非易失性存儲器編程的制作方法
【專利摘要】一些實施例包含存儲器裝置及對所述存儲器裝置的存儲器單元進(jìn)行編程的方法。一種此類方法可包含將信號施加到與存儲器單元相關(guān)聯(lián)的線，所述信號是基于數(shù)字信息而產(chǎn)生。所述方法還可包含：在將所述信號施加到所述線的同時，當(dāng)所述數(shù)字信息具有第一值時，確定所述存儲器單元的狀態(tài)是否接近目標(biāo)狀態(tài)；及當(dāng)所述數(shù)字信息具有第二值時，確定所述存儲器單元的所述狀態(tài)是否已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)。描述包含額外存儲器裝置及方法的其它實施例。
【專利說明】非易失性存儲器編程
[0001]優(yōu)先權(quán)申請
[0002]本專利申請案主張2011年3月25日申請的第13/072,478號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，所述申請案的全文以引用的方式并入本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
【背景技術(shù)】
[0003]例如閃存存儲器裝置的非易失性存儲器裝置用于在許多計算機(jī)及電子裝置中存儲數(shù)據(jù)。閃存存儲器裝置通常具有存儲數(shù)據(jù)的編程操作、檢索所存儲的數(shù)據(jù)的讀取操作及清除來自所述存儲器的數(shù)據(jù)的擦除操作。
[0004]常規(guī)的編程操作可涉及使存儲器單元經(jīng)編程以具有某些狀態(tài)，且接著確定所述狀態(tài)是否在其期望的目標(biāo)編程狀態(tài)內(nèi)。可重復(fù)編程操作直到獲得期望的目標(biāo)編程狀態(tài)為止。
[0005]在一些常規(guī)的編程操作中，確定被編程的存儲器單元的狀態(tài)可能是一種挑戰(zhàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器裝置的框圖。
[0007]圖2展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器裝置的部分示意圖。
[0008]圖3展示說明在根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖2的存儲器裝置的編程操作期間施加到與所選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的存取線的各種信號的實例值的圖式。
[0009]圖4展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖2的存儲器裝置的對應(yīng)的閾值電壓的閾值電壓值范圍的實例。
[0010]圖5展示說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖3及圖4中所展示的閾值電壓值與信號之間的關(guān)系的圖表。
[0011]圖6是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖5中所展示的一些信息及信號的值之間的關(guān)系的圖表。
[0012]圖7展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的在圖2的存儲器裝置的一些所選擇的存儲器單元的實例編程期間基于圖5及圖6中所展示的信息值而通過所述存儲器裝置執(zhí)行的一些活動。
[0013]圖8展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖2的存儲器裝置的另一部分的部分示意圖。
[0014]圖9是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖2的存儲器裝置的活動的圖表，所述活動包含在圖8的所選擇的存儲器單元的實例編程中確定所選擇的時間間隔期間的一些條件。
[0015]圖10是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的在參考圖9描述的實例編程操作中與第一存儲器單元相關(guān)聯(lián)的一些信號的第一實例的圖表。
[0016]圖11是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例在參考圖9描述的實例編程操作中與第一存儲器單元相關(guān)聯(lián)的一些信號的第二實例的圖表。
[0017]圖12是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例在參考圖9描述的實例編程操作中與第一存儲器單元相關(guān)聯(lián)的一些信號的第三實例的圖表。
[0018]圖13是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例在參考圖9描述的實例編程操作中與第二存儲器單元相關(guān)聯(lián)的一些信號的實例的圖表。
[0019]圖14是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例在參考圖9描述的實例編程操作中與第三存儲器單元相關(guān)聯(lián)的一些信號的實例的圖表。
[0020]圖15是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖2的存儲器裝置的活動的圖表，所述活動包含在圖8的所選擇的存儲器單元的另一實例編程中確定所選擇的時間間隔期間的一些條件。
[0021]圖16展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于存儲器裝置中的編程操作的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0022]圖1展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器裝置100的框圖。存儲器裝置100包含具有可布置成行與列的存儲器單元103的存儲器陣列102以及存取線104及感測線105。存儲器裝置100可使用存取線104來存取存儲器單元103及使用感測線105來給存儲器單元103傳送數(shù)據(jù)。行存取電路107及列存取電路108向應(yīng)于地址寄存器112以基于終端110、111或其兩者上的行地址及列地址信號存取存儲器單元103。數(shù)據(jù)輸入/輸出電路114在存儲器單元103與終端110之間傳送數(shù)據(jù)。終端110及111可為存儲器裝置100的外部終端(例如，暴露于含有存儲器裝置100的芯片或半導(dǎo)體封裝外部的終端)。
[0023]控制電路116基于終端110及111上存在的信號控制存儲器裝置100的操作。存儲器裝置100之外的裝置(例如，處理器或存儲器控制器)可使用終端110、111或其兩者上的不同的信號組合給存儲器裝置100發(fā)送不同的命令(例如，編程命令及讀取命令)。
[0024]存儲器裝置100響應(yīng)于執(zhí)行例如編程、讀取及擦除操作的操作的命令。編程操作可將數(shù)據(jù)從終端110寫入存儲器單元103 (例如，將數(shù)據(jù)從終端110傳送到存儲器單元103)。編程操作一股可被稱為寫入操作。讀取操作將數(shù)據(jù)從存儲器單元103讀取到終端110 (例如，將數(shù)據(jù)從存儲器單元103傳送到終端110)。擦除操作擦除來自全部存儲器單元103或來自存儲器單元103的一部分的數(shù)據(jù)(例如，清除數(shù)據(jù))。
[0025]存儲器裝置100可包含對從存儲器單元103讀取的數(shù)據(jù)中的錯誤進(jìn)行檢查的錯誤校正單元118。錯誤校正單元118可包含錯誤校正電路以基于如所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員所熟知的錯誤校正碼(ECC)校正錯誤。
[0026]存儲器裝置100可包含存儲單元120，存儲單元120可包含例如寄存器的存儲器元件。存儲單元120可包含存儲器裝置100的硬件部分、固件部分或其兩者。存儲單元120還可用于存儲代碼(例如，軟件編程指令)。
[0027]存儲器裝置100可為閃存存儲器裝置，例如NAND閃存存儲器裝置或NOR閃存存儲器裝置或其它種類的存儲器裝置。
[0028]存儲器裝置100可為單階單元存儲器裝置，以使存儲器單元103存儲單一數(shù)據(jù)位。舉例來說，存儲器單元103可存儲單一數(shù)據(jù)位的二進(jìn)制“O”值或二進(jìn)制“I”值。[0029]存儲器裝置100可為多級單元(MLC)存儲器裝置，以使存儲器單元103的每一者中的每一者都可存儲多個數(shù)據(jù)位或數(shù)據(jù)位的部分(例如，對應(yīng)于2、3、4或一些其它數(shù)目的數(shù)據(jù)位的值)。舉例來說，當(dāng)存儲器單元103的每一者中的每一者對應(yīng)于每一單元2位時，存儲器單元103的每一者中的每一者可存儲兩個二進(jìn)制數(shù)據(jù)位的4種可能的組合的一者中的一者(即，對應(yīng)于兩個數(shù)據(jù)位的組合00、01、10及11)。在另一實例中，當(dāng)存儲器單元103的每一者中的每一者對應(yīng)于每一單元3位時，存儲器單元103的每一者中的每一者可存儲3個二進(jìn)制數(shù)據(jù)位的8種可能的組合的一者中的一者(即，000、001、010、011、100、101、110及111的一者中的一者)。在另一實例中，當(dāng)存儲器單元103的每一者中的每一者對應(yīng)于每一單元4位時，存儲器單元103的每一者中的每一者可存儲4個二進(jìn)制數(shù)據(jù)位的16種可能的組合的一者中的一者(即，0000、0001、0010、0011、1000等等直到1111的一者中的一者)。
[0030]單階存儲器裝置及MLC存儲器裝置可組合在裝置100內(nèi)。所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將易于識別出存儲器裝置100可包含圖1省略的以有助于集中于本文所描述的各種實施例的其它部件。存儲器裝置100可包含下文參考圖2到圖9描述的實施例中的一者或一者以上。
[0031]圖2展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器裝置200的部分示意圖。存儲器裝置200可與圖1的存儲器裝置100相關(guān)聯(lián)，例如形成存儲器裝置100的存儲器陣列102的一部分。在圖2中，存儲器裝置200包含布置成行240、241、242及243及列244、245、246及247的存儲器單元210、211、212及213。如圖2中所說明，相同列中的存儲器單元在其相應(yīng)列中可被連接成一系列(有時候被稱為一串)存儲器單元。圖2展示4行及4列的實例，其中每一列中具有4個存儲器單元。行、列及存儲器單元的數(shù)目可變化。
