磁振子磁隨機存取存儲器器件的制作方法
【專利摘要】提供了一種用于雙向?qū)懭氲臋C制。一種結(jié)構(gòu)包括在隧道勢壘頂上的參考層、在隧道勢壘之下的自由層、在自由層之下的金屬隔離物、在金屬隔離物之下的絕緣磁體以及在絕緣層之下的高電阻層。高電阻層作為加熱器，其中加熱器加熱絕緣磁體以產(chǎn)生自旋極化電子。絕緣磁體產(chǎn)生的自旋極化電子使自由層的磁化不穩(wěn)定化。當(dāng)磁化被不穩(wěn)定化時，施加電壓以改變自由層的磁化狀態(tài)。電壓的極性確定何時自由層的磁化平行和反平行于參考層的磁化。
【專利說明】磁振子磁隨機存取存儲器器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]示例性實施例涉及存儲器，更具體地，涉及磁存儲器器件的雙向?qū)懭搿?br> 【背景技術(shù)】
[0002]磁隨機存取存儲器(MRAM)是非易失性計算機存儲技術(shù)。不同于常規(guī)RAM芯片技術(shù)，在MRAM中，數(shù)據(jù)不是以電荷或者電流存儲而是通過磁存儲元件存儲。使用通過薄絕緣層分離的兩個鐵磁性板形成元件。兩個板的一個是設(shè)定為特殊極性的永磁體，其它場可以改變以匹配外場以存儲數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。此配置公知為自旋閥并且是用于MRAM比特的最簡單的結(jié)構(gòu)。這樣的“基元”的格柵構(gòu)成存儲器器件。
[0003]讀取的最簡單方法是通過測量基元的電阻完成的。通過開啟將電流從供電線經(jīng)過基兀傳輸?shù)降氐南嚓P(guān)的存取晶體管(典型地)選取特定的基兀。因為磁隧道效應(yīng)，基兀的電阻隨著兩個板之間的場的相對取向而變化。通過測量最終的電流，可以確定與任意特定基元相關(guān)的電阻并且由此確定可寫的板的磁取向。典型地，如果兩個板具有相同的取向，基元被認(rèn)為保持“O”的值，而如果連個板相反地取向，電阻值較高并且保持“I”的值。
[0004]使用多種方式將數(shù)據(jù)寫入基元。在一種用于場寫入MRAM的方法中，每個基元位于在基元之上和之下彼此設(shè)定為直角的一對寫入線之間。當(dāng)電流流過他們時，在結(jié)處產(chǎn)生誘導(dǎo)的磁場，該誘導(dǎo)的磁場作用在可寫的板上并且在適宜的條件下引起可寫的板的取向反轉(zhuǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)示范性實施例，提供了一種用于雙向?qū)懭氲姆椒?。該方法提供了一種結(jié)構(gòu)，包括鄰近隧道勢壘的參考層、鄰近所述隧道勢壘的自由層、鄰近所述自由層的金屬隔離物、鄰近所述金屬隔離物的絕緣磁體以及鄰近所述絕緣層的高電阻層。所述方法包括，響應(yīng)于熱梯度，使所述絕緣磁體產(chǎn)生自旋極化電子，通過從所述絕緣磁體產(chǎn)生的所述自旋極化電子使自由層的磁化不穩(wěn)定化以及在自由層的磁化被不穩(wěn)定化期間或者稍后，向該結(jié)構(gòu)施加電壓以選擇自由層的磁化。所述電壓的極性確定何時所述自由層的磁化平行以及反平行于參考層的磁化。
[0006]根據(jù)示范性實施例，提供了一種用于雙向?qū)懭氪烹S機存取存儲器的方法。一種結(jié)構(gòu)，包括鄰近隧道勢壘的參考層、鄰近所述隧道勢壘的自由層、鄰近所述自由層的金屬隔離物、鄰近所述金屬隔離物的絕緣磁體以及鄰近所述絕緣層的高電阻層。響應(yīng)于熱梯度，使絕緣磁體產(chǎn)生自旋極化電子。絕緣磁體產(chǎn)生的所述自旋極化電子使所述自由層的磁化不穩(wěn)定化。其中當(dāng)所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化時，向結(jié)構(gòu)施加電壓源的電壓以改變所述自由層的所述磁化。電壓極性確定何時自由層的磁化平行和反平行于參考層的磁化。
[0007]根據(jù)示范性實施例，提供了一種用于雙向?qū)懭氲姆椒?。該方法提供了一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括鄰近隧道勢壘的參考層、鄰近所述隧道勢壘的自由層、鄰近所述自由層的金屬隔離物以及鄰近所述金屬隔離物的絕緣磁體。該方法包括向該結(jié)構(gòu)施加具有高脈沖的電壓以使隧道勢壘作為加熱器，其中所述加熱器加熱絕緣磁體以產(chǎn)生自旋極化電子并且通過從磁振子產(chǎn)生的轉(zhuǎn)化為自旋對準(zhǔn)電子的自旋極化電子使自由層的磁化不穩(wěn)定化。該方法還包括，當(dāng)所述自由層的所述磁化被不穩(wěn)定化時，施加具有低脈沖的電壓以改變自由層的磁化，其中配置低脈沖以便不使所述隧道勢壘作為熱干擾源。電壓極性確定何時自由層的磁化平行和反平行于參考層的磁化。
[0008]根據(jù)示范性實施例，提供了一種用于雙向?qū)懭氲拇烹S機存取存儲器器件。一種結(jié)構(gòu)包括鄰近隧道勢壘的參考層、鄰近所述隧道勢壘的自由層、鄰近所述自由層的金屬隔離物以及鄰近所述金屬隔離物的絕緣磁體。當(dāng)向結(jié)構(gòu)施加具有高脈沖的電壓時，配置高脈沖以使所述隧道勢壘作為加熱器，其中所述加熱器加熱所述絕緣磁體以產(chǎn)生自旋極化電子。配置所述高脈沖以通過從所述絕緣磁體產(chǎn)生的所述自旋極化電子使所述自由層的磁化不穩(wěn)定化。當(dāng)以低脈沖施加電壓時，當(dāng)自由層的磁化被不穩(wěn)定化時配置低脈沖以改變自由層的磁化，并且配置低脈沖以便不使所述隧道勢壘作為熱干擾源。電壓的極性確定何時自由層的磁化平行和反平行于參考層的磁化。
[0009]通過本公開的技術(shù)實現(xiàn)另外的特征。根據(jù)其它實施例的其它系統(tǒng)、方法、裝置和/或計算機程序產(chǎn)品在這里被詳細(xì)描述并且被認(rèn)為是所要求保護的本發(fā)明的一部分。為了更好的理解示范性實施例和特征，參考下面的描述和附圖。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]被認(rèn)為是本發(fā)明的主旨在說明書的結(jié)論處的權(quán)利要求中被具體指出并且明確要求保護。根據(jù)隨后聯(lián)系附圖的詳細(xì)描述，本公開的前述和其它特征是顯而易見的。
