jié)點(diǎn)，存在用于編程和擦除的確定的電荷泵電壓。對(duì)于擦除，這通常是存儲(chǔ)器單元上的柵極電壓和井電壓。對(duì)于編程，這通常是存儲(chǔ)器單元上的柵極電壓和漏極電壓。
[0003]操作周期可以包括例如預(yù)編程、擦除、壓縮和軟編程的模式，電壓脈沖序列在此期間被施加于存儲(chǔ)器單元。每一個(gè)操作周期可以包括驗(yàn)證操作，以確保指定數(shù)目的存儲(chǔ)器單元處于預(yù)期狀態(tài)。驗(yàn)證操作在每一個(gè)電壓脈沖序列被施加之后執(zhí)行。如果單元沒(méi)有通過(guò)驗(yàn)證，那么取決于被執(zhí)行的特定操作，可以施加更高電壓電平的其他電壓脈沖序列，直到指定數(shù)目的存儲(chǔ)器單元處于預(yù)期狀態(tài)。被施加的電壓脈沖序列數(shù)目通常隨著存儲(chǔ)器陣列生命周期齡期(Iifecycleage)的增加而增加。脈沖序列數(shù)目的增加影響了完成操作所需的時(shí)間量。此外，溫度也會(huì)影響脈沖序列數(shù)目，脈沖序列數(shù)目隨著齡期的增加而成比例地增力卩。擦除脈沖序列數(shù)目隨著溫度而降低。編程脈沖序列數(shù)目隨著溫度而增加。
[0004]因此，存在對(duì)于這樣的擦除操作的需要，該擦除操作改進(jìn)了在存儲(chǔ)器壽命和擦除時(shí)間期間的擦除性能及可靠性。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0005]關(guān)于以下說(shuō)明書以及附圖，將會(huì)更好地理解本發(fā)明公開的好處、特征以及具有點(diǎn)。在附圖中:
[0006]圖1根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，是非易失性存儲(chǔ)器(NVM)裝置的方框圖。
[0007]圖2是可以被圖1的NVM裝置執(zhí)行的操作的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
[0008]圖3是可以被圖1的NVM裝置執(zhí)行的擦除操作的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
[0009]圖4是可以用于圖1的NVM裝置的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)表的一個(gè)實(shí)施例。
[0010]圖5是可以用于圖1的NVM裝置的另一個(gè)脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)表的一個(gè)實(shí)施例。

【具體實(shí)施方式】
[0011]公開了非易失性存儲(chǔ)器的方法和裝置，其中在初步驗(yàn)證操作之后驗(yàn)證操作被暫停，直到選定數(shù)目的電壓脈沖序列被施加于存儲(chǔ)器單元陣列中的一些或所有。選定數(shù)目的電壓脈沖序列可以基于溫度和已經(jīng)對(duì)陣列執(zhí)行的操作數(shù)目。通過(guò)參考附圖和以下書面描述可以更好地理解。
[0012]圖1所示的是非易失性存儲(chǔ)器(NVM)裝置100，其具有電荷泵102、耦合于電荷泵102的存儲(chǔ)器控制器106、稱合于控制器106的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)表110、稱合于控制器106的溫度傳感器112以及耦合于電荷泵102的NVM陣列104的集合。NVM陣列104通常包括行解碼器、列解碼器以及用于操作NVM陣列中的存儲(chǔ)器單元的感測(cè)放大器(圖中未顯示)?？刂破?06控制NVM陣列104的操作，包括讀取、編程和擦除。
[0013]脈沖計(jì)數(shù)邏輯108可以被包括在控制器106中，以確定在多種存儲(chǔ)操作(例如預(yù)編程、擦除、壓縮、軟編程和編程操作)期間何時(shí)開始使用驗(yàn)證操作。脈沖計(jì)數(shù)邏輯108可以使用源自脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)110的信息，以在基于先前施加的脈沖序列數(shù)目發(fā)起驗(yàn)證操作之前，確定是否增加用于施加于存儲(chǔ)器單元的脈沖序列的數(shù)目。脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)110可以被更新，以反映增加的數(shù)目。取決于被執(zhí)行的操作，通過(guò)驗(yàn)證操作所需的脈沖序列的數(shù)目通常隨著生命周期齡期和/或操作溫度的變化而增加。脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)110可以被實(shí)現(xiàn)為查找表、一個(gè)或多個(gè)公式、或其它合適的實(shí)現(xiàn)方式。脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)110可以被存儲(chǔ)用于一個(gè)或多個(gè)生命周期齡期，例如初始、100，000,200, 000和250，000個(gè)周期，以及用于一個(gè)或多個(gè)溫度范圍。在特別的生命周期齡期和溫度范圍內(nèi)，脈沖計(jì)數(shù)邏輯108可以將因子(例如百分比)施加于脈沖計(jì)數(shù)，以生成用于在驗(yàn)證存儲(chǔ)操作之前執(zhí)行的指定數(shù)目脈沖序列的值。
