專利名稱：磁記錄介質(zhì)和磁記錄再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及一種記錄層以凹凸圖形形成的磁記錄介質(zhì)和磁記錄再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
以往，為了從與磁頭的接觸造成的磨耗和大氣中的氧等造成的腐蝕方面保護記錄層，硬盤等磁記錄介質(zhì)在記錄層上形成非磁性的保護層，在保護層上還形成潤滑層。作為形成保護層的方法可以采用CVD(化學(xué)氣相沉積)法等氣相蒸鍍法。作為形成潤滑層的方法可以采用浸漬法等。
此外，由于構(gòu)成記錄層的磁性顆粒的細(xì)微化、材料的改變、磁頭加工的細(xì)微化等的改進，磁記錄介質(zhì)可實現(xiàn)面記錄密度的更加顯著的提高，并可期待今后面記錄密度的進一步提高，但是磁頭的加工界限、磁頭的記錄磁場的擴展引起的對相鄰磁道的記錄、再現(xiàn)時的串?dāng)_等問題突出，通過這些以往的改進方法使面記錄密度的提高達到界限，因此作為可進一步實現(xiàn)面記錄密度的提高的磁記錄介質(zhì)的候補，提出一種以規(guī)定的凹凸圖形形成記錄層而成的離散磁道介質(zhì)和圖形化介質(zhì)等磁記錄介質(zhì)(例如參照專利文獻1)。
在這樣的離散磁道介質(zhì)和圖形化介質(zhì)的情況下，從磁頭浮動穩(wěn)定性的角度來看，優(yōu)選以非磁性材料填充凹部，介質(zhì)表面平坦化(例如參照專利文獻2)。此外，針對這種離散磁道介質(zhì)和圖形化介質(zhì)，為了從與磁頭的接觸造成的磨耗和與大氣中的氧等接觸造成的腐蝕方面保護記錄層，優(yōu)選在記錄層上也形成保護層和潤滑層。
專利文獻1為JP特開平7-129953號公報，專利文獻2為JP特開2000-195042號公報。
但是利用CVD法等形成保護層時，為了將圓板形狀的被加工體在外周或內(nèi)周的端部的例如三個部位左右利用夾具而保持，在由夾具保持的部分及其附近，構(gòu)成保護層的粒子沒有充分遍及，形成保護層的厚度不充分、或者保護層完全沒有形成的部分。由于磁記錄介質(zhì)的外周端部和內(nèi)周端部通常為非記錄區(qū)域，所以即使在保護層厚度不充分的部分產(chǎn)生記錄層的腐蝕等，也不在記錄/再現(xiàn)方面直接產(chǎn)生問題，但有可能記錄層的腐蝕從保護層厚度不充分的部分向其它部分延伸，從而記錄/再現(xiàn)特性惡化，在可靠性方面存在問題。
對此，若在以某種程度成膜了保護層后，一度從夾具中取出被加工體，在不同的部位利用夾具再次保持被加工體，進一步成膜保護層，則保護層能在被加工體的整個面形成膜，但由于這種情況下由夾具保持的部分及其附近與其它部分相比保護層薄，所以在可靠性方面仍然存在問題。另外，可以考慮以在由夾具保持的部分及其附近也充分地形成保護層的方式，在包含記錄區(qū)域的整個面上形成厚的保護層的方法，但在如離散磁道介質(zhì)和圖形化介質(zhì)那樣假設(shè)面記錄密度為200Gbpsi以上的磁記錄介質(zhì)的情況下，示出記錄層上面和磁頭的磁空間為15nm以下的指針，例如在保護層形成過厚即使幾nm時，磁空間變得過大，可能導(dǎo)致記錄/再現(xiàn)特性惡化。
此外，例如專利文獻2中記載的那樣，可以想到填充凹部的非磁性材料也在凸部上面形成，在其上面進一步形成保護層，但在這種情況下同樣，由夾具保持的部分及其附近充分地形成非磁性材料時，與保護層形成過厚的情況一樣，磁空間變得過大，可能導(dǎo)致記錄/再現(xiàn)特性惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于以上問題而提出的，其目的在于提供一種以凹凸圖形形成記錄層、面記錄密度高且可確實得到良好的記錄/再現(xiàn)特性的可靠性高的磁記錄介質(zhì)以及具有這種磁記錄介質(zhì)的磁記錄再現(xiàn)裝置。
本發(fā)明通過利用填充記錄層的凹凸圖形的凹部的非磁性材料覆蓋記錄層的非記錄要素來實現(xiàn)上述目的。
通過這樣，由非磁性材料和保護層的至少一方可以完全覆蓋非記錄要素。因此，例如即使在非記錄要素上形成保護層厚度不充分的部分，該部分下的非記錄要素被非磁性材料覆蓋，保護其不被大氣中的氧等腐蝕。而且，在非記錄要素上，相比于記錄要素上，記錄層和磁頭的磁空間僅大非磁性材料的厚度，由于非記錄要素不進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)，故實用上沒有問題。此外，由于記錄要素和磁頭的磁空間不變大，故可以得到較好的記錄/再現(xiàn)特性。