[0011]圖1示出了自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM2-端子器件的截面圖。
[0012]圖2示出了另一個自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM2-端子器件的截面圖。
[0013]圖3示出了根據(jù)示范性實施例的磁隨機存取存儲器器件的示意圖。
[0014]圖4示出了根據(jù)示范性實施例的磁隨機存取存儲器器件的示意圖。
[0015]圖5示出了根據(jù)示范性實施例的電流對時間的圖。
[0016]圖6示出了根據(jù)示范性實施例的磁隨機存取存儲器器件陣列。
[0017]圖7示出了根據(jù)示范性實施例的用于雙向?qū)懭氲姆椒ǖ牧鞒虉D。
[0018]圖8示出了根據(jù)示范性實施例的用于雙向?qū)懭氲姆椒ǖ牧鞒虉D。
【具體實施方式】
[0019]磁隨機存取存儲器(MRAM)是與標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造相容的非易失性固態(tài)存儲技術(shù)。信息以相對于參考膜磁取向的自由層膜的磁性取向而存儲。通過測量由自由層、隧穿勢壘以及參考層形成的磁隧道結(jié)的電阻完成基元或者比特的狀態(tài)的讀取。
[0020]根據(jù)使用的技術(shù)，可以通過幾種方法實現(xiàn)比特的寫入。對于場-寫入MRAM，典型地幾何結(jié)構(gòu)利用靠近磁隧道結(jié)放置的兩個正交電流承載布線。布線中的電流在MRAM基元上施加磁場，且其具有合適的場幅度、持續(xù)時間以及相對時序，自由層的取向可以寫入到期望的狀態(tài)。在自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM中，在寫入過程中不使用外磁場。相反，在參考層和自由層膜之間通過的電流不僅承載電荷電流而其還有自旋電流。此在兩個磁性膜(即，參考層和自由層)之間傳輸?shù)淖孕娏?，用于根?jù)電流的信號，使自由層定向為平行或者反平行于參考層。
[0021]最近，在John C.Slonczewski的2010年六月24日接收并且在2010年8月3 日發(fā)表的“Initiation of spin-transfer torque by thermal transport frommagnons”Physical Review B82, 054403 (2010)中描述了一種在磁性膜中產(chǎn)生自旋電流的新機制，在此引入其整個內(nèi)容作為參考。此技術(shù)包含通過施加跨膜的熱梯度在絕緣磁性膜中產(chǎn)生自旋波。當(dāng)這些自旋波或者磁振子觸及絕緣磁體和非磁性金屬之間的界面時，產(chǎn)生電子承載的自旋電流。與在常規(guī)自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM基元中使用的直接自旋電流相比，此機制更有效并且因此需要更低的功率來切換在非磁性金屬膜的另一側(cè)上的自由層。然而，如所推薦的，Slonczewski’ s方法將不能將自由層寫入為兩種狀態(tài)(B卩，I或者0)中的任一種。這是因為基元必須包含在薄膜疊層的一側(cè)上的加熱器以及在另一側(cè)上的熱沉。在沒有加熱器件的任一側(cè)所要求的不適宜功率的情況下，這兩個基元件不能簡單地反轉(zhuǎn)。因此，示范性實施例提供實現(xiàn)磁振子MRAM的新機制。
[0022]寫入小磁比特要求的磁場隨著比特尺寸的減小而增加。硬盤驅(qū)動器(HDD)或者磁隨機存取存儲器(MRAM)中的磁存儲技術(shù)正在推動克服有效磁場的物理限制以寫入具有逐漸減小的尺寸的磁比特。自旋轉(zhuǎn)移矩提供了對直接電流誘導(dǎo)寫入的備選，并且自旋轉(zhuǎn)移矩避免了一起使用磁場，延伸了這些技術(shù)的縮放前景。自旋轉(zhuǎn)移矩誘導(dǎo)的磁寫入操作已經(jīng)被深入研究以擴展MRAM的縮放，但是特別地仍不可用于HDD存儲技術(shù)。這主要是因為目前使用的自旋轉(zhuǎn)移矩需要通過可觀的電流產(chǎn)生，因而需要到在寫入操作期間寫入的比特的電和物理接觸。示范性實施例提供用于產(chǎn)生并且利用自選電流和自旋轉(zhuǎn)移矩的方法和器件，用于處理和雙相寫入納米磁比特。
[0023]圖1示出了自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM2-端子器件的實例，具有在磁隧道結(jié)疊層120中的固定層105 (釘扎層)、隧道勢壘110和自由層115。固定層105的磁化固定在一個方向，例如，如圖1所示指向右側(cè)；向上流經(jīng)磁隧道結(jié)疊層120的電流使得自由層115平行于固定層105，而向下流經(jīng)磁隧道結(jié)疊層120的電流使得自由層115反平行于固定層105。采用雙箭頭示出了自由層115以說明磁化基于電流流經(jīng)的方向可以自由指向左或者右。當(dāng)自由層115的磁化指向與固定層105的磁化相同的方向(即，右側(cè))時，自由層115平行于固定層105。當(dāng)自由層105的磁化指向與固定層105的磁化相反的方向(即，左偵彳)時，自由層115反平行于固定層105。
[0024]圖2示出了自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM2-端子器件的實例，具有在磁隧道結(jié)疊層220中的固定層205(釘扎層)、隧道勢壘210和自由層215。固定層205的磁化固定在一個方向，例如，如圖2所示指向上；向上流經(jīng)磁隧道結(jié)疊層220的電流使得自由層215平行于固定層205，而向下流經(jīng)磁隧道結(jié)疊層220的電流使得自由層215反平行于固定層205。采用雙箭頭示出了自由層215以說明磁化基于電流流經(jīng)的方向可以自由指向上或者下。當(dāng)自由層215的磁化指向與固定層205的磁化相同的方向(即，向上)時，自由層215平行于固定層205。當(dāng)自由層215的磁化指向與固定層205的磁化相反的方向(即，向下)時，自由層215反平行于固定層205。