[0014]現(xiàn)在參照?qǐng)D1和圖2，圖2顯示了可以被圖1的NVM裝置執(zhí)行的操作的一個(gè)實(shí)施例的流程圖，包括預(yù)編程操作202、擦除操作204、壓縮操作206以及軟編程操作208。預(yù)編程操作202可以包括確定是否需要預(yù)編程操作以將NVM陣列104中的所有單元帶入預(yù)編程電平。預(yù)編程閾值電壓電平將取決于形成存儲(chǔ)器單元的晶體管的配置/技術(shù)。對(duì)于擦除操作204，所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓被帶入擦除電平。壓縮操作206可以被執(zhí)行，以確保所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓高于最小壓縮電平。軟編程操作208可以被執(zhí)行，以確保所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓高于最小軟編程電平。
[0015]電壓脈沖序列被施加于NVM陣列104中的存儲(chǔ)器單元。在施加指定數(shù)目的電壓脈沖序列之后，驗(yàn)證操作被執(zhí)行，以確保所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓高于(或低于)被執(zhí)行操作的指定驗(yàn)證電平。一個(gè)或多個(gè)脈沖序列可以隨后被施加于存儲(chǔ)器單元，直到所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓高于或低于相應(yīng)的指定驗(yàn)證電平。例如，擦除驗(yàn)證操作確保所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓低于擦除驗(yàn)證電平。軟編程驗(yàn)證操作確保所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓高于軟編程驗(yàn)證電平。相應(yīng)驗(yàn)證操作可以在每一個(gè)后續(xù)脈沖序列被施加之后執(zhí)行。在初始執(zhí)行驗(yàn)證操作直到指定數(shù)目的脈沖序列被施加的延遲縮短了在生產(chǎn)測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)操作期間執(zhí)行預(yù)編程、擦除、壓縮和軟編程操作所需的時(shí)間。正如本發(fā)明進(jìn)一步描述的，如果自從先前操作以來(lái)施加的脈沖序列數(shù)目超過(guò)一定的量，則指定數(shù)目的脈沖也可以在執(zhí)行驗(yàn)證操作之后被改變。
[0016]圖3是用于執(zhí)行可以在圖1的控制器106的脈沖計(jì)數(shù)邏輯108內(nèi)實(shí)現(xiàn)的擦除操作204的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。處理302可以包括將計(jì)數(shù)器N初始化為初始值，例如零(O)。處理304可以包括執(zhí)行初步擦除驗(yàn)證操作，以確定所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓是否低于擦除驗(yàn)證電壓電平。如果所有存儲(chǔ)器單元的閾值電壓低于擦除驗(yàn)證電平，則擦除驗(yàn)證操作被認(rèn)為是已經(jīng)通過(guò)或者是成功的。如果擦除驗(yàn)證操作未通過(guò)，處理306轉(zhuǎn)移到處理308，在其中擦除脈沖序列被施加于存儲(chǔ)器單元。一旦擦除脈沖序列被施加，處理310將計(jì)數(shù)器N遞增一(1)，這指示已施加的擦除脈沖序列數(shù)目。處理312可以包括確定計(jì)數(shù)器N是否大于或等于指定數(shù)目的脈沖序列，正如在圖3中由NREG指示的。如果計(jì)數(shù)器N大于或等于指定數(shù)目的脈沖序列NREG，處理312轉(zhuǎn)移到處理304。如果計(jì)數(shù)器N小于指定數(shù)目的脈沖序列NREG，處理312轉(zhuǎn)移到處理308。