即，根據(jù)下述本發(fā)明，可以解決上述問題。
(1)、一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，包括具有中心孔的基板；記錄層，其在該基板上以規(guī)定的凹凸圖形形成，具有在該凹凸圖形的凸部中作為外周和內(nèi)周的至少一方的端部的凸部而形成的非記錄要素和作為其它區(qū)域的凸部而形成的記錄要素；非磁性材料，其填充該記錄層的凹凸圖形的凹部，并覆蓋上述非記錄要素；在上述記錄層和上述非磁性材料之上形成的保護層。
(2)、一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，包括基板；記錄層，其在該基板上以規(guī)定的凹凸圖形形成，具有在該凹凸圖形的凸部中作為外周的端部和中央部的至少一方的凸部而形成的非記錄要素和作為其它區(qū)域的凸部而形成的記錄要素；非磁性材料，其填充該記錄層的凹凸圖形的凹部，并覆蓋上述非記錄要素；在上述記錄層和上述非磁性材料之上形成的保護層。
(3)、如(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述保護層與上述記錄要素接觸。
(4)、如(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性材料配置在上述記錄層之上的整個面上，并且，在上述非記錄要素之上形成得比上述記錄要素之上厚。
(5)、如(1)至(4)中任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性材料是氧化物、氮化物、碳化物的其中之一。
(6)、如(1)至(5)中任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非記錄要素上面的最小寬度比上述記錄要素上面的最小寬度寬。
(7)、一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，包括(1)～(6)中任一項所述的磁記錄介質(zhì)、以及用于對該磁記錄介質(zhì)進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)的磁頭。
此外，在本申請中，所謂“在基板上以規(guī)定的凹凸圖形形成的記錄層”，是指連續(xù)記錄層以規(guī)定的圖形被劃分為多個記錄要素、非記錄要素的記錄層之外，還包括由連續(xù)記錄層以規(guī)定的圖形被部分地劃分而一部分連續(xù)的記錄要素、非記錄要素構(gòu)成的記錄層；或者，例如像螺旋狀的漩渦形狀的記錄層那樣，與基板上的一部分連續(xù)形成的記錄層；形成凸部和凹部雙方的連續(xù)的記錄層。
此外，在本申請中，所謂“作為外周的端部的凸部而形成的非記錄要素”，是指在記錄層的凸部中，作為記錄層的外周的端部，在與基板的外周最近的位置上形成的凸部，該外周并不被限定為與基板的外周一致?！白鳛閮?nèi)周的端部的凸部而形成的非記錄要素”也同樣。
而且，本申請中所說的用語“磁記錄介質(zhì)”，不限定為只利用磁性進行信息的記錄、讀取的硬盤、floppy(注冊商標(biāo))軟盤、磁帶等，也包含磁和光并用的MO(磁光盤)等光磁記錄介質(zhì)、磁和熱并用的熱輔助型的記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)記錄層以凹凸圖形形成、面記錄密度高、并能確實得到較好的記錄/再現(xiàn)特性的可靠性高的磁記錄介質(zhì)。


圖1是示意性示出本發(fā)明第一實施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置的主要部分的大致結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖2是示意性示出該磁記錄再現(xiàn)裝置的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖3是放大并示意性示出該磁記錄介質(zhì)的外周附近的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖4是示意性示出本發(fā)明第二實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖5是放大并示意性示出該磁記錄介質(zhì)的外周附近的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖6是示意性示出本發(fā)明第三實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖7是示意性示出該磁記錄介質(zhì)的制造工序的保持方法的一例的側(cè)剖視圖。
