專利名稱：非易失性存儲器以及驗(yàn)證非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種非易失性存儲器，具體涉及在非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的驗(yàn)證。
背景技術(shù)：
在能夠被電子編程、擦除和讀取的非易失性半導(dǎo)體存儲器中，NOR快閃存儲器可能是特別有優(yōu)勢的，這是因?yàn)樗鼈兺ǔＬ峁┰诰幊毯妥x取數(shù)據(jù)中的高頻率操作。
圖1是傳統(tǒng)快閃存儲單元的橫剖面圖。所述快閃存儲單元由源極和漏極區(qū)域3和4以及浮動?xùn)艠O(floating gate)6構(gòu)成，所述源極和漏極區(qū)域3和4由在P型半導(dǎo)體基底2中的N+雜質(zhì)形成，并且在其間插入一個溝道區(qū)域，所述浮動?xùn)艠O6在所述溝道區(qū)域上，并且在浮動?xùn)艠O6和溝道區(qū)域之間插入了小于100的薄絕緣膜。控制柵極8與浮動?xùn)艠O6相隔離，在其間插入了絕緣膜9。電壓端子Vs、Vg、Vd和Vb在編程、擦除或讀取數(shù)據(jù)的同時(shí)被提供來用于提供電壓，并且分別連接到源極區(qū)域3、漏極區(qū)域4、控制柵極8和半導(dǎo)體基底2。
通過從鄰近漏極區(qū)域4的溝道區(qū)域向浮動?xùn)艠O的熱電子注入的效應(yīng)來編程所述快閃存儲單元。在偏置狀態(tài)下進(jìn)行所述電子注入，所述偏置狀態(tài)是源極區(qū)域3和P型半導(dǎo)體基底2接地，諸如10V的高電壓被施加到控制柵極8，并且用于誘發(fā)熱電子的電壓5～6V被施加到漏極區(qū)域。如果通過施加這樣的電壓來編程所述快閃存儲單元，則負(fù)電荷(電子)累積在浮動?xùn)艠O6中。在所述浮動?xùn)艠O中累積的負(fù)電荷在讀取操作期間提高所編程的快閃存儲單元的門限電壓。
在擦除操作中，通過從半導(dǎo)體基底(即主體(bulk))2向控制柵極6的Fowler-Nordheim(F-N)隧道效應(yīng)來擦除快閃存儲單元。通過用于誘發(fā)F-N隧道的被施加到控制柵極8的-10V的負(fù)高電壓和在主體區(qū)域和控制柵極8之間建立的5V的正電壓來提供F-N隧道。在這樣的條件下，漏極區(qū)域4處于高阻抗?fàn)顟B(tài)(例如浮動狀態(tài))，以便最大化擦除操作的效果。當(dāng)按照擦除操作的偏壓被施加到對應(yīng)的電壓端子Vg、Vd、Vs和Vb時(shí)，加強(qiáng)了在控制柵極8和主體區(qū)域(即基底2)之間的電場，這使得F-N隧道效應(yīng)能夠從浮動?xùn)艠O6向源極區(qū)域3釋放負(fù)電荷?？梢酝ㄟ^6～7MV/cm的電場來誘發(fā)F-N隧道，這是可能的，因?yàn)樵?00下的薄絕緣膜被插入浮動?xùn)艠O6和主體區(qū)域2之間。
在傳統(tǒng)的快閃存儲器結(jié)構(gòu)中，每個主體區(qū)域包括多個存儲單元。在每個主體區(qū)域中的存儲單元被作為一組擦除。通常通過將半導(dǎo)體主體材料劃分為多個區(qū)域來確定被擦除的組的大小。例如，在擦除操作中全部被擦除的存儲單元的組或單位可以被稱為例如64Kb的一個扇區(qū)。
快閃存儲單元在擦除操作后具有低門限電壓，并且響應(yīng)于在讀取操作期間被提供到控制柵極8的電壓而在漏極區(qū)域3和源極區(qū)域4之間形成電流路徑。因此，如果快閃存儲單元具有在1～3V范圍內(nèi)的門限電壓，則它被檢測為導(dǎo)通單元(on-cell)。
在完成編程和擦除操作后，可能必須檢測是否已經(jīng)成功地完成了所述操作，即編程和/或擦除驗(yàn)證。
圖2示出了按照在快閃存儲器中的編程和擦除操作的單元門限電壓的變化。如圖2所示，NOR快閃存儲器被調(diào)整為當(dāng)被編程時(shí)具有6～8V的門限電壓，而當(dāng)被擦除時(shí)具有1～3V的門限電壓。所述擦除操作被執(zhí)行，直到建立了在1～3V的范圍的門限電壓。但是，如果一個被擦除的存儲單元在第一次擦除操作后具有4V的門限電壓并且隨著每次擦除操作所述門限電壓降低預(yù)定量，則隨后的擦除操作可能導(dǎo)致所述存儲單元具有低于1V的門限電壓。在這種情況下，提高了其門限電壓。其中快閃存儲單元已經(jīng)被擦除并且產(chǎn)生小于1V的門限電壓的情況被稱為過擦除狀態(tài)，并且通過擦除修理處理來提高所述被降低的門限電壓。