[0017]如果處理306確定擦除驗(yàn)證通過(guò)，處理314確定計(jì)數(shù)器N是否大于脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值。脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值是從脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)110 (圖1)獲得的。在所示的例子中，如果N減去余量值(例如，5)大于脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值，處理316用脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)110內(nèi)的計(jì)數(shù)器N的值來(lái)更新脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值。在一些實(shí)施例中，在特別的生命周期齡期和溫度范圍內(nèi)的查找表中的值可以在處理316被更新。在其它實(shí)現(xiàn)方案中，被用于計(jì)算脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值的一個(gè)或多個(gè)等式的系數(shù)可以在處理316被更新。用于實(shí)現(xiàn)和更新脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值的其它合適的技術(shù)可以被使用。
[0018]在脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值在處理316被更新之后，處理318可以包括基于更新的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值來(lái)更新指定數(shù)目的脈沖序列NREG。指定數(shù)目的脈沖序列NREG可以是脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值的百分比。百分比可以由用戶來(lái)指定。較低的百分比將導(dǎo)致驗(yàn)證操作在較少數(shù)目的脈沖序列之后進(jìn)行，而較高的百分比將導(dǎo)致驗(yàn)證操作在較大數(shù)目的脈沖序列之后進(jìn)行。類似于更新的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值，對(duì)于特別的溫度范圍和/或?qū)?yīng)存儲(chǔ)器陣列的生命周期齡期，更新的指定數(shù)目的脈沖序列NREG可以是特定的。
[0019]返回參照處理314，如果計(jì)數(shù)器N小于或等于脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值，則在余量值(例如，5個(gè)計(jì)數(shù)余量)之內(nèi)，擦除操作204結(jié)束?？刂破?06隨后可能執(zhí)行壓縮操作206 (圖2)和軟編程操作208 (圖2)。
[0020]圖4是可以用于圖1的NVM裝置100的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)表110的一個(gè)實(shí)施例。數(shù)據(jù)可以用于具有低于特別閾值(例如100，000周期)的生命周期齡期的NVM存儲(chǔ)器裝置。脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值和對(duì)應(yīng)的指定數(shù)目的脈沖序列NREG可以被提供用于多個(gè)溫度范圍。NREG值將是對(duì)應(yīng)脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值的百分比，例如50%、75%或95%。基于在存儲(chǔ)器操作(例如預(yù)編程、擦除、壓縮和軟編程)期間將要開始的驗(yàn)證操作有多快，由用戶可以設(shè)置其它合適的百分比值。