[0025]對于圖1和2，使用更小的電流(具有任意極性)讀取器件100和200的電阻，該電阻分別依賴于自由層115和215以及固定層105和205的相對取向。在早期的自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM嘗試中，自由和固定層具有位于平面內(nèi)的磁化，如圖1所示。然而，這導(dǎo)致更高的切換電流。現(xiàn)有技術(shù)使用的材料具有垂直于平面的磁化，如圖2所示；這被稱為垂直磁各向異性，或者PMA。然而，在現(xiàn)有技術(shù)狀態(tài)中，即使具有垂直各向異性，切換電流仍舊高于期望值。
[0026]示范性實施例公開了一種用于使磁振子切換的新機制，其允許對自由層的雙相寫入(例如，I或者0，平行和反平行)。
[0027]圖3示出了根據(jù)示范性實施例的磁隨機存取存儲器(MRAM)器件300。MRAM器件300包括參考層305 (例如，具有不變的固定磁化方向或取向的固定層)、隧道勢壘310和自由層315。用向上和向下的箭頭示出了自由層315以說明自由層315的磁化可以指向上或者向下。設(shè)計MRAM器件300用于自由層315的雙向?qū)懭?即，寫入具有向上和/或向下取向的磁化)。在此情況中，參考層305具有指向上的磁化因此雙向?qū)懭肟梢詫⒆杂蓪?15的磁化翻轉(zhuǎn)(flip)為平行(向上)或者反平行(向下)于參考層305。
[0028]對于MRAM器件300，垂直磁各向異性(PMA)隧道結(jié)，即自由層315(例如，鈷-鐵-硼合金)、隧道勢壘310 (例如，氧化鎂(MgO))和參考層305 (例如，鈷-鐵合金)。在普通金屬隔離物320 (即普通金屬層，例如，銅、鎢或者其它類似的普通金屬)頂部生長自由層315，普通金屬隔離物320依次在絕緣磁體325 (例如，電阻磁體、鐵氧體或者其它軟磁絕緣體)頂上生長。在絕緣磁體325之下，存在用作加熱器(B卩，金屬加熱器)的高阻金屬層330，跨兩個過孔連接。普通金屬隔離物320電連接到高阻金屬層330。在每個基元中使用兩個晶體管335和340 (當(dāng)連接為陣列時，單個MRAM器件300被認(rèn)為是基元)，其中一個晶體管335和另一個晶體管340連接到高阻金屬層(金屬加熱器)330的任一側(cè)。雖然示出了單個MRAM器件300的結(jié)構(gòu)，MRAM器件300 (作為基元)以陣列形式(如圖6所示)連接到多個MRAM器件300 (基元)以便大量器件300處于列或者行中，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所懂得的。
[0029]MRAM器件300還包括選擇線360用于向晶體管335和340 (包括用于相同列中的其它MRAM器件300的相同晶體管335和340)提供功率。寫入線350連接到電壓源365，不穩(wěn)定化(destabilize)線355連接到電壓源370并且選擇線360連接到電壓源375。連接金屬382將寫入線350連接到參考層305。連接金屬395將晶體管340連接到高阻金屬層330。連接金屬390將晶體管335連接到高阻金屬層330。
[0030]對MRAM器件300的寫入對應(yīng)于自由層315的磁化的向上或者向下方向。對于自由層315，如果向上對應(yīng)于例如I (或者O)那么向下對應(yīng)于O (或者1)，并且反之亦然。
[0031]例如，對于寫入，對于要寫入的特定MRAM器件300 (在MRAM器件300的列中)，使用選擇線360選擇一列MRAM器件300 (在MRAM器件300的陣列中)，然后對應(yīng)的不穩(wěn)定化線355和寫入線350 (在對應(yīng)于陣列中的其它MRAM器件300 (即，基元)的多個不穩(wěn)定化線355和寫入線350之外)被激活。電壓源370的電壓施加到不穩(wěn)定化線355，并且來自不穩(wěn)定化線355的電流通過焦耳熱加熱高阻加熱層330(金屬加熱器或者電阻加熱層)。例如，來自不穩(wěn)定化線355的電流穿過晶體管340流到高阻金屬層330以加熱高阻金屬層330。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，焦耳加熱還公知為歐姆加熱或者電阻加熱是通過電流流過導(dǎo)體(例如，高阻金屬層330)釋放熱的過程。這產(chǎn)生溫度梯度，絕緣磁體325更熱而自由層315更冷。依次，這引起磁振子(在絕緣磁體325中)傳導(dǎo)熱穿過絕緣磁體325。然后，磁振子在與普通金屬隔離物320和絕緣磁體325的界面處產(chǎn)生自旋極化電子；自旋極化電子傳輸角動量穿過普通金屬隔離物320到自由層315中。因為絕緣磁體325的磁化是平面內(nèi)的(即，磁化具有向左或者向右的取向)，自旋極化電子(來自絕緣磁體320)的角動量通過使自由層的磁化旋轉(zhuǎn)到接近平行于絕緣磁體的磁化而使自由層315的磁化不穩(wěn)定化。在去除磁振子誘導(dǎo)的自旋電流之后，自由層的此取向能量不利，因而隨后自由層將落回指向上或者向下的狀態(tài)中任一個(能量平衡)。為了選擇自由層磁化的最終狀態(tài)，電壓源365的正或者負(fù)(依賴于應(yīng)該寫入的自由層315的方向)的電壓同時和/或稍后施加到寫入線350。一旦不穩(wěn)定化線355的電壓源370關(guān)斷，電壓源365的正或者負(fù)的電壓用于“翻轉(zhuǎn)”自由層315向上或者向下。注意，在施加到寫入線350的電壓源365關(guān)斷之前，關(guān)斷施加到不穩(wěn)定化線355的電壓源370。