[0032]如圖2中所展示，相同行(例如，行241)中的存儲器單元可耦合到存取線260、261、262及263中的一者。這些存取線可對應(yīng)于存儲器裝置的字線的部分，且在至少一些實例中，這些存取線可形成用于存儲器單元的控制門。存儲器裝置200使用存取線260、261、262及263來在感測(例如，讀取)存儲在存儲器單元210、211、212及213中的數(shù)據(jù)的讀取操作期間及將數(shù)據(jù)存儲到(例如，編程或?qū)懭?存儲器單元210、211、212及213中的編程操作期間存取存儲器單元210、211、212及213。存儲器裝置200使用感測線270、271、272及273來在讀取操作期間傳送從存儲器單元210、211、212及213讀取的數(shù)據(jù)。
[0033]存儲器裝置200還可包含將列244、245、246及247中的存儲器單元210、211、212及213分別耦合到感測線270、271、272及273的晶體管231及232 (分別響應(yīng)于信號SELa及SELb)。感測線270、271、272及273可對應(yīng)于存儲器裝置的位線、數(shù)據(jù)線或這些線的組合的部分。線291可對應(yīng)于存儲器裝置的源極(例如，電壓)線的部分。
[0034]存儲器裝置200可包含分別與可載送信號V.、VBL1, Vbl2及Vbu的其相應(yīng)感測線270、271、272及273相關(guān)聯(lián)的感測放大器(SENSE AMP) 280、281、282及283。這些感測放大器可個別執(zhí)行感測操作以分別感測信號及Vbu的值，且基于感測操作的結(jié)果提供指示感測結(jié)果信息的信號SENJUT1、SEN_0UT2、SEN_0UT2及SEN_0UT3。可在編程操作的部分期間執(zhí)行感測操作。
[0035]存儲器裝置200在編程操作中可將數(shù)據(jù)存儲在存儲器單元210、211、212及213中?？赏ㄟ^存儲器單元的狀態(tài)(例如，特定存儲器單元(例如，存儲器單元210、211、212及213中的一者)的閾值電壓值、通過所述特定存儲器單元存儲的電荷及/或所述特定存儲器單元的電阻狀態(tài))指示所述特定存儲器單元中所存儲的數(shù)據(jù)。對于多級單元存儲器裝置來說，每一存儲器單元可經(jīng)編程以具有表示可存儲在每一存儲器單元中的多個位的每一種可能的組合的相應(yīng)編程狀態(tài)。舉例來說，當(dāng)存儲器單元210、211、212及213中的每一者對應(yīng)于每一單元3位時，存儲器單元210、211、212及213中的每一者可經(jīng)編程以具有8個不同的閾值電壓范圍中的一者內(nèi)的表示對應(yīng)于3個二進(jìn)制數(shù)據(jù)位的8種可能的組合中的一者(即，000、001、010、011、100、101、110及111中的一者)的值的閾值電壓值。
[0036]在本文的描述中，所選擇的存儲器單元指在特定編程操作中被選擇用來存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元。所選擇的存取線指與所選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的存取線。未選擇的存儲器單元指在所述特定編程操作中未被選擇用來存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元。未選擇的存取線指與未選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的存取線。終端(例如圖1的終端110及111)上的信號的值(例如，對應(yīng)于存儲器地址的值)可用于確定選擇哪些存儲器單元用來在編程操作中編程。
[0037]圖2展示其中在編程操作期間行241中的存儲器單元210、211、212及213中的一者或一者以上可為所選擇的存儲器單元且存取線261可為用于這些存儲器單元的所選擇的存取線的實例。在此實例中，行240、242及243中的存儲器單元210、211、212及213是未選擇的存儲器單元。存取線260、262及263是未選擇的存取線。
[0038]在編程操作期間，存儲器裝置200可將信號Vpass施加到與未選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的未選擇的存取線(例如，260、262及263)。在編程操作期間，信號Vpass可具有值以使未選擇的存儲器單元可維持其狀態(tài)并用作傳遞元件(例如，通過傳導(dǎo)電流)。作為實例，信號Vpass可具有約10伏特的值。
[0039]在編程操作期間，存儲器裝置200可在不同的時間將不同的信號(例如，電壓信號)Vpmi及VpampM加到相同的所選擇的存取線(例如，261)。存儲器裝置200將信號(例如，電壓信號)Vpm施加到所選擇的存取線(例如，261)以改變與所選擇的存取線相關(guān)聯(lián)的所選擇的存儲器單元的狀態(tài)(例如，改變閾值電壓值)。當(dāng)將信號Vpm施加到所選擇的存取線時，存儲器裝置200還可分別將信號(例如，電壓信號)VBU1、VBL1, Vbl2及Vbu施加到與所選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的感測線270、271、272及273。在編程操作期間，Vblo, Vbli, Vbl2及Vbu的值可取決于所選擇的存儲器單元在各個時間的狀態(tài)(例如，閾值電壓值)而彼此不同。一些或全部信號Vbu1、Vbu、V%2及Vbu可具有零伏特的值(例如，接地)。在編程期間基于所選擇的存儲器單元的狀態(tài)將不同值施加到信號V.、VBL1, Vbl2及Vbu可允許存儲器裝置200調(diào)整對所選擇的存儲器單元進(jìn)行編程的編程速率(例如，快或慢的程度)。
[0040]存儲器裝置200可包含驗證操作，所述驗證操作可為編程操作的一部分。在驗證操作期間，存儲器裝置200將信號V_施加到所選擇的存取線以確定(例如，檢查)所選擇的存儲器單元是否接近其相應(yīng)的目標(biāo)狀態(tài)(例如，接近目標(biāo)閾值電壓值)或是否已達(dá)到其相應(yīng)的目標(biāo)狀態(tài)。存儲器單元的狀態(tài)可包含存儲器單元的閾值電壓值。當(dāng)將信號Veamp施加到所選擇的存取線時，感測放大器280、281、282及283可執(zhí)行感測操作以感測與所選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的對應(yīng)的信號VBU1、VBU、V%2及Vbu的值。在感測之前(例如，開始驗證操作時)，可對所選擇的感測線270、271、272及273充電(例如，預(yù)充電)，以使信號Vbu1、Vbu、
及Vbu可具有特定預(yù)定信號電平值(例如，高)。在感測期間，信號電平值可基于相關(guān)聯(lián)的所選擇的存儲器單元的狀態(tài)而改變(例如，降低)或可停留在相同的信號電平值。[0041 ] 通過信號SENJUTtl、SEN_0UI\、SEN_0UT2及SEN_0UT3提供的感測結(jié)果信息可指示所選擇的存儲器單元是否接近或已達(dá)到其相應(yīng)的目標(biāo)狀態(tài)。基于感測結(jié)果信息，存儲器裝置200可執(zhí)行適當(dāng)?shù)幕顒?。所述活動可包?如果任何特定選擇的存儲器單元接近其目標(biāo)狀態(tài)，則調(diào)整(例如，降低)編程速率且對所述存儲器單元進(jìn)行重復(fù)編程。所述活動可包含:如果存儲器單元未接近目標(biāo)狀態(tài)且未達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)，則增加存儲器單元的編程速率。所述活動還可包含:如果任何特定選擇的存儲器單元已達(dá)到其目標(biāo)狀態(tài)，則完成(例如，約束)對所述存儲器單元的編程。
[0042]圖3展示說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的在圖2的存儲器裝置200的編程操作期間施加到與所選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的存取線的信號v_到Vpeffl6及信號V_到Vkamp6的實例值的圖式。兩個連續(xù)Vtckm之間的相同信號Veamp可用于相同行中的多個所選擇的存儲器單元以確定所選擇的存儲器單元是否接近其相應(yīng)的目標(biāo)狀態(tài)或是否已達(dá)到其相應(yīng)的目標(biāo)狀態(tài)。
[0043]圖3中的信號Vrcm到Vrcffl6中的每一者對應(yīng)于圖2的信號VrcEM。圖3中的信號Vramp I 至丨J Vramp6
中的每一者對應(yīng)于圖2的信號Veam6圖3展示6個信號





VpGRMl 到 VpGRM6
及6個
信號Vkampi到Vkamp6作為實例。特定編程操作期間的這些信號的數(shù)目可變化(例如，少于或多于6個)。
[0044]如圖3中所展不,信號Vrcm到Vrcffl6中的每一者可僅包含單一編程脈沖。一個脈沖可具有與下一個脈沖的振幅值不同的振幅值。舉例來說，信號Vrcm到Vra*的振幅值可具有從約15伏特到約20伏特的范圍。在編程操作期間，信號Vrem到Vpeffl6中的一者或一者以上可被施加到所選擇的存取線以對相關(guān)聯(lián)的所選擇的存儲器單元進(jìn)行編程直到所選擇的存儲器單元達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓值為止。舉例來說，如果施加信號Vrcsm之后且所選擇的存儲器單元未達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓值，則可重復(fù)對信號Vrc胃的編程操作。如果施加信號Vpgem2后且所選擇的存儲器單元未達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓值，則可重復(fù)對信號Vrcrac到VrcKM6中的一者或一者以上的編程操作直到達(dá)到目標(biāo)閾值電壓值為止。
[0045]每當(dāng)編程操作重復(fù)對存儲器單元進(jìn)行編程時，與所選擇的存儲器相關(guān)聯(lián)的所選擇的存取線上的信號值(振幅值)可增加。舉例來說，圖3展示從信號Vpem到信號Vrerai2、從信號Vreffll2到信號Vrew3等等的振幅值的增加。替代地，振幅值可保持相同。
[0046]在圖3中，在施加信號Vpem到Vrcffl6中的每一者之后可執(zhí)行驗證操作。在驗證操作中，可將信號Vrampi到vMMPe中的一者施加到被施加了信號Vpem到Vrcffl6中的一者的相同的所選擇的存取線。舉例來說，在將信號vp_施加到所選擇的存取線216(圖2)之后，可將信號Veampi施加到所選擇的存取線216。在將信號Vrc胃施加到所選擇的存取線216之后可將信號Vkamp2施加到所選擇的存取線216。在所選擇的存儲器單元的編程期間，信號Vkampi到 VliAMP6 的數(shù)目可等于信號 VpGRMl 到 VpGRM6 的數(shù)目。
[0047]如圖3中所展示，信號Veampi到Vkamp6可具有相同輪廓。舉例來說，信號V
EAMPl 至丨J VrAMP6