[0021]在所示的例子中，第一溫度范圍402從-40到O攝氏度變化，并且具有對(duì)應(yīng)的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值30。脈沖序列NREG的對(duì)應(yīng)數(shù)目是15，其是脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值的50%。第二溫度范圍404從O到40攝氏度變化，并且具有對(duì)應(yīng)的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值28，以及脈沖序列NREG的數(shù)目是14。第三溫度范圍406從40到80攝氏度變化，并且具有對(duì)應(yīng)的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值26，以及脈沖序列NREG的數(shù)目是13。第四溫度范圍408從80到120攝氏度變化，并且具有對(duì)應(yīng)的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值24，以及脈沖序列NREG的數(shù)目是12。第五溫度范圍410從120到160攝氏度變化，并且具有對(duì)應(yīng)的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值22，以及脈沖序列NREG的數(shù)目是11。第六溫度范圍412從160到200攝氏度變化，并且具有對(duì)應(yīng)的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值20，以及脈沖序列NREG的數(shù)目是10。
[0022]注意，脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)110可以包括更多或更少的溫度范圍、不同的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值，并使用不同的百分比來(lái)確定指定數(shù)目的脈沖序列NREG。
[0023]圖5是可以用于圖1的NVM裝置100的以表格形式的另一個(gè)脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)表110的一個(gè)實(shí)施例。比較圖4和圖5，溫度范圍402-406和410-412的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)值保持相同。溫度范圍408已被更新，以反映在存儲(chǔ)器陣列具有100，000周期的生命周期齡期之后執(zhí)行擦除操作所需的脈沖序列數(shù)目的增加。在所示的例子中，用于溫度范圍408的脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)已(從圖4中的24)增加至34，以及指定數(shù)目的脈沖序列NREG(從圖4中的12)變化至17。因此，對(duì)于溫度范圍408，在發(fā)起對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證操作之前執(zhí)行的脈沖序列數(shù)目將從12增加至17。結(jié)果，由于延遲驗(yàn)證操作而節(jié)省的時(shí)間將隨著存儲(chǔ)器裝置的生命周期齡期的增加而增加。此外，通過(guò)考慮在多種操作溫度所需的脈沖序列數(shù)目的變化，脈沖計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)110進(jìn)一步改進(jìn)了性能。
[0024]在預(yù)編程、擦除、壓縮和軟編程操作期間被施加的脈沖的最小數(shù)目可以在指定溫度范圍首次執(zhí)行每一個(gè)操作之后被建立，并且可以被存儲(chǔ)在能被脈沖計(jì)數(shù)邏輯108訪問(wèn)的存儲(chǔ)器中。脈沖的最小數(shù)目對(duì)于每一個(gè)操作可以是不同的，例如，對(duì)于擦除操作，脈沖的最小數(shù)目可以是20個(gè)脈沖，而對(duì)于軟編程操作，脈沖的最小數(shù)目可以是5個(gè)脈沖。脈沖的最小數(shù)目很可能取決于操作期間的溫度以及擦除周期，并且可以針對(duì)每一個(gè)溫度范圍來(lái)存儲(chǔ)不同的最小數(shù)目脈沖。
[0025]目前應(yīng)了解，在一些實(shí)施例中，一種擦除非易失性存儲(chǔ)器(NVM)陣列(104)的方法200包括:基于所述NVM陣列的溫度(112)確定第一數(shù)目(NREG)，將所述第一數(shù)目擦除脈沖(308)施加于所述NVM陣列，以及在開始施加之后在已達(dá)到所述第一數(shù)目之后(312)首次執(zhí)行所述NVM的第一驗(yàn)證(304)。
[0026]另一方面，所述方法可以包括:如果執(zhí)行所述第一驗(yàn)證(304)確定擦除是不成功的，則在驗(yàn)證之后將附加擦除脈沖施加于所述NVM陣列。
[0027]另一方面，所述方法可以包括:基于成功擦除所述NVM陣列所需的擦除脈沖數(shù)目，確定所述第一數(shù)目是否應(yīng)該被更新。
[0028]另一方面，所述方法可以包括:如果所述執(zhí)行所述第一驗(yàn)證確定擦除是不成功的，則交替地施加擦除脈沖和執(zhí)行驗(yàn)證，直到在已經(jīng)施加了最大數(shù)目的擦除脈沖之后已經(jīng)發(fā)生了下述組中的一個(gè)，該組包括:確定所述擦除已成功、或失敗擦除。