具體實施例方式
下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的較佳實施方式。
如圖1所示，本發(fā)明第一實施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置10包括磁記錄介質(zhì)12、以及用于對磁記錄介質(zhì)12進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)的磁頭14，并在磁記錄介質(zhì)12的結(jié)構(gòu)方面具有特征。針對其它結(jié)構(gòu)，由于對本發(fā)明的理解并不特別必要，所以適當(dāng)省略說明。
另外，磁記錄介質(zhì)12在中心孔12A由卡盤16固定，與該卡盤16一起自由旋轉(zhuǎn)。此外，磁頭14安裝在臂18的前端附近，臂18以自由轉(zhuǎn)動的方式安裝在基座20上。這樣，磁頭14可以在磁記錄介質(zhì)12的沿著徑向的圓弧軌道接近磁記錄介質(zhì)12的表面而運動。
如圖2所示，磁記錄介質(zhì)12是垂直記錄型的離散磁道介質(zhì)，其包括具有中心孔的圓板形狀的基板22；在該基板22上以規(guī)定的凹凸圖形形成，具有在該凹凸圖形的凸部中、作為外周和內(nèi)周的端部的凸部而形成的非記錄要素24B和作為其它區(qū)域的凸部而形成的記錄要素24A的記錄層24；填充記錄層24的凹凸圖形的凹部并覆蓋非記錄要素24B的非磁性材料26；在記錄層24和非磁性材料26上形成的保護層28。
而且，磁記錄介質(zhì)12分為數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服區(qū)域(圖中省略)。數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服區(qū)域交互設(shè)置在磁記錄介質(zhì)12的圓周方向(數(shù)據(jù)磁道的圓周方向)上。
記錄層24的厚度為5～30nm。作為記錄層24的材料可以采用CoCrPr合金等的CoCr類合金、FePt類合金、它們的積層體、SiO2等氧化物類材料中呈矩陣狀包含有CoPt等鐵磁性顆粒的材料等。
記錄要素24A，在數(shù)據(jù)區(qū)域中，在徑向上以細(xì)微間隔的同心圓狀的磁道形狀而形成，圖2是將其示出的沿徑向的側(cè)剖視面。此外，記錄要素24A，在伺服區(qū)域中，以規(guī)定的伺服信息的圖形形狀而形成(圖中未示)。
外周的端部的非記錄要素24B為沿著基板22的外周的圓環(huán)形狀，在徑向的寬度為10～500μm。另一方面，內(nèi)周的端部的非記錄要素24B為沿著基板22的中心孔12A的圓環(huán)形狀，在徑向的寬度為100～1500μm。非記錄要素24B上面的徑向的寬度(最小寬度)比記錄要素24A上面的徑向的寬度(最小寬度)寬。
作為基板22的材料可以采用由玻璃、NiP覆蓋的Al合金、Si、Al2O3等非磁性材料。
作為非磁性材料26的材料可以采用SiO2、Al2O3、TiO2、鐵氧體等氧化物、AlN等氮化物、SiC等碳化物等。
保護層28的厚度為1～5nm。保護層28與記錄要素24A接觸在一起。作為保護層28的材料可以采用例如被稱為類金剛石碳的硬質(zhì)碳膜等。此外，本申請中“類金剛石碳”(下面稱為“DLC”)這樣的用詞的意思是，采用碳作為主要成分，為非晶結(jié)構(gòu)，維氏硬度測定為2×109～8×1010Pa左右的硬度的材料。
在保護層28上形成潤滑層30。潤滑層30的厚度為1～2nm。作為潤滑層30的材料可以采用PFPE(全氟聚醚)和馮步林(フオンブリン)類潤滑劑等。
在基板22和記錄層24之間，從基板22側(cè)按順序形成基底層32、反鐵磁性層34、軟磁性層36、取向?qū)?8。基底層32的厚度為2～40nm。作為基底層32的材料可以采用Ta等。反鐵磁性層34的厚度為5～50nm。作為反鐵磁性層34的材料可以采用PtMn金、RuMn合金等。
軟磁性層36的厚度為50～300nm。作為軟磁性層36的材料可以采用Fe(鐵)合金、Co(鈷)非晶合金、鐵氧體等。而且，軟磁性層36可以為具有軟磁性的層和非磁性層的積層結(jié)構(gòu)。取向?qū)?8的厚度為2～40nm。作為取向?qū)?8的具體材料可以采用非磁性的CoCr合金、Ti、Ru、Ru和Ta的積層體、MgO等。