可具有在相同方向上相對于時間而增加的振幅值(例如，正斜率)。如圖3中所展示，信號Veampi到Vkamp6可具有單一斜坡形狀，其中值從O (或負(fù)值)增加到正電壓(例如，約6伏特(或更高))。
[0048]當(dāng)在驗證操作期間將信號Veampi到Veamp6中的一者施加到所選擇的存取線時，存儲器裝置200可針對被編程的每一存儲器單元執(zhí)行兩個活動。一個活動可包含確定存儲器單元的閾值電壓值是否達(dá)到小于(但接近)其目標(biāo)閾值電壓的值。另一活動可包含確定存儲器單元的閾值電壓值是否已達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓?；趤碜运鰞蓚€活動的確定結(jié)果，存儲器裝置200可進(jìn)一步執(zhí)行額外活動，例如重復(fù)或完成所選擇的存儲器單元的一些或全部的編程。
[0049]圖4展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖2的存儲器裝置200的對應(yīng)閾值電壓VTtl到VT7的閾值電壓值范圍400到407的實例。如上所述，存儲器裝置200可為多級單元存儲器裝置。舉例來說，存儲器裝置200可為每一存儲器單元具有3位的存儲器裝置。存在3個位的8種可能的組合。圖4展示對應(yīng)于3個位的8種不同組合的8個電平(有時候被稱為狀態(tài))，電平O(LO)到電平7(L7)。針對用于大量存儲器單元的對應(yīng)閾值電壓來說，每一電平具有電壓閾值范圍。舉例來說，電平LO到L7針對閾值電壓值具有相應(yīng)范圍，標(biāo)記為閾值電壓VTtl到VT7。如圖4中所展示，閾值電壓VTtl到VT7的閾值電壓值從最低閾值電壓值(對應(yīng)電平O)到最高閾值電壓值(對應(yīng)電平L7)。因此，在閾值電壓VTcIj VT7的閾值電壓值中閾值電壓VT7的閾值是最大的。
[0050]閾值電壓VTtl到VT7中的每一者可為目標(biāo)閾值電壓。在編程操作期間，所選擇的存儲器單元可經(jīng)編程以具有在閾值電壓VTtl到VT7中的一者的值范圍內(nèi)的目標(biāo)閾值電壓值。
[0051]如圖4中所展示，閾值電壓VT1可具有范圍為從下限值Vt1A到上限值Vt1B的閾值電壓值范圍401。閾值電壓￥1~2可具有范圍為從下限值￥〖24到上限值Vt2B的閾值電壓值范圍402。區(qū)域412是電壓值范圍401的上限值Vt1B與閾值電壓值范圍402的下限值Vt2A之間的差。作為實例，區(qū)域412可為約800毫伏(mV)。其它閾值電壓VTtl及VT3到VT7還可具有對應(yīng)的電壓值范圍400及403到407。為清楚起見，圖4省略對與范圍400及403到407相關(guān)聯(lián)的下限值及上限值的標(biāo)記。
[0052]圖4還展示預(yù)編程驗證電壓PPVi及編程驗證電壓PVi，其中索引“ i ”對應(yīng)于電平數(shù)目。閾值電壓VTc IjVT7中的每一者與一對驗證電壓PPVi及PVi相關(guān)聯(lián)。舉例來說，閾值電壓VT2與驗證電壓PPV2及PV2相關(guān)聯(lián)。閾值電壓VT5與驗證電壓PPV5及PV5相關(guān)聯(lián)。
[0053]與特定閾值電壓VTi相關(guān)聯(lián)的PPVi與PVi之間的差值(或PV1-PPVi)可小于閾值電壓VTi的下限值與同閾值電壓VTi相關(guān)聯(lián)的恰好低于特定閾值電壓VTi的上限值之間的差的四分之一。舉例來說，在圖4中，如果區(qū)域412為約800mV,則PV2到PPV2可小于200mV。替代地，PVi到PPVi之間的差值可為從所述電平的下限值與恰好低于所述電平的電平的上限值之間的差的至少四分之一到一半。舉例來說，在圖4中，如果區(qū)域412為約SOOmVJlJPV2 到 PPV2 為從 200mV 到 400mV。
[0054]在驗證操作期間，如果在所選擇的存儲器單元的編程期間閾值電壓值(Vt)等于或大于其相關(guān)聯(lián)的PPVi (例如，Vt≥PPVi)，則可將所述存儲器單元視為已達(dá)到小于但接近其目標(biāo)閾值電壓值的值(例如，PPVi)。如果在所選擇的存儲器單元的編程期間所述存儲器單元的閾值電壓值等于或大于其相關(guān)聯(lián)的PVi (例如，Vt≥PVi)，則可將所述存儲器單元視為已達(dá)到其目標(biāo)Vt。
[0055]在本文的描述中，條件Vt PPVi指在特定選擇的存儲器單元的編程期間所述存儲器單元的閾值電壓值(Vt)是否達(dá)到小于其目標(biāo)閾值電壓值的值(例如，PPVi)的條件。條件Vt PVi指在特定選擇的存儲器單元的編程期間所述存儲器單元的閾值電壓值是否已達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓值的條件。[0056]圖5展示說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的閾值電壓VTtl到VT7的值與信號Vkamp之間的關(guān)系的圖表。信號Vkamp可對應(yīng)于圖2的信號Veamp及圖4中的信號Veampi到Vkamp6中的任一者。因此，圖4中的信號Vkampi到Veamp6中的每一者可具有圖5中所展示的分布，例如具有正斜率的單一斜坡形狀。
[0057]如圖5中所展示，信號Vkamp可包含分別等于電壓PV1到PV7的值V1、V2、V3、V4、V5、V6及V7。Veamp的最大值可大于與閾值電壓VT7相關(guān)聯(lián)的閾值電壓值范圍的上限。Veamp可基于輸入信息(IN)的值而產(chǎn)生。
[0058]信息IN可為數(shù)字信息。信息IN可通過存儲器裝置200的組件(例如圖1的控制電路116)而產(chǎn)生。數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)可用于在其輸入處接收信息IN并基于信息IN在其輸出處產(chǎn)生信號Vkamp的值Vl到V7。
[0059]如圖5中所展示，信息IN可包含按順序次序產(chǎn)生的值(例如，數(shù)字)。舉例來說，信息 IN 可包含按 0、1、2、3、4、5、6、7、...、X_3、X_2、X-1、X、X+1、…、Υ_3、Υ_2、Y-1、Y、Y+1.....Z-3、Z-2、Z-1、Z&Z+1的順序次序(以十進(jìn)制數(shù)呈現(xiàn))產(chǎn)生的數(shù)字。為清楚起，
圖5中僅展示信息IN的值中的一些。值Z大于值Y，且值Y大于值X。
[0060]對于信息IN的每一值(例如，數(shù)字值)來說，可產(chǎn)生信號Veamp的對應(yīng)值(例如，模擬電壓值)。舉例來說，可基于信息IN的值6(例如，00000110(以8位二進(jìn)制數(shù)表示))產(chǎn)生信號Veamp的值Vl (電壓值)。在另一實例中，可基于信息IN的值X (例如，如果X=16，則以二進(jìn)制表示X=00000110)產(chǎn)生信號Vkamp的值V2。
[0061]如圖5中所展示，對應(yīng)于值X-2的信號Veamp的值可小于電壓值PVV2。對應(yīng)于值Y_2的信號Vkamp的值可小于電壓值PVV5。對應(yīng)于值Z-2的信號Vkamp的值可小于電壓值PVV70
[0062]對應(yīng)于值X的信號Veamp的值可等于電壓值PV2。對應(yīng)于值Y的信號Veamp的值可等于電壓值PV5。對應(yīng)于值Z的信號Veamp的值可等于電壓值PV7。
[0063]電壓PPVi中的每一者可具有介于通過信息IN的兩個連續(xù)值產(chǎn)生的信號Vkamp的兩個連續(xù)值之間的值。舉例來說，信息IN的連續(xù)值X-2及X-1用于產(chǎn)生信號Vkamp的兩個對應(yīng)的連續(xù)值(如兩個點所展示)。如圖5中所展示，電壓PPV2介于信號Vkamp的所述兩個值之間。此意指電壓PPV2大于通過信息IN的值X-2產(chǎn)生的信號Vkamp的電壓值且小于通過信息IN的值X-1產(chǎn)生的信號Vkamp的電壓值。在另一實例中，信息IN的連續(xù)值Y-2及Y-1用于產(chǎn)生信號Vkamp的兩個對應(yīng)的連續(xù)值(如兩個點所展示)。如圖5中所展示，電壓PPV5介于信號Veamp的所述兩個值之間。此意指電壓PPV2大于通過信息IN的值Y-2產(chǎn)生的信號Vkamp的電壓值且小于通過信息IN的值Y-1產(chǎn)生的信號Vkamp的電壓值。替代地，電壓PPVi中的每一者可具有等于通過信息IN的對應(yīng)值產(chǎn)生的信號Veamp的值的值。舉例來說，電壓PPV2可具有等于通過信息IN的值χ-2產(chǎn)生的信號Veamp的值的值。
[0064]圖6是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖5的信息IN、信號Vkam卜電壓PVi'以及目標(biāo)閾值電壓Vtci到VT7的值之間的關(guān)系的圖表600。在圖表600中,信息IN以兩種不同的形式(十進(jìn)制形式及對應(yīng)的二進(jìn)制形式)呈現(xiàn)。舉例來說，如果信息IN包含8位二進(jìn)制數(shù)，則其零值(十進(jìn)制形式)對應(yīng)于00000000、值I對應(yīng)于00000001、值16對應(yīng)于00010000等等。
[0065]對于信息IN的每一值來說，圖表600還展示電壓PVi (對應(yīng)于目標(biāo)VTi)的對應(yīng)值的實例。舉例來說，如部分601、602、605及607中所展示，信息IN的值00000110、00010000、00101110及00111000可分別對應(yīng)于電壓PV1 (目標(biāo)VT1)、PV2 (目標(biāo)VT2)、PV5 (目標(biāo)VT5)及PV7 (目標(biāo)VT7)的值。
[0066]如上文參考圖5所描述，電壓PPVi中的每一者可具有介于通過信息IN的兩個連續(xù)值產(chǎn)生的信號Veamp的連續(xù)值之間的值。圖6的圖表600展示其中電壓PPV1具有0.48伏特(V)的值的實例，所述值介于通過信息IN的連續(xù)值00000100及00000101產(chǎn)生的信號Vkamp的0.4V與0.5V伏特之間。在另一實例中，圖表600還展示具有4.48V的值的電壓PPV5，所述值介于通過信息IN的連續(xù)值00101100及00101101產(chǎn)生的信號Vkamp的4.4V與4.5V伏特之間。值0.48￥、1.48￥、4.48￥及5.48￥僅是實例。可針對PPVi使用其它值。舉例來說，在圖表600中，電壓PPV1可具有大于0.4V且小于0.5V的任何值。類似地，電壓PPV2可具有大于1.4V且小于1.5V的任何值。電壓PPV5可具有大于4.4V且小于4.5V的任何值。電壓PPV7可具有大于5.4V且小于5.5V的任何值。
[0067]對于圖表600的實例來說，在驗證操作期間，如果所選擇的存儲器單元經(jīng)編程以具有目標(biāo)閾值電壓值PV2,則在所選擇的存儲器單元的編程期間閾值電壓值Vt等于或大于