[0032]例如，考慮這樣的情況，自由層315具有向上的磁化385狀態(tài)(以右側(cè)的虛線箭頭示出)。通過電壓源375的電壓開啟選擇線360。選擇線360開啟晶體管335和340。通過電壓源370的電壓開啟不穩(wěn)定化線355以向絕緣磁體325提供電流，該絕緣磁體325用作產(chǎn)生溫度梯度的加熱器。溫度梯度導(dǎo)致在絕緣磁體325中產(chǎn)生磁振子，其中磁振子產(chǎn)生自旋極化電子以傳輸角動量穿過絕緣磁體325到自由層315中。因為自旋極化電子具有根據(jù)絕緣磁體325的磁化的面內(nèi)(左或者右)角動量,此角動量破壞/不穩(wěn)定化自由層315的面夕卜(向上或者向下)磁化?，F(xiàn)在，當(dāng)自由層315在不穩(wěn)定化狀態(tài)中時(例如，之后或者期間)，可以通過電壓源365向?qū)懭刖€350施加正電壓，該電壓源將翻轉(zhuǎn)向上磁化385以具有類似于向下磁化380箭頭的磁化取向(通過左側(cè)虛線箭頭示出)。相反地，如果自由層315初始具有向下磁化380狀態(tài)，并且如果在不穩(wěn)定化之后/期間通過電壓源365向?qū)懭刖€350施加負(fù)電壓，那么向下磁化380箭頭將翻轉(zhuǎn)到具有類似于向上磁化385箭頭的磁化取向。如此，分別基于電壓源365提供的正或者負(fù)電壓，可以進行雙向?qū)懭胍詫⒆杂蓪?15的磁化寫為反平行和/或平行于參考層305。
[0033]圖4示出了根據(jù)示范性實施例的磁隨機存取存儲器(MRAM)器件400。圖4示出了顯示如MRAM器件400的兩端子器件的另一個實施例。在此情況中，隧道勢壘410用作加熱器。隧道勢壘410具有與參考層405 (例如，10歐姆)和自由層415 (例如10歐姆)相比的高電阻，例如1000歐姆。
[0034]寫入線450通過金屬連接到電壓源465和自由層415。在圖4中沒有圖3中示出的不穩(wěn)定化線。在自由層415和絕緣磁體425之間形成普通金屬隔離物420。選擇線460連接到晶體管435和電壓源475。晶體管435通過連接金屬490連接到絕緣磁體425和金屬隔離物420。在圖4中，連接金屬482將寫入線450連接到參考層405。
[0035]雖然示出了單個MRAM器件400的結(jié)構(gòu)，MRAM器件400 (作為基元)以陣列形式(如圖6所示)連接到多個MRAM器件400 (基元)以便大量MRAM器件400成列或者行，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的。
[0036]參考圖4，為了寫入MRAM器件400，向?qū)懭刖€450施加電壓源465的電壓，其通過焦耳熱加熱隧道勢壘410 (作為高阻加熱層或者金屬加熱器)。例如，來自寫入線450的電流流經(jīng)連接金屬482穿過參考層405并且進入隧道勢壘410。隧道勢壘410加熱，并且這產(chǎn)生溫度梯度，隧道勢壘410更熱，以便熱流過自由層415穿過金屬隔離物420進入絕緣磁體425。依次,這引起磁振子(在絕緣磁體425中)傳導(dǎo)熱穿過絕緣磁體425,如圖3所示。然后，磁振子在與金屬隔離物420和絕緣磁體425的界面處產(chǎn)生自旋極化電子；自旋極化電子傳輸(絕緣磁體425的)角動量穿過普通金屬隔離物420到自由層415中。因為絕緣磁體425的磁化為面內(nèi)(即，磁化具有向左或者向右的取向)，來自絕緣磁體425的自旋極化電子的角動量使自由層415磁化不穩(wěn)定化；這稱為磁振子不穩(wěn)定化，因為自由層415的磁化暫時設(shè)置為面內(nèi)狀態(tài)(即，向左或者向右取向)和/或朝面內(nèi)狀態(tài)傾斜，但是因為自由層415的磁化被設(shè)計為是面外的(即，向上或者向下取向)，該條件是不穩(wěn)定的。根據(jù)示范性實施例，在通過使用雙脈沖機制翻轉(zhuǎn)矩之前關(guān)斷磁振子不穩(wěn)定化，如圖5所示。電壓源465的高脈沖開始是大幅度的以不穩(wěn)定化自由層415，并且隨后高脈沖的幅度下降(例如，類似于臺階函數(shù))。如圖5所示，初始電流(I)高以通過焦耳熱加熱隧道勢壘410以引起熱梯度而使自由層415不穩(wěn)定化，這依次導(dǎo)致自旋極化電子在絕緣磁體425中產(chǎn)生并且流到自由層415中。
[0037]在更低的電流處(S卩，翻轉(zhuǎn)電流)，磁振子不穩(wěn)定化大部分關(guān)斷(因為磁振子矩與電流的平方(I2)成比例)，而源于施加的電流的直接自旋轉(zhuǎn)移矩(與電流(I)成比例)仍舊活躍；在低脈沖期間來自電流的自旋轉(zhuǎn)移矩(與熱流相反)確定最終狀態(tài)(即，向上或者向下磁化)。在低脈沖期間，隧道勢壘410不作為熱干擾源。來自電壓源465的正/負(fù)電流用于寫入1/0或者反之亦然。
[0038]例如，考慮種寫入情況，當(dāng)自由層415具有向下磁化480狀態(tài)(以左側(cè)的虛線箭頭示出)。通過電壓源475的電壓開啟選擇線460。選擇線460開啟(向柵極供能)晶體管435。通過電壓源465的電壓開啟(即，供能)寫入線450以將高幅度(如圖5所示)的電流提供到用作產(chǎn)生溫度梯度的加熱器的隧道勢壘410。溫度梯度導(dǎo)致在絕緣磁體425中產(chǎn)生磁振子，其中磁振子產(chǎn)生自旋極化電子以傳輸角動量穿過普通金屬隔離物4205到自由層415中。因為自旋極化電子具有根據(jù)絕緣磁體425的磁化的處于面內(nèi)(左或者右)的角動量,此角動量破壞/不穩(wěn)定化自由層415的面外(向上或者向下)磁化。一旦高幅度電流(高脈沖)切換到了低幅度電流(即，翻轉(zhuǎn)電流或者低脈沖)并且當(dāng)通過電壓源465向?qū)懭刖€450施加正電壓以產(chǎn)生正電流時，此正電流隨后將翻轉(zhuǎn)向下的磁化480箭頭(通過左側(cè)的虛線箭頭示出)。在此實例中，自由層415的向上磁化485意味著自由層415的磁化平行于參考層405的向上磁化。相反地，如果自由層415最初具有向上磁化485狀態(tài)，并且如果在通過電壓源465(不穩(wěn)定化期間或之后)向?qū)懭刖€450施加負(fù)電壓(產(chǎn)生負(fù)電流)，那么，當(dāng)電壓源465下降到如圖5所示的低電流時，向上磁化485箭頭將翻轉(zhuǎn)到具有類似于向下磁化480箭頭的磁化取向。如此，基于通過電壓源465提供的正或者負(fù)電壓(電流)，可以進行雙向?qū)懭胍詫⒆杂蓪?15的磁化寫成反平行和/或平行于參考層405。
