磁記錄介質及其制造方法和成膜裝置的制造方法
【專利說明】磁巧錄介質及其制造方法和成膜裝置
[0001] 相關申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2014年3月31日申請的日本專利申請JP2014-074954的優(yōu)先權，通 過引用已將其全部內容并入本文。
技術領域
[0003] 本發(fā)明設及一種在彈性基材上設置層疊膜的磁記錄介質及其制造方法，W及用于 生產所述層疊膜的成膜裝置。
【背景技術】
[0004] 近年來，由于社會信息技術的發(fā)展、圖書館和國家檔案館等的電子化趨勢、W及商 務文件的長期保管，對于增加數(shù)據(jù)存儲磁帶的記錄密度的需求在不斷增長。
[0005] 作為現(xiàn)有的用于制造高記錄密度磁帶的方法，已經提出了一種方法；在移動帶狀 彈性基材的同時，利用瓣射法、蒸鍛法等方法在基材上形成層疊膜。日本未審專利申請公開 號2006-286115 (參見[0013]和[005引段）、日本未審專利申請公開號2005-353191 (參 見[0031]段）和日本未審專利申請公開號07-110939(參見[0016]段）中描述了；在該 種制造方法中，在彈性基材上形成層疊膜之前，執(zhí)行基材的脫氣處理（例如，參考日本未審 專利申請公開號2006-286115 (參見參見[0013]和[005引段）、日本未審專利申請公開號 2005-35319U參見[0031]段）和日本未審專利申請公開號07-110939(參見[0016]段））。
[0006] 因此，期望提供一種具有優(yōu)秀可靠性的磁記錄介質及其制造方法、W及用于生產 所述層疊膜的成膜裝置。

【發(fā)明內容】

[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種磁記錄介質，包括彈性基材和層疊膜，其中 在所述基材的縱長方向上的整個300m區(qū)段內，磁特性的變化在±10%W內。
[000引根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供一種成膜裝置，包括用于移動帶狀的彈性基材 的旋轉體，與所述旋轉體的旋轉表面相對設置的多個陰極，W及分別容納所述多個陰極中 的每個陰極的多個容納部。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的再一實施方式，提供一種用于制造磁記錄介質的方法，包括在移動 帶狀的彈性基材的同時，利用所述基材的移動路徑上設置的多個陰極，在所述基材上順序 地形成多個薄膜，其中，所述多個陰極中的每個陰極被分別容納在多個容納部中。
[0010] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可W實現(xiàn)具有優(yōu)秀可靠性的磁記錄介質。
【附圖說明】
[0011] 圖1為示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的磁記錄介質的典型構成的橫 截面圖；
[0012] 圖2為顯示用于制造根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的磁記錄介質的瓣射裝置的典 型構成的示意圖；
[0013] 圖3A為顯不陰極容納室在加熱處理之前的狀態(tài)的不意圖，圖3B為顯不陰極容納 室在加熱處理期間的狀態(tài)的示意圖，圖3C為顯示陰極容納室在冷卻處理期間的狀態(tài)的示 意圖。
[0014] 圖4為示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的變型例1的磁記錄介質的典型 構成的橫截面圖；
[0015] 圖5為示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的變型例2的磁記錄介質的典型 構成的橫截面圖；
[0016] 圖6A為顯示陰極容納室的內壁面溫度與陰極容納室內的水蒸氣壓力之間的關系 的示意圖，圖6B為顯示陰極容納室內的水蒸氣壓力與磁帶矯頑力之間的關系的示意圖；
[0017] 圖7A為顯示瓣射放電時間與陰極容納室的內壁面溫度之間的關系的示意圖，圖 7B為顯示瓣射放電時間與磁帶矯頑力之間的關系的示意圖；
[001引圖8A為顯示瓣射成膜長度與容納室內的水蒸氣壓力之間的關系的示意圖，圖8B為顯示瓣射成膜長度與磁帶矯頑力之間的關系的示意圖；
[0019] 圖9A為顯示瓣射成膜長度與磁帶矩形比之間的關系的示意圖，圖9B為顯示瓣射 成膜長度與磁帶的磁記錄層的取向性強度A0g。之間的關系的示意圖。
【具體實施方式】
[0020] 在本發(fā)明中，層疊膜優(yōu)選包括下涂層和垂直記錄層，更優(yōu)選包括中間層、軟磁性層 和CAP層中的至少一層。
[0021] 在本發(fā)明中，下涂層、中間層和垂直記錄層中的每一層都可W是單層結構和多層 結構中的任一種。從進一步改善磁記錄介質的磁特性和/或記錄和播放特性的觀點而言， 優(yōu)選采用多層結構。當考慮制造效率的時候，優(yōu)選采用具有兩層結構的多層結構。