[0029]另一方面，所述確定可以進(jìn)一步特征在于:所述第一數(shù)目還基于已執(zhí)行的擦除周期的數(shù)目。
[0030]另一方面，所述確定的進(jìn)一步特征在于:所述第一數(shù)目還基于已執(zhí)行的擦除周期的數(shù)目。
[0031]另一方面，所述確定的進(jìn)一步特征在于:所述第一數(shù)目選自于多個(gè)數(shù)目，其中，所述多個(gè)數(shù)目對(duì)應(yīng)于溫度范圍。
[0032]另一方面，所述確定的進(jìn)一步特征在于:所述多個(gè)數(shù)目中的每一個(gè)受到在其對(duì)應(yīng)的所述溫度范圍實(shí)現(xiàn)擦除所需的脈沖數(shù)目變化的影響。
[0033]另一方面，所述確定的進(jìn)一步特征在于:所述多個(gè)數(shù)目中的每一個(gè)是在其對(duì)應(yīng)的所述溫度范圍實(shí)現(xiàn)擦除所需的脈沖數(shù)目的百分比(圖4、圖5)。
[0034]另一方面，如果執(zhí)行第一驗(yàn)證的步驟確定擦除是不成功的，則交替地施加擦除脈沖和執(zhí)行驗(yàn)證，直到在已經(jīng)施加了最大數(shù)目的擦除脈沖之后已經(jīng)發(fā)生了下述組中的一個(gè)，該組包括:確定所述擦除已成功、或失敗擦除。如果所述擦除已成功，則可以對(duì)所述NVM陣列執(zhí)行壓縮驗(yàn)證(206)。如果壓縮驗(yàn)證未通過(guò)，則可以對(duì)所述NVM陣列執(zhí)行壓縮(206)。
[0035]在其它實(shí)施例中，一種非易失性存儲(chǔ)器(NVM)，可以包括:NVM陣列(104);提供了用于生成擦除脈沖的電源的電荷泵(102);提供了指示所述NVM陣列的溫度的信號(hào)的溫度傳感器(112);耦合于所述NVM陣列、所述溫度傳感器以及所述電荷泵的控制器(106)，其基于所述NVM陣列的溫度確定第一數(shù)目(NREG);將所述第一數(shù)目的擦除脈沖(308)施加于所述NVM陣列；以及在已達(dá)到所述第一數(shù)目的擦除脈沖之后，首次執(zhí)行所述NVM的第一驗(yàn)證(304)。
[0036]另一方面，如果所述控制器確定了擦除是不成功的，所述控制器可以交替地施加擦除脈沖和執(zhí)行驗(yàn)證，直到已經(jīng)發(fā)生了下述組中的一個(gè)，該組包括:確定所述擦除已成功、或最大數(shù)目的擦除脈沖。
[0037]另一方面，所述第一數(shù)目可以還基于已被執(zhí)行的擦除周期(圖4和圖5)的數(shù)目。
[0038]另一方面，所述第一數(shù)目可以選自于多個(gè)數(shù)目(圖4和圖5)，其中所述多個(gè)數(shù)目對(duì)應(yīng)于溫度范圍。
[0039]另一方面，所述多個(gè)數(shù)目中的每一個(gè)可以受在其對(duì)應(yīng)的所述溫度范圍實(shí)現(xiàn)擦除所需的脈沖數(shù)目的變化的影響。
[0040]另一方面，所述多個(gè)數(shù)目中的每一個(gè)是在其對(duì)應(yīng)的所述溫度范圍實(shí)現(xiàn)擦除所需的脈沖數(shù)目的百分比(圖4和圖5)。
[0041]在其它實(shí)施例中，一種擦除非易失性存儲(chǔ)器(NVM)陣列(104)的方法，可以包括:基于所述NVM陣列的溫度(112)，確定被施加于NVM陣列的擦除脈沖的第一數(shù)目(NREG);將所述第一數(shù)目的擦除脈沖施加(308)于所述NVM陣列；確定(312)所述第一數(shù)目的擦除脈沖是否被施加于所述NVM陣列；以及響應(yīng)于確定所述第一數(shù)目擦除脈沖已經(jīng)被施加于所述NVM陣列，驗(yàn)證(304、306) NVM陣列是否已被成功擦除。
[0042]另一方面，所述方法還可以包括，如果所述NVM未被成功擦除，將第一附加擦除脈沖施加于所述NVM陣列；以及在施加所述第一附加擦除脈沖之后，驗(yàn)證所述NVM陣列是否已被成功擦除。
[0043]另一方面，所述方法還可以包括，如果在施加所述第一附加擦除脈沖之后，所述NVM未被成功擦除，則將另外的附加擦除脈沖施加于所述NVM陣列，直到所述NVM已被成功擦除或已達(dá)到最大擦除脈沖計(jì)數(shù)，其中，在每一個(gè)另外的附加擦除脈沖之后，可以驗(yàn)證所述NVM陣列是否已被成功擦除。
[0044]另一方面，所述確定還可以的特征在于:所述第一數(shù)目基于成功擦除所述NVM陣列先前所需的擦除脈沖數(shù)目。(圖4和圖5)