1.48V的情況下所述存儲器單元被視為已達(dá)到值PPV2 (例如，1.48V)。如果在所選擇的存儲器單元的編程期間所述存儲器單元的閾值電壓值等于或大于1.6V，則所述存儲器單元被視為已達(dá)到其目標(biāo)Vt (例如，1.6V)。
[0068]信號Veamp的值(以伏特為單位)Vl到V7及其它值(例如，正電壓值Va到Vp)中的每一者可基于信息IN的對應(yīng)值而產(chǎn)生。舉例來說，信號Veamp的值V1、V2、V5及V7可基于信息IN的對應(yīng)值(例如值00000110 (或6 (十進(jìn)制形式)),00010000 (或X (十進(jìn)制形式))、00101110(或Y(十進(jìn)制形式))及00111000(或Z(十進(jìn)制形式)))而產(chǎn)生。
[0069]如圖6中所展示 ，信息IN可具有按漸增順序次序的值，例如從O到Z+1。信號Veamp的值還可具有對應(yīng)于信息IN的所述值的相同次序的漸增順序次序(例如從零伏特到
5.7V)。從信號Veamp的一個值到下一值的增量可相同，例如100毫伏(或0.1伏特)或其它值。
[0070]圖7展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的在存儲器裝置的所選擇的存儲器單元1、2及3的實例編程期間通過圖2的存儲器裝置200基于圖5及圖6的信息IN的值而執(zhí)行的一些活動。存儲器單元1、2及3可在相同行中，例如圖2的行241中的存儲器單元210、212及213。
[0071]在圖7中，可在驗證操作期間以不同的時間間隔按順序次序一個接一個地產(chǎn)生信息IN的值。舉例來說，可分別在時間間隔701,702及703期間產(chǎn)生值X_2、X_1及X?？煞謩e在時間間隔711、712及713期間產(chǎn)生值Y-2、Y-1及Y?？煞謩e在時間間隔721、722及723期間產(chǎn)生值Z-2、Z-1及Ζ。值X、Y及Z可對應(yīng)于三個不同的目標(biāo)閾值電壓值。
[0072]如圖7中所展示，偏移值731、732及733分別是值X與Χ-2之間、值Y與Υ-2之間及值Z與Ζ-2之間的差。偏移值731、732及733可相同。圖7展示其中相對于信息IN的順序單位偏移值731、732及733為兩個單位(計數(shù)單位)的實例。舉例來說，如果Χ=16，則圖7中所展示的序列將為14、15、16及17(以十進(jìn)制數(shù)表示)或00001110、00001111、00010000及00010001 (以8位二進(jìn)制數(shù)表示)。因此，偏移731是兩個單位(兩個計數(shù)單位)。類似地，如圖7中所展示，偏移值732及733中的每一者也是兩個單位?？墒褂闷渌浦祮挝?。舉例來說，偏移值731、732及733可為一個單位或兩個以上單位。
[0073]在圖7的實例中，存儲器單元1、2及3經(jīng)編程以分別具有對應(yīng)于值X、Y及Z的閾值電壓值Vt1、Vt2及Vt3。在此實例中的編程操作期間，當(dāng)在對應(yīng)的時間間隔701、711及721處信息IN的值分別為X-2、Y-2及Z-2時存儲器裝置200針對存儲器單元1、2及3確定是否Vt≥PPVp當(dāng)在對應(yīng)的時間間隔703、713及723處信息IN的值分別為X、Y及Z時存儲器裝置200還針對存儲器單元210、212及213確定是否Vt≥PVitl基于來自這些活動的確定結(jié)果，存儲器裝置200可進(jìn)一步執(zhí)行額外活動，例如調(diào)整編程速率及在時間間隔723之后重復(fù)編程或在時間間隔723之后完成所選擇的存儲器單元1、2及3的編程。
[0074]圖8展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖2的存儲器裝置200的另一部分的部分示意圖。為簡單起見，圖8省略存儲器裝置200的一些元件及一些參考標(biāo)記。
[0075]如圖8中所展示，存儲器裝置200可包含電壓產(chǎn)生器821、822以分別產(chǎn)生信號Vraffl及VMMP。圖8中的信號Vpeffl可包含圖3中的信號VP_到V_6中的一者或一者以上。圖8中的信號Vkamp可包含圖3中的信號VeampI到Veamp6中的一者或一者以上。
[0076]電壓產(chǎn)生器821可包含電荷泵以提供信號VrcKM，信號Vrcffl可具有大于存儲器裝置200的電源電壓(例如，Vcc)的值。電壓產(chǎn)生器822可包含數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)823以產(chǎn)生信號VKAMP。DAC823可在其輸入處以位的組合的形式接收信息IN，且在其輸出處產(chǎn)生具有對應(yīng)于所述位的組合的值(例如，模擬值)的信號Veami.圖5及圖6中展示信息IN及信號Veamp的一些實例值。
[0077]圖8中的存儲器裝置200還可包含產(chǎn)生器841以接收信息IN，且基于信息IN產(chǎn)生信息INl及信息IN2。產(chǎn)生器841可包含邏輯門元件、計數(shù)器或其它組件的任何組合。信息INl及IN2中的每一者可為數(shù)字信息。參考圖9詳細(xì)描述信息IN、IN1及IN2之間的關(guān)系。
[0078]存儲器裝置200還可包含目標(biāo)Vt數(shù)據(jù)單元861以存儲對應(yīng)于待在特定編程操作期間編程于所選擇的存儲器單元中的目標(biāo)閾值電壓值的信息VTTCT。
[0079]在驗證操作期間存儲器裝置200的比較器851可比較信息VTtct與信息INl及IN2中的每一者，且提供比較結(jié)果。信號MATCH的值可用于指示比較結(jié)果的值。舉例來說，信號MATCH在INI=VTtct或IN2=VTtct時可具有一個值(例如，高、邏輯I或其它值)，信號MATCH在INl Φ VTtgt且IN2 Φ VTtgt時可具有另一值(例如，低、邏輯O或其它值)。
[0080]編程控制器805接收信號MATCH及信號SEN_0UT1、SEN_0UT2及SEN_0UT3的組合?；诖私M合，編程控制器805可確定當(dāng)信息IN具有特定值時是否滿足條件Vt ≥ PPVi及Vt≥PVi0這些特定值可包含信息IN的值X-2、X、Y-2、Y、Z-2及Z。
[0081]編程控制器805可包含存儲組件(例如，鎖存器)以存儲通過信號MATCH及信號SEN_0UT1、SEN_0UT2及SEN_0UT3提供的信息。基于所存儲的信息(其包含與條件Vt≥PPVi及Vt SPVi相關(guān)聯(lián)的信息)，存儲器裝置200可執(zhí)行其它編程活動。舉例來說，存儲器裝置200可在任何特定選擇的存儲器單元滿足Vt ≥ PPVi的情況下調(diào)整(例如，降低)所述存儲器單元的編程速率且重復(fù)編程，或在任何特定選擇的存儲器單元滿足條件Vt ≥ PVi的情況下完成(例如，約束)所述存儲器單元的編程。
[0082]圖9是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器裝置200的活動的圖表，所述活動包含在圖8的存儲器單元210、212及213的實例編程中在一些時間間隔期間確定條件Vt≥PPVi及Vt≥PVi0如圖9中所展示，存儲器單元210、212及213可經(jīng)編程以具有對應(yīng)于信息IN的值X、Y及Z的目標(biāo)閾值電壓值。在與圖9相關(guān)聯(lián)的實例編程操作期間，Vt21(l、Vt212及Vt213分別指示存儲器單元210、212及213的閾值電壓值。在此實例中，對應(yīng)于存儲在目標(biāo)VT數(shù)據(jù)單元861 (圖8)中的目標(biāo)閾值電壓值的信息VTtct可包含對應(yīng)于信息IN的值X、Y及Z的值。
[0083]如圖9中所展示，可基于信息IN加偏移值(例如偏移值731、732或733)的對應(yīng)值(例如，數(shù)字)產(chǎn)生信息INl的每一值(例如，數(shù)字)。舉例來說，如果IN=X-2、X-UX，則IN1=X、X+1、X+2。在此實例中(偏移值等于2)，如果X=16，則當(dāng)IN1=X_2=14 (例如，00001110)時，IN= (X-2)+2=X=16(例如，00010000)。類似地，如圖 9 中所展示，如果 IN=Y_2、Y-U Y, PJ ΙΝ1=Υ、Υ+1、Υ+2。如果 IN=Z-2、Z-1、Z，則 IN1=Z、Z+1、Z+2。
[0084]信息IN2的值可等于信息IN的值。舉例來說，如果IN=X_2、X_l、X，則IN2=X_2、X-U Xo 在此實例中，如果 X=16，貝當(dāng) IN=X-2=14(例如，00001110)時，IN2=X_2=14(例如，00001110)。類似地，如圖 9 中所展示，如果 IN=Y-2、Y-1、Y，則 IN2=Y_2、Y_1、Y。如果 IN=Z_2、Z-1、Z，則 IN2=Z-2、Z-1、Z。
[0085]因為信息INl的值可等于信息IN加偏移值的值(例如，INl=IN+偏移值)且信息IN2的值可等于信息IN的值(例如，IN2=IN)，所以信息INl的值還可等于信息IN2的值加偏移值(例如，IN1=IN2+偏移值)。舉例來說，如圖9中所展示，如果IN2=X-2、X-U X，貝ΙΝ1=Χ、Χ+1、Χ+2。如果 IN2=Y-2、Y-1、Y，貝 ΙΝ1=Υ、Υ+1、Υ+2。如果 IN2=Z_2、Z_1、Z，貝 INl=Z'Z+1、Z+2。
[0086]信號MATCH可具有信號電平值以提供包含三種不同類型的指示的信息。舉例來說，信號MATCH的信號電平值(例如，低)可用于指示不匹配指示930。信號MATCH的另一信號電平值(例如，高)可用于指示接近目標(biāo)匹配指示931、934或936及目標(biāo)匹配指示932、935 或 937。
[0087]在時間間隔901、911及921期間，存儲器裝置200可在每次出現(xiàn)接近目標(biāo)匹配指示931、934及936期間針對相應(yīng)存儲器單元210、212及213確定是否Vt≥PPV”在時間間隔903、923及933期間，存儲器裝置200可在每次出現(xiàn)目標(biāo)匹配指示932、935及937期間針對相應(yīng)存儲器單元210、212及213確定是否Vt_PVi。舉例來說，如圖9中所展示，當(dāng)出現(xiàn)接近目標(biāo)匹配指示931及目標(biāo)匹配指示932時，存儲器裝置200可分別在時間間隔901及903期間針對存儲器單元210確定是否Vt21tl≥PPVi及Vt21tl≥PVi0當(dāng)出現(xiàn)接近目標(biāo)匹配指示934及目標(biāo)匹配指示935時，存儲器裝置200可分別在時間間隔911及913期間針對存儲器單元212確定是否Vt212≥PPVi及Vt212≥PVi0當(dāng)出現(xiàn)接近目標(biāo)匹配指示936及目標(biāo)匹配指示937時，存儲器裝置200可分別在時間間隔921及923期間針對存儲器單元213確定是否Vt213≥PPVi及Vt213≥PVi0