[0022] 在本發(fā)明中，磁記錄介質優(yōu)選在基材與下涂層之間、或在下涂層與中間層之間還 具有軟磁性層。單層結構或多層結構都可被用作軟磁性層的結構；但是，從改善記錄和播放 特性的觀點而言，優(yōu)選使用多層結構。優(yōu)選的是，具有多層結構的軟磁性層具有第一軟磁性 層、中間層和第二軟磁性層，其中在第一軟磁性層和第二軟磁性層之間設置中間層。在磁記 錄介質還具有軟磁性層的情形中，優(yōu)選的是，在軟磁性層和下涂層之間設置下涂層。
[0023] 在本發(fā)明中，優(yōu)選在基材表面上設置下涂層，該下涂層具有非結晶態(tài)并包括含有 Ti和化的合金。由此，可W抑制在基材表面上吸收的〇2氣體、H20等對中間層和/或記錄 層所產生的影響，并可W改善基材表面的平滑度。
[0024] 將按W下順序描述本發(fā)明的實施方式。
[0025] 1.磁記錄介質的構成
[0026] 2.瓣射裝置的構成
[0027] 3.制造磁記錄介質的方法 [002引 4.效果
[0029]5.變型例
[0030]1.磁記錄介質的構成
[0031] 如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的磁記錄介質是所謂的單層垂直磁記錄 介質，并具有基材11和層疊膜10。層疊膜10具有位于基材11表面上的下涂層12,位于下 涂層12表面上的中間層13,W及位于中間層13表面上的磁記錄層14。根據(jù)需要，層疊膜 10還可具有位于磁記錄層14表面上的保護層15和位于保護層15表面上的上涂層16。
[0032] 利用物理沉積法形成下涂層12、中間層13和磁記錄層14。從生產性等的觀點而 言，優(yōu)選采用瓣射法作為所述物理沉積法。在此，在本說明書中，不具有軟磁性底層的記錄 介質被稱為"單層垂直磁記錄介質"，而具有軟磁性底層的記錄介質被稱為"雙層垂直磁記 錄介質"。
[0033] 磁記錄介質適合用作用于數(shù)據(jù)存檔的存儲介質，未來對于該種用于數(shù)據(jù)存檔的存 儲介質的需求預計將越來越大。舉例來說，磁記錄介質能夠實現(xiàn)十倍于現(xiàn)有的涂覆型磁帶 存儲能力的表面記錄密度，即50Gb/in2的表面記錄密度。在利用具有如此表面記錄密度的 磁記錄介質構成普通線性記錄型數(shù)據(jù)磁盤的情況下，可W在數(shù)據(jù)磁盤的每一卷中記錄50TB 或W上的大容量。磁記錄介質還適用于使用環(huán)形記錄磁頭和巨磁阻（GMR)型播放磁頭的記 錄和播放裝置。
[0034] 在基材11的縱長方向上的整個300m區(qū)段內，磁特性的變化在±10%W內，優(yōu)選 為±5%W內。通過使磁特性的變化在±10%W內，可W保持特性穩(wěn)定，并可W獲得具有優(yōu) 秀可靠性的磁記錄介質。在此，磁特性是磁記錄層14的保持力He、矩形比Rs和取向性強 度A05。中的至少一種特性，優(yōu)選為包括所有該些特性。在此，通過采用鎖定曲線法，在磁 記錄介質的X射線衍射峰中測量磁記錄層14中包含的磁性原子的衍射峰，來獲得取向性強 度A目50。
[00對基材
[0036] 作為支撐體的基材11例如是長膜，并具有表面，該表面具有縱長方向（MD方向） 和短邊方向（TD方向）。優(yōu)選采用彈性非磁性基材作為基材11。舉例來說，可W將用于常 規(guī)磁記錄介質的彈性聚合樹脂材料用作非磁性基材的材料。該種聚合材料的具體示例包括 聚醋，聚締姪，纖維素衍生物，己締基樹脂，聚酷亞胺，聚酷胺，聚碳酸醋等。
[0037] 下涂層
[003引在基材11和中間層13之間設置下涂層12。優(yōu)選的是，下涂層12包括含有Ti和 化的合金并具有非結晶態(tài)。此外，合金中還可含有氧（0)。所述氧是當采用瓣射法該樣的 成膜法形成下涂層12時W少量包含于下涂層12內的滲雜氧。在此，"合金"表示含有Ti和 &的固溶體、共晶體、金屬互化物等中的至少一種，"非結晶態(tài)"表示采用電子衍射法觀察到 暈輪，并且可W不特別規(guī)定晶體結構。
[0039] 包括含有Ti和&的合金并具有非結晶態(tài)的下涂層12具有W下效果：抑制基材11 所吸收的〇2氣體或H20的影響，并通過緩和基材11表面的不平坦性而在基材11的表面上 形成金屬平滑表面。由于存在該種效果，中間層13的垂直取向性被增強。在此，當下涂層 12的狀態(tài)為結晶態(tài)時，與結晶生長相伴隨的柱體形狀明顯，基材11表面的不平坦性增大， 因此中間層13的結晶取向性惡化。
[0040] 下涂層12中包含的氧做相對于Ti、化和0的總量的比率優(yōu)選為15原子百分比 (at% )或W下，更優(yōu)選為10原子百分比或W下。當氧的比率超過15原子百分比時，會產 生Ti〇2晶體，因此中間層13的取向性會嚴重下降，從而對下涂層12表面上所形成的中間 層13的晶核成形產生影響。
[0041] 下涂層12所包含的Ti相對于Ti和&的總量的比率優(yōu)選為在30原子百分比或 W上至100原子百分比或W下的范圍內，更優(yōu)選為在50原子百分比或W上至100原子百分 比或W下的范圍內。當Ti的比率小于30%時，化的體屯、立方晶格化CC)結構的（100)表 面被取向，下涂層12的表面上所形成