接著，說明磁記錄介質(zhì)12的作用。
磁記錄介質(zhì)12，由于非記錄要素24B被非磁性材料26覆蓋，所以例如圖3所示，即使在非記錄要素24B上形成保護層28的厚度不充分的部分，該部分之下的非記錄要素24B通過非磁性材料26，也保護其不被大氣中的氧等腐蝕。此外，由于非磁性材料26是氧化物、氮化物、碳化物等，故在化學(xué)上穩(wěn)定，即使與大氣中的氧等接觸也不被腐蝕。此外，在非記錄要素24B上，與記錄要素24A之上相比，記錄層24和磁頭14的磁空間僅大非磁性材料26的厚度部分，但是由于非記錄要素24B不進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)，所以實用上沒有問題。另外，記錄要素24A與保護層28接觸，由于記錄要素24A和磁頭14的磁空間并不變大，所以可得到較好的記錄/再現(xiàn)特性。
此外，由于非記錄要素24B上面的最小寬度比記錄要素24A上面的最小寬度大，因此不易產(chǎn)生設(shè)置在非記錄要素24B上的非磁性材料26的剝離和脫落。
另外，磁記錄介質(zhì)12，由于記錄層24的凹凸圖形的凹部由非磁性材料26填充，表面的凹凸小，故磁頭14的浮動高度穩(wěn)定，在這一點上也能得到較好的記錄/再現(xiàn)特性。
另外，磁記錄介質(zhì)12，由于記錄要素24A在數(shù)據(jù)區(qū)域中以磁道形狀而形成，所以不易產(chǎn)生對與記錄對象的磁道相鄰的其它磁道的記錄和再現(xiàn)時的串?dāng)_等問題。
另外，磁記錄介質(zhì)12，由于記錄要素24A之間被分割，在記錄要素24A之間的凹部中不存在記錄層24，因此不會從凹部產(chǎn)生噪聲，從這一點上也能得到較好的記錄/再現(xiàn)特性。
在此簡單說明磁記錄介質(zhì)12的制作方法。首先，在基板22上利用濺射法按順序形成基底層32、反鐵磁性層34、軟磁性層36、取向?qū)?8、連接記錄層(未加工的記錄層24)、第一掩模層和第二掩模層，進一步利用旋涂法涂敷抗蝕劑層。此外，作為第一掩模層的材料可以采用例如C(碳)，作為第二掩模層的材料可以采用例如Ni(鎳)。
接著，在抗蝕劑層上利用納米印刻法轉(zhuǎn)印凹凸圖形，通過將O2氣體作為反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，去除凹部底部的抗蝕劑層，通過作為加工用氣體而使用了Ar氣體的離子束蝕刻，去除凹部底部的第二掩模層，進一步，通過將O2氣體作為反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，去除凹部底部的第一掩模層。
然后，通過作為加工用氣體而使用Ar氣體的離子束蝕刻，在厚度方向去除凹部底部的連接記錄層，形成被劃分為記錄要素24A和非記錄要素24B的記錄層24。
接著，通過濺射法在表面成膜非磁性材料26，填充記錄層24的凹凸圖形的凹部。非磁性材料26按照記錄層26的凹凸圖形而以凹凸圖形進行成膜，在非記錄要素24B上形成比記錄要素24A上寬度大的凸部。
另外，在使被加工體旋轉(zhuǎn)的同時，通過作為加工用氣體使用Ar氣體的離子束蝕刻，從斜側(cè)照射Ar氣體，同時去除記錄要素24A上剩余的非磁性材料26而使表面平坦化。由于如離子束蝕刻這樣的干式蝕刻，相比于凹部，相對于凸部的蝕刻率高，而且相比于面積大的凸部，相對于面積小的凸部的蝕刻率高，故去除記錄要素24A上剩余的非磁性材料26，在設(shè)置記錄要素24的區(qū)域中即使表面平坦化，在非記錄要素24B上也殘留有非磁性材料26。
另外，通過利用CVD法而成膜保護層28，利用浸漬法成膜潤滑層30，從而得到上述磁記錄介質(zhì)12。
接著，說明本發(fā)明第二實施方式。
本第二實施方式的磁記錄介質(zhì)40，相對于上述第一實施方式的磁記錄介質(zhì)12的保護層28與記錄要素24A相接觸，如圖4所示，非磁性材料26設(shè)置在記錄層24上，并且，相比于記錄要素24A之上，在非記錄要素24B之上形成得更厚。而關(guān)于其它結(jié)構(gòu)，由于與上述磁記錄介質(zhì)12相同，故賦予與圖2和圖3相同的附圖標(biāo)記，而省略了說明。
以填充記錄要素24A間的凹部的非磁性材料26的上面和記錄要素24A的上面一致的方式使這些非磁性材料26和記錄要素24A的上面平坦化并不容易，即使在它們之上形成保護層28、潤滑層30，表面也容易成為在某種程度上反映了記錄層24的凹凸圖形的凹凸形狀。
相對于此，如果像磁記錄介質(zhì)40那樣在整個面上設(shè)置非磁性材料26，非磁性材料26上面的平坦化變得容易，表面也容易成為平坦的形狀。從而，可以確實得到磁頭14穩(wěn)定的浮動特性。