[0088]當(dāng)在時間間隔902、912及922期間出現(xiàn)不匹配指示930時，存儲器裝置200可忽略相應(yīng)存儲器單元210,212及213的感測結(jié)果信息。在時間間隔901、902、903、911、912、913、921、922及923中的每一者中，存儲器裝置200可啟用(例如，激活)與所選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的感測放大器，例如與所選擇的存儲器單元210、212及213相關(guān)聯(lián)的感測放大器280、282及283(圖8)。感測放大器280、282及283在啟用時執(zhí)行時間間隔901、902、903、911、912、913、921、922及923中的每一者中的感測操作。然而，由于時間間隔902、912及922期間出現(xiàn)不匹配指示930，所以存儲器裝置200可忽略(例如，不一定存儲)時間間隔902、912及922期間獲得的感測結(jié)果信息。
[0089]可基于信息INl的值提供接近目標(biāo)匹配指示931、934及936。例如，如圖9中所展示，當(dāng)信息INl的值為X、Y及Z時，信號MATCH分別提供接近目標(biāo)匹配指示931、934及936。[0090]可基于信息IN2的值提供目標(biāo)匹配指示932、935及937。例如，如圖9中所展示，當(dāng)信息IN2的值為X、Y及Z時，信號MATCH分別提供目標(biāo)匹配指示932、935及937。
[0091]因此，當(dāng)信息皿的值或信息IN2的值等于目標(biāo)閾值電壓值X、Y及Z時，出現(xiàn)接近目標(biāo)匹配指示931、934及936以及目標(biāo)匹配指示932、935及937。在每次出現(xiàn)接近目標(biāo)匹配指示931、934及936以及每次出現(xiàn)目標(biāo)匹配指示932、935及937時，存儲器裝置200可獲得分別通過信號Senjui Senjut2及sen_out3提供的感測結(jié)果信息941、942、944、945、946及947。在編程操作期間，編程控制器805 (圖8)可存儲指示931、932、934、935、936及937以及感測結(jié)果信息941、942、944、945、946及947。
[0092]基于與存儲器單元210、212及213中的每一者相關(guān)聯(lián)的感測結(jié)果信息以及通過信號MATCH提供的信息，存儲器裝置200可確定是否滿足條件Vt≥PPVi及Vt≥PV1.舉例來說，在時間間隔901期間，如果通過信號SEN-OUTtl提供的感測結(jié)果信息具有一個值(例如，高、邏輯I或其它值)，則滿足與存儲器單元210相關(guān)聯(lián)的條件Vt ≥ PPVi。在此實例中，如果通過信號SENJiUTci提供的感測結(jié)果信息具有另一值(例如，低、邏輯O或其它值)，則不滿足條件Vt ≥ PPV”在另一實例中，在時間間隔903期間，如果通過信號SEN-OUTtl提供的感測結(jié)果信息具有一個值(例如，高、邏輯I或其它值)，則滿足與存儲器單元210相關(guān)聯(lián)的條件Vt21tl ≥ PVi0在此實例中，如果通過信號SENJiUTci提供的感測結(jié)果信息具有另一值(例如，低、邏輯O或其它值)，則不滿足條件Vt21tl≥PVi0
[0093]以類似方式，在間隔911期間，如果通過信號SEN_0UT2提供的感測結(jié)果信息具有一個值(例如，高、邏輯I或其它值)，則滿足與存儲器單元212相關(guān)聯(lián)的條件Vt212≥PPVi,且如果通過信號SEN_0UT2提供的感測結(jié)果信息具有另一值(例如，低、邏輯O或其它值)，則不滿足條件Vt212 ≥ PPVp在時間間隔913期間，如果通過信號SEN_0UT2提供的感測結(jié)果信息具有一個值，則滿足與存儲器單元212相關(guān)聯(lián)的條件Vt212 ≥ PVi,且如果通過信號SEN_OUT2提供的感測結(jié)果信息具有另一值，則不滿足條件Vt212≥ PVi0
[0094]在間隔921期間，如果通過信號SEN_0UT3提供的感測結(jié)果信息具有一個值(例如，高、邏輯I或其它值)，則滿足與存儲器單元213相關(guān)聯(lián)的條件Vt213 ≥ PPVi,且如果通過信號SEN_0UT3提供的感測結(jié)果信息具有另一值(例如，低、邏輯O或其它值)，則不滿足條件Vt213 ≥PPVi。在時間間隔923期間，如果通過信號SEN_0UT3提供的感測結(jié)果信息具有一個值，則滿足與存儲器單元213相關(guān)聯(lián)的條件Vt213 ≥ PVi,且如果通過信號SEN_0UT3提供的感測結(jié)果信息具有另一值，則不滿足條件Vt213 ≥ PVi0
[0095]圖10是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的在參考圖9描述的實例編程操作中與存儲器單元210相關(guān)聯(lián)的信號SENJUTtl及信號Vbui的第一實例的圖表。如圖10中所展示，分別在時間間隔901及903期間的感測結(jié)果信息941及942 (也在圖9中展示)可具有不同值。舉例來說，感測結(jié)果信息941具有對應(yīng)于信號SEN-OUTtl的一個信號電平值1001 (例如，高)的值。感測結(jié)果信息942具有對應(yīng)于另一信號電平值1000(例如，低)的值。
[0096]圖10展示其中在時間間隔901期間信號SEN-OUTtl具有信號電平值1001 (指示滿足條件Vt21tl≥PPVi)的實例。圖10還展示其中在時間間隔903期間信號SEN-OUTtl具有信號電平值1000(指示不滿足條件Vt21tl≥PVi)的實例。
[0097]信號SEN_0UTq的信號電平值基于信號Vbui的信號電平值。感測放大器280 (圖8)可進(jìn)行操作以使信號SENJiUTci的信號電平值跟隨信號Vbui的信號電平值。舉例來說，在圖10的時間間隔901期間，當(dāng)信號Vbui的信號電平值為高(例如，值1011)時信號SEN_OUTq的信號電平值為高。在時間間隔903期間，當(dāng)信號Vbui的信號電平值為低(例如，值1010)時信號SEN-OUTtl的信號電平值為低。[0098]圖10中所展示的信號Vbui的信號電平值可取決于感測線270(圖8)上的電荷量(例如，電壓)。以下描述指圖8及圖10。在時間間隔901、902及903之前(例如圖10中的時間間隔900期間)開始驗證操作時，可使感測線270充電(例如，預(yù)充電)到電壓(例如，Vcc)以使信號Vbui具有信號電平值1011。時間間隔900可大于時間間隔901、902及903中的每一者。為簡單起見，圖10及圖11到圖14中的時間間隔(例如，900、901、902及903)并未按比例繪制。時間間隔900可足以容許感測線270在時間間隔901處的感測操作之前達(dá)到充電電壓(例如，Vcc)。取決于時間間隔901、902及903期間存儲器單元210的閾值電壓值Vt21tl及存取線216 (圖8)上的信號Vkamp的值，感測線270可維持所述電荷(例如，維持在Vcc)或可在時間間隔901、902及903中的任一者期間對線291放電。
[0099]如果Vt21tl大于信號Vkamp的值(Vt21(l>VKAMP)，則感測線270可維持所述電荷。舉例來說，如果Vt210V—，則存儲器單元210中的晶體管并未開啟(例如，保持在關(guān)閉狀態(tài)中)。因此，并未通過存儲器單元210形成從感測線270到線291的信號路徑(例如，電流路徑)。因為未形成信號，所以感測線270可將其電荷維持在大體上相同的值(例如，Vcc)。
[0100]如果在時間間隔901、902及903的任一者期間Vt21tl等于或小于信號Veamp的值(Vt210 ( Veamp)，則感測線270可對線291放電。舉例來說，如果Vt21tl (則存儲器單元210中的晶體管開啟。因此，通過存儲器單元210形成從感測線270到線291的信號路徑。因為形成了信號路徑，所以感測線270可經(jīng)由所述信號路徑對線291放電。所述放電可將感測線270上的電荷減小為零或接近零。
[0101]圖10展示其中在時間間隔901期間Vt210PVmmp及在時間間隔902及903期間Vt21tl ( Veamp的實例。舉例來說，如果在時間間隔901期間Vt21tl=L 48V且Veamp=L 4ν(ν?21(ι>ν_)，則存儲器單元210中的晶體管不開啟。因此，在時間間隔901期間，未通過存儲器單元210形成從感測線270到線291的信號路徑。因此，感測線270上的電荷保持在大體上相同的值(例如，Vcc)。如圖10中所展示，從時間間隔900到時間間隔901，信號Vbui停留在相同信號電平值1011 (例如，高)，指示當(dāng)Vt210VMp時感測線270上的電荷保持在大體上相同的值。因為信號Vbui具有信號電平值1011 (例如，高)，所以信號SEN_OUT0還具有對應(yīng)的信號電平值1001 (例如，高)，指示滿足條件Vt21tl≥PPVi。
[0102]在上文的實例中，信號Vkamp的值可從時間間隔901期間的1.4V增加到(例如)時間間隔902期間的1.5V，且接著增加到(例如)時間間隔903期間的1.6V。此處描述的實例值1.4V、1.5V及1.6V還可對應(yīng)于圖6的圖表600中所展示的Veamp的實例值。在圖10中的時間間隔902期間，因為Vt210 ( Veamp(例如，Vt210=L 4V ( Veamp=L 5V)，所以存儲器單元210中的晶體管開啟。感測線270可對線291放電。如圖10中所展示，在時間間隔902期間，信號Vbui從信號電平值1011(例如，高)變化為信號電平值1010(例如，低)。此指示當(dāng)Vt210 ( Veamp時感測線270在時間間隔902期間開始對線291放電。因為在時間間隔902期間信號Vbui從信號電平值1011 (例如，高)變化為信號電平值1010 (例如，低)，所以SEN_OUT0還在時間間隔902期間從信號電平值1001 (例如，高)變化為信號電平值1000 (例如，低)。[0103]在時間間隔903期間，因為如上述實例中所指示的Vt210 ( Veamp(例如，Vt210=L 4V ( Veamp=L 6V)，所以存儲器單元210中的晶體管可保持開啟。感測線270可繼續(xù)對線291放電或可接近結(jié)束所述放電。如圖10中所展示，在時間間隔903期間，信號Vbui具有信號電平值1010(例如，低)。此指示當(dāng)Vt21tl ( Veamp時感測線270在時間間隔903期間已對線291放電。因為信號Vblo在時間間隔903期間具有信號電平值1010(例如，低)，所以SENJiUTci還具有對應(yīng)的信號電平值1000(例如，低)，指示不滿足條件Vt21tl ≥ IVi。
[0104]在圖10的實例中，因為不滿足條件Vt21tl≥PVi,所以存儲器裝置200重復(fù)存儲器單元210的編程。在此實例中，因為滿足條件Vt21tl≥PPVi (指示存儲器單元210的閾值電壓值接近目標(biāo)閾值電壓值(例如，PV2)),所以存儲器裝置200可在對存儲器單元210的重復(fù)編程期間調(diào)整對存儲器單元210進(jìn)行編程的編程速率以使所述閾值電壓值朝著目標(biāo)閾值電壓值移動。調(diào)整此編程速率可避免對存儲器單元210的過度編程。舉例來說，存儲器裝置200可通過(例如)調(diào)整在對存儲器單元210進(jìn)行重復(fù)編程期間施加到與存儲器單元210相關(guān)聯(lián)的感測線270的電壓值來調(diào)整編程速率。