如上所述，需要驗(yàn)證是否已經(jīng)編程或擦除了快閃存儲單元，以便保證編程或擦除操作的結(jié)果。經(jīng)由驗(yàn)證操作，可以通過進(jìn)一步執(zhí)行編程操作來完全地編程欠編程的存儲單元，并且可以調(diào)整欠擦除或過擦除的存儲單元以校正不足的門限電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了非易失性存儲器，包括數(shù)據(jù)檢測電路，被配置來在所選擇存儲器的編程或擦除操作后感測一個存儲單元陣列的所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)存儲部件，被配置來存儲所感測的數(shù)據(jù)；以及驗(yàn)證電路，被配置來當(dāng)數(shù)據(jù)檢測器正在感測新編程或擦除的數(shù)據(jù)的同時(shí)驗(yàn)證在所述數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的被編程或被擦除的數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的另外的實(shí)施例中，所述驗(yàn)證電路控制數(shù)據(jù)存儲部件的數(shù)據(jù)輸入和輸出操作。驗(yàn)證電路可以對于數(shù)據(jù)的每個位單獨(dú)地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。驗(yàn)證電路可以對于數(shù)據(jù)的多個位共同地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了非易失性存儲器，包括第一數(shù)據(jù)存儲部件，被配置來存儲用于編程或擦除所述非易失性存儲器的存儲單元的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)檢測器電路，被配置來在對于在第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的數(shù)據(jù)的編程或擦除操作后感測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)；第二數(shù)據(jù)存儲部件，被配置來存儲所感測的數(shù)據(jù)；以及驗(yàn)證電路，被配置來從第二數(shù)據(jù)存儲部件向第一數(shù)據(jù)存儲部件傳送數(shù)據(jù)，并且與數(shù)據(jù)檢測器電路感測新編程或擦除數(shù)據(jù)同時(shí)地驗(yàn)證在第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的所感測數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，驗(yàn)證電路控制第一和第二數(shù)據(jù)存儲部件的數(shù)據(jù)輸入和輸出操作。驗(yàn)證電路可以對于數(shù)據(jù)的每個位單獨(dú)地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。驗(yàn)證電路可以對于數(shù)據(jù)的多個位共同地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
另外，第一數(shù)據(jù)存儲部件可以是輸入/偷出緩沖器。第二數(shù)據(jù)存儲部件可以是鎖存電路(latch circuit)。
本發(fā)明的另外的實(shí)施例提供了方法和/或非易失性存儲器，用于同時(shí)檢測非易失性存儲器的一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)，并且驗(yàn)證所述非易失性存儲器的一個不同的存儲單元的前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)。前一個檢測的數(shù)據(jù)可以是緊前(immediately previously)檢測的所檢測數(shù)據(jù)。
按照本發(fā)明的一些實(shí)施例的方法和/或設(shè)備使用存儲在第一數(shù)據(jù)存儲部件中的外部數(shù)據(jù)來編程或擦除非易失性存儲器的存儲單元?？梢栽诘诙?shù)據(jù)存儲部件中存儲數(shù)據(jù)檢測的結(jié)果。而且，同時(shí)檢測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)和驗(yàn)證前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)可以包括在第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲來自第二存儲部件的數(shù)據(jù)，并且在檢測新數(shù)據(jù)的同時(shí)驗(yàn)證在第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)。
在本發(fā)明的另外的實(shí)施例中，同時(shí)檢測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)和驗(yàn)證前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)包括對于數(shù)據(jù)的每個位單獨(dú)地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。同時(shí)檢測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)和驗(yàn)證前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)可以包括對于數(shù)據(jù)的多個位共同地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