[0045]因此，應(yīng)了解本發(fā)明描述的架構(gòu)僅僅是示范的，并且事實(shí)上實(shí)現(xiàn)相同功能的很多其它架構(gòu)可以被實(shí)現(xiàn)。從抽象的但仍有明確意義上來(lái)說(shuō)，為達(dá)到相同功能的任何元件的排列是有效的“關(guān)聯(lián)”，以便實(shí)現(xiàn)所需功能。因此，本發(fā)明中為實(shí)現(xiàn)特定功能的任意兩個(gè)元件的結(jié)合可以被看作彼此“相關(guān)聯(lián)”以便實(shí)現(xiàn)所需功能，不論架構(gòu)或中間元件。同樣地，任意兩個(gè)元件這樣的關(guān)聯(lián)也可以被看作是“可操作性連接”或“可操作性耦合”于對(duì)方以實(shí)現(xiàn)所需功能。
[0046]又如，在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明所公開的系統(tǒng)的說(shuō)明元件位于單一集成電路上的電路或在相同裝置內(nèi)的電路?；蛘?，例子可能包括任何數(shù)目的單獨(dú)集成電路或彼此相聯(lián)接的單獨(dú)裝置。又如，系統(tǒng)或其中的一部分可以是物理電路的軟或代碼表征或是能夠轉(zhuǎn)化成物理電路的邏輯表征。同樣，系統(tǒng)可以在任何合適類型的硬件描述語(yǔ)言中被體現(xiàn)。
[0047]此外，本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到上述描述的操作之間的界限只是說(shuō)明性的。多個(gè)操作可以組合成單一的操作，單一的操作可以分布在附加操作中，并且操作可以至少在時(shí)間上部分重疊被執(zhí)行。而且，替代實(shí)施例可能包括特定操作的多個(gè)實(shí)例，并且操作的順序在多種其它實(shí)施例中會(huì)改變。
[0048]雖然參照特定優(yōu)選版本，本發(fā)明公開已被詳細(xì)描述，其它版本和變體也是可能的并被考慮在內(nèi)。例如，確定伴隨特定陣列的電荷泵電壓的其它技術(shù)可以被使用。本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到在不脫離附屬權(quán)利要求所限定的精神和公開范圍的情況下，他們可以很容易地將所公開的概念的特定實(shí)施例用作設(shè)計(jì)或修改執(zhí)行本發(fā)明公開的相同目的的其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。
【權(quán)利要求】
1.一種擦除非易失性存儲(chǔ)器NVM陣列的方法，包括: 基于所述NVM陣列的溫度，確定第一數(shù)目； 將所述第一數(shù)目的擦除脈沖施加于所述NVM陣列；以及 在開始施加之后在已達(dá)到所述第一數(shù)目之后，首次執(zhí)行所述NVM的第一驗(yàn)證。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 如果執(zhí)行所述第一驗(yàn)證的步驟確定擦除是不成功的，則在驗(yàn)證之后，將附加擦除脈沖施加于所述NVM陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 基于成功擦除所述NVM陣列所需的擦除脈沖數(shù)目，確定所述第一數(shù)目是否應(yīng)該被更新。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 如果執(zhí)行所述第一驗(yàn)證的步驟確定擦除是不成功的，則交替地施加擦除脈沖和執(zhí)行驗(yàn)證，直到在已經(jīng)施加了最大數(shù)目的擦除脈沖之后已經(jīng)發(fā)生了下述組中的一個(gè)，該組包括:確定所述擦除已成功、或失敗擦除。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，確定的步驟的進(jìn)一步特征在于:所述第一數(shù)目還基于已執(zhí)行的擦除周期的數(shù)目。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定的步驟的進(jìn)一步特征在于:所述第一數(shù)目還基于已執(zhí)行的擦除周期的數(shù)目。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述確定的進(jìn)一步特征在于:所述第一數(shù)目選自于多個(gè)數(shù)目，其中，所述多個(gè)數(shù)目對(duì)應(yīng)于溫度范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，確定的步驟的進(jìn)一步特征在于:所述多個(gè)數(shù)目中的每一個(gè)受到在其對(duì)應(yīng)的所述溫度范圍實(shí)現(xiàn)擦除所需的脈沖數(shù)目變化的影響。