[0105]調(diào)整此電壓值可包含增加施加到感測線270的電壓值。增加施加到感測線270的電壓值可包含從零增加到正電壓值(例如，500mV)。舉例來說，在用先前編程脈沖(例如，圖3中的V_)對存儲器單元210進(jìn)行編程期間，當(dāng)不滿足條件Vt21tl PVi時可將零伏特施加到感測線270。在此實例中，在用隨后的編程脈沖(例如，圖3中的Vrcffl3)對存儲器單元210進(jìn)行編程期間，當(dāng)滿足條件Vt21tl PVi時可將正電壓值施加到感測線270。增加施加到感測線270的電壓值可替代地包含將電壓值從較低的正值(例如，當(dāng)使用圖3中的Vrcffl2時)增加到較高的正值(例如，當(dāng)在重復(fù)編程期間使用圖3中的Vrcffl3時)。
[0106]在替代性編程操作中，調(diào)整施加到感測線270的電壓值可包含在對存儲器單元210進(jìn)行重復(fù)編程期間降低施加到感測線270的電壓值。舉例來說，降低施加到感測線270的電壓值可包含將電壓值從正電壓值降低為零。舉例來說，在用先前的編程脈沖(例如，圖3中的Vrc胃)對存儲器單元210進(jìn)行編程期間，當(dāng)不滿足條件Vt21tl PVi時可將正電壓值施加到感測線270。在此實例中，在用隨后的編程脈沖(例如，圖3中的Vrcffl3)對存儲器單元210進(jìn)行編程期間，當(dāng)不滿足條件Vt21tl ≥ PVi時可將零伏特施加到感測線270。降低施加到感測線270的電壓值可替代地包含將電壓值從較高的正值(例如，當(dāng)使用圖3中的Vrcffl2時)降低到較低的正值(例如，當(dāng)在重復(fù)編程期間使用圖3中的、*時)。在一些情況中，當(dāng)僅有存儲器單元210未達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓值而相同行(例如，圖2中的行241)中的其它存儲器單元已達(dá)到其相應(yīng)目標(biāo)閾值電壓值時可執(zhí)行降低施加到感測線270的電壓值。
[0107]圖11是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的在參考圖9描述的實例編程操作中與存儲器單元210相關(guān)聯(lián)的信號SENJUTtl及信號Vbui的第二實例的圖表。如圖11中所展示，信號SEN-OUTtl在時間間隔901期間具有信號電平值1000，指示不滿足條件Vt21tl≥PPVi0圖11還展示信號SEN-OUTtl在時間間隔903期間具有信號電平值1000，指示不滿足條件Vt21tl ≥ PVi。
[0108]在此實例中，在時間間隔901、902及903期間，Vt21tl <V_。感測線270(圖8)對線291放電。因此，如圖11中所展示，信號Vbui在時間間隔901、902及903期間具有信號電平值1010(例如，低)。因此，信號SEN-OUTtl在時間間隔901、902及903期間還具有對應(yīng)的信號電平值1000(例如，低)。此指示在時間間隔901期間不滿足條件Vt21tl ≥ PPVi,且在時間間隔903期間不滿足條件Vt21tl PVi0[0109]在圖11的實例中，因為不滿足條件Vt20≥lSPVi,所以存儲器裝置200重復(fù)存儲器單元210的編程。在此實例中，因為也不滿足條件Vt21tl≥PPVi (指示存儲器單元210的閾值電壓值并不接近目標(biāo)閾值電壓值(例如，PV2)),所以存儲器裝置200可能不調(diào)整編程速率，例如通過在對存儲器單元210重復(fù)編程時使施加到與存儲器單元210相關(guān)聯(lián)的感測線270的電壓值保持不變。舉例來說，在與隨后的編程脈沖(例如，圖3中的Vrcffl3)相關(guān)聯(lián)的重復(fù)編程期間，存儲器裝置200可使施加到感測線270的電壓值保持在與先前的編程脈沖(例如，圖3中的Vrcffl2)相關(guān)聯(lián)的編程期間所使用的值相同的值(例如，保持在零或保持在正值)處。
[0110]圖12是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的在參考圖9描述的實例編程操作中與存儲器單元210相關(guān)聯(lián)的信號SENJUTtl及信號Vbui的第三實例的圖表。如圖12中所展示，信號SEN_OUT0在時間間隔901期間具有信號電平值1001，指示滿足條件Vt21tl≥PPVp圖12還展示信號SEN-OUTtl在時間間隔903期間具有信號電平值1001，指示也滿足條件Vt21tl≥ PVi0
[0111]在此實例中，在時間間隔901、902及903期間，νt210>νrvmp。感測線270(圖8)在時間間隔901、902及903期間維持其電荷。因此，如圖11中所展示，信號Vbui在時間間隔901、902及903期間具有信號電平值1001 (例如，高)。因此，信號SEN-OUTtl在時間間隔901、902及903期間還具有對應(yīng)的信號電平值1001 (例如，高)。此指示在時間間隔901期間滿足條件Vt21tl≥PPVi,且在時間間隔903期間滿足條件Vt21tl≥PVi0
[0112]在圖12的實例中，因為滿足條件Vt21tl≥PVi,所以存儲器裝置200可完成存儲器單元210的編程。在此實例中，存儲器裝置200可通過(例如)將約束電壓值施加到與存儲器單元210相關(guān)聯(lián)的感測線270來完成存儲器單元210的編程。此約束電壓可具有即使存儲器單元210的相同行中的其它所選擇的存儲器單元(212及213)未達(dá)到其相應(yīng)目標(biāo)閾值電壓值而仍足以防止儲器單元210的進(jìn)一步編程的值。舉例來說，約束電壓值可具有等于存儲器裝置200的電源電壓(例如，Vcc)的值的值。如果例如存儲器單元212及213的其它存儲器單元未達(dá)到其相應(yīng)的目標(biāo)閾值電壓值，則存儲器裝置200可繼續(xù)(例如，重復(fù))對其它存儲器單元進(jìn)行編程。
[0113]圖13是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例在參考圖9描述的實例編程操作中與存儲器單元212相關(guān)聯(lián)的信號SEN_0UT2及信號V%2的實例的圖表。與圖13相關(guān)聯(lián)的實例類似于圖10的實例。如圖13中所展示，信號SEN_0UT2在時間間隔911期間具有信號電平值1301，指示滿足條件Vt212≥ PPVi0圖13還展示信號SEN_0UT2在時間間隔913期間具有信號電平值1300，指示不滿足條件Vt212≥PVi0
[0114]信號SEN_0UT2的信號電平值基于信號Vb1j2的信號電平值。感測放大器282 (圖8)可進(jìn)行操作以使信號SEN_0UT2的信號電平值跟隨信號V%2的信號電平值。舉例來說，在時間間隔911期間，當(dāng)信號V%2的信號電平值為高(例如，值1311)時信號SEN_0UT2的信號電平值為高。在時間間隔913期間，當(dāng)信號V%2的信號電平值為低(例如，值1310)時信號SEN_0UT2的信號電平值為低。
[0115]圖13展示其中在時間間隔911期間Vt212>VKAMP且在時間間隔912及913期間Vt212 ( Veamp的實例。在此實例中，在時間間隔900期間，可將感測線272 (圖8)充電(例如，預(yù)充電)到電壓(例如，Vcc)以使信號V%2具有信號電平值1311。因為在時間間隔911期間且在時間間隔912及913期間Vt212 ( Veamp,所以感測線272在時間間隔911期間維持其電荷且在時間間隔912及913期間放電。因此，如圖13中所展示，信號在時間間隔911期間具有信號電平值1311 (例如，高)且在時間間隔912及913期間具有信號電平值1310(例如，低)。因此，信號SEN_OUT2在時間間隔911期間還具有對應(yīng)的信號電平值1301(例如，高)且在時間間隔912及913期間具有對應(yīng)的信號電平值1300(例如，低)。此指示在時間間隔911期間滿足條件Vt212 ≥ PPVi,且在時間間隔913期間不滿足條件 Vt212 ≥ PVitl
[0116]在圖13的實例中，因為不滿足條件Vt212≥PVi,所以存儲器裝置200重復(fù)存儲器單元212的編程。在此實例中，因為滿足條件Vt212≥PPVi (指示存儲器單元212的閾值電壓值接近目標(biāo)閾值電壓值(例如，PV5)),所以存儲器裝置200可在重復(fù)存儲器單元212的編程期間調(diào)整施加到與存儲器單元212相關(guān)聯(lián)的感測線272的電壓值。調(diào)整此電壓值可避免存儲器單元212的過度編程。存儲器裝置200可以與上文參考圖10針對存儲器單元210所描述的方式類似或相同的方式來調(diào)整(例如，增加或降低)施加到感測線272的電壓值。
[0117]圖14是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的在參考圖9描述的實例編程操作中與存儲器單元213相關(guān)聯(lián)的信號SEN_0UT3及信號Vbu的實例的圖表。與圖14相關(guān)聯(lián)的實例類似于圖10及圖13的實例。如圖14中所展示，信號SEN_0UT3在時間間隔921期間具有信號電平值1401，指示滿足條件Vt213≥PPVp圖14還展示信號SEN_0UT3在時間間隔923期間具有信號電平值1400，指示不滿足條件Vt213 ≥ PVi0
[0118]信號SEN_0UT3的信號電平值基于信號Vbu的信號電平值。感測放大器283 (圖8)可進(jìn)行操作以使信號SEN_0UT3的信號電平值跟隨信號Vbu的信號電平值。舉例來說，在時間間隔921期間，當(dāng)信號Vbu的信號電平值為高(例如，值1411)時信號SEN_0UT3的信號電平值為高。在時間間隔923期間，當(dāng)信號Vbu的信號電平值為低(例如，值1410)時信號SEN_0UT3的信號電平值為低。
[0119]圖14展示其中在時間間隔921期間Vt213>VEAMP且在時間間隔922及923期間Vt213 ( Veamp的實例。在此實例中，在時間間隔900期間，可將感測線273 (圖8)充電(例如，預(yù)充電)到電壓(例如，Vcc)以使信號Vbu具有信號電平值1411。因為在時間間隔921期間且在時間間隔922及923期間Vt213 ( Veamp,所以感測線273在時間間隔921期間維持其電荷且在時間間隔922及923期間放電。因此，如圖14中所展示，信號Vbu在時間間隔921期間具有信號電平值1411 (例如，高)且在時間間隔922及923期間具有信號電平值1410(例如，低)。因此，信號SEN_0UT3在時間間隔921期間還具有對應(yīng)的信號電平值1401(例如，高)且在時間間隔922及923期間具有對應(yīng)的信號電平值1400(例如，低)。此指示在時間間隔921期間滿足條件Vt213 ≥ PPVi且在時間間隔923期間不滿足條件 Vt213 ≥ PVit5