本發(fā)明的另外的實(shí)施例提供了用于驗(yàn)證在非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的方法，包括使用在第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的數(shù)據(jù)來編程或擦除一個存儲單元陣列的多個存儲單元的數(shù)據(jù)；感測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)；在第二存儲部件中存儲從所選擇的存儲單元感測的數(shù)據(jù)；在第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲來自第二存儲部件的數(shù)據(jù)；并且同時(shí)檢測新數(shù)據(jù)和驗(yàn)證在第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)。
本發(fā)明的另外的實(shí)施例提供了非易失性存儲器，包括用于同時(shí)檢測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)并且驗(yàn)證一個不同的存儲單元的前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)的部件。所述用于同時(shí)檢測數(shù)據(jù)和驗(yàn)證編程或擦除狀態(tài)的部件可以包括感測放大器，被配置來從所述非易失性存儲器的存儲單元感測數(shù)據(jù)；鎖存器，被配置來存儲由感測放大器感測的數(shù)據(jù)；輸入/輸出緩沖器，被配置來存儲在鎖存器中存儲的數(shù)據(jù)；編程/擦除驗(yàn)證電路，被配置來當(dāng)感測放大器正在感測第二存儲單元的數(shù)據(jù)的同時(shí)控制感測放大器、鎖存器和輸入/輸出緩沖器向編程/擦除驗(yàn)證電路提供第一存儲單元的前一個感測的數(shù)據(jù)以用于驗(yàn)證。


附圖被包括來提供對本發(fā)明的實(shí)施例的進(jìn)一步的理解，并且被并入和構(gòu)成本說明書的一部分。所述附解了本發(fā)明的示例實(shí)施例，并且與說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是快閃存儲單元的剖面圖；圖2示出了按照在快閃存儲器中的編程和擦除操作的單元門限電壓的變化；圖3是按照本發(fā)明的一些實(shí)施例的快閃存儲器的方框圖；圖4是示出了按照本發(fā)明的一些實(shí)施例用于驗(yàn)證被編程或擦除的數(shù)據(jù)的過程的流程圖；以及圖5是示出了按照本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于驗(yàn)證被編程或擦除的數(shù)據(jù)的序列的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照附圖來更詳細(xì)地說明本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以不同的形式被體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于在此給出的實(shí)施例。而是，這些實(shí)施例被提供使得本公開是徹底和完整的，并且將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳送本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)域的大小或厚度被放大。相同的附圖編號表示相同的元素。在此使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)目的任何或所有組合，并且可以被簡寫為“/”。
可以明白，雖然術(shù)語第一和第二可以在此用于描述各種元素、成分、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元素、成分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用于將一個元素、成分、區(qū)域、層或部分與另一個區(qū)域、層或部分相區(qū)別。因此，下述的第一元素、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元素、區(qū)域、層或部分，并且類似地，這是在不脫離本發(fā)明的教授思想的情況下。
在此使用的術(shù)語僅僅用于描述特定的實(shí)施例，并且不意欲限制本發(fā)明。在此使用的單數(shù)形式“一個”和“所述”意欲也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地指示其他。還可以明白，在此說明書中使用的術(shù)語“包括(comprise)”表示所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元素和/或成分的存在，但是不排除一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、成分和/或其分組的存在或相加。