[0039]圖6示出了根據(jù)示范性實施例的陣列600MRAM的實例。每個MRAM器件300和/或MRAM器件400可以看作MRAM器件的陣列600中的基元以用于雙向?qū)懭氡忍兀邕@里描述的I和O對應(yīng)于自由層315和415的向上或者向下磁化。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白如何通過讀取電阻讀取每個MRAM器件300、400 (B卩，基元)的比特。
[0040]圖7根據(jù)示范性實施例示出了用于雙向?qū)懭?例如，I和O兩者)的流程700。參考圖3。
[0041]在框705處，對于要被切換的MRAM器件300 (S卩，陣列600中的基元)，通過電壓源375向選擇線360供能(即，選擇線偏置)。這激活兩個晶體管335和340。
[0042]在框710處，通過電壓源370向不穩(wěn)定化線355供能。這引起電流流經(jīng)高阻金屬層330 (即，普通金屬加熱器)并且提高其溫度。熱量從高阻金屬層330穿過絕緣磁體325并且穿過疊層(即，自由層315、隧道勢壘310和參考層305)流向?qū)懭刖€350。
[0043]在框715處，通過電壓源365向?qū)懭刖€350供能(即，寫入線偏置)，并且同時和/或稍后關(guān)斷不穩(wěn)定化線355 (B卩，電壓源370)。這導(dǎo)致自旋轉(zhuǎn)移矩對自由層315起作用并且根據(jù)電壓源365施加的供能寫入線350電壓的符號，自旋轉(zhuǎn)移矩將導(dǎo)致自由層315與參考層305相比較傾向于平行或者反平行取向。注意，應(yīng)該存在穿過MRAM器件300的電流(通過電壓源365)而在框710中建立的溫度梯度(B卩，熱)仍舊存在以便用于寫入的閾值沒有被減小。
[0044]在框720處，關(guān)斷電壓源365 (B卩，寫入線偏置)，因為自由層315的磁化已經(jīng)根據(jù)電壓源的極性翻轉(zhuǎn)。在框725處關(guān)斷電壓源375 (S卩，選擇線偏置)。
[0045]通過電壓源365向?qū)懭刖€350施加的電壓的極性決定自由層315的磁化取向，因為自由層315的磁化沒有限制為以單一方向?qū)懭?，其為單向?qū)懭搿＠?，電壓?65的正電壓引起向上的磁化(例如，向上磁化385)并且電壓源365的負(fù)電壓引起向下的磁化(例如，向下磁化380)。
[0046]圖8示出了根據(jù)示范性實施例的用于雙向?qū)懭?例如，I和O兩者)的流程800。參考圖4和5。
[0047]在框805處，對于要被切換的MRAM器件400 (S卩，陣列600中的基元)，通過電壓源475向選擇線460供能。這激活晶體管435。
[0048]在框810處，通過電壓源465開啟寫入線450。電壓源465的極性將決定自由層415的最終狀態(tài)，以便對于電流的一個極性，MRAM器件400偏愛自由層415和參考層405平行取向，而對于另一個電流極性，則偏愛自由層415和參考層405相反取向(反平行)。因為隧道勢壘410中的焦耳熱產(chǎn)生，電流幅度(寫入線偏置幅度)應(yīng)該足以在絕緣磁體425 (鐵氧體)/普通金屬隔離物420界面中產(chǎn)生顯著的熱梯度。例如，在一個實施方式中，流經(jīng)焦耳加熱器的脈沖寬度為500皮秒并幅度為2xl06安培/cm2的Gaussian電流脈沖在金屬絕緣磁體界面處產(chǎn)生10-12開爾文的溫度差。
[0049]框815，電壓源465的電壓(寫入線偏置)減少(從不穩(wěn)定化電流(高脈沖)減小到翻轉(zhuǎn)電流(低脈沖)，如圖5所示)到足以允許(來自絕緣磁體425)自旋轉(zhuǎn)移矩電流移動自由層取向但又足夠低以快速減少溫度梯度的電壓。在一個實施例中，利用以0.5ns到1.0ns的持續(xù)時間供給的足夠高幅度(例如，2xl06安培/cm2)的加熱脈沖，可以在2ns內(nèi)完成整個切換過程。在此周期中，自由層415將切換到優(yōu)選狀態(tài)(如通過來自電壓源465的電流極性確定的)，并且用于隨后切換的在自由層415中的能量勢壘將上升到高的值。在反轉(zhuǎn)自由層415的磁化之后，迅速減小熱梯度將自由層415離開不穩(wěn)定化狀態(tài)。低脈沖(即，圖5中的低電流)具有足夠低的幅度以停止/抑制隧道勢壘410的加熱。在低脈沖之前施加高脈沖。
[0050]在框820處，關(guān)斷選擇線460 (B卩，電壓源475)。通過電壓源465向?qū)懭刖€450施加的電壓的極性確定自由層415的磁化取向。例如，電壓源465的正電壓引起向上的磁化(例如，向上磁化485)以及電壓源465的負(fù)電壓引起向下的磁化(例如，向下磁化480)。
[0051]同樣，注意，在沒有不穩(wěn)定化自旋轉(zhuǎn)移矩時，自由層(例如，圖3-8中)被設(shè)計為是面外的。在另一個實施方式中，在沒有不穩(wěn)定化自旋轉(zhuǎn)移矩時，MRAM器件(圖3-8中討論的)可以設(shè)計為是面內(nèi)的。
[0052]所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)了解，本發(fā)明的各個方面可以實現(xiàn)為系統(tǒng)、方法或計算機程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明的各個方面可以具體實現(xiàn)為以下形式，即:完全的硬件實施方式、完全的軟件實施方式(包括固件、駐留軟件、微代碼等)，或硬件和軟件方面結(jié)合的實施方式，這里可以統(tǒng)稱為“電路”、“模塊”或“系統(tǒng)”。此外，在一些實施例中，本發(fā)明的各個方面還可以實現(xiàn)為在一個或多個計算機可讀介質(zhì)中的計算機程序產(chǎn)品的形式，該計算機可讀介質(zhì)中包含計算機可讀的程序代碼。