[0120]在圖14的實例中，因為不滿足條件Vt213≥PVi,所以存儲器裝置200重復(fù)存儲器單元213的編程。在此實例中，因為滿足條件Vt213≥PPVi (指示存儲器單元213的閾值電壓值接近目標(biāo)閾值電壓值(例如，PV7)),所以存儲器裝置200可在重復(fù)存儲器單元213的編程期間調(diào)整施加到與存儲器單元213相關(guān)聯(lián)的感測線273的電壓值。調(diào)整此電壓值可避免存儲器單元213的過度編程。存儲器裝置200可以與上文參考圖10針對存儲器單元210所描述的方式類似或相同的方式來調(diào)整(例如，增加或降低)施加到感測線273的電壓值。
[0121]圖15是展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器裝置200的活動的圖表，所述活動包含在圖7的存儲器單元210、212及213的另一實例編程中在一些時間間隔期間確定條件Vt≥PPVi及Vt≥PVitl圖15與圖9的不同之處在于:在圖15中，存儲器單元210及212兩者都經(jīng)編程以具有對應(yīng)于值X的相同目標(biāo)閾值電壓值。因此，如圖15中所展示，當(dāng)在時間間隔1501期間出現(xiàn)匹配指示931 (INl=X)時，存儲器裝置200分別針對存儲器單元210及212確定是否Vt210≥PPVi及Vt212≥PPVi0而且如圖15中所展示，當(dāng)在時間間隔1503期間出現(xiàn)匹配指示932 (INl=X)時，存儲器裝置200分別針對存儲器單元210及212確定是否Vt21tl≥PVi及Vt212≥PVi,對于信息IN2的值X也如此。
[0122]當(dāng)出現(xiàn)匹配指示936及937時，存儲器裝置200分別在時間間隔1521及1523期間針對存儲器單元213確定是否Vt213≥PPVi及Vt213≥PVi0當(dāng)在時間間隔1502及1522處出現(xiàn)不匹配指示930時，存儲器裝置200可忽略感測信息結(jié)果。
[0123]如上文參考圖2到圖14所詳細(xì)描述，可存儲感測結(jié)果信息1541、1542、1544、1545、1546及1547用于通過存儲器裝置200執(zhí)行的進(jìn)一步的活動(例如完成編程或調(diào)整編程速率及重復(fù)所選擇的存儲器單元的一些或全部的編程)。
[0124]圖16展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器裝置中的編程操作的方法1600的流程圖。方法1600可用于對上文參考圖1到圖15描述的存儲器裝置(例如，存儲器裝置100或200)的存儲器單元進(jìn)行編程。因此，方法1600可包含上文參考圖2到圖15描述的活動及編程操作。
[0125]如圖16中所展示，活動1610可包含對存儲器單元進(jìn)行編程?；顒?620可包含確定存儲器單元的閾值電壓值。確定閾值電壓值可包含針對存儲器單元確定是否Vt SPPVi及Vt≥PVi0方法1600可基于用于產(chǎn)生在確定條件Vt≥PPVi及Vt≥PVi期間施加到存儲器單元的存取線的信號(例如，Veamp)的數(shù)字信息(例如，信息IN)的不同值來確定是否Vt ≥ PPVi 及 Vt ≥ PViO
[0126]方法1600可包含確定是否Vt≥PPVi的活動1630及確定是否Vt≥PVi的活動1640。如果滿足所述條件的兩者，則方法1600可在活動1650處完成對存儲器單元的編程。如果在活動1630中滿足條件Vt ≥ PPVi且在活動1640中不滿足條件Vt ≥ PVi (例如，PPVi ≥ Vt ≥ PVi)，則方法1600可執(zhí)行活動1660以調(diào)整編程速率。舉例來說，當(dāng)方法1600在活動1670處重復(fù)對存儲器單元進(jìn)行編程時，方法1600可調(diào)整施加到與存儲器單元相關(guān)聯(lián)的感測線的電壓。在活動1630中，如果不滿足條件Vt ≥ PPVi,則方法1600還可執(zhí)行活動1670以在活動1670處重復(fù)存儲器單元的編程，而不執(zhí)行活動1660。方法1600可重復(fù)活動1620、1630、1640、1650、1660及1670中的一者或一者以上直到滿足條件Vt≥PVi為止。
[0127]如此處參考圖16所描述，可以類似或相同方式對方法1600中使用的存儲器裝置的其它存儲器單元進(jìn)行編程。方法1600可包含上文參考圖2到圖15描述的額外活動及編程操作。
[0128]對設(shè)備(例如，存儲器裝置100及200)的說明旨在提供對各種實施例的結(jié)構(gòu)的大體上的了解，且無意提供對可利用本文描述的結(jié)構(gòu)的設(shè)備及系統(tǒng)的全部元件及特征的完整描述。
[0129]任何上文描述的組件可以包含經(jīng)由軟件的模擬的若干方式來實施。因此，上文描述的設(shè)備(例如，存儲器裝置100的一部分或整個存儲器裝置100以及存儲器裝置200的一部分或整個存儲器裝置200)在本文中的特征在于“模塊”。根據(jù)設(shè)備(例如，存儲器裝置100及200)的架構(gòu)的需要且酌情考慮各種實施例的特定實施方案，此類模塊可包含硬件電路、單處理器電路及/或多處理器電路、存儲器電路、軟件編程模塊及對象及/或固件及其組合。舉例來說，此類模塊可包含在系統(tǒng)操作模擬封裝(例如軟件電信號模擬封裝、功率使用及范圍模擬封裝、電容電感模擬封裝、功率/熱耗散模擬封裝、信號傳輸接收模擬封裝及/或用于操作或模擬各種潛在實施例的操作的軟件與硬件的組合)中。
[0130]各種實施例的設(shè)備及系統(tǒng)可包含高速計算機(jī)中使用的電子電路、通信及信號處理電路、單處理器或多處理器模塊、單一嵌入式或多個嵌入式處理器、多核處理器、數(shù)據(jù)開關(guān)及包含多層的專用模塊、多芯片模塊或可包含于高速計算機(jī)中使用的電子電路、通信及信號處理電路、單處理器或多處理器模塊、單一嵌入式或多個嵌入式處理器、多核處理器、數(shù)據(jù)開關(guān)及包含多層的專用模塊、多芯片模塊中?？蛇M(jìn)一步包含此類設(shè)備及系統(tǒng)作為多種電子系統(tǒng)(例如電視、蜂窩式電話、個人計算機(jī)(例如，膝上型計算機(jī)、臺式計算機(jī)、掌上型計算機(jī)、平板式計算機(jī)等)、工作站、收音機(jī)、視頻播放器、音頻播放器(例如，動態(tài)圖片專家群壓縮標(biāo)準(zhǔn)音頻層3 (MP3)播放器)、運載工具、醫(yī)療裝置(例如，心臟監(jiān)視器、血壓監(jiān)視器等)、機(jī)頂盒及其它者)內(nèi)的子組件。
[0131]上文參考圖1到圖16描述的實施例包含存儲器裝置及對存儲器裝置的存儲器單元進(jìn)行編程的方法。一種此類方法可包含將信號施加到與存儲器單元相關(guān)聯(lián)的線，所述信號是基于數(shù)字信息而產(chǎn)生。所述方法還可包含基于所述數(shù)字信息的值且在將所述信號施加到所述線時確定存儲器單元的閾值電壓值是否達(dá)到第一電壓值及第二電壓值。描述包含額外的存儲器裝置及方法的其它實施例。
[0132]上文描述及圖式說明本發(fā)明的一些實施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明的實施例。其它實施例可并入結(jié)構(gòu)變化、邏輯變化、電變化、過程變化及其它變化。實例僅僅代表可能的變動。一些實施例的部分及特征可包含在其它實施例的部分及特征中或可用其它實施例的部分及特征替代。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀并理解上文描述之后將明白許多其它實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，其包括: 將信號施加到與存儲器單元相關(guān)聯(lián)的線，所述信號是基于數(shù)字信息而產(chǎn)生； 當(dāng)所述數(shù)字信息具有第一值時且當(dāng)將所述信號施加到所述線時確定所述存儲器單元是否接近目標(biāo)狀態(tài)；及 當(dāng)所述數(shù)字信息具有第二值時且當(dāng)將所述信號施加到所述線時確定所述存儲器單元是否已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中確定所述存儲器單元是否接近目標(biāo)狀態(tài)包括確定所述存儲器單元的閾值電壓值是否已達(dá)到第一電壓值，且其中確定所述存儲器單元是否已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)包括確定所述存儲器單元的所述閾值電壓值是否已達(dá)到第二電壓值，其中所述第二電壓值大于所述第一電壓值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括如果所述存儲器單元接近所述目標(biāo)狀態(tài)，則調(diào)整所述存儲器單元的編程速率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括如果所述存儲器單元已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)，則完成所述存儲器單元的編程。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括如果所述存儲器單元不接近所述目標(biāo)狀態(tài)且尚未達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)，則增加所述存儲器單元的編程速率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述數(shù)字信息的所述第二值對應(yīng)于所述存儲器單元的目標(biāo)閾值電壓值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述信號包含基于所述數(shù)字信息的所述第一值而產(chǎn)生的值，且所述信號的所述值小于所述第一電壓值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述信號包含基于所述數(shù)字信息的所述第二值而產(chǎn)生的額外值，其中所述額外值小于所述第二電壓值。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在將所述信號施加到所述線之前改變所述存儲器單元的閾值電壓值。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述數(shù)字信息包含按順序次序產(chǎn)生的多個值,所述數(shù)字信息的所述第一值對應(yīng)于所述多個值中的第一值，所述數(shù)字信息的所述第二值對應(yīng)于所述多個值中的第二值，且其中所述第二值與所述第一值之間的差為2。