除非另外限定，在此使用的所有術(shù)語(包括科技術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所明白的相同的含義。還應(yīng)當(dāng)明白，諸如在常用詞典中定義的那些之類的術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域中的語境中的含義一致的含義，并且將不以理想或過于正式的含義被解釋，除非在此明確地如此表達(dá)。
按照本發(fā)明的一些實(shí)施例的非易失性存儲器以流水線次序同時(shí)檢測被編程或擦除的數(shù)據(jù)以及驗(yàn)證所檢測的結(jié)果。結(jié)果，相對于非流水線技術(shù)，可以減少用于驗(yàn)證編程或擦除的數(shù)據(jù)的時(shí)間。
圖3是按照本發(fā)明的一些實(shí)施例的快閃存儲器的方框圖。圖3所示的存儲器一般包括單元陣列區(qū)域，它包括存儲單元；以及外圍電路，用于選擇單元陣列區(qū)域的行和列。如果所述單元陣列區(qū)域被劃分為多個塊(或扇區(qū))，則所述外圍電路也可以被劃分為對應(yīng)于單元陣列區(qū)域的劃分的多個部分，這是本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的。為了清楚，在此將參照所劃分的單元陣列區(qū)域的一個塊(或扇區(qū))和其對應(yīng)的外圍電路來說明本發(fā)明的實(shí)施例。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本公開可以明白，如果在所述存儲單元中提供了附加的塊，則可以提供附加的外圍電路。
參見圖3，NOR快閃存儲器100包括存儲單元陣列10、輸入/輸出緩沖器20、寫入驅(qū)動器30、列選擇器40、感測放大器60、感測鎖存器70和編程/擦除驗(yàn)證器80。存儲單元陣列10可以包括快閃存儲單元，每個具有圖1所示的結(jié)構(gòu)。輸入/輸出緩沖器20存儲要寫入到存儲單元陣列10中的數(shù)據(jù)和從存儲單元陣列10檢測的數(shù)據(jù)。寫入驅(qū)動器30使用通過輸入/輸出緩沖器20輸入的數(shù)據(jù)來執(zhí)行存儲單元陣列10的編程或擦除操作。寫入驅(qū)動器30包括鎖存器(未示出)，用于存儲要編程或擦除的數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù)通過輸入/輸出緩沖器20來提供。
感測放大器60檢測和放大在單元陣列10的所選擇存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)，并且可以被提供數(shù)據(jù)檢測電路。由感測放大器60檢測和放大的數(shù)據(jù)通過感測鎖存器70被傳送到輸入/輸出緩沖器20的對應(yīng)地址。感測鎖存器70和輸入/輸出緩沖器20可以提供數(shù)據(jù)存儲部件。感測鎖存器70存儲由感測放大器60檢測和放大的數(shù)據(jù)(以下稱為檢測數(shù)據(jù))。為了簡化電路結(jié)構(gòu)，感測鎖存器70可以在尺寸上小于輸入/輸出緩沖器20。例如，輸入/輸出緩沖器20可以具有32個字的存儲容量，用于存儲要編程或擦除的所有數(shù)據(jù)，而感測鎖存器70可以有存儲8個字的大小。
編程/擦除驗(yàn)證器80在檢測第i個編程或擦除數(shù)據(jù)期間從輸入/輸出緩沖器20接收前一個檢測的編程或擦除數(shù)據(jù)(即第i-1個數(shù)據(jù))，并且驗(yàn)證前一個檢測的數(shù)據(jù)的通過或失敗狀態(tài)。換句話說，編程/擦除驗(yàn)證器80使用感測放大器60來控制所述電路以檢測來自存儲單元陣列10的數(shù)據(jù)，以及以流水線來驗(yàn)證前一個檢測的數(shù)據(jù)。結(jié)果，可以減少在驗(yàn)證編程或擦除數(shù)據(jù)中所消耗的時(shí)間，和/或可以避免需要用于驗(yàn)證編程數(shù)據(jù)的獨(dú)立部件和用于驗(yàn)證擦除數(shù)據(jù)的另一個部件。
在寫入驅(qū)動器30完成對存儲單元陣列10的編程或擦除操作后，感測放大器60檢測和放大編程或擦除的數(shù)據(jù)。然后，感測放大器60在編程/擦除驗(yàn)證器80的控制下向感測鎖存器70中存儲所檢測和放大的數(shù)據(jù)。感測鎖存器70也在編程/擦除驗(yàn)證器80的控制下從感測放大器60向輸入/輸出緩沖器20的對應(yīng)地址傳送數(shù)據(jù)。感測鎖存器70存儲從感測放大器60提供的新檢測的結(jié)果。輸入/輸出緩沖器20在編程/擦除驗(yàn)證器80的控制下，從感測鎖存器70向編程/擦除驗(yàn)證器80提供數(shù)據(jù)。編程/擦除驗(yàn)證器80在檢測第i個編程或擦除數(shù)據(jù)期間從輸入/輸出緩沖器20接收前一個檢測的編程或擦除數(shù)據(jù)(即第i-1個數(shù)據(jù))，并且驗(yàn)證前一個檢測數(shù)據(jù)的通過或失敗狀態(tài)。在驗(yàn)證處理期間，編程/擦除驗(yàn)證器80可以單獨(dú)地對于每個位驗(yàn)證編程或擦除狀態(tài)，或例如使用多個比特的線或模式(wired-OR pattern)來共同地對于多個位驗(yàn)證編程或擦除狀態(tài)。