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，確定的步驟的進(jìn)一步特征在于:所述多個(gè)數(shù)目中的每一個(gè)是在其對(duì)應(yīng)的所述溫度范圍實(shí)現(xiàn)擦除所需的脈沖數(shù)目的百分比。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中， 如果執(zhí)行第一驗(yàn)證的步驟確定擦除是不成功的，則交替地施加擦除脈沖和執(zhí)行驗(yàn)證，直到在已經(jīng)施加了最大數(shù)目的擦除脈沖之后已經(jīng)發(fā)生了下述組中的一個(gè)，該組包括:確定所述擦除已成功、或失敗擦除； 如果所述擦除已成功，則對(duì)所述NVM陣列執(zhí)行壓縮驗(yàn)證；以及 如果壓縮驗(yàn)證未通過(guò)，則對(duì)所述NVM陣列執(zhí)行壓縮。
11.一種非易失性存儲(chǔ)器NVM，包括: NVM陣列； 電荷泵，所述電荷泵提供用于生成擦除脈沖的電源； 溫度傳感器，所述溫度傳感器提供指示所述NVM陣列溫度的信號(hào)； 控制器，所述控制器耦合于所述NVM陣列、所述溫度傳感器和所述電荷泵，所述控制器: 基于所述NVM陣列的溫度，確定第一數(shù)目； 將所述第一數(shù)目的擦除脈沖施加于所述NVM陣列；以及 在已達(dá)到所述第一數(shù)目的擦除脈沖之后，首次執(zhí)行所述NVM的第一驗(yàn)證。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的NVM，其中，如果所述控制器確定擦除是不成功的，則所述控制器交替地施加擦除脈沖和執(zhí)行驗(yàn)證，直到已經(jīng)發(fā)生了下述組中的一個(gè)，該組包括:確定所述擦除已成功、或最大數(shù)目的擦除脈沖。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的NVM，其中，所述第一數(shù)目還基于已被執(zhí)行的擦除周期的數(shù)目。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的NVM，其中，所述第一數(shù)目選自于多個(gè)數(shù)目，其中，所述多個(gè)數(shù)目對(duì)應(yīng)于溫度范圍。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的NVM，其中，所述多個(gè)數(shù)目中的每一個(gè)受到在其對(duì)應(yīng)的所述溫度范圍實(shí)現(xiàn)擦除所需的脈沖數(shù)目變化的影響。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的NVM，其中，所述多個(gè)數(shù)目中的每一個(gè)是在其對(duì)應(yīng)的所述溫度范圍實(shí)現(xiàn)擦除所需的脈沖數(shù)目的百分比。
17.一種擦除非易失性存儲(chǔ)器NVM陣列的方法，包括: 基于所述NVM陣列的溫度，確定被施加于NVM陣列的擦除脈沖的第一數(shù)目； 將所述第一數(shù)目的擦除脈沖施加于所述NVM陣列； 確定所述第一數(shù)目的擦除脈沖是否被施加于所述NVM陣列； 響應(yīng)于確定所述第一數(shù)目的擦除脈沖已經(jīng)被施加于所述NVM陣列，來(lái)驗(yàn)證NVM陣列是否已被成功擦除。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括:如果所述NVM未被成功擦除，則: 將第一附加擦除脈沖施加于所述NVM陣列；以及 在施加所述第一附加擦除脈沖之后，驗(yàn)證所述NVM陣列是否已被成功擦除。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括:如果在施加所述第一附加擦除脈沖之后所述NVM未被成功擦除，則: 將另外的附加擦除脈沖施加于所述NVM陣列，直到所述NVM已被成功擦除或已達(dá)到最大擦除脈沖計(jì)數(shù)，其中，在每一個(gè)另外的附加擦除脈沖之后，驗(yàn)證所述NVM陣列是否已被成功擦除。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，確定的步驟的進(jìn)一步特征在于:所述第一數(shù)目基于成功擦除所述NVM陣列先前所需的擦除脈沖數(shù)目。
【文檔編號(hào)】G11C16/10GK104134459SQ201410180987
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月30日
【發(fā)明者】穆復(fù)宸, 王彥卓 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司