[0053]可以采用一個或多個計算機可讀介質(zhì)的任意組合。計算機可讀介質(zhì)可以是計算機可讀信號介質(zhì)或者計算機可讀存儲介質(zhì)。計算機可讀存儲介質(zhì)例如可以是一但不限于——電、磁、光、電磁、紅外線、或半導(dǎo)體系統(tǒng)、裝置或器件，或者任意以上的組合。計算機可讀存儲介質(zhì)的更具體的例子(非窮舉的列表)包括:具有一個或多個導(dǎo)線的電連接、便攜式計算機磁盤、硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、可擦式可編程只讀存儲器(EPR0M或閃存)、光纖、便攜式壓縮盤只讀存儲器(CD-ROM)、光存儲器件、磁存儲器件、或者上述的任意合適的組合。在本文件中，計算機可讀存儲介質(zhì)可以是任何包含或存儲程序的有形介質(zhì)，該程序可以被指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或者器件使用或者與其結(jié)合使用。
[0054]計算機可讀的信號介質(zhì)可以包括在基帶中或者作為載波一部分傳播的數(shù)據(jù)信號，其中承載了計算機可讀的程序代碼。這種傳播的數(shù)據(jù)信號可以采用多種形式，包括——但不限于——電磁信號、光信號或上述的任意合適的組合。計算機可讀的信號介質(zhì)還可以是計算機可讀存儲介質(zhì)以外的任何計算機可讀介質(zhì)，該計算機可讀介質(zhì)可以發(fā)送、傳播或者傳輸用于由指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或者器件使用或者與其結(jié)合使用的程序。
[0055]計算機可讀介質(zhì)上包含的程序代碼可以用任何適當(dāng)?shù)慕橘|(zhì)傳輸，包括一但不限于一無線、有線、光纜、RF等等，或者上述的任意合適的組合。
[0056]可以以一種或多種程序設(shè)計語言的任意組合來編寫用于執(zhí)行本發(fā)明的方面的操作的計算機程序代碼，所述程序設(shè)計語言包括面向?qū)ο蟮某绦蛟O(shè)計語言一諸如Java、Smalltalk、C++等，還包括常規(guī)的過程式程序設(shè)計語言一諸如“C”語言或類似的程序設(shè)計語言。程序代碼可以完全地在用戶計算機上執(zhí)行、部分地在用戶計算機上執(zhí)行、作為一個獨立的軟件包執(zhí)行、部分在用戶計算機上部分在遠(yuǎn)程計算機上執(zhí)行、或者完全在遠(yuǎn)程計算機或服務(wù)器上執(zhí)行。在涉及遠(yuǎn)程計算機的情形中，遠(yuǎn)程計算機可以通過任意種類的網(wǎng)絡(luò)一包括局域網(wǎng)(LAN)或廣域網(wǎng)(WAN)—連接到用戶計算機，或者，可以連接到外部計算機(例如利用因特網(wǎng)服務(wù)提供商來通過因特網(wǎng)連接)。
[0057]下面將參照根據(jù)本發(fā)明實施例的方法、裝置(系統(tǒng))和計算機程序產(chǎn)品的流程圖和/或框圖描述本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解，流程圖和/或框圖的每個方框以及流程圖和/或框圖中各方框的組合，都可以由計算機程序指令實現(xiàn)。這些計算機程序指令可以提供給通用計算機、專用計算機或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器，從而產(chǎn)生一種機器，使得這些計算機程序指令在通過計算機或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器執(zhí)行時，產(chǎn)生實現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個或多個方框中規(guī)定的功能/動作的裝置。
[0058]也可以把這些計算機程序指令存儲在計算機可讀介質(zhì)中，這些指令使得計算機、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或其他設(shè)備以特定方式操作，從而，存儲在計算機可讀介質(zhì)中的指令就產(chǎn)生出包括實現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個或多個方框中規(guī)定的功能/動作的指令的制品。
[0059]計算機程序指令還可以加載到計算機、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或其他設(shè)備上以引起在計算機、其它可編程裝置或者其它器件上執(zhí)行的一系列操作步驟，以產(chǎn)生計算機執(zhí)行的處理，以便在計算機或者其它可編程裝置上執(zhí)行的指令提供用于處理實現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個或多個方框中規(guī)定的功能/動作的指令的處理。
[0060]附圖中的流程圖和框圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的多個實施例的系統(tǒng)、方法和計算機程序產(chǎn)品的可能實現(xiàn)的體系架構(gòu)、功能和操作。在這點上，流程圖或框圖中的每個方框可以代表一個模塊、程序段或代碼的一部分，所述模塊、程序段或代碼的一部分包含一個或多個用于實現(xiàn)特定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。也應(yīng)當(dāng)注意，在有些作為備選的實現(xiàn)中，方框中所標(biāo)注的功能也可以以不同于附圖中所標(biāo)注的順序發(fā)生。例如，兩個連續(xù)的方框?qū)嶋H上可以基本并行地執(zhí)行，它們有時也可以按相反的順序執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。也要注意的是，框圖和/或流程圖中的每個方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合，可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或動作的專用的基于硬件的系統(tǒng)來實現(xiàn)，或者可以用專用硬件與計算機指令的組合來實現(xiàn)。