因此，NOR快閃存儲器100以重疊的方式來執(zhí)行檢測編程或擦除的數(shù)據(jù)和驗(yàn)證先前檢測的結(jié)果，以便結(jié)果的檢測和結(jié)果的驗(yàn)證以流水線次序同時(shí)發(fā)生。按照本發(fā)明的驗(yàn)證編程或擦除數(shù)據(jù)的過程如下。
圖4是按照本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于驗(yàn)證編程或擦除數(shù)據(jù)的過程的流程圖。圖5是示出按照本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于驗(yàn)證編程或擦除數(shù)據(jù)的序列的時(shí)序圖。雖然圖4和5圖解了輸入/輸出緩沖器20包括32個字并且感測鎖存器70包括8個字的情況，但是可以在不脫離本發(fā)明的教授思想的情況下修改輸入/輸出緩沖器20和感測鎖存器70的存儲容量。因此，在圖4和5中所示的實(shí)施例示出了四個檢測和驗(yàn)證操作，用于檢測和驗(yàn)證在輸入/輸出緩沖器20中的32個字，可以按照輸入/輸出緩沖器20和感測鎖存器70的結(jié)構(gòu)特征來提供其他數(shù)量的檢測和驗(yàn)證操作。
參見圖4和5，在VerifyReadPeriod(驗(yàn)證讀出周期)期間，感測放大器60響應(yīng)于編程/擦除驗(yàn)證器80的控制而執(zhí)行第一感測操作以檢測編程或擦除數(shù)據(jù)(方框610)。通過第一感測操作的第一感測的結(jié)果SENSE1響應(yīng)于編程/擦除驗(yàn)證器80的控制而被存儲在感測鎖存器70中，并且然后被傳送到輸入/輸出緩沖器20的對應(yīng)地址中。在圖5中將感測和向輸入/輸出緩沖器20傳送所感測的數(shù)據(jù)的操作定時(shí)圖解為第一VerifySensing(驗(yàn)證感測)操作。
隨后，感測放大器60響應(yīng)于編程/擦除驗(yàn)證器80的控制而執(zhí)行第二感測操作以檢測下一個編程或擦除數(shù)據(jù)(方框620)。與感測操作同時(shí)，編程/擦除驗(yàn)證器80從輸入/輸出緩沖器20接收第一感測結(jié)果SENSE1，然后驗(yàn)證它(方框810)。如圖5所示，在第二VerifySensing操作期間，以流水線次序來對于第一感測結(jié)果SENSE1同時(shí)執(zhí)行第一PF_Check操作。因此，在檢測當(dāng)前數(shù)據(jù)期間驗(yàn)證了緊前(immediately previously)檢測的數(shù)據(jù)。在第二VerifySensing操作期間，第二感測結(jié)果SENSE2響應(yīng)于編程/擦除驗(yàn)證器80的控制而被存儲在感測鎖存器70中，然后被傳送到輸入/輸出緩沖器20的對應(yīng)地址中。如上所述，編程/擦除驗(yàn)證器80可以以逐個位的形式或多個位的形式來驗(yàn)證編程或擦除狀態(tài)，諸如使用線或(wired-OR)來確定是否多個位的任何一些被設(shè)置到特定的狀態(tài)。
感測放大器60隨后響應(yīng)于編程/擦除驗(yàn)證器80的控制而執(zhí)行第三感測操作以檢測編程或擦除數(shù)據(jù)(方框630)。與第三感測操作同時(shí)，編程/擦除驗(yàn)證器80從輸入/輸出緩沖器20接收第二感測結(jié)果SENSE2，并且驗(yàn)證第二感測結(jié)果(方框820)。如圖5所示，在第三VerifySensing操作期間，以流水線次序來對于第二感測結(jié)果SENSE2同時(shí)執(zhí)行第二PF_Check操作。在第三感測操作期間，響應(yīng)于編程/擦除驗(yàn)證器80的控制而將第三感測結(jié)果SENSE3存儲在感測鎖存器70中，然后將其傳送到輸入/輸出緩沖器20的對應(yīng)地址中。
也同時(shí)執(zhí)行用于提供第四感測結(jié)果SENSE4的第四感測操作(第四VerifySensing)和對于第三感測結(jié)果SENSE3的第三驗(yàn)證操作(第三PF_Check)(方框640和830)。隨后，執(zhí)行對于第四感測結(jié)果SENSE4的第四驗(yàn)證操作(第四PF_Check)(方框840)。
在此使用的術(shù)語同時(shí)執(zhí)行指的是在感測操作和驗(yàn)證操作之間在時(shí)間上至少有一些重疊。因此，本發(fā)明的一些實(shí)施例可以提供重疊的感測和驗(yàn)證操作。而且，因?yàn)楸景l(fā)明的一些實(shí)施例提供了流水線式的感測和驗(yàn)證操作，因?yàn)樗隽魉€可能需要被預(yù)先準(zhǔn)備好(prime)和刷新(flush)，因此可能發(fā)生一些感測和驗(yàn)證操作而沒有感測和驗(yàn)證操作的對應(yīng)的另一個。因此，流水線式或重疊的感測和驗(yàn)證操作指的是這樣的操作，其中，至少一個感測操作與至少一個驗(yàn)證操作同時(shí)被執(zhí)行，并且不必是全部的感測和驗(yàn)證的操作。