另外，由于非磁性材料26，相比于記錄要素24A上，非記錄要素24B上形成得更厚，所以例如圖5所示那樣在非記錄要素24B上形成保護層28厚度不充分的部分的情況下，保護該部分之下的非記錄要素24B不被大氣中的氧等腐蝕的效果好。另外，在非記錄要素24B上，相比于記錄要素24A之上，記錄層24和磁頭14的磁空間僅大非磁性材料26的厚度的差的部分，由于非記錄要素24B不進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)，所以實用上不存在問題。
此外，磁記錄介質(zhì)40在記錄要素24A上也設(shè)置了非磁性材料26，在記錄層24上的非磁性材料26不是用來補充保護層28對記錄要素24A的保護效果，記錄要素24A上的非磁性材料26很薄也足夠。從而，非磁性材料26和保護層28的合計厚度可以與上述磁記錄介質(zhì)12的保護層28相等，可以實現(xiàn)與上述磁記錄介質(zhì)12相等的磁空間，得到與上述磁記錄介質(zhì)12同樣的較佳的記錄/再現(xiàn)特性。
接著，說明本發(fā)明的第三實施方式。
相對于上述第一實施方式的磁記錄介質(zhì)12具有中心孔12A，本第三實施方式的磁記錄介質(zhì)50是沒有中心孔的圓板形狀，其中央部形成圓板形的非記錄要素24B。該中央部的非記錄要素24B的直徑為200～3000μm。而關(guān)于其它結(jié)構(gòu)，由于與上述磁記錄介質(zhì)10相同，故賦予與圖2和圖3相同的附圖標(biāo)記而省略了說明。此外，圖中的附圖標(biāo)記CL表示磁記錄介質(zhì)50的中心軸線。
由此，即使在沒有中心孔的磁記錄介質(zhì)50，通過以覆蓋非記錄要素24B的形式形成非磁性材料26，在非記錄要素24B上形成保護層28厚度不充分的部分的情況下，該部分之下的非記錄要素24B也通過非磁性材料26而保護其不被大氣中的氧等腐蝕。
另外，制作沒有中心孔的磁記錄介質(zhì)時，如圖7所示，將被加工體5在中央部利用一對夾具54A和54B從兩側(cè)夾住而進行保持，形成保護層28，此時，在中央部的與夾具54A和54B接觸的部分，在非記錄要素24B上沒有形成保護層28。從而具有如下優(yōu)點，即，即使在中央部，通過在非記錄要素24B上設(shè)置非磁性材料26，在中央部的與夾具54A和54B接觸的部分之下的非記錄要素24B通過非磁性材料26而保護其不被大氣中的氧等腐蝕。
而且，沒有中心孔的磁記錄介質(zhì)被安裝入磁記錄再現(xiàn)裝置時，在中央部通過粘接劑而固定在旋轉(zhuǎn)軸等上。從而，在中央部，通過在非記錄要素24B上設(shè)置非磁性材料26，加固了由粘接劑固定的部分，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制在該部分產(chǎn)生龜裂等，而抑制記錄層24的腐蝕的產(chǎn)生、擴展。
而且，上述第一和第三實施方式中，不僅外周端部的非記錄要素24B，而且內(nèi)周端部(或中央部)的非記錄要素24B也被非磁性材料26覆蓋，但是也可以在保護層28的形成工序中，只在外周端部、內(nèi)周端部(或中央部)的任一方，在被加工體由夾具等保持的情況下，只在由夾具等保持的一方的端部(或中央部)，用非磁性材料26覆蓋非記錄要素24B。
同樣在上述第二實施方式中，在外周端部、內(nèi)周端部雙方的非記錄要素24B上，非磁性材料26形成得比在記錄要素24A上厚，但是也可以在保護層28的形成工序中，只在外周端部、內(nèi)周端部的任一方，在被加工體由夾具等保持的情況下，只在由夾具等保持的一方的端部的非記錄要素24B上，非磁性材料26形成得比在記錄要素24A上厚。
此外，上述第一～第三實施方式中，雖然在基板22和記錄層24之間形成了基底層32、反鐵磁性層34、軟磁性層36、取向?qū)?8，但是基板22和記錄層24之間的層的結(jié)構(gòu)只要根據(jù)磁記錄介質(zhì)的種類和要求適當(dāng)變化即可。例如可以省略基底層32和反鐵磁性層34，而在基板22上直接形成軟磁性層36。另外，可以省略取向?qū)?8，而在軟磁性層36上直接形成記錄層24。
此外，雖然在上述第一～第三實施方式中，磁記錄介質(zhì)12、40、50是垂直記錄型的磁記錄介質(zhì)，但是本發(fā)明也可適用于面內(nèi)記錄型的磁記錄介質(zhì)。
此外，雖然在上述第一～第三實施方式中，磁記錄介質(zhì)12、40、50在基板22的一個面上形成記錄層24等，但本發(fā)明也可適用于在基板的兩面形成記錄層等的兩面記錄式的磁記錄介質(zhì)。