[0061]這是使用的術(shù)語僅用于描述具體實施例的目的并且沒有旨在限制本發(fā)明。如這里使用的，除非內(nèi)容中明確指明否則單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”旨在還包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該明白，術(shù)語“包括”和/或“包含”，當(dāng)在此說明書中使用時，具體指規(guī)定的特征、整數(shù)(integer)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或更多特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或其組的存在或者添加。
[0062]在下面的權(quán)利要求中的對應(yīng)的結(jié)構(gòu)、材料、作用和所有裝置或步驟加功能元件的等價物旨在包括用于結(jié)合其它特別要求保護的其它要求保護的元件執(zhí)行功能的任意結(jié)構(gòu)、材料和作用。提出本發(fā)明的描述用于示出和描述目的并且沒有旨在窮盡或者限制本發(fā)明到在公開的形式中。在不脫離描述的本發(fā)明的范圍和精神下本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白許多修改和變化。選擇并描述實施例的目的是更好的解釋本發(fā)明、實際應(yīng)用的規(guī)律，并且使得本領(lǐng)域的其它技術(shù)人員明白用于具有適合于實際應(yīng)用的各種修改的本發(fā)明。
[0063]這里示出的流程圖僅為一個實例。在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，對于其中描述的該程序或者步驟(或者操作)可具有許多變化。例如，可以以不同的次序執(zhí)行步驟或者可以添加或者刪除或者修改步驟。所有這些變化被認(rèn)為是所要求保護的發(fā)明的一部分。
[0064]雖然描述了本發(fā)明的示范性實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，現(xiàn)在和將來，可以進行落入到在隨后的權(quán)利要求范圍內(nèi)的各種改善和增強。這些權(quán)利要求應(yīng)該解釋為保持對首次描述的本發(fā)明的適宜保護。
【權(quán)利要求】
1.一種用于磁隨機存取存儲器(MRAM)器件的雙向?qū)懭氲姆椒?，所述器件具有參考層、鄰近所述參考層的隧道勢壘、鄰近所述隧道勢壘的自由層、鄰近所述自由層的金屬隔離物、鄰近所述金屬隔離物的絕緣磁體以及鄰近所述絕緣磁體的金屬加熱器，所述方法包括: 響應(yīng)于熱梯度使所述絕緣磁體產(chǎn)生自旋極化電子； 通過從所述絕緣磁體產(chǎn)生的所述自旋極化電子開始所述自由層的磁化的不穩(wěn)定化；以及 在開始所述不穩(wěn)定化之后，向所述MRAM器件施加電壓，以選擇所述自由層的所述磁化。 其中所述電壓的極性確定所述自由層的磁化是平行還是反平行于所述參考層的磁化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中當(dāng)所述電壓的所述極性為正時，所述自由層的所述磁化翻轉(zhuǎn)以具有一個磁化取向；并且 其中當(dāng)所述電壓的所述極性為負(fù)時，所述自由層的所述磁化翻轉(zhuǎn)以具有另一磁化取向；
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過從所述絕緣磁體產(chǎn)生的所述自旋極化電子開始所述自由層的所述磁化的不穩(wěn)定化包括: 向所述金屬加熱器供能以便使所述熱梯度從所述高電阻層穿過所述絕緣磁體、所述金屬隔離物流動到所述自由層中； 其中所述熱梯度產(chǎn)生所述自旋極化電子，所述自旋極化電子具有使所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化的角動量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述自由層的所述磁化在沒有不穩(wěn)定化自旋轉(zhuǎn)移矩時是面外的； 其中所述絕緣磁體的磁化是面內(nèi)的；以及 其中由于所述自由層的所述磁化是面外的，所述自旋極化電子的所述角動量使所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化。
5.一種磁隨機存取存儲器器件，包括: 鄰近隧道勢壘的參考層、鄰近所述隧道勢壘的自由層、鄰近所述自由層的金屬隔離物、鄰近所述金屬隔離物的絕緣磁體以及鄰近所述絕緣層的金屬加熱器。 其中，響應(yīng)于熱梯度，配置所述絕緣磁體以產(chǎn)生自旋極化電子； 其中所述絕緣磁體產(chǎn)生的所述自旋極化電子使所述自由層的磁化不穩(wěn)定化； 其中當(dāng)所述自由層的所述磁化被不穩(wěn)定化時，向所述MRAM器件施加的電壓改變所述自由層的所述磁化。 其中所述施加的電壓的極性確定所述自由層的所述磁化是平行還是反平行于所述參考層的磁化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的器件，其中當(dāng)所述施加的電壓的所述極性為正時，所述自由層的所述磁化翻轉(zhuǎn)以具有一個磁化取向；以及 其中當(dāng)所述施加的電壓的所述極性 為負(fù)時，所述自由層的所述磁化翻轉(zhuǎn)以具有另一個磁化取向；