雖然已經(jīng)參照在附圖中圖解的本發(fā)明的實(shí)施例說明了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于此。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可以進(jìn)行各種替換、修改和改變。
本專利申請要求于2004年9月30日提交的韓國專利申請第2004-77925號的優(yōu)先權(quán)，其公開被整體包含在此作為參考。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲器，包括數(shù)據(jù)檢測電路，被配置來在所選擇的存儲器的編程或擦除操作后感測一個存儲單元陣列的所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)存儲部件，被配置來存儲所感測的數(shù)據(jù)；以及驗(yàn)證電路，被配置來當(dāng)數(shù)據(jù)檢測器正在感測新編程或擦除的數(shù)據(jù)的同時(shí)驗(yàn)證在所述數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的編程或擦除的數(shù)據(jù)。
2.按照權(quán)利要求1的非易失性存儲器，其中，所述驗(yàn)證電路控制數(shù)據(jù)存儲部件的數(shù)據(jù)輸入和輸出操作。
3.按照權(quán)利要求1的非易失性存儲器，其中，所述驗(yàn)證電路對于數(shù)據(jù)的每個位單獨(dú)地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
4.按照權(quán)利要求1的非易失性存儲器，其中，所述驗(yàn)證電路對于數(shù)據(jù)的多個位共同地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
5.一種非易失性存儲器，包括第一數(shù)據(jù)存儲部件，被配置來存儲用于編程或擦除所述非易失性存儲器的存儲單元的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)檢測器電路，被配置來在對于在所述第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的數(shù)據(jù)的編程或擦除操作后感測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)；第二數(shù)據(jù)存儲部件，被配置來存儲所感測的數(shù)據(jù)；以及驗(yàn)證電路，被配置來從所述第二數(shù)據(jù)存儲部件向所述第一數(shù)據(jù)存儲部件傳送數(shù)據(jù)，并且與所述數(shù)據(jù)檢測器電路感測新編程或擦除數(shù)據(jù)同時(shí)地驗(yàn)證在所述第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的所感測數(shù)據(jù)。
6.按照權(quán)利要求5的非易失性存儲器，其中，所述驗(yàn)證電路控制所述第一和第二數(shù)據(jù)存儲部件的數(shù)據(jù)輸入和輸出操作。
7.按照權(quán)利要求5的非易失性存儲器，其中，所述驗(yàn)證電路對于數(shù)據(jù)的每個位單獨(dú)地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
8.按照權(quán)利要求5的非易失性存儲器，其中，所述驗(yàn)證電路對于數(shù)據(jù)的多個位共同地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
9.按照權(quán)利要求5的非易失性存儲器，其中，所述第一數(shù)據(jù)存儲部件是輸入/輸出緩沖器。
10.按照權(quán)利要求5的非易失性存儲器，其中，所述第二數(shù)據(jù)存儲部件是鎖存電路。
11.一種在非易失性存儲器中驗(yàn)證數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括同時(shí)檢測所述非易失性存儲器的一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)，以及驗(yàn)證所述非易失性存儲器的一個不同的存儲單元的前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)。
12.按照權(quán)利要求11的方法，其中，所述前一個檢測的數(shù)據(jù)是緊前檢測的所檢測數(shù)據(jù)。
13.按照權(quán)利要求11的方法，還包括使用第一數(shù)據(jù)存儲部件的外部數(shù)據(jù)來編程或擦除所述非易失性存儲器的存儲單元。