此外，雖然在上述第一～第三實施方式中，磁記錄介質(zhì)12、40、50是在數(shù)據(jù)區(qū)域中，記錄要素24A以細(xì)微的間隔并列設(shè)置在磁道的徑向上的離散磁道型的磁盤，但本發(fā)明當(dāng)然也可適用于記錄要素在磁道的圓周方向(扇形的方向)上以細(xì)微的間隔并列設(shè)置的磁盤、在磁道的徑向和圓周方向兩個方向上以細(xì)微的間隔并列設(shè)置的磁盤，磁道呈螺旋形狀的磁盤。此外，本發(fā)明對MO等光磁盤、磁和熱并用的熱輔助型的磁盤、進一步具有圓形的盤形狀以外的凹凸圖形的記錄層的其它磁記錄介質(zhì)也適用。
本發(fā)明可以利用于例如離散磁道介質(zhì)、圖形化介質(zhì)等記錄層以凹凸圖形形成的磁記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，包括具有中心孔的基板；記錄層，其在該基板上以規(guī)定的凹凸圖形形成，具有在該凹凸圖形的凸部中作為外周和內(nèi)周的至少一方的端部的凸部而形成的非記錄要素和作為其它區(qū)域的凸部而形成的記錄要素；非磁性材料，其填充該記錄層的凹凸圖形的凹部，并覆蓋上述非記錄要素；在上述記錄層和上述非磁性材料之上形成的保護層。
2.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，包括基板；記錄層，其在該基板上以規(guī)定的凹凸圖形形成，具有在該凹凸圖形的凸部中作為外周的端部和中央部的至少一方的凸部而形成的非記錄要素和作為其它區(qū)域的凸部而形成的記錄要素；非磁性材料，其填充該記錄層的凹凸圖形的凹部，并覆蓋上述非記錄要素；在上述記錄層和上述非磁性材料之上形成的保護層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述保護層與上述記錄要素接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述保護層與上述記錄要素接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性材料配置在上述記錄層之上的整個面上，并且，在上述非記錄要素之上形成得比上述記錄要素之上厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性材料配置在上述記錄層之上的整個面上，并且，在上述非記錄要素之上形成得比上述記錄要素之上厚。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性材料是氧化物、氮化物、碳化物的其中之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性材料是氧化物、氮化物、碳化物的其中之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非記錄要素上面的最小寬度比上述記錄要素上面的最小寬度寬。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非記錄要素上面的最小寬度比上述記錄要素上面的最小寬度寬。
11.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1～10中任一項所述的磁記錄介質(zhì)、以及用于對該磁記錄介質(zhì)進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)的磁頭。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)，其記錄層以凹凸圖形形成，面記錄密度高，并可確實得到較好的記錄/再現(xiàn)特性，可靠性高。磁記錄介質(zhì)(12)包括記錄層(24)，其在基板(22)上以規(guī)定的凹凸圖形形成，具有在該凹凸圖形的凸部中作為外周和內(nèi)周的端部的凸部而形成的非記錄要素(24B)和作為其它區(qū)域的凸部而形成的記錄要素(24A)；非磁性材料(26)，其填充凹凸圖形的凹部，并覆蓋非記錄要素(24B)；在記錄層(24)和非磁性材料(26)上形成的保護層(28)。
文檔編號G11B5/72GK1773610SQ20051009909
公開日2006年5月17日 申請日期2005年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月10日
發(fā)明者服部一博, 島川和也 申請人:Tdk股份有限公司