7.根據(jù)權(quán)利要求5的器件，其中通過向所述金屬加熱器供能造成所述熱梯度，以及所述熱梯度從所述高阻電層，穿過所述絕緣磁體，穿過所述金屬隔離物并流動到所述自由層中；以及 其中，所述熱梯度產(chǎn)生所述自旋極化電子，所述自旋極化電子具有使所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化的角動量。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的器件，其中所述自由層的所述磁化在沒有不穩(wěn)定化自旋轉(zhuǎn)移矩時是面外的 其中所述絕緣磁體的磁化是面內(nèi)的；以及 其中由于所述自由層的所述磁化是面外的，所述自旋極化電子的所述角動量使所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化。
9.一種用于磁隨機存取存儲器(MRAM)器件的雙向?qū)懭氲姆椒?，所述器件具有鄰近隧道勢壘的參考層、鄰近所述隧道勢壘的自由層、鄰近所述自由層的金屬隔離物以及鄰近所述金屬隔離物的絕緣磁體，所述方法包括: 向所述MRAM器件施加第一幅度的第一電壓脈沖，所述第一幅度足以使所述隧道勢壘作為加熱所述絕緣磁體的加熱器以便產(chǎn)生自旋極化電子； 通過從所述絕緣磁體中的磁振子產(chǎn)生的轉(zhuǎn)化為自旋對準(zhǔn)電子的所述自旋極化電子使所述自由層的磁化不穩(wěn)定化；以及 當(dāng)所述自由層的所述磁化被不穩(wěn)定化時，向所述MRAM器件施加足以改變所述自由層的所述磁化的第二幅度的第二電壓脈沖，其中所述第二幅度足夠低以便不使所述隧道勢壘作為熱干擾源； 其中所述第二電壓脈沖的極性確定所述自由層的所述磁化是平行還是反平行于所述參考層的磁化。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中配置所述第一電壓脈沖以提供使所述隧道勢壘作為所述加熱器的第一幅度的電流；以及 其中配置所述第二電壓脈沖以提供不使所述熱勢壘作為所述加熱器的第二幅度的電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中在所述第二電壓脈沖之前施加所述第一電壓脈沖。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中當(dāng)所述第二電壓脈沖的所述極性為正時，所述自由層的所述磁化翻轉(zhuǎn)以具有一個磁化取向；以及 其中當(dāng)所述第二電壓脈沖的所述極性為負(fù)時，所述自由層的所述磁化翻轉(zhuǎn)以具有另一個磁化取向。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中通過從所述絕緣磁體產(chǎn)生的所述自旋極化電子使得所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化包括: 產(chǎn)生從所述隧道勢壘，穿過所述自由層、穿過所述金屬隔離物并進入到所述絕緣磁體中的熱梯度； 其中，所述熱梯度產(chǎn)生所述自旋極化電子，所述自旋極化電子具有使所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化的角動量。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述自由層的所述磁化在沒有不穩(wěn)定化自旋轉(zhuǎn)移矩時是面外的； 其中所述絕緣磁體的所述磁化是面內(nèi)的；以及 其中由于所述自由層的所述磁化是面外的，所述自旋極化電子的所述角動量使所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化。
15.一種磁隨機存取存儲器器件，包括: 鄰近隧道勢壘的參考層、鄰近所述隧道勢壘的自由層、鄰近所述自由層的金屬隔離物以及鄰近所述金屬隔離物的絕緣磁體； 其中配置向所述結(jié)構(gòu)施加的第一幅度的第一電壓脈沖以使所述隧道勢壘作為加熱器，其中所述加熱器加熱所述絕緣磁體以產(chǎn)生自旋極化電子； 其中配置所述第一電壓脈沖以通過從所述絕緣磁體產(chǎn)生的所述自旋極化電子使所述自由層的磁化不穩(wěn)定化: 其中，當(dāng)所述自由層的所述磁化被不穩(wěn)定化時，以第二幅度施加的第二電壓脈沖被配置為改變所述自由層的所述磁化而不使所述隧道勢壘作為熱干擾源；以及 其中所述第二電壓脈沖的極性確定所述自由層的所述磁化是平行還是反平行于所述參考層的磁化。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的器件，其中配置所述第一電壓脈沖以提供使所述隧道勢壘作為所述加熱器的高電流；以及 其中配置所述第一電壓脈沖以提供不使所述熱勢壘作為所述加熱器的第一幅度的電流；以及
17.根據(jù)權(quán)利要求15的器件，其中在所述第二電壓脈沖之前施加所述第一電壓脈沖。
18.根據(jù)權(quán)利要求 15的器件，其中當(dāng)所述第二電壓脈沖的所述極性為正時，所述自由層的所述磁化翻轉(zhuǎn)以具有一個磁化取向；以及 其中當(dāng)所述第二電壓脈沖的所述極性為負(fù)時，所述自由層的所述磁化翻轉(zhuǎn)以具有另一磁化取向。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的器件，其中通過所述隧道勢壘的所述加熱引起的熱梯度，從所述隧道勢壘，穿過所述自由層，穿過所述金屬隔離物并且流動到所述絕緣磁體中；以及 其中，所述熱梯度產(chǎn)生所述自旋極化電子，所述自旋極化電子具有使所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化的角動量。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的器件，其中所述自由層的所述磁化在沒有不穩(wěn)定化自旋轉(zhuǎn)移矩時是面外的； 其中所述絕緣磁體的磁化是面內(nèi)的；以及 其中由于所述自由層的所述磁化是面外的，所述自旋極化電子的所述角動量使所述自由層的所述磁化不穩(wěn)定化。
【文檔編號】G11C11/00GK103890854SQ201280021240
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月3日
【發(fā)明者】D·W·阿布拉汗, N·N·莫于穆德爾, D·C·沃萊吉 申請人:國際商業(yè)機器公司