11.一種方法，其包括: 將信號施加到與第一存儲器單元及第二存儲器單元相關(guān)聯(lián)的線，所述信號是基于輸入信息而產(chǎn)生； 當(dāng)所述輸入信息具有第一值時且當(dāng)將所述信號施加到所述線時確定第一存儲器單元的閾值電壓值是否達(dá)到接近第一目標(biāo)閾值電壓值的值； 當(dāng)所述輸入信息具有第二值時且當(dāng)將所述信號施加到所述線時確定所述第一存儲器單元的所述閾值電壓值是否達(dá)到所述第一目標(biāo)閾值電壓值； 當(dāng)所述輸入信息具有第三值時且當(dāng)將所述信號施加到所述線時確定所述第二存儲器單元的閾值電壓值是否達(dá)到接近第二目標(biāo)閾值電壓值的值；及 當(dāng)所述輸入信息具有第四值時且當(dāng)將所述信號施加到所述線時確定所述第二存儲器單元的所述閾值電壓值是否達(dá)到所述第二目標(biāo)閾值電壓值。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一目標(biāo)閾值電壓值與所述第二目標(biāo)閾值電壓值不同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述輸入信息的所述第一值小于所述輸入信息的所述第二值。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述輸入信息的所述第二值小于所述輸入信息的所述第三值。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述輸入信息的所述第三值小于所述輸入信息的所述第四值。
16.—種方法,其包括: 產(chǎn)生第一信息； 產(chǎn)生第二信息； 當(dāng)所述第一信息的值對應(yīng)于所述目標(biāo)閾值電壓值時確定存儲器單元是否接近目標(biāo)狀態(tài)；及 當(dāng)所述第二信息的值對應(yīng)于所述目標(biāo)閾值電壓值時確定所述存儲器單元是否已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中確定存儲器單元是否接近目標(biāo)狀態(tài)包括確定所述存儲器單元的閾值電壓值是否已達(dá)到接近所述存儲器單元的所述目標(biāo)閾值電壓值的值，且其中確定所述存儲器單元是否已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)包括確定所述存儲器單元的所述閾值電壓值是否已達(dá)到所述目標(biāo)閾值電壓值。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一信息在第一時間間隔期間具有第一值且在第二時間間隔期間具有第二值，所述第二信息在所述第一時間間隔期間具有第一值且在所述第二時間間隔期間具有第二值，且所述第一信息的所述第一值等于所述第二信息的所述第二值。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一信息及所述第二信息是基于同一輸入信息而產(chǎn)生。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中當(dāng)將基于所述輸入信息產(chǎn)生的信號施加到與所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的存取線時，執(zhí)行確定所述存儲器單元的所述閾值電壓值是否已達(dá)到接近所述目標(biāo)閾值電壓值的所述值及確定所述存儲器單元的所述閾值電壓值是否已達(dá)到所述目標(biāo)閾值電壓值。
21.—種方法,其包括: 在第一時間間隔及第二時間間隔期間將信號施加到與存儲器單元相關(guān)聯(lián)的第一線，所述信號在所述第一時間間隔期間具有對應(yīng)于數(shù)字信息的第一值的第一值，且所述信號在所述第二時間間隔期間具有對應(yīng)于所述數(shù)字信息的第二值的第二值； 在所述第一時間間隔期間感測與所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的第二線上的信號以提供指示所述存儲器單元的狀態(tài)與第一值之間的關(guān)系的第一感測結(jié)果信息；及 在所述第二時間間隔期間感測所述第二線上的所述信號以提供指示所述存儲器單元的所述狀態(tài)與第二值之間的關(guān)系的第二感測結(jié)果信息。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述存儲器單元的所述狀態(tài)包括所述存儲器單元的閾值電壓值。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進(jìn)一步包括:如果所述第二感測結(jié)果指示所述存儲器單元的所述狀態(tài)小于所述第二值，則改變所述存儲器單元的所述狀態(tài)。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在編程操作期間將額外信號施加到所述第一線以改變所述存儲器單元的所述閾值電壓值；及 如果所述第一感測結(jié)果信息指示在將所述額外信號施加到所述第一線之前所述存儲器單元的所述閾值電壓值大于所述第一值，則在所述存儲器單元的編程期間將大于零伏特的電壓施加到所述第二線。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進(jìn)一步包括: 存儲所述第一感測結(jié)果信息；及 存儲所述第二感測結(jié)果信息。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二值大于所述第一值，且所述第二值包含所述存儲器單元的目標(biāo)閾值電壓值。
27.—種設(shè)備,其包括: 存儲器單元；及 模塊，其用以: 將信號施加到與所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的存取線，所述信號是基于數(shù)字信息而產(chǎn)生； 當(dāng)所述數(shù)字信息具有第一值時確定所述存儲器單元是否接近目標(biāo)狀態(tài)；及 當(dāng)所述數(shù)字信息具有第二值時確定所述存儲器單元是否已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述模塊進(jìn)一步經(jīng)配置以在所述存儲器單元接近目標(biāo)狀態(tài)的情況下調(diào)整所述存儲器單元的編程速率。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述模塊進(jìn)一步經(jīng)配置以在所述存儲器單元已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)的情況下完成所述存儲器單元的編程。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述模塊進(jìn)一步經(jīng)配置以在所述存儲器單元未接近所述目標(biāo)狀態(tài)且未達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)的情況下增加所述存儲器單元的所述編程速率。
31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述模塊經(jīng)配置以在所述存儲器單元接近所述目標(biāo)狀態(tài)的情況下，在所述存儲器單元的編程期間將正電壓施加到與所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的感測線。
32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述模塊經(jīng)配置以在確定所述存儲器單元是否接近所述目標(biāo)狀態(tài)之前及在確定所述存儲器單元是否已達(dá)到所述目標(biāo)閾值狀態(tài)之前對耦合到所述存儲器單元的線充電。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中所述模塊經(jīng)配置以: 在對所述線充電后感測第一時間間隔期間所述線上的信號電平值以確定所述存儲器單元是否接近所述目標(biāo)狀態(tài)；及 在對所述線充電后感測第二時間間隔期間所述線上的所述信號電平值以確定所述存儲器單元是否已達(dá)到所述目標(biāo)狀態(tài)。
34.—種設(shè)備,其包括: 存儲器單元；及 模塊，其用以:產(chǎn)生第一序列的值及第二序列的值； 當(dāng)所述第一序列的值當(dāng)中的所選擇的值匹配對應(yīng)于所述存儲器單元中的所選擇的存儲器單元的目標(biāo)閾值電壓值的值時確定所述所選擇的存儲器單元的閾值電壓值是否已達(dá)到第一值 '及 當(dāng)所述第二序列的值當(dāng)中的所選擇的值匹配對應(yīng)于所述所選擇的存儲器單元的所述目標(biāo)閾值電壓值的所述值時確定所述所選擇的存儲器單元的所述閾值電壓值是否已達(dá)到第二值。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的設(shè)備，其中所述模塊經(jīng)配置以在所述所選擇的存儲器單元的所述閾值電壓值小于所述第一值的情況下，在所述所選擇的存儲器單元的編程期間將第一電壓施加到與所述所選擇的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的感測線，且所述模塊經(jīng)配置以在所述所選擇的存儲器單元的所述閾值電壓值大于所述第一值且小于所述第二值的情況下，在所述所選擇的存儲器單元的所述編程期間將第二電壓施加到所述感測線。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的設(shè)備，其中所述模塊經(jīng)配置以在所述所選擇的存儲器單元的所述閾值電壓值已達(dá)到所述第二值時將第三電壓施加到所述感測線。
37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的設(shè)備，其中所述第二值包含所述目標(biāo)閾值電壓值。
38.根據(jù)權(quán)利要求34所述的設(shè)備，其中所述模塊進(jìn)一步經(jīng)配置以: 在所述第一序列的值當(dāng)中的所述所選擇的值匹配對應(yīng)于所述存儲器單元的額外選擇的存儲器單元的目標(biāo)閾值電壓值的值時確定所述額外選擇的存儲器單元的閾值電壓值是否已達(dá)到第三值；及 在所述第二序列的值中的所述所選擇的值匹配對應(yīng)于所述額外選擇的存儲器單元的所述目標(biāo)閾值電壓值的所述值時確定所述額外選擇的存儲器單元的所述閾值電壓值是否已達(dá)到第四值。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的設(shè)備，其中所述第三值等于所述第一值且所述第四值等于所述第二值。
【文檔編號】G11C16/10GK103460297SQ201280015131
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年3月23日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月25日
【發(fā)明者】維奧蘭特·莫斯基亞諾, 喬瓦尼·桑廷, 米凱萊·因卡爾納蒂 申請人:美光科技公司