14.按照權(quán)利要求13的方法，其中，在第二數(shù)據(jù)存儲部件中存儲數(shù)據(jù)檢測的結(jié)果。
15.按照權(quán)利要求13的方法，其中，同時(shí)檢測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)和驗(yàn)證前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)包括在所述第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲來自所述第二存儲部件的數(shù)據(jù)；以及在檢測新數(shù)據(jù)的同時(shí)驗(yàn)證在所述第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)。
16.按照權(quán)利要求11的方法，同時(shí)檢測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)和驗(yàn)證前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)包括對于數(shù)據(jù)的每個位單獨(dú)地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
17.按照權(quán)利要求11的方法，同時(shí)檢測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)和驗(yàn)證前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)包括對于數(shù)據(jù)的多個位共同地確認(rèn)編程或擦除狀態(tài)。
18.一種用于驗(yàn)證在非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括使用在第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的數(shù)據(jù)來編程或擦除一個存儲單元陣列的多個存儲單元的數(shù)據(jù)；感測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)；在第二存儲部件中存儲從所選擇的存儲單元感測的數(shù)據(jù)；在所述第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲來自所述第二存儲部件的數(shù)據(jù)；以及同時(shí)檢測新數(shù)據(jù)和驗(yàn)證在所述第一數(shù)據(jù)存儲部件中存儲的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)。
19.一種非易失性存儲器，包括用于同時(shí)檢測一個所選擇的存儲單元的數(shù)據(jù)并且驗(yàn)證一個不同的存儲單元的前一個檢測的數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)的部件。
20.按照權(quán)利要求19的非易失性存儲器，其中，所述用于同時(shí)檢測數(shù)據(jù)和驗(yàn)證編程或擦除狀態(tài)的部件包括感測放大器，被配置來從所述非易失性存儲器的存儲單元感測數(shù)據(jù)；鎖存器，被配置來存儲由所述感測放大器感測的數(shù)據(jù)；輸入/輸出緩沖器，被配置來存儲在所述鎖存器中存儲的數(shù)據(jù)；編程/擦除驗(yàn)證電路，被配置來當(dāng)所述感測放大器正在感測第二存儲單元的數(shù)據(jù)的同時(shí)控制所述感測放大器、鎖存器和輸入/輸出緩沖器向所述編程/擦除驗(yàn)證電路提供第一存儲單元的前一個感測的數(shù)據(jù)以驗(yàn)證。
全文摘要
提供一種數(shù)據(jù)驗(yàn)證方法和/或非易失性存儲器，用于同時(shí)檢測非易失性存儲器的一個所選擇存儲單元的數(shù)據(jù)，以及驗(yàn)證非易失性存儲器的一個不同存儲單元的前一個檢測數(shù)據(jù)的編程或擦除狀態(tài)?？梢杂筛袦y放大器、鎖存器、輸入/輸出緩沖器和編程/擦除驗(yàn)證電路提供同時(shí)檢測數(shù)據(jù)和驗(yàn)證編程或擦除狀態(tài)的功能，所述感測放大器被配置來從非易失性存儲器的存儲單元感測數(shù)據(jù)，所述鎖存器被配置來存儲由感測放大器感測的數(shù)據(jù)，所述輸入/輸出緩沖器被配置來存儲在鎖存器中存儲的數(shù)據(jù)，所述編程/擦除驗(yàn)證電路被配置來當(dāng)感測放大器正在感測第二存儲單元的數(shù)據(jù)的同時(shí)控制感測放大器、鎖存器和輸入/輸出緩沖器向編程/擦除驗(yàn)證電路提供第一存儲單元的前一個感測的數(shù)據(jù)以驗(yàn)證。
文檔編號G11C29/00GK1767069SQ200510099160
公開日2006年5月3日 申請日期2005年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月30日
發(fā)明者鄭宰鏞 申請人:三星